Биполярный транзистор BD245A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD245A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
BD245A
Datasheet (PDF)
..1. Size:216K inchange semiconductor bd245 bd245a bd245b bd245c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD245/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A(BR)CEO80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245CComplement to Type BD246/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power
9.1. Size:84K bourns bd245-a-b-c.pdf
BD245, BD245A, BD245B, BD245CNPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE(TOP VIEW)BD246 Series 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector CurrentC 2 15 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute max
9.2. Size:91K power-innovations bd245.pdf
BD245, BD245A, BD245B, BD245CNPN SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD246 Series(TOP VIEW) 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector Current 15 A Peak Collector Current 2C Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in
9.3. Size:203K inchange semiconductor bd245 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD245/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 10A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A 80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245C Complement to Type BD246/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching appl
9.4. Size:217K inchange semiconductor bd245d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD245DDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h >40@I = 1AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1 V(Max)@ I = 3ACE(sat CDesigned for Complementary Use with the BD246DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching
Другие транзисторы… BD244
, BD244A
, BD244B
, BD244C
, BD244D
, BD244E
, BD244F
, BD245
, TIP127
, BD245B
, BD245C
, BD245D
, BD245E
, BD245F
, BD246
, BD246A
, BD246B
.
Описание транзистора 2N4403
Транзистор 2N4403 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE159, SK3466, BC327, BSS80C, PN200, THC4403, TMPT4403, 2N2907, 2N4143*, 2N4972*, 2N6001*, 2N6003*, 2N6005*, 2N6007*, 2N6011*, 2N6013*, 2N6015* A5T2907*, A5T4403*.
Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель
мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)
2N4403
40/40
600
350
100
150
10
200
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC
Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi
Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro
Central Semiconductor Corp
CentralSemi
Continental Device India Ltd
Contin Dev
Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi
Diodes Inc
Diodes Inc
Elm State Electronics lnc
Elm State
Hi-Tron Semiconductor
Hi-Tron
Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
KSL Microdevices Ing
KSL Micro
Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs
Microsemi Corp
Microsemi
Mistral SPA
Mistral SpA
Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola
NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt
National Semiconductor Corp
Natl Semi
Rochester Electronics Inc
Rochester
Rohm Со Ltd
Rohm Со Ltd
Samsung Electronics Inc
Samsung
Semelab Plc
Semelab
Semiconductors Inc
Semi Inc
Semiconductor Technology Inc
SemiconTech
Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics
Solid State Inc
Solid Stinc
Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott
Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer
Transistor Со
Transistor
United-Page Inc, UPI Semiconductor Division
UPI Semi
Space Power Electronics Inc
Space Power
Цоколёвка
Тип
Номера выводов
1
2
3
3 вывода
E
B
C
UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.
UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.
UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.
IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.
h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.
PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.
* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.
Datasheets
Datasheet
PDF, 294 Кб
Выписка из документа
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistorsProduct specification Supersedes data of April 1995 1996 Jul 30 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistorsFEATURES Interchangeability of drain and source connections Frequencies up to 700 MHz. APPLICATIONS LF, HF and DC amplifiers. DESCRIPTION General purpose N-channel symmetrical junction field-effect transistors in a plastic TO-92 variant package. CAUTION The device is supplied in an antistatic package. The gate-source input must be protected against static discharge during transport or handling. Fig.1handbook, halfpage 2 BF245A; BF245B; BF245C PINNING PIN 1 2 3 SYMBOL d s g drain source gate DESCRIPTION 1 3 gMAM257 d s Simplified outline (TO-92 variant) and symbol. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL VDS VGSoff VGSO IDSS PARAMETER drain-source voltage gate-source cut-off voltage gate-source voltage drain current BF245A BF245B BF245C Ptot yfs Crs total power dissipation forward transfer admittance reverse transfer capacitance Tamb = 75 C VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 kHz; Tamb = 25 C VDS = 20 V; VGS = 1 V; f = 1 MHz; Tamb = 25 C ID = 10 nA; VDS = 15 V open drain VDS = 15 V; VGS = 0 2 6 12 3 1.1 6.5 15 25 300 6.5 mA mA mA mW mS pF CONDITIONS 0.25 MIN. TYP. MAX. 30 8 30 UNIT V V V 1996 Jul 30 2 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistorsLIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL VDS VGDO VGSO ID IG Ptot Tstg Tj Note PARAMETER drain-source voltage gate-drain voltage gate-source voltage drain current gate current total power dissipation storage temperature operating junction temperature up to Tamb = 75 C; open source open drain BF245A; BF245B; BF245C CONDITIONS up to Tamb = 90 C; note 1 MIN. MAX. 30 30 30 25 10 300 300 +150 150 V V V UNIT mA mA mW mW C C 65 1. Device mounted on a printed-circuit board, minimum lead length 3 mm, mounting pad for drain lead minimum 10 mm 10 mm. THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth j-a PARAMETER thermal resistance from junction to ambient thermal resistance from junction to ambient STATIC CHARACTERISTICS Tj = 25 C; unless otherwise specified. SYMBOL V(BR)GSS VGSoff VGS PARAMETER gate-source breakdown voltage gate-source cut-off voltage gate-source voltage BF245A BF245B BF245C IDSS drain current BF245A BF245B BF245C IGSS gate cut-off current VGS = 20 V; VDS = 0 VGS = 20 V; VDS = 0; Tj = 125 C Note 1. Measured under pulse conditions: tp = 300 s; 0.02. VDS = 15 V; VGS = 0; note 1 2 6 12 6.5 15 25 5 0.5 mA mA mA nA …
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки. Смотрите это видео на YouTube
Смотрите это видео на YouTube
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Как работает транзистор и где используется?
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Описание характеристик, назначение выводов и примеры схем включения линейного стабилизатора напряжения LM317
BD245A Datasheet (PDF)
..1. Size:216K inchange semiconductor bd245 bd245a bd245b bd245c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD245/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A(BR)CEO80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245CComplement to Type BD246/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power
9.1. Size:84K bourns bd245-a-b-c.pdf
BD245, BD245A, BD245B, BD245CNPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGE(TOP VIEW)BD246 Series 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector CurrentC 2 15 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute max
9.2. Size:91K power-innovations bd245.pdf
BD245, BD245A, BD245B, BD245CNPN SILICON POWER TRANSISTORSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD246 Series(TOP VIEW) 80 W at 25C Case TemperatureB1 10 A Continuous Collector Current 15 A Peak Collector Current 2C Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in
9.3. Size:203K inchange semiconductor bd245 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD245/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 10A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A 80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245C Complement to Type BD246/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching appl
9.4. Size:217K inchange semiconductor bd245d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD245DDESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h >40@I = 1AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1 V(Max)@ I = 3ACE(sat CDesigned for Complementary Use with the BD246DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.