B772 pdf даташит

Описание транзистора B772 datasheet на русском языке

Транзистор B772 обладает следующими основными характеристиками:

• Максимальная коллектор-эмиттерная напряжение Vce: 40 В
• Максимальный коллекторный ток Ic: 3 А
• Коэффициент передачи тока hfe: от 60 до 320
• Максимальная мощность Pd: 1.25 Вт
• Частота переключения: 50 МГц
• Сопротивление коллектор-эмиттер: 2 Ом

Транзистор B772 широко применяется во многих электронных устройствах, включая усилители мощности, стабилизаторы напряжения, источники питания и другие схемы, где требуется усиление и коммутация сигналов.

Схема подключения транзистора B772 проста и включает его в коллекторную цепь с соответствующей базовой и эмиттерной обратными сопротивлениями. Положительный полюс источника питания подключается к коллектору, отрицательный полюс — к эмиттеру. База транзистора подключается к управляющему сигналу через базовое резистор. Такая схема позволяет контролировать усиление и коммутацию сигналов.

Что такое транзистор B772?

Транзистор B772 обладает следующими характеристиками:

Характеристика	Значение
Тип	PNP
Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (Vcb)	-30 В
Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база (Veb)	-5 В
Максимальный постоянный коллекторный ток (Ic)	-3 А
Максимальная мощность (Pd)	1 Вт
Максимальная рабочая температура (Tj)	150 °C

Транзистор B772 часто применяется в различных устройствах, таких как усилители низкой частоты, стабилизаторы напряжения, импульсные блоки питания, светодиодные драйверы и другие. Благодаря своим характеристикам, он позволяет эффективно управлять током и напряжением в таких устройствах, обеспечивая их стабильную работу.

Практические рекомендации по использованию

1. Правильное подключение:

Перед подключением транзистора B772 к электрической схеме, убедитесь, что вы правильно определили выводы транзистора. В даташите вы найдете диаграмму выводов, которая поможет вам определить каждый вывод. Правильное подключение транзистора обеспечит его надлежащую работу и предотвратит его повреждение.

2. Ограничение тока базы:

Транзистор B772 имеет максимальное значение тока базы, которое необходимо соблюдать. Если ток базы превышает допустимое значение, это может привести к повреждению транзистора. Проверьте даташит, чтобы узнать максимально допустимое значение тока базы и убедитесь, что в вашей схеме этот показатель не превышается.

3. Оптимальная рабочая точка:

Выберите оптимальную рабочую точку для транзистора B772, чтобы обеспечить его стабильную и надежную работу. Рабочая точка зависит от параметров схемы и требований к усилению или переключению сигналов. Рекомендуется использовать специализированные программные или аппаратные инструменты для расчета оптимальной рабочей точки.

4. Теплоотвод:

При использовании транзистора B772 в схемах с большими электрическими нагрузками или в условиях повышенной температуры, обеспечьте надлежащий теплоотвод. Перегрев может привести к снижению производительности транзистора или его повреждению. Убедитесь, что транзистор надежно соединен с радиатором или используйте специальные тепловые прокладки, чтобы обеспечить эффективное отвод тепла.

Следуя этим практическим рекомендациям, вы сможете использовать транзистор B772 наилучшим образом в своих электронных схемах. Учтите, что эти рекомендации являются общими и могут быть дополнены специфическими требованиями вашей конкретной схемы.

Цоколевка транзистора B772

Транзистор B772 относится к PNP-транзисторам средней мощности. Он имеет три вывода, каждый из которых имеет свою уникальную функцию:

1. Коллектор (C): Коллекторный вывод транзистора B772 обычно подключается к положительному напряжению и используется для сбора тока.

2. База (B): Базовый вывод транзистора B772 используется для изменения уровня тока между эмиттером и коллектором. Он обычно подключается через резистор, чтобы определить уровень базового тока.

3. Эмиттер (E): Эмиттерный вывод транзистора B772 обычно подключается к отрицательному напряжению и используется для истока тока.

Цоколевка транзистора B772 может быть указана в даташите или на корпусе самого транзистора в виде буквенной или числовой обозначения

Важно следовать указаниям в даташите или на корпусе для правильного подключения транзистора

Транзистор B772 широко применяется в различных электронных схемах, таких как усилители мощности, источники питания и схемы управления.

характеристики, datasheet и аналоги 2sb772

Главная » Транзисторы

Cогласно техническим характеристикам транзистор 2SB772 (B772), разработан для использования в выходном каскаде усилителя низкой частоты мощностью 1 Вт, преобразователе постоянного тока и схемах регуляторов напряжения. Он может выдерживать большой ток (3 А) и отличается небольшим напряжением насыщения. Его структура p-n-p.

Цоколевка

Изготавливается 2SB772 в корпусах для дырочного монтажа: ТО-92, ТО-126, ТО-251 и ТО-252. Есть также модификации этого транзистора для навесного SMD монтажа в оболочке SOT-89. Часто производители не наносят на корпусе первую цифру и букву, а маркируют их как «B772» Расположение и назначение выводов для всех корпусов представлено на рисунке.

Технические характеристики

Важными техническими характеристиками, с которых следует начать подбор транзистора, являются предельно допустимые характеристики.

О

• максимальная разность потенциалов между К — Б V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
• предельно возможная разность потенциалов между К — Э V_CEO (U_{кэ max}) = -30 В;
• наибольшая допустимая разность потенциалов между Э — Б V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• максимальный длительный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -3 А;
• импульсный коллектора I_CР (I_{к max}) = -7 А;
• постоянный базовый ток I_В (I_{Б max}) = -0,6 А;
• мощность на коллекторе:
  • в корпусах ТО-92 и SOT-89 Р_С (Р_{к max}) = 0,5 Вт;
  • в корпусах ТО-126, ТО-251, ТО-252 Р_С (Р_{к max}) = 1 Вт;
• рабочая температура T_stg = -55 … +150 оС;
• температура перехода T_J = +150 оС.

Теперь приведём электрические характеристики. От них также зависит функциональность транзистора. Они измеряются при температуре +25ОС. Значения, при которых производились измерения остальных параметров, приведены в отдельной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозначение.	min	typ	max	Еденицы. изм
Пробивное напряжение К — Б	IC = =100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	-40			В
Пробивное напряжение К — Э	IC=-1 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	-30			В
Пробивное напряжение Э — Б	IE= 100 мкA, IC= 0	V(BR)EBO	-5			В
Обратный ток коллектор — база	VCВ= -30 В, IЕ = 0	ICВO			-1000	нА
Обратный ток коллектор — эмиттер	VCЕ= -3 В, IВ = 0	ICЕO			-1000	нА
Обратный ток эмиттера	VEB = -3 В, IC = 0	IEBO			-1000	нА
Напряжение насыщения К — Э	IC= -2 A, IB = -0,2 A	V CE(sat)		-0,3	-0,5	В
Напряжение насыщения Б — Э	IC= -2 A, IB = -0,2 A	V ВE(sat)		-1	-2	В
Граничная частота к-та усиления тока	VCE =-5 В, IC =-0,1 A	fT		80		МГц
Выходная емкость	VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц	Cob		45		пФ

Транзисторы, входящие в серию 2SB772, в зависимости от к-та усиления делятся на следующие группы:

• 2SB772R имеет к-т усиления от 60 … 120;
• 2SB772O имеет к-т усиления от 100 … 200;
• 2SB772Y имеет к-т усиления от 160 … 320;
• 2SB772GR имеет к-т усиления от 200 … 400;
• 2SB772Q имеет к-т усиления от 100 … 200;
• 2SB772P имеет к-т усиления от 160 … 320;
• 2SB772E имеет к-т усиления от 200 до 400.

Аналоги

Наиболее близкий аналог B772 называют транзистор 2SD882. Существуют также транзисторы с техническими характеристиками похожими на рассматриваемое устройство, это BD438, KTB772, HSB772S. Комплементарной парой транзистора 2SB772 является 2SD882, имеющий n-p-n структуру. Отечественных аналогов рассматриваемому прибору нет.

Производители

Основные производители транзистора 2SB772 (datasheet можно скачать кликнув на название): Unisonic Technologies, Guangdong Kexin Industrial, Inchange Semiconductor Company, Foshan Blue Rocket Electronics, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Quanzhou Jinmei Electronic, Dc Components, Tiger Electronic, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, STMicroelectronics, NEC. В отечественных магазинах можно встретить продукцию таких компаний: NEC, Unisonic Technologies, Inchange Semiconductor Company.

PNP

Описание и характеристики транзистора B772

Транзистор B772 относится к группе PNP биполярных транзисторов. Он имеет эпитаксиальную структуру и предназначен для работы в режимах усиления и коммутации.

Транзистор B772 обладает следующими характеристиками:

• Ток коллектора: 3 А;
• Напряжение коллектор-эмиттер: 40 В;
• Мощность потерь: 800 мВт;
• Температурный коэффициент: -2 мВ/°C;
• Максимальная рабочая температура: 150 °C.

Транзистор B772 широко применяется в электронике, в частности в усилительных схемах аудиоусилителей, стабилизаторах напряжения и импульсных источниках питания. Благодаря своим характеристикам, он может обеспечить стабильное и эффективное усиление сигнала.

Биполярный транзистор 2SB772-Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SB772-Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160

Корпус транзистора:

2SB772-Y
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  mcc 2sb772-y.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.1. Size:287K  mcc 2sb772-r.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.2. Size:287K  mcc 2sb772-gr.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.3. Size:287K  mcc 2sb772-o.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.4. Size:174K  fci 2sb772-s.pdf

 7.5. Size:891K  kexin 2sb772-126.pdf

DIP Type TransistorsPNP Transistors2SB772TO-126Unit:mm8.00 0.30 3.25 0.20 Features PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage3.20 0.10 Complement to 2SD882(1.00) (0.50)0.75 0.101.75 0.201.60 0.100.75 0.101 2 3#1+0.102.28TYP 2.28TYP 0.50 0.05 1. Base2. Collector3. Emitte

 7.6. Size:5206K  msksemi 2sb772-ms.pdf

www.msksemi.com2SB772-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance1. BASE TRANSISTOR (PNP) 2. COLLETOR FEATURES Low speed switching 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A

Другие транзисторы… BC837-16
, BC837-25
, BC837-40
, BC838
, BC838-16
, BC838-25
, BC846
, BC846A
, TT2140LS
, 2SB772ZGP
, 2SB857-B
, 2SB857-C
, BC846ALT1
, BC846AR
, BC846AW
, BC846AWT1
, BC846B
.

Функции и области применения

При использовании в усилительных схемах, транзистор B772 может быть подключен как усилитель малой мощности для усиления аналоговых сигналов. Он может работать в различных режимах, таких как усилитель общего назначения, усилитель постоянного тока или усилитель мощности.

Транзистор B772 также можно использовать в электронных схемах для коммутации или управления сигналами. Например, он может управлять работой других компонентов схемы, таких как реле или светодиоды. Данный транзистор также может быть включен в схему в качестве ключа для управления потоком электрического тока.

Широкий диапазон областей применения транзистора B772 включает:

• Усилители для аудио- и видеоустройств;
• Блоки питания;
• Электронные схемы автомобильных устройств, таких как бортовые компьютеры и системы навигации;
• Светотехническое оборудование, включая светодиодные лампы и светодиодные индикаторы;
• Музыкальные инструменты и звуковые системы;
• Электроника для бытовой и промышленной автоматизации;
• Радиолюбительские проекты и DIY-электроника.

В целом, транзистор B772 предлагает надежное и универсальное решение для широкого спектра применений в электронике.

2SB772-Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  mcc 2sb772-y.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.1. Size:287K  mcc 2sb772-r.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.2. Size:287K  mcc 2sb772-gr.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.3. Size:287K  mcc 2sb772-o.pdf

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 7.4. Size:174K  fci 2sb772-s.pdf

 7.5. Size:891K  kexin 2sb772-126.pdf

DIP Type TransistorsPNP Transistors2SB772TO-126Unit:mm8.00 0.30 3.25 0.20 Features PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage3.20 0.10 Complement to 2SD882(1.00) (0.50)0.75 0.101.75 0.201.60 0.100.75 0.101 2 3#1+0.102.28TYP 2.28TYP 0.50 0.05 1. Base2. Collector3. Emitte

 7.6. Size:5206K  msksemi 2sb772-ms.pdf

www.msksemi.com2SB772-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance1. BASE TRANSISTOR (PNP) 2. COLLETOR FEATURES Low speed switching 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -Continuous -3 A

Применение транзистора B772

Основное применение транзистора B772 связано с аудиоусилителями и источниками питания, где он обеспечивает усиление сигнала и контроль электрического тока. Его также можно найти в цепях управления моторами, встроенных схемах, преобразователях напряжения и других электронных устройствах, где требуется переключение электрических сигналов.

Важно отметить, что транзистор B772 имеет ограниченные характеристики и не подходит для работы в схемах с высокими токами и напряжениями. Однако, благодаря своей надежности и доступной стоимости, он широко используется в небольших электронных устройствах и схемах, где требуется невысокая мощность

Транзистор B772 имеет трое выводов, которые с соответствующим подключением обеспечивают его работу в схеме

Правильное подключение транзистора важно для достижения желаемого результата. Цоколевка транзистора B772 обычно представлена следующим образом:

Эмиттер (E) – вывод, отвечающий за эмиттерный ток и пропускающий ток во внешнюю среду;

Коллектор (C) – вывод, принимающий коллекторный ток и обеспечивающий его отвод;

База (B) – вывод, отвечающий за базовый ток и контролирующий поток тока между эмиттером и коллектором.

Применение транзистора B772 в электронных схемах требует понимания его характеристик и принципов работы. Правильное использование и подключение транзистора обеспечивает надежную и эффективную работу устройства, в котором он применяется.

Транзисторы, тиристоры

Сортировка

По умолчаниюНазвание (А — Я)Название (Я — А)Цена (низкая > высокая)Цена (высокая > низкая)Модель (А — Я)Модель (Я — А)

Показать

25405075100

Наименование	Корпус	Розн	Опт	Характеристика	Инфо	Купить
2N06L	D-Pak	150. 00р.	116р.
2N1711	TO-39	170.00р.	140р.	50В NPN транзистор
2N1893	TO-39	230.00р.	176р.	NPN транзистор, 80В, 0.5А
2N2219A	TO-39	130.00р.	90р.	NPN transistor

2N2222A
TO-92
10.00р.
2р.
NPN транзистор, 75В, 0.6А

2N2369
TO-92
25.00р.
18р.
NPN транзистор, 40В, 0.2А

2N2369A CSC
TO-18
40.00р.
28р.
high-speed saturated switch

2N2904 Au
TO-39
180.00р.
141р.
PNP транзистор

2N2905A
TO-39
200. 00р.
155р.
PNP транзистор

2N2907A
TO-92
20.00р.
7р.
PNP транзистор, 60В, 0.6А

2N3053
TO-39
60.00р.
41р.
NPN транзистор

2N3055
TO-3
140.00р.
106р.
NPN транзистор, 100В, 15А

2N3391A
TO-92
170.00р.
129р.
NPN транзистор

2N3439
TO-39
300.00р.
234р.
NPN транзистор, 450В, 1А

2N3771
TO-3
290.00р.
229р.
NPN транзистор, 40В, 30А

2N3772
TO-3
410.00р.
322р.

NPN транзистор, 60В, 20А

2N3773
TO-3
160.00р.
123р.

2N3773G NPN транзистор, 140В, 16А

2N3866A
TO-39
350.00р.
275р.
NPN транзистор

2N3904
TO-92
10.00р.
2р.
NPN транзистор, 40В, 0.2А

2N3906
TO-92
15.00р.
5р.
PNP транзистор, 40В, 0.2А

2N4401
TO-92
15.00р.
5р.
NPN транзистор, 60В, 0.6А

2N4403
TO-92
15.00р.
5р.
PNP транзистор, 40В, 0.6А

2N4988
TO-92
25.00р.
9р.

silicon unilateral switch

2N5087
TO-92
25.00р.
9р.
PNP транзистор, 50В, 0.1А

2N5088
TO-92
20.00р.
7р.
NPN транзистор, 30В, 0.05А

2N5089
TO-92
50.00р.
35р.
биполярный транзистор

2N5192
TO-126
100.00р.
70р.
NPN транзистор, 80В, 4А

2N5401
TO-92
20.00р.
7р.
PNP транзистор, 150В, 0.1А

2N5457
TO-92
130.00р.
102р.
транзистор: N-ch, 25В, 10мА

2N5458
TO-92
150.00р.

116р.
N-ch general purpose amplifier, BF245C

2N5484
TO-92
140.00р.
99р.
N-ch RF amplifier

2N5551
TO-92
10.00р.
2р.
NPN транзистор, 160В, 0.6А

2N5639
TO-92
35.00р.
25р.
N-ch switch

2N6027G
TO-92
95.00р.
67р.
транзистор однопереходный 40В, 0.15A, 0.35Вт

2N6028
TO-92
95.00р.
67р.
programmable unijunction transistor

2N6039G

TO-126
110.00р.
76р.
NPN транзистор, 80В, 4А

2N6073A
TO-126
170. 00р.
134р.
симистор: 400В, 4А

2N6133
TO-220
130.00р.
90р.
PNP транзистор

2N6488
TO-220
150.00р.
120р.
NPN транзистор, 80В, 15А

2N6490
TO-220
160.00р.
125р.
PNP транзистор, 60В, 15А

Показано с 1 по 40 из 2010 (всего 51 страниц)

Преимущества и недостатки транзистора B772

Преимущества транзистора B772:

• Мощность: транзистор B772 отличается высокой мощностью, что позволяет использовать его в различных высоковольтных и высокочастотных устройствах.
• Надежность: данный транзистор характеризуется высокой надежностью и долговечностью, что обеспечивает стабильную и долгосрочную работу электронных устройств.
• Широкий диапазон рабочих температур: транзистор B772 способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.
• Низкая цена: данный транзистор относится к категории недорогих компонентов, что делает его доступным для использования в различных электронных устройствах.

Недостатки транзистора B772:

• Ограниченная рабочая частота: транзистор B772 имеет ограничения по частоте работы, что может ограничить его применение в некоторых схемах и устройствах.
• Требовательность к охлаждению: данный транзистор должен быть хорошо охлажден, особенно при работе с высокими мощностями, чтобы избежать перегрева и возможного выхода из строя.
• Отсутствие встроенной защиты: транзистор B772 не имеет встроенных средств защиты от короткого замыкания или перегрева, поэтому необходимо предусмотреть дополнительные меры защиты для обеспечения безопасной работы.

В целом, транзистор B772 представляет собой надежный и мощный компонент, который может быть востребован в различных электронных устройствах и схемах. Однако, при его использовании необходимо учитывать его особенности и предусмотреть меры для обеспечения надлежащей работы и защиты компонента.

2SB772 Схема контактов транзистора, аналог, применение, характеристики

B772 или 2SB772 — транзистор общего назначения в корпусе TO-126; В этом посте вы найдете распиновку транзистора 2SB772, эквивалент, использование, характеристики и другую полезную информацию об этом транзисторе.

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: TO-126
  14

• Тип транзистора: НПН

• Макс. ток коллектора (I _C ): – 3 А
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE ): – 30 В
• Макс. напряжение коллектор-база (В _CB ): – 40 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): – 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 10 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 90 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (ч _FE ):  60–400
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов по Цельсию

Replacement and Equivalent:

MJE172, KSB772, 2N6407, 2SA715, 2SA738, 2N6414, 2N6415, 2SA963 2SB743, 2SB744, 2SB772, BD788, BD816, BD826, BD386, BD386-1, BD386-2, BD386 -5, БД386-8, БД388, БД828, БД834, БД836, КСБ744, КСБ744А, КСБ772, МЖЭ170, МЖЭ171, МЖЭ230, МЖЭ231, МЖЭ232, МЖЭ233, МЖЭ234.

2SB772 Описание транзистора:

2SB772 — это PNP-транзистор общего назначения в корпусе TO-126, который можно использовать для различных целей переключения и усиления звука. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой до 3 А и может использоваться для управления различными нагрузками в цепях. Кроме того, напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет всего 0,3 В, что также делает этот транзистор идеальным для использования в местах, где требуется переключение при низком напряжении.

С другой стороны, коэффициент усиления по постоянному току 60-400 Ом и мощность рассеивания на коллекторе 10 Вт делают его идеальным для использования в различных целях усиления звука. Его можно использовать в каскадах усилителя звука, а также хорошо использовать в качестве отдельного усилителя для управления динамиком.

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как описано выше, 2SB772 можно использовать в различных приложениях, он может управлять максимальной нагрузкой 3 А или 3000 мА, благодаря чему его можно использовать в вашей цепи для одновременного управления различными нагрузками.

Приложения:

DC в DC Converters

Драйвер реле

Аудио -амплификатор

Стадии Audio

. .

Основные характеристики транзистора B772

Напряжение коллектора-эмиттера: Транзистор B772 имеет максимальное напряжение коллектора-эмиттера в размере 30 В. Это означает, что он может выдержать напряжение до 30 В между коллектором и эмиттером.

Ток коллектора: Одним из важных параметров B772 является его максимальный ток коллектора, который составляет 3 А. Это означает, что транзистор способен пропускать ток до 3 А при работе в пределах его спецификаций.

Мощность коллектора: Транзистор B772 обладает максимальной мощностью коллектора в 2 Вт. Это означает, что он может выдерживать мощность до 2 Вт при нормальном функционировании.

Ток базы: Максимальный ток базы, который можно подать на транзистор B772, составляет 0,8 А

Это ограничение важно для правильной работы транзистора и должно соблюдаться при его подключении и использовании

Коэффициент усиления: У B772 коэффициент усиления в районе 80-400. Это означает, что ток коллектора может быть увеличен на данный коэффициент в зависимости от текущего тока базы.

Транзистор B772 — это важный элемент электронной схемы, который обладает набором определенных характеристик. Понимание этих характеристик позволяет использовать транзистор эффективно в различных электронных приложениях.