Электроника

Характеристики транзисторов КП303

Полевые транзисторы КП303 – малой мощности с p-n переходом и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты (КП303Д, КП303Е) и низкой (КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И) частоты с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП303Г в основном предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г.

Предельные параметры КП303

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора (P_max) при Т = 25° C:

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 200 мВт

Максимально допустимое напряжение сток-исток (U_{СИ max}):

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 25 В

Максимально допустимое напряжение затвор-сток (U_{ЗС max}):

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимое напряжение затвор-исток (U_{ЗИ max}):

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 30 В

Максимально допустимый постоянный ток стока (I_{С max}):

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 20 мА

Максимально допустимая температура окружающей среды (T_max):

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 85 ° C

Напряжение отсечки полевого транзистора (U_{ЗИ отс}):

• КП303А — 0,5-3 В
• КП303Б — 0,5-3 В
• КП303В — 1-4 В
• КП303Г — 8 В
• КП303Д — 8 В
• КП303Е — 8 В
• КП303Ж — 0,3-3 В
• КП303И — 0,5-2 В

Ток утечки затвора (I_Зут) при U_ЗИ = 10 В

• КП303А — 1 нА
• КП303Б — 1 нА
• КП303В — 1 нА
• КП303Г — 0,1 нА
• КП303Д — 1 нА
• КП303Е — 1 нА
• КП303Ж — 5 нА
• КП303И — 5 нА

Крутизна характеристики полевого транзистора (S ) при U_СИ = 10 В

• КП303А — 1-4 мА/В
• КП303Б — 1-4 мА/В
• КП303В — 2-5 мА/В
• КП303Г — 3-7 мА/В
• КП303Д — 2,6 мА/В
• КП303Е — 4 мА/В
• КП303Ж — 1-4 мА/В
• КП303И — 2-6 мА/В

Начальный ток стока (I_{С нач})

• КП303А — 0,5-2,5 мА
• КП303Б — 0,5-2,5 мА мА
• КП303В — 1,5-5 мА
• КП303Г — 3-12 мА
• КП303Д — 3-9 мА
• КП303Е — 5-20 мА
• КП303Ж — 0,3-3 мА
• КП303И — 1,5-5 мА

Входная емкость полевого транзистора (С_11И)

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 6 пФ

Проходная емкость полевого транзистора (С_12И)

КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Г, КП303Д, КП303Е, КП303Ж, КП303И — 2 пФ

Коэффициент шума полевого транзистора (К_Ш)

КП303Д, КП303Е — 4 дБ

Симисторный ключ

Для гальванической развязки цепей управления и питания лучше
использовать оптопару или специальный симисторный драйвер. Например,
MOC3023M или MOC3052.

Эти оптопары состоят из инфракрасного светодиода и фотосимистора. Этот
фотосимистор можно использовать для управления мощным симисторным
ключом.

В MOC3052 падение напряжения на светодиоде равно 3 В, а ток — 60 мА,
поэтому при подключении к микроконтроллеру, возможно, придётся
использовать дополнительный транзисторный ключ.

Встроенный симистор же рассчитан на напряжение до 600 В и ток до
1 А. Этого достаточно для управления мощными бытовыми приборами через
второй силовой симистор.

Рассмотрим схему управления резистивной нагрузкой (например, лампой
накаливания).

Таким образом, эта оптопара выступает в роли драйвера
симистора.

Существуют и драйверы с детектором нуля — например, MOC3061. Они
переключаются только в начале периода, что снижает помехи в
электросети.

Резисторы R1 и R2 рассчитываются как обычно. Сопротивление же
резистора R3 определяется исходя из пикового напряжения в сети питания
и отпирающего тока силового симистора. Если взять слишком большое —
симистор не откроется, слишком маленькое — ток будет течь
напрасно. Резистор может потребоваться мощный.

Нелишним будет напомнить, что 230 В в электросети (текущий стандарт для
России, Украины и многих других стран) — это значение
действующего напряжения. Пиковое напряжение равно \(\sqrt2 \cdot 230 \approx
325\,\textrm{В}\).

Основные характеристики

• Тип – полевой
• Максимальное значение напряжения стока-истока (U_ds(max)) – 200 В
• Ток стока (I_d) – от 1 мА до 70 мА
• Рабочая частота – до 200 МГц
• Максимальная мощность (P_diss) – 300 мВт
• Коэффициент передачи тока (h_21E) – от 50 до 200
• Коэффициент усиления напряжения (U_gain) – от 2 до 10

КП364 обладает малыми габаритными размерами, что делает его удобным для использования в различных электронных устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители и другие. Благодаря своим высоким характеристикам, он обеспечивает надежную работу и высокое качество сигнала. Благодаря полевой структуре, транзистор обладает низким уровнем шума и малым временем переключения, что также является его преимуществом.

Преимущества использования полевого транзистора KP364

1. Низкое потребление энергии

Полевой транзистор KP364 обладает очень низким значением потребляемой энергии. Это позволяет увеличить срок работы батареи и снизить энергозатраты в электронных устройствах.

2. Высокая скорость переключения

KP364 обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных устройствах, где важна оперативная реакция на входные сигналы.

3. Малые габариты и масса

Благодаря компактным размерам и небольшой массе, полевой транзистор KP364 идеально подходит для использования в портативных устройствах и других компактных электронных устройствах.

4. Высокая надежность

KP364 обладает высокой надежностью и стабильностью работы. Он устойчив к внешним воздействиям, таким как вибрации, удары и температурные изменения. Поэтому он является превосходным выбором для применения в условиях, где требуется надежная работа.

5. Удобство монтажа и применения

KP364 легко монтируется и применяется в различных электронных устройствах. Он имеет стандартные проверенные разъемы, что упрощает его использование и интеграцию в систему.

В целом, полевой транзистор KP364 обладает рядом преимуществ, делающих его идеальным выбором при проектировании электронных устройств, где требуется низкое потребление энергии, высокая скорость переключения, компактные размеры, надежность и удобство в использовании.

Быстродействующие транзисторы со статической индукцией (БСИТ)

Схемы >> Справочники >> Быстродействующие транзисторы со статической индукцией (БСИТ)

Быстродействующие
транзисторы со статической индукцией (БСИТ)

Быстродействующие транзисторы со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и в других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.

Транзистор (* р-канал)	Ic max. (A) пост.	Ucur max (B)	UcoO (B)	Uси нас (В) Іс із значение	Іиз ут (mA) Uзи= 48	Uзи. max (B)	t сп (нс) (тип)	t вкл (нс) (тип)	t расс (мкс) (тип)	Р расс. (Вт)	Тип корп.
КП946А КП946Б	15 15	500 500	400 200	7А 7А	1A 1A	0.7 0.7	0.5 0.5	5 5	55 55	80 80	0.7 0.7	40 40	KT-28-2 (TO-220)
КП948А КП948Б КП948В КП948Г	5 5 5 5	800 800 700 600	400 300 370 250	2А 2А 2А 2А	0.4A 0.4A 0.4A 0.4A	0.3 0.3 0.3 0.3	0.5 0.5 0.5 0.5	5 5 5 5	100 100 100 100	80 80 80 80	1.3 1.3 1.3 1.3	20 20 20 20	KT-28-2 (TO-220)
КП810А КП810Б КП810В	7 7 5	1500 1300 1000	650 650 700	2А 2А 5А	0.4A 0.4A 1A	0.4 0.4 1	0.5 0.5 0.5	5 5 5	220 220 220	200 200 200	2.1 2.1 2.1	50 50 50	KT-43-2 (TO-218)
КП953А КП953Б КП953В КП953Г КП953Д	15 15 15 15 15	800 800 700 600 800	450 300 450 300 450	7.5А 7.5А 7.5А 7.5А 7А	1.5A 1.5A 1.5A 1.5A 1A	0.45 0.45 0.45 0.45 0.45	0.5 0.5 0.5 0.5 0.5	5 5 5 5 5	150 150 150 150 150	150 150 150 150 150	2 2 2 2 2	50 50 50 50 50	KT-43-2 (TO-218)
КП954А КП954Б КП954В КП954Г	20 20 20 20	150 100 60 20	80 50 40 20	10А 10А 10А 10А	0.5A 0.5A 0.5A 0.5A	0.3 0.3 0.25 0.25	0.3 0.3 0.3 0.3	5 5 5 5	50 50 50 50	50 50 50 50	0.3 0.3 0.3 0.3	40 40 40 40	KT-28-2 (TO-220)
КП964А КП964Б* КП964В КП964Г	20 20 20 20	150 100 60 20	80 60 25 15	10А 10А 10А 10А	1A 1A 1A 1A	0.3 0.3 0.25 0.25	0.3 0.3 0.3 0.3	5 5 5 5	50 50 50 50	50 50 50 50	0.5 0.5 0.5 0.5	40 40 40 40	KT-28-2 (TO-220)
КП955А КП955Б	20 20	700 450	450 200	15A 15A	3A 3A	0.6 0.5	0.5 0.5	5 5	100 100	100 100	1.2 1.2	70 70	KT-43-2 (TO-218)
КП956А КП956Б	2 2	450 450	350 200	0.5A 0.5A	50mA 50mA	0.3 0.3	0.1 0.1	5 5	100 100	100 100	0.8 0.8	10 10	KT-27-2 (TO-126)
КП957А КП957Б КП957В	1 1 1	800 800 700	400 300 400	0.5A 0.5A 0.5A	0.1A 0.1A 0.1A	0.4 0.4 0.4	0.1 0.1 0.1	5 5 5	110 110 110	80 80 80	0.7 0.7 0.7	10 10 10	KT-27-2 (TO-126)
КП958А КП958Б КП958В КП958Г	30 30 30 20	150 100 60 20	80 60 40 20	10А 10А 10А 10А	0,2А 0,2А 0,2А 0,2А	0.2 0.2 0.2 0.2	0.5 0.5 0.5 0.5	5 5 5 5	60 60 60 60	80 80 80 80	0.5 0.5 0.5 0.5	70 70 70 70	KT-43-2 (TO-218)
КП959А КП959Б КП959В	0.2 0.2 0.2	300 250 200	220 200 120	7mA 7mA 7mA	1mA 1mA 1mA	0.4 0.4 0.4	0.02 0.02 0.02	5 5 5	—	—	—	7 7 7	KT-27-2 (TO-126)
КП960А КП960Б* КП960В	0.2 0.2 0.2	300 250 200	220 200 120	7mA 7mA 7mA	1mA 1mA 1mA	0.4 0.4 0.4	0.02 0.02 0.02	5 5 5	—	—	—	7 7 7	KT-27-2 (TO-126)
КП961А КП961Б КП961В КП961Г КП961Д КП961Е	5 5 5 5 5 5	250 160 120 60 20 10	120 80 60 40 20 10	4А 4А 4А 4А 4А 0.5A	0.4A 0.4A 0.4A 0.4A 0.4A 2mA	0.65 0.65 0.45 0.4 0.4 0.4	0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05	5 5 5 5 5 5	25 25 25 25 25 25	40 40 40 40 40 40	0.18 0.18 0.18 0.18 0.18 0.18	10 10 10 10 10 10	KT-27-2 (TO-126)
КП965А КП965Б* КП965В КП965Г КП965Д	5 5 5 5 5	250 160 120 60 20	140 100 80 50 20	0.5A 0.5A 0.5A 0.5A 0.5A	2.5mA 2.5mA 2.5mA 2.5mA 2.5mA	0.4 0.3 0.3 0.20 0.2	0.05 0.05 0.05 0.05 0.05	5 5 5 5 5	25 25 25 25 25	40 40 40 40 40	0.18 0.18 0.18 0.18 0.18	10 10 10 10 10	KT-27-2 (TO-126)
КП971А КП971Б	25 25	900 800	600 450	15A 15A	3А 3А	0.6 0.6	0.5 0.5	5 5	200 150	200 150	2.5 2	100 100	KT-43-2 (TO-218)
КП973А КП973Б	30 30	700 600	400 400	20A 20A	4А 4А	0.6 0.6	0.6 0.6	5 5	150 150	150 150	2 2	100 100	KT-43-2 (TO-218)

Как паять полевые транзисторы правильно и безопасно: 5 советов

Рекомендую новичкам на этот вопрос обратить самое пристальное внимание. Тогда разочарования от проделанной работы у вас не возникнет

Где спрятана засада или чем опасна статика для электроники

В повседневной жизни статическое электричество мы ощущаем редко, например, при расчесывании волос пластиковой расческой, выходе из автомобиля после поездки или в некоторых других случаях.

Обычно статика доставляет нашему организму небольшие неприятности, которые просто раздражают. Но с полупроводниками дела обстоят иначе.

У МОП транзисторов очень тонкий слой изоляции между затвором и материалом канала. Он образует емкостную связь затвор-исток, затвор-сток. Причем сам диэлектрик создает этот эффект, работая как емкость.

Мы знаем, что любой конденсатор выпускается для работы под определенным напряжением. Если его превысить, то происходит пробой изоляции. Для повреждения оксидной пленки полевика обычно достаточно десятка вольт, а иногда и меньше.

Теперь показываю фотографиями какие опасности мы можем создать своими руками для транзисторов, если не будем соблюдать правила их пайки.

Я взял свой любимый трансформаторный паяльник Момент, включил его шнур питания в розетку, но кнопку включения не нажимал. Один конец провода мультиметра через крокодил посадил на жало, а второй — просто прислонил к пальцу. Установил режим вольтметра переменного тока.

Прибор показывает 28 вольт. Вот такие наводки создаются даже при обесточенном трансформаторе.

Продолжаю эксперимент. Черный щуп оставил на прежнем месте, а красный прислонил к диэлектрической поверхности табуретки, где размещены все приборы.

Почти 6,4 вольта. Когда отделил красный щуп воздушным пространством — показание стало вообще 8 вольт.

А ведь это совершенно случайные замеры, результаты которых зависят от множества факторов, что значит: напряжение может быть значительно больше или меньше.

Чтобы этого не допустить важно соблюдать обязательные рекомендации

Совет №1: шунтирование выводов

Исключить повреждение полупроводниковых переходов при хранении и работе можно содержанием микросхем, транзисторов, изделий интегральной электроники в слое фольги.

Аналогичный результат, в частности, получается, если обмотать контакты их выводов тонкой медной проволочкой без изоляции.

Совет №2: снятие статики с работающего оборудования

Работать лучше всего профессиональной паяльной станцией с заземленным наконечником. Если ее нет, то заземлите отдельными проводниками жало паяльника и монтажную плату. Выводы транзистора зашунтируйте тонкой проволочкой, которая будет снята после пайки.

Снять опасный потенциал статики с пинцета и инструмента, которым будете работать, позволяет заземляющий браслет на руке или иной части тела. Его сопротивление в 1 МОм исключает возможность опасного статического разряда.

Совет №3: подготовка рабочего места

Сухой воздух северных широт, особенно зимой, способствует накоплению статики на окружающих предметах. Увлажнители и мойки воздуха успешно борются с этим явлением.

Антистатический коврик сразу надежно снимает статические потенциалы, воздействия электрических помех из окружающей среды.

Совет№4: профессиональные смеси

Специальный флюс марки FluxOff не только отлично смывает канифоль и следы от коррозии, но реально убирает статику. Им достаточно просто смочить плату.

Совет №5: быстрая пайка

Выбирайте минимально необходимую мощность паяльника, но работайте им быстро. Опытные ремонтники умудряются разогреть жало, взять им припой, обесточить паяльник и затем припаять деталь на место.

Часть современных микросхем и транзисторов имеет защиту от статики, но это не отменяет необходимости соблюдать правила безопасной пайки со всеми остальными изделиями.

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору
между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую
микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор
сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,
IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения
нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять
«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее
эффективно использовать транзистор.

Транзисторные сборки в одном корпусе

Транзисторные сборки (пара полевых транзисторов в едином корпусе) позволяют уменьшить площадь, занимаемую прибором, сохраняя тот же высокий ток и такое же низкое сопротивление открытого канала, что и у двух дискретных транзисторов в отдельных корпусах. Кроме того, при использовании транзисторных сборок значительно упрощается топология печатной платы, уменьшается паразитная индуктивность печатных трасс и увеличивается эффективность преобразования. Транзисторные сборки можно использовать как в высоковольтных ступенях конвертеров, так и в выходных ключах. Сопротивление открытого канала в таких сборках менее 3 мОм, максимальный ток — до 30 А. Для транзисторных сборок предназначены три типа корпусов: 3×3, 6×3,7 и 6×5 мм.

Компания Vishay Siliconix производит сборки полевых транзисторов с разной конфигурацией:

• два n‑канальных транзистора;
• комплементарная пара транзисторов.

Комплементарная пара транзисторов в едином корпусе

n‑ и p‑канальные транзисторы полностью независимы и имеют отдельные выводы. На рис. 9 показана цоколевка сборки комплементарных транзисторов в стандартном корпусе SO‑8. А в таблице 6 приведены параметры транзисторов комплементарной сборки Si9942DY.

Рис. 9. Транзисторная сборка комплементарной пары силовых полевых транзисторов:
а) вид сверху;
б) n канальный полевой транзистор;

Таблица 6. Параметры транзисторов комплементарной сборки Si9942DY

	VDS, В	RDS(on), Ом	ID, A
n-канальный транзистор	20	0,125 при VGS = 10 В	±3
0,25 при VGS = 4,5 В	±2
p-канальный транзистор	-20	0,2 при VGS = –10 В	±2,5
0,35 при VGS = –4,5 В	±2

Сборка двух n‑канальных полевых транзисторов

Типовой конфигурацией транзисторной сборки двух n‑канальных транзисторов является схема полумоста. Транзисторы рассчитаны на типовое напряжение 30 В. Технология транзисторов — TrenchFET Gen IV.

На рис. 10 показана полумостовая конфигурация n‑канальной транзисторной сборки.

Рис. 10. Полумостовая конфигурация n канальной транзисторной сборки

Семейство PowerPAIR

Семейство PowerPAIR представлено сборками двух мощных n‑канальных полевых транзисторов. Они соединены по схеме полумоста, но имеют ассиметричные параметры. Приборы ориентированы для применения в низковольтных DC/DC суперкомпактных конверторах нового поколения. Несимметричность параметров верхнего и нижнего транзисторов полумоста как раз и обусловлена спецификой применения. Транзисторы пары отличаются быстродействием и сопротивлением открытого канала. Верхний транзистор полумоста имеет более высокое быстродействие, чем нижний. У верхнего транзистора также меньше сопротивление открытого канала. Для этого семейства используются корпуса со следующими размерами: 3×3, 6×3,7 и 6×5 мм. Например, 30‑В транзисторная сборка SiZ300DT семейства PowerPAIR выполнена в форм-факторе 3×3 мм, а SiZ910DT имеет размер 6×5 мм. Прибор SiZ300DT предназначен для DC/DC-конвертеров с рабочим током до 10 A, в то время как SiZ910DT больше подходят для приложений с током свыше 20 A. Площадь корпуса PowerPAIR 3×3 мм примерно в три раза меньше площади корпуса PowerPAIR 6×5 мм.

Три новых прибора в форм-факторе PowerPAIR 6×3,7 мм позволили расширить портфолио приборов этой серии, при этом одновременно произошло увеличение рабочего напряжения с 20 до 30 В.

Новый прибор SiZ728DT — первый в семействе PowerPAIR 6×3,7 мм с рабочим напряжением 25 В. Прибор SiZ790DT в том же форм-факторе имеет встроенный диод Шоттки. SiZ730DT имеет самое низкое сопротивление R_DS(on) среди всего семейства 30‑В PowerPAIR с размерами 6×3,7 мм.

Аналоги

Маркировка	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Корпус
IRF840	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC		1500 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840A	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC		1018 pf	0,85 Ohm	TO220
IRF840B	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	41 nC	65 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220
IRF840PBF	125 W	500 V	20 V	4 V	8 A	150 °C	63 nC	23 ns	310 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
IRF840APBF	125 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	38 nC	23 ns	155 pf	0,85 Ohm	TO‑220AB
2SK1574	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C				0,85 Ohm	TO220AB
2SK2866	125 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	45 nC	22 ns	630 pf	0,75 Ohm	TO220AB
8N50	125 W	500 V	30 V		8 A	150 °C		38 ns	115 pf	0,77 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F2
9N65	167 W	650 V	30 V		9 A	150 °C		20 ns	177 pf	0,85 Ohm	TO‑220 TO‑220F
10N50	143 W	500 V	30 V		10 A	150 °C		80 ns	177 pf	0,54 Ohm	TO‑220 TO‑220F1
10N60	156 W	600 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑262 TO‑263
10N60A	156 W	600 V	30 V	4 V	10 A	150 °C	44 nC	69 ns	166 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
10N65	178 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		69 ns	166 pf	0,72 Ohm	TO‑263 TO‑220 TO‑262 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2
10N65A	156 W	650 V	30 V		10 A	150 °C		26,2 ns	146,5 pf	0,85 Ohm	TO220
12N50	195 W	500 V	30 V		12 A	150 °C		54 ns	198 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑263
12N60	225 W	600 V	30 V		12 A	150 °C		115 ns	200 pf	0,6 Ohm	TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F TO‑262
12N65	140 W	650 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	58 nC	28 ns	195 pf	0,7 Ohm	TO220AB
12N80	390 W	800 V	30 V		12 A	150 °C		12 ns	315 pf	0,75 Ohm	TO‑3P TO‑247 TO‑230 TO‑220F2
13N50	168 W	500 V	30 V		13 A	150 °C		140 ns	245 pf	0,42 Ohm	TO‑220 TO‑220F TO‑220F1
15N50	170 W	500 V	30 V		15 A	150 °C		150 ns	250 pf	0,26 Ohm	TO‑220F2
15N60	312 W	600 V	30 V		15 A	150 °C		200 ns	270 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑3P TO‑220F1
15N65	312 W	650 V	30 V		15 A	150 °C		125 ns	295 pf	0,5 Ohm	TO‑247 TO‑220F TO‑220F2
18N50	277 W	500 V	30 V		18 A	150 °C		165 ns	330 pf	0,24 Ohm	TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2
AOT11S60	178 W	600 V	30 V		11 A	150 °C		20 ns	37,3 pf	0,399 Ohm	TO‑220
BUZ91	150 W	600 V	20 V	4 V	8,5 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
BUZ91A	150 W	600 V	20 V	4 V	8 A	150 °C		70 ns	180 pf	0,8 Ohm	TO‑220AB
CS840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C		75 ns	150 pf	0,85 Ohm	TO‑220
FMP20N60S1	150 W	600 V	30 V	3,5 V	20 A	150 °C	48 nC	40 ns	3120 pf	0,19 Ohm	TO‑220
FQP12N60C	225 W	600 V	30 V	4 V	12 A	150 °C	48 nC			0,65 Ohm	TO220
FQP13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220
FQPF13N50C	195 W	500 V	30 V	4 V	13 A	150 °C	56 nC			0,48 Ohm	TO220F
FTP14N50C	188 W	500 V	30 V	4 V	14 A	150 °C	41 nC	30 ns	180 pf	0,46 Ohm	TO220
IPP60R190C6	151 W	600 V	20 V	3,5 V	20,2 A	150 °C	63 nC	11 ns	85 pf	0,19 Ohm	TO220
IRFB11N50A	170 W	500 V	10 V	4 V	11 A	150 °C	52 nC			0,52 Ohm	TO220AB
IRFB9N60A	170 W	600 V	10 V	4 V	9,2 A	150 °C	49 nC			0,75 Ohm	TO220AB
NCE65T130	260 W	650 V	30 V	4 V	28 A	150 °C	37,5 nC	12 ns	120 pf	0,13 Ohm	TO220
SPP11N60C3	125 W	600 V	20 V	3,9 V	11 A	150 °C	45 nC	5 ns	390 pf	0,38 Ohm	TO220
STP14NM65N	125 W	650 V	25 V	4 V	12 A	150 °C	45 nC	13 ns	90 pf	0,38 Ohm	TO220
STP26NM60N	140 W	600 V	25 V	4 V	20 A	150 °C	60 nC	25 ns	115 pf	0,165 Ohm	TO220
WFP840	134 W	500 V	30 V	4 V	8 A	150 °C	59 nC	22 ns	145 pf	0,8 Ohm	TO‑220

В качестве отечественного аналога могут подойти транзисторы КП777А, КП840.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Технические характеристики полевых транзисторов

Одной из основных характеристик полевых транзисторов является напряжение затвора-исток (VGS), которое определяет уровень сигнала на затворе транзистора для управления током между истоком и стоком. Напряжение VGS может быть положительным или отрицательным, и его уровень оказывает влияние на работу транзистора.

Другой важной характеристикой является напряжение сток-исток (VDS), которое определяет разницу потенциалов между стоком и истоком транзистора. Напряжение VDS также может быть положительным или отрицательным, и его уровень оказывает влияние на сопротивление транзистора и потерю мощности

Еще одной характеристикой является ток стока (ID), который определяет ток, протекающий между стоком и истоком полевого транзистора при заданном напряжении затвора-исток и напряжении сток-исток. Ток стока является важным параметром при выборе полевого транзистора для конкретного применения, поскольку он определяет его мощность и эффективность.

Также стоит упомянуть о максимальной мощности потери (PDMAX), которая указывает на максимальную мощность, которую транзистор может потерять без перегрева. Это важный параметр для надежной работы транзистора при высоких нагрузках.

Другие характеристики полевых транзисторов включают в себя сопротивление канала (RDS(on)), которое определяет потери энергии в канале транзистора, и коэффициент усиления тока (β), который определяет отношение изменения тока стока к изменению тока затвора.

• Напряжение затвора-исток (VGS)
• Напряжение сток-исток (VDS)
• Ток стока (ID)
• Максимальная мощность потери (PDMAX)
• Сопротивление канала (RDS(on))
• Коэффициент усиления тока (β)

Все эти характеристики взаимосвязаны и влияют на работу полевого транзистора. Поэтому при выборе и использовании полевого транзистора необходимо учитывать их значения и требования специфического применения.

Особенности полевого транзистора KP364

Основными особенностями полевого транзистора KP364 являются:

• Низкий уровень шума: KP364 обладает очень низким уровнем шума, что позволяет использовать его в чувствительных системах, где требуется высокая точность и чистота сигнала.
• Высокая линейность: Транзистор KP364 характеризуется высокой линейностью передачи сигнала, что позволяет использовать его в системах передачи данных и аудиосигналов с минимальными искажениями.
• Широкий диапазон рабочих температур: KP364 способен работать в широком диапазоне температур, что делает его надежным и стабильным решением для различных приложений.
• Высокая мощность: Транзистор KP364 обладает высоким коэффициентом усиления мощности, что позволяет использовать его в устройствах, где требуется высокая выходная мощность.
• Малые габариты: KP364 имеет компактный размер, что делает его удобным для интеграции в различные электронные устройства и печатные платы.

В целом, полевой транзистор KP364 — это надежный и эффективный компонент, который может использоваться в широком спектре приложений. Его преимущества делают его востребованным в различных отраслях, включая электронику, телекоммуникации, радиосвязь и другие.

Ток потребления и коэффициент усиления

Коэффициент усиления – еще одна важная характеристика полевого транзистора КП364. Она показывает, во сколько раз сигнал усиливается при его прохождении через транзистор. Коэффициент усиления зависит от различных факторов, включая параметры транзистора и условия его работы.

Высокий коэффициент усиления полевого транзистора КП364 указывает на то, что прибор хорошо усиливает входной сигнал

Это важно для правильной работы радиоэлектронных устройств и систем передачи данных

Ток потребления и коэффициент усиления являются ключевыми параметрами полевого транзистора КП364 и влияют на его функциональные возможности и эффективность работы.

Что это такое

Полевой транзистор — это радиоэлемент полупроводникового типа. Он используется для усиления электросигнала. В любом цифровом приборе схема с полевым транзистором исполняет роль ключа, который управляет переключением логических элементов прибора. В этом случае использование ПТ является очень выгодным решением проблемы с точки зрения уменьшения размеров устройства и платы. Обусловлено это тем, что цепь управления радиокомпонентами требует не очень большой мощности, а значит, что на одном кристалле могут располагаться тысячи и десятки тысяч транзисторов.

Материалами, из которых делают полупроводниковые элементы и транзисторы в том числе, являются:

• Фосфид индия;
• Нитрид галлия;
• Арсенид галлия;
• Карбид кремния.

Важно! Полевые транзисторы также называют униполярными, так как при протекания через них электротока используется только один вид носителей