Альтернативные транзисторы с аналогичными характеристиками
1. Дополнительные транзисторы из семейства TIP.
В семействе TIP существуют и другие модели транзисторов с аналогичными характеристиками, которые могут заменить TIP31. Например, TIP29, TIP30, TIP32, TIP33 и TIP34. Эти транзисторы также имеют эпитаксиальную базу и широкое применение в электронике.
2. Транзисторы из других семейств.
Существуют также другие семейства транзисторов, которые могут предложить аналогичные характеристики, такие как NPN транзисторы 2N3055, BD139 и BD135, а также PNP транзисторы TIP42 и TIP41. Эти транзисторы могут быть использованы вместо TIP31 во многих электронных цепях.
Необходимо отметить, что при замене транзистора всегда следует обратить внимание на его параметры и характеристики. На рискованные замены лучше не рисковать и использовать только самые близкие аналоги, чтобы избежать проблем с работой цепи
Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком
| Тип транзистора | Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса |
Маркировочная метка на торце корпуса |
|---|---|---|
| KT315A1 | Треугольник зеленого цвета | Точка красного цвета |
| KT315Б1 | Треугольник зеленого цвета | Точка желтого цвета |
| KT315В1 | Треугольник зеленого цвета | Точка зеленого цвета |
| KT315Г1 | Треугольник зеленого цвета | Точка голубого цвета |
| KT315Д1 | Треугольник зеленого цвета | Точка синего цвета |
| KT315Е1 | Треугольник зеленого цвета | Точка белого цвета |
| KT315Ж1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки красного цвета |
| KT315И1 | Треугольник зеленого цвета | Две точка желтого цвета |
| KT315Н1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки зеленого цвета |
| KT315Р1 | Треугольник зеленого цвета | Две точки голубого цвета |
Указания по применению и эксплуатации транзисторов
Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.
Внешние воздействующие факторы
Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).
Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С
Надежность транзисторов
Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.
Зарубежные аналоги транзистора КТ315
Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.
MOSFET-транзисторы с аналогичными характеристиками
Если вам требуется MOSFET-транзистор с аналогичными характеристиками, вы можете обратить внимание на следующие модели:
- IRF520 — MOSFET-транзистор с высоким коэффициентом усиления и низким сопротивлением канала, позволяющий работать с большими токами.
- IRFZ44 — MOSFET-транзистор с высокой мощностью и низким сопротивлением канала, идеально подходящий для коммутации высоких токов.
- IRLZ44N — MOSFET-транзистор с низким сопротивлением канала и высокой коммутационной способностью, особенно подходящий для применений в импульсной электронике.
- IRF1404 — MOSFET-транзистор с очень низким сопротивлением канала, позволяющий работать с высокими токами и имеющий высокую мощность.
- IRFP250N — MOSFET-транзистор с низким сопротивлением канала и способностью коммутировать высокие токи, предназначенный для применений в инверторах и источниках питания.
Выбрав одну из этих моделей, вы сможете найти MOSFET-транзистор, подходящий для вашей конкретной задачи.
Архив блога
-
►
2020
(2)
►
февраля
(1)
►фев 09
(1)►
января
(1)
►янв 19
(1)
-
►
2019
(11)
►
июня
(1)
►июн 29
(1)►
апреля
(2)
►апр 30
(1)►
апр 26
(1)►
февраля
(5)
►фев 27
(1)►
фев 24
(1)►
фев 16
(1)►
фев 12
(1)►
фев 07
(1)►
января
(3)
►янв 27
(1)►
янв 25
(1)►
янв 15
(1)
-
►
2018
(35)
►
декабря
(1)
►дек 01
(1)►
ноября
(1)
►ноя 18
(1)►
октября
(4)
►окт 24
(1)►
окт 09
(1)►
окт 06
(1)►
окт 04
(1)►
сентября
(4)
►сен 18
(4)►
июля
(6)
►июл 31
(5)►
июл 03
(1)►
мая
(2)
►мая 24
(1)►
мая 17
(1)►
апреля
(5)
►апр 25
(1)►
апр 22
(1)►
апр 19
(1)►
апр 01
(2)►
марта
(5)
►мар 29
(1)►
мар 10
(1)►
мар 06
(1)►
мар 05
(2)►
февраля
(2)
►фев 25
(1)►
фев 12
(1)►
января
(5)
►янв 27
(1)►
янв 18
(1)►
янв 17
(2)►
янв 09
(1)
-
►
2017
(98)
►
декабря
(10)
►дек 24
(2)►
дек 06
(1)►
дек 03
(2)►
дек 02
(1)►
дек 01
(4)►
ноября
(35)
►ноя 29
(1)►
ноя 22
(1)►
ноя 19
(2)►
ноя 16
(20)►
ноя 14
(9)►
ноя 13
(2)►
октября
(9)
►окт 23
(1)►
окт 21
(1)►
окт 20
(1)►
окт 17
(3)►
окт 13
(2)►
окт 08
(1)►
сентября
(8)
►сен 22
(1)►
сен 18
(1)►
сен 13
(2)►
сен 12
(1)►
сен 09
(1)►
сен 04
(1)►
сен 02
(1)►
августа
(1)
►авг 13
(1)►
июля
(1)
►июл 09
(1)►
июня
(1)
►июн 22
(1)►
мая
(3)
►мая 23
(1)►
мая 22
(1)►
мая 16
(1)►
апреля
(3)
►апр 09
(2)►
апр 07
(1)►
марта
(11)
►мар 31
(1)►
мар 25
(1)►
мар 23
(1)►
мар 18
(1)►
мар 17
(2)►
мар 14
(1)►
мар 03
(1)►
мар 02
(2)►
мар 01
(1)►
февраля
(6)
►фев 28
(1)►
фев 26
(1)►
фев 24
(2)►
фев 20
(1)►
фев 02
(1)►
января
(10)
►янв 28
(3)►
янв 24
(2)►
янв 21
(1)►
янв 19
(1)►
янв 14
(1)►
янв 13
(2)
-
►
2016
(184)
►
декабря
(8)
►дек 24
(1)►
дек 23
(1)►
дек 22
(1)►
дек 20
(1)►
дек 15
(1)►
дек 14
(1)►
дек 13
(1)►
дек 11
(1)►
ноября
(24)
►ноя 30
(1)►
ноя 29
(3)►
ноя 28
(1)►
ноя 26
(3)►
ноя 25
(1)►
ноя 21
(2)►
ноя 19
(2)►
ноя 15
(1)►
ноя 14
(3)►
ноя 12
(2)►
ноя 10
(1)►
ноя 08
(1)►
ноя 06
(2)►
ноя 04
(1)►
октября
(7)
►окт 31
(1)►
окт 24
(1)►
окт 19
(2)►
окт 11
(2)►
окт 02
(1)►
сентября
(23)
►сен 24
(2)►
сен 23
(1)►
сен 22
(8)►
сен 20
(2)►
сен 16
(1)►
сен 15
(1)►
сен 12
(1)►
сен 10
(2)►
сен 03
(3)►
сен 01
(2)►
августа
(7)
►авг 06
(4)►
авг 03
(2)►
авг 01
(1)►
июля
(28)
►июл 31
(2)►
июл 30
(3)►
июл 28
(1)►
июл 24
(1)►
июл 22
(1)►
июл 21
(2)►
июл 20
(2)►
июл 18
(4)►
июл 15
(3)►
июл 10
(1)►
июл 07
(1)►
июл 06
(3)►
июл 05
(1)►
июл 04
(2)►
июл 01
(1)►
июня
(11)
►июн 27
(1)►
июн 26
(2)►
июн 19
(2)►
июн 16
(1)►
июн 13
(1)►
июн 06
(2)►
июн 05
(1)►
июн 03
(1)►
мая
(22)
►мая 31
(5)►
мая 27
(2)►
мая 26
(1)►
мая 24
(2)►
мая 22
(3)►
мая 21
(2)►
мая 16
(1)►
мая 15
(1)►
мая 14
(1)►
мая 09
(2)►
мая 04
(1)►
мая 01
(1)►
апреля
(9)
►апр 23
(2)►
апр 16
(1)►
апр 13
(1)►
апр 09
(1)►
апр 04
(1)►
апр 02
(3)►
марта
(25)
►мар 26
(1)►
мар 22
(1)►
мар 21
(3)►
мар 20
(5)►
мар 19
(3)►
мар 17
(1)►
мар 12
(1)►
мар 09
(1)►
мар 08
(1)►
мар 07
(2)►
мар 06
(3)►
мар 05
(3)►
февраля
(10)
►фев 28
(1)►
фев 24
(1)►
фев 22
(1)►
фев 20
(1)►
фев 10
(1)►
фев 06
(2)►
фев 02
(3)►
января
(10)
►янв 30
(1)►
янв 26
(1)►
янв 24
(1)►
янв 20
(1)►
янв 19
(4)►
янв 09
(1)►
янв 06
(1)
-
►
2015
(125)
►
декабря
(16)
►дек 30
(4)►
дек 24
(1)►
дек 21
(1)►
дек 20
(5)►
дек 13
(3)►
дек 05
(1)►
дек 04
(1)►
ноября
(35)
►ноя 27
(1)►
ноя 25
(1)►
ноя 22
(3)►
ноя 21
(7)►
ноя 19
(1)►
ноя 18
(1)►
ноя 17
(2)►
ноя 16
(3)►
ноя 15
(3)►
ноя 14
(6)►
ноя 11
(2)►
ноя 09
(3)►
ноя 06
(2)►
октября
(8)
►окт 31
(1)►
окт 23
(3)►
окт 22
(3)►
окт 08
(1)►
сентября
(5)
►сен 29
(1)►
сен 28
(1)►
сен 18
(1)►
сен 17
(1)►
сен 11
(1)►
августа
(10)
►авг 21
(1)►
авг 20
(5)►
авг 18
(1)►
авг 16
(1)►
авг 07
(2)►
июля
(4)
►июл 31
(1)►
июл 10
(1)►
июл 06
(1)►
июл 01
(1)►
июня
(9)
►июн 30
(1)►
июн 26
(1)►
июн 25
(1)►
июн 22
(1)►
июн 19
(1)►
июн 18
(1)►
июн 13
(1)►
июн 09
(1)►
июн 01
(1)►
мая
(11)
►мая 27
(1)►
мая 25
(1)►
мая 23
(2)►
мая 20
(1)►
мая 17
(1)►
мая 16
(2)►
мая 11
(1)►
мая 05
(1)►
мая 04
(1)►
апреля
(5)
►апр 29
(1)►
апр 19
(2)►
апр 16
(1)►
апр 06
(1)►
марта
(4)
►мар 26
(2)►
мар 23
(1)►
мар 10
(1)►
февраля
(6)
►фев 28
(1)►
фев 22
(1)►
фев 14
(1)►
фев 10
(2)►
фев 01
(1)►
января
(12)
►янв 17
(1)►
янв 13
(2)►
янв 12
(1)►
янв 09
(1)►
янв 06
(2)►
янв 05
(1)►
янв 04
(1)►
янв 03
(2)►
янв 01
(1)
-
▼
2014
(232)
►
декабря
(13)
►дек 31
(1)►
дек 27
(1)►
дек 26
(1)►
дек 23
(1)►
дек 22
(1)►
дек 20
(1)►
дек 19
(1)►
дек 14
(2)►
дек 13
(1)►
дек 06
(1)►
дек 01
(2)►
ноября
(5)
►ноя 30
(3)►
ноя 19
(1)►
ноя 03
(1)►
октября
(1)
►окт 16
(1)►
сентября
(1)
►сен 21
(1)►
августа
(5)
►авг 19
(1)►
авг 11
(1)►
авг 08
(3)►
июня
(15)
►июн 30
(1)►
июн 27
(1)►
июн 24
(3)►
июн 22
(2)►
июн 21
(3)►
июн 05
(2)►
июн 04
(1)►
июн 03
(2)►
мая
(2)
►мая 26
(1)►
мая 20
(1)►
апреля
(5)
►апр 17
(2)►
апр 13
(1)►
апр 12
(1)►
апр 02
(1)►
марта
(3)
►мар 10
(2)►
мар 03
(1)►
февраля
(10)
►фев 19
(1)►
фев 04
(8)►
фев 01
(1)-
▼
января
(172)
►
янв 26
(20)
▼
янв 25
(16)►
янв 20
(2)
►
янв 19
(30)
►
янв 18
(10)
►
янв 17
(41)
►
янв 10
(13)
►
янв 06
(40)
-
Описание и назначение
Транзистор TIP31C способен работать с высокими значениями тока и напряжения, что делает его идеальным компонентом для усиления и коммутации сигналов средней и высокой мощности. Он может использоваться в различных приложениях, включая аудиоусилители, источники питания, импульсные преобразователи и другое.
Преимущества транзистора TIP31C включают в себя низкий уровень шума, высокую надежность и стабильность работы, эффективность и простоту в использовании. Он также имеет защиту от короткого замыкания и перегрева.
Транзистор TIP31C является одним из наиболее распространенных и универсальных компонентов в электронике. Он может быть использован как самостоятельно, так и в комбинации с другими транзисторами для создания сложной и мощной схемы
Важно соблюдать правила применения и контролировать параметры работы, чтобы обеспечить безопасность и эффективность работы
Из-за своих высоких технических характеристик и широкого спектра применения, транзистор TIP31C является важным компонентом для многих электронных устройств и систем.
Транзистор КТ829 — DataSheet
|
Цоколевка транзистора КТ829 |
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М) |
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение |
Ед. изм. |
| Аналог | КТ829А | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2 | |||
| КТ829Б |
BD267A, BD263, TIP121,
BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 |
||||
| КТ829В |
BD331, TIP120, BD897A,
BD897, BDW23A, ТIР120 *2 |
||||
| КТ829Г |
BD665, BD675, BD895A,
BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 |
||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
| КТ829Б | — | 60* | |||
| КТ829В | — | 60* |
КТ829Г
—
60*
КТ829АТ
—
50
КТ829АП
—
50
КТ829АМ
—
60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ829А
—
≥4
МГц
КТ829Б
—
≥4
КТ829В
—
≥4
КТ829Г
—
≥4
КТ829АТ
—
≥4
КТ829АП
—
≥4
КТ829АМ
—
≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ829А
1к
100*
В
КТ829Б
1к
80*
КТ829В
1к
60*
КТ829Г
1к
45*
КТ829АТ
—
100
КТ829АП
—
160
КТ829АМ
—
240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ829А
—5
В
КТ829Б
—5
КТ829В
—5
КТ829Г
—5
КТ829АТ
—5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ829А
—
8(12*)
А
КТ829Б
—
8(12*)
КТ829В
—
8(12*)
КТ829Г
—
8(12*)
КТ829АТ
—
5
КТ829АП
—
5
КТ829АМ
—
8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ829А
100 В
≤1.5*
мА
КТ829Б
80 В
≤1.5*
КТ829В
60 В
≤1.5*
КТ829Г
60 В
≤1.5*
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ829А
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Б
3 В; 3 А
≥750*
КТ829В
3 В; 3 А
≥750*
КТ829Г
3 В; 3 А
≥750*
КТ829АТ
—
≥1000
КТ829АП
—
≥700
КТ829АМ
—
400…3000
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ829А
—
≤120
пФ
КТ829Б
—
≤120
КТ829В
—
≤120
КТ829Г
—
≤120
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р.
КТ829А
—
≤0.57
Ом, дБ
КТ829Б
—
≤0.57
КТ829В
—
≤0.57
КТ829Г
—
≤0.57
КТ829АТ
—
≤0.3
КТ829АП
—
≤0.25
КТ829АМ
—
≤0.66
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ829А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ829Б
—
—
КТ829В
—
—
КТ829Г
—
—
КТ829АТ
—
—
КТ829АП
—
—
КТ829АМ
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ829А
——
пс
КТ829Б
——
КТ829В
——
КТ829Г
——
КТ829АТ
——
КТ829АП
——
КТ829АМ
——
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
|
Входные характеристики |
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
|
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб |
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер |
|
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса |
Область максимальных режимов |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
