Характеристики
В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.
Максимальные
Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.
Электрические
Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.
У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства
Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь
Время переключения
Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев
У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.
Ёмкостные характеристики
Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:
Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.
Тепловые параметры
Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.
Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.
Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).
Аналог
Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.
Плюсы и минусы Irf820 транзистора
- Плюсы Irf820 транзистора:
- Высокая мощность и токовая нагрузка, что позволяет использовать его в мощных электронных схемах.
- Отличная стабильность работы в широком диапазоне рабочих температур.
- Высокая скорость коммутации, что позволяет использовать транзистор в высокочастотных устройствах.
- Низкое сопротивление переключения, что позволяет снизить потери мощности.
- Надежность и долгий срок службы.
- Минусы Irf820 транзистора:
- Высокая стоимость по сравнению с некоторыми аналогами.
- Большие размеры корпуса, что требует определенного пространства при монтаже.
- Требуется соблюдение правильной схемотехники и ограничение рабочих параметров для предотвращения повреждений.
Модификации
| Тип | Uds | Ugs | Ugs(th) | Pd | Tj | Cd | Id | Qg | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF840 | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1500 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO220 |
| HIRF840 | 500 V | 30 V | 74 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO220AB | |
| HIRF840F | 500 V | 30 V | 38 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 0.85 Ohm | TO220FP | ||
| IRF840A | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1018 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO220 |
| IRF840ALPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840APBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840AS | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 1018 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | D2PAK |
| IRF840ASPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 155 pf | 8 A | 38 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
| IRF840B | 500 V | 30 V | 4 V | 134 W | 150 °C | 145 pf | 8 A | 41 nC | 0.8 Ohm | TO-220 |
| IRF840FI | 500 V | 20 V | 40 W | 150 °C | 1500 pf | 4.5 A | 0.85 Ohm | ISOWATT220 | ||
| IRF840I | 500 V | 20 V | 35 W | 150 °C | 270 pf | 8 A | 45 nC | 0.85 Ohm | TO-220CFM | |
| IRF840LC | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840LCLPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840LCPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840LCSPBF | 500 V | 30 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 170 pf | 8 A | 39 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
| IRF840LPBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-262 |
| IRF840PBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-220AB |
| IRF840S | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | D2PAK | |
| IRF840SPBF | 500 V | 20 V | 4 V | 125 W | 150 °C | 310 pf | 8 A | 63 nC | 0.85 Ohm | TO-263 |
Характеристики транзистора Irf820 на русском языке
1. Тип: N-канальный MOSFET транзистор.
2. Напряжение стока-исток (VDS): 500 В.
3. Непрерывный сила тока стока (ID): 10 А.
4. Максимальная температура стока (TJ): 175 °C.
5. Сопротивление канал-исток (RDS(ON)): 0.55 Ом.
6. Уровень входного напряжения (VGS): ±20 В.
Транзистор Irf820 обладает высокой надежностью, стабильностью и отличным теплопроводом. Он применяется в широком спектре устройств и схем, в том числе в источниках питания, преобразователях, коммутационных устройствах и других электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность. Более подробную информацию о характеристиках транзистора Irf820 можно найти в соответствующем datasheet.
Применение Irf820 транзистора в различных областях
Транзисторы Irf820 имеют широкий спектр применения в различных областях электроники и электротехники благодаря своим характеристикам и возможностям. Рассмотрим некоторые из них:
| Область применения | Описание |
|---|---|
| Источники питания | Транзисторы Irf820 могут использоваться в источниках питания для управления высокими токами с высоким КПД. Они обладают хорошими параметрами для работы в таких системах. |
| Автоэлектроника | Благодаря высокой мощности и низкому сопротивлению, Irf820 транзисторы могут использоваться в системах автомобильной электроники, таких как усилители звука, электрические системы управления и др. |
| Индустриальные системы | В промышленных системах, где требуется управление большими токами и надежная работа транзисторов, Irf820 очень популярны. Они могут использоваться в системах автоматизации, электродвигателях, источниках энергии и других подобных устройствах. |
| Солнечная энергетика | В солнечных системах, где нужно управление большими токами и высокая эффективность, Irf820 могут быть использованы для управления и защиты солнечных панелей и аккумуляторов. |
Применение Irf820 транзисторов в этих и других областях свидетельствует о их высокой функциональности и надежности, что делает их очень популярными среди электронных разработчиков и инженеров.
Описание и основные параметры
IRF820 является мощным транзистором, который обладает высокой мощностью и низким сопротивлением переключения. Он способен работать при напряжении до 500 вольт и токе до 2.5 ампер.
Данный транзистор имеет отличные характеристики в области потерь мощности и теплопроизводительности. Это позволяет использовать IRF820 в различных приложениях с высоким уровнем нагрузки.
IRF820 имеет хорошую защиту от электростатических разрядов и не чувствителен к переходным процессам, что делает его надежным и устойчивым в работе.
Основные параметры:
- Напряжение сток-исток (VDS): до 500 В
- Ток стока (ID): до 2.5 А
- Максимальная мощность (PD): 72 Вт
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.75 Ом
- Температурный диапазон: от -55°C до +175°C
IRF820 широко применяется в системах автоматического управления, светотехнике, источниках питания, преобразователях постоянного тока и других устройствах, где требуется надежная и эффективная работа в условиях высоких потерь мощности и большого тепловыделения.
Технические характеристики транзистора Irf820
Внешний вид:
Транзистор Irf820 имеет металлический корпус TO-220AB с отводами для вывода контактов.
Электрические характеристики:
Максимальное смещение напряжения между входом и выходом (Vce): 500 В.
Максимальный ток коллектора (Ic): 8 А.
Максимальная мощность потери (Pd): 75 Вт.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 500 В.
Максимальное напряжение эмиттер-основание (Veb): 9 В.
Температурный диапазон (Tj): от -55°C до +175°C.
Применение:
Транзистор Irf820 широко используется в схемах усилителей, мощных источников питания, преобразователей частоты и других устройствах требующих высокого тока и напряжения.
Датасheet:
Преимущества и недостатки Irf820 транзистора
Преимущества:
- Высокая мощность: Irf820 транзистор обладает высокой мощностью и может выдерживать большие токи, что позволяет использовать его в силовых схемах.
- Низкое внутреннее сопротивление: благодаря низкому внутреннему сопротивлению транзистора, его можно эффективно использовать для управления большими токами.
- Высокая надежность: Irf820 транзистор характеризуется высоким уровнем надежности и долговечностью, что обеспечивает стабильную работу устройств, в которых он используется.
- Широкий диапазон рабочих температур: данный транзистор может работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях, в том числе в крайне холодных или жарких.
Недостатки:
- Относительно большие габариты: Irf820 транзистор имеет относительно большие габариты, что может ограничивать его использование в некоторых конструкциях с ограниченным пространством.
- Требовательность к охлаждению: из-за высокой мощности и нагрева транзистор требует эффективной системы охлаждения, чтобы избежать перегрева и повреждения.
В целом, Irf820 транзистор является надежным и мощным устройством с большим потенциалом применения в различных силовых схемах. Однако, его использование может быть ограничено из-за его габаритов и требований к охлаждению.
Применение транзистора Irf820
Транзистор Irf820 имеет широкий спектр применения в различных схемах и устройствах. Благодаря своим характеристикам и возможностям, этот транзистор нашел применение во многих областях электроники.
Основные применения транзистора Irf820:
- Усилительные схемы: Транзистор Irf820 может использоваться в усилительных схемах для усиления сигнала. Благодаря своей низкой внутренней ёмкости, этот транзистор обеспечивает высокую скорость переключения сигнала.
- Коммутационные схемы: Транзистор Irf820 может использоваться в коммутационных схемах для переключения высоких токов и сигналов. Он имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, что позволяет эффективно коммутировать высокие токи.
- Источники питания: Tтранзистор Irf820 может использоваться в источниках питания для регулирования и контроля выходных напряжений и токов. Благодаря своей высокой мощности и низкому сопротивлению, он обеспечивает эффективную работу источника питания.
- Переключатели: Транзистор Irf820 может использоваться в переключателях для управления различными устройствами и схемами. Он позволяет эффективно переключать высокие токи и напряжения.
- Импульсные блоки питания: Транзистор Irf820 может использоваться в импульсных блоках питания для эффективного и стабильного преобразования и регулирования напряжения.
Таким образом, транзистор Irf820 является универсальным компонентом, который может использоваться в различных схемах и устройствах. Его характеристики и возможности делают его идеальным выбором для усиления сигналов, коммутации токов и напряжений, а также для работы в источниках питания и переключателях.
Основные характеристики и особенности Irf820 транзистора
Вот основные характеристики и особенности Irf820:
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET;
- Максимальное напряжение канала: 500 В;
- Максимальный ток стока: 8 А;
- Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0.55 Ом;
- Высокая мощность коммутации;
- Высокая эффективность и отличная линейность;
- Низкая ёмкость и индуктивность;
- Широкий диапазон рабочих температур: -55°C до +175°C;
- Удобный корпус: TO-220AB.
Irf820 транзистор популярен среди электронных инженеров и электронщиков благодаря своим высоким техническим характеристикам и надежности. Он применяется в усилителях мощности, импульсных источниках питания, регуляторах тока и других аналогичных устройствах.
Внешний вид и маркировка
Транзистор Irf820 имеет корпус типа TO-220 с металлическим тепловым контактом. Его размеры составляют около 10 мм в длину, 15 мм в ширину и 4 мм в высоту.
На корпусе транзистора Irf820 нанесена маркировка, которая содержит информацию о его типе, производителе и других параметрах. Маркировка обычно наносится специальной краской или лазерной гравировкой. Символы маркировки могут быть напечатаны в виде букв, цифр или специальных символов.
Пример маркировки транзистора Irf820: IRF820
Здесь:
| IRF820 | — основная маркировка транзистора, которая указывает на его тип и модель. |
Маркировка транзистора является важным идентификационным элементом, позволяющим определить его тип и производителя
При выборе и использовании транзистора Irf820 важно обратить внимание на его маркировку, чтобы быть уверенным в правильности выбора компонента
Технические характеристики
Все значения измеряются при стандартной температуре +25°С. Ниже приведены предельные характеристики IRF840:
- напряжение между стоком и истоком VDS = 500 В;
- напряжение между затвором и истоком VGS = ±20 В;
- постоянный ток текущий через сток:
- при температуре +25ОС ID = 8 А;
- при температуре +100ОС ID = 5,1 А;
- пиковый ток стока IDМ = 32 А;
- коэффициент линейного снижения мощности 1 Вт/ ОС;
- энергия лавинного импульса EAS = 510 мДж;
- повторяющийся лавинный ток IAR = 8 А;
- повторяющаяся лавинная энергия EAR = 13 мДж;
- мощность PD = 125 Вт;
- диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC.
От электрических параметров также зависят возможности транзистора и сфера применения. Производители полевых транзисторов часто разбивают их на такие категории: статические, динамические и канальные. Условия тестирования приведены в колонке «Параметры тестирования».
| Электрические характеристики IRF840 (при Т = +25ОC) | ||||||
| Параметры | Параметры тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Статические | ||||||
| Напряжение пробоя между стоком и истоком | VGS =0В ID=250мкА | VDS | 500 | В | ||
| Коэффициент, показывающий зависимость напряжения пробоя от температуры | ID=1,0 мА | ΔVDS/TJ | 0,78 | В/ОС | ||
| Пороговое напряжение между затвором и истоком | VDS = VGS , ID = 250 мкА | VGS(th) | 2 | 4 | В | |
| Утечка затвор-исток | VGS = ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
| Ток утечки при нулевом напряжении на затворе | VDS = 500 В, VGS = 0 В | IDSS | 25 | мкА | ||
| VDS = 400 В, VGS = 0 В,
TJ = 125 ОC |
250 | |||||
| Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии | VGS = 10 В, ID = 12 A | RDS(on) | 0,85 | Ом | ||
| Динамические | ||||||
| Входная ёмкость транзистора | VGS = 0 В, VDS = 25 В,
f = 1,0 МГц |
Ciss | 1300 | пФ | ||
| Выходная ёмкость транзистора | Coss | 310 | ||||
| Обратная передаточная ёмкость | Crss | 120 | ||||
| Общий заряд затвора | VGS = 10 В, ID = 8 А,
VDS = 400 В |
Qg | 63 | нКл | ||
| Заряд между затвором и источником | Qgs | 9,3 | ||||
| Заряд между затвором и стоком | Qgd | 32 | ||||
| Время открытия устройства | VDD = 250 В, ID = 20 А,
RG = 9,1 Ом, RD = 31 Ом |
td(on) | 14 | нс | ||
| Время нарастания импульса открытия | tr | 23 | ||||
| Время закрытия устройства | td(off) | 49 | ||||
| Время спада импульса | tf | 20 | ||||
| Индуктивность стока | LD | 4,5 | нГн | |||
| Индуктивность истока | LS | 7,5 | ||||
| Канала | ||||||
| Длительный ток исток-сток | IS | 8,0 | А | |||
| Импульсный ток через канал | ISM | 32 | А | |||
| Падение напряжения на диоде | TJ = 25ОC, IS = 20 A,
VGS = 0 В |
VSD | 2,0 | В | ||
| Время обратного восстановления | TJ = 25ОC, IF = 8 A,
dI/dt = 100 A/мкс |
trr | 460 | 970 | нс | |
| Заряд обратного восстановления | Qrr | 4,2 | 8,9 |
Так как мощные транзисторы греются, то для них важно также рассмотреть тепловые величины. Они показывают, как быстро энергия отводится от устройства
Для IRF840 они равны:
| Параметр | Обозн. | Макс. | Ед. изм. |
| Тепловое сопротивление кристалл-воздух | RthJA | 62 | °С/Вт |
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | RthJC | 1 | °С/Вт |
Аналоги
| Маркировка | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF840 | 125 W | 500 V | 20 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 63 nC | 1500 pf | 0,85 Ohm | TO220 | |
| IRF840A | 125 W | 500 V | 30 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 38 nC | 1018 pf | 0,85 Ohm | TO220 | |
| IRF840B | 134 W | 500 V | 30 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 41 nC | 65 ns | 145 pf | 0,8 Ohm | TO‑220 |
| IRF840PBF | 125 W | 500 V | 20 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 63 nC | 23 ns | 310 pf | 0,85 Ohm | TO‑220AB |
| IRF840APBF | 125 W | 500 V | 30 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 38 nC | 23 ns | 155 pf | 0,85 Ohm | TO‑220AB |
| 2SK1574 | 125 W | 500 V | 30 V | 8 A | 150 °C | 0,85 Ohm | TO220AB | ||||
| 2SK2866 | 125 W | 600 V | 30 V | 4 V | 10 A | 150 °C | 45 nC | 22 ns | 630 pf | 0,75 Ohm | TO220AB |
| 8N50 | 125 W | 500 V | 30 V | 8 A | 150 °C | 38 ns | 115 pf | 0,77 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F2 | ||
| 9N65 | 167 W | 650 V | 30 V | 9 A | 150 °C | 20 ns | 177 pf | 0,85 Ohm | TO‑220 TO‑220F | ||
| 10N50 | 143 W | 500 V | 30 V | 10 A | 150 °C | 80 ns | 177 pf | 0,54 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 | ||
| 10N60 | 156 W | 600 V | 30 V | 10 A | 150 °C | 69 ns | 166 pf | 0,72 Ohm | TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑262 TO‑263 | ||
| 10N60A | 156 W | 600 V | 30 V | 4 V | 10 A | 150 °C | 44 nC | 69 ns | 166 pf | 0,8 Ohm | TO‑220AB |
| 10N65 | 178 W | 650 V | 30 V | 10 A | 150 °C | 69 ns | 166 pf | 0,72 Ohm | TO‑263 TO‑220 TO‑262 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 | ||
| 10N65A | 156 W | 650 V | 30 V | 10 A | 150 °C | 26,2 ns | 146,5 pf | 0,85 Ohm | TO220 | ||
| 12N50 | 195 W | 500 V | 30 V | 12 A | 150 °C | 54 ns | 198 pf | 0,42 Ohm | TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 TO‑220F2 TO‑263 | ||
| 12N60 | 225 W | 600 V | 30 V | 12 A | 150 °C | 115 ns | 200 pf | 0,6 Ohm | TO‑220 TO‑220F1 TO‑220F TO‑262 | ||
| 12N65 | 140 W | 650 V | 30 V | 4 V | 12 A | 150 °C | 58 nC | 28 ns | 195 pf | 0,7 Ohm | TO220AB |
| 12N80 | 390 W | 800 V | 30 V | 12 A | 150 °C | 12 ns | 315 pf | 0,75 Ohm | TO‑3P TO‑247 TO‑230 TO‑220F2 | ||
| 13N50 | 168 W | 500 V | 30 V | 13 A | 150 °C | 140 ns | 245 pf | 0,42 Ohm | TO‑220 TO‑220F TO‑220F1 | ||
| 15N50 | 170 W | 500 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 150 ns | 250 pf | 0,26 Ohm | TO‑220F2 | ||
| 15N60 | 312 W | 600 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 200 ns | 270 pf | 0,5 Ohm | TO‑247 TO‑3P TO‑220F1 | ||
| 15N65 | 312 W | 650 V | 30 V | 15 A | 150 °C | 125 ns | 295 pf | 0,5 Ohm | TO‑247 TO‑220F TO‑220F2 | ||
| 18N50 | 277 W | 500 V | 30 V | 18 A | 150 °C | 165 ns | 330 pf | 0,24 Ohm | TO‑3P TO‑263 TO‑220 TO‑230 TO‑220F1 TO‑220F2 | ||
| AOT11S60 | 178 W | 600 V | 30 V | 11 A | 150 °C | 20 ns | 37,3 pf | 0,399 Ohm | TO‑220 | ||
| BUZ91 | 150 W | 600 V | 20 V | 4 V | 8,5 A | 150 °C | 70 ns | 180 pf | 0,8 Ohm | TO‑220AB | |
| BUZ91A | 150 W | 600 V | 20 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 70 ns | 180 pf | 0,8 Ohm | TO‑220AB | |
| CS840 | 134 W | 500 V | 30 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 75 ns | 150 pf | 0,85 Ohm | TO‑220 | |
| FMP20N60S1 | 150 W | 600 V | 30 V | 3,5 V | 20 A | 150 °C | 48 nC | 40 ns | 3120 pf | 0,19 Ohm | TO‑220 |
| FQP12N60C | 225 W | 600 V | 30 V | 4 V | 12 A | 150 °C | 48 nC | 0,65 Ohm | TO220 | ||
| FQP13N50C | 195 W | 500 V | 30 V | 4 V | 13 A | 150 °C | 56 nC | 0,48 Ohm | TO220 | ||
| FQPF13N50C | 195 W | 500 V | 30 V | 4 V | 13 A | 150 °C | 56 nC | 0,48 Ohm | TO220F | ||
| FTP14N50C | 188 W | 500 V | 30 V | 4 V | 14 A | 150 °C | 41 nC | 30 ns | 180 pf | 0,46 Ohm | TO220 |
| IPP60R190C6 | 151 W | 600 V | 20 V | 3,5 V | 20,2 A | 150 °C | 63 nC | 11 ns | 85 pf | 0,19 Ohm | TO220 |
| IRFB11N50A | 170 W | 500 V | 10 V | 4 V | 11 A | 150 °C | 52 nC | 0,52 Ohm | TO220AB | ||
| IRFB9N60A | 170 W | 600 V | 10 V | 4 V | 9,2 A | 150 °C | 49 nC | 0,75 Ohm | TO220AB | ||
| NCE65T130 | 260 W | 650 V | 30 V | 4 V | 28 A | 150 °C | 37,5 nC | 12 ns | 120 pf | 0,13 Ohm | TO220 |
| SPP11N60C3 | 125 W | 600 V | 20 V | 3,9 V | 11 A | 150 °C | 45 nC | 5 ns | 390 pf | 0,38 Ohm | TO220 |
| STP14NM65N | 125 W | 650 V | 25 V | 4 V | 12 A | 150 °C | 45 nC | 13 ns | 90 pf | 0,38 Ohm | TO220 |
| STP26NM60N | 140 W | 600 V | 25 V | 4 V | 20 A | 150 °C | 60 nC | 25 ns | 115 pf | 0,165 Ohm | TO220 |
| WFP840 | 134 W | 500 V | 30 V | 4 V | 8 A | 150 °C | 59 nC | 22 ns | 145 pf | 0,8 Ohm | TO‑220 |
В качестве отечественного аналога могут подойти транзисторы КП777А, КП840.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Irf820 транзистор и его особенности
Основные характеристики Irf820:
| Тип корпуса | TO-220 |
| Максимальное напряжение стока-истока(Vdss) | 500 В |
| Максимальный ток стока-истока(Id) | 8 А |
| Минимальное сопротивление канала(Rds) | 0.55 Ом |
| Максимальная мощность(Pd) | 75 Вт |
Преимуществами Irf820 являются его низкое сопротивление канала и высокий коэффициент усиления. Это позволяет ему эффективно передавать и усиливать сигналы, что делает его идеальным для работы в мощных усилителях и источниках питания.
Также стоит отметить, что Irf820 обладает хорошей тепловой стойкостью, что позволяет ему работать в условиях повышенной температуры без потери производительности и надежности.
В заключение, Irf820 транзистор является надежным и высококачественным компонентом, который широко применяется в различных электронных устройствах. Его характеристики и особенности делают его отличным выбором для работы с мощными сигналами и высокими напряжениями.
Irf820 транзистор характеристики
Основные характеристики IRF820:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение стока-истока (Vds) | 500 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 9 А |
| Ток истока в режиме единичного импульса (Idm) | 36 А |
| Максимальная мощность потери (Pd) | 150 Вт |
| Сопротивление открытого состояния стока-истока (Rds(on)) | 0.85 Ом |
| Температурный диапазон (Tj) | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
IRF820 обладает высокой мощностью и способен работать в широком диапазоне напряжений и температур. Он может использоваться в усилительных и коммутационных схемах, включая источники питания, преобразователи постоянного тока, импульсные источники, электронные генераторы и другие приложения.
Применение транзистора IRF820 обеспечивает стабильную и эффективную работу электронных устройств с высокой надежностью. Его характеристики и параметры делают его универсальным элементом для различных схем и задач.
Описание Irf820 транзистора
Этот транзистор имеет N-канал типа MOSFET (Металл-Оксид-Поле-Исток-Транзистор) и металлокерамический корпус, который обеспечивает надежное теплоотведение и защиту от повреждений.
Irf820 обладает высокой электростатической защитой, что позволяет ему работать в экстремальных условиях и при высоких температурах без ухудшения характеристик. Благодаря своей конструкции и электроным свойствам, этот транзистор дает возможность сократить размеры и упростить схему устройства.
Максимальное значение температуры, при которой Irf820 может безопасно работать, составляет 175°C. Он имеет ток дрен-исток, равный 8,5 А, и сопротивление канала 0,5 Ом.
Таким образом, Irf820 транзистор является надежным и высокоэффективным решением для устройств, требующих высокой мощности и низкого потребления энергии.
Схемы включения
Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.
Стабилизатор анодного напряжения
В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах. Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.
Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.
Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.
Описание устройства и принцип работы Irf820 транзистора
Основными характеристиками Irf820 транзистора являются его низкое входное сопротивление и высокая эффективность. Он способен обеспечить надежное управление электрическими сигналами и обеспечивает небольшие потери энергии.
Транзистор Irf820 состоит из четырех слоев, называемых истоком, стоком, затвором и подложкой. Когда на затвор транзистора подается электрический сигнал, изменяется проводимость между истоком и стоком. Это позволяет управлять током, проходящим через транзистор.
Принцип работы Irf820 транзистора состоит в изменении электрического поля в затворе, что вызывает изменение электрического тока между истоком и стоком. Такой принцип работы позволяет транзистору осуществлять функцию усиления и переключения, что делает его идеальным для использования во многих электронных устройствах и схемах.
| Характеристики | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | N-канальный |
| Максимальное напряжение стока-истока (Vds) | 500 В |
| Максимальный ток стока-истока (Id) | 10 А |
| Напряжение затвора-истока (Vgs) | -20 В до +20 В |
| Входная емкость (Ciss) | 3100 пФ |
| Выходная емкость (Coss) | 800 пФ |
| Емкость затвора (Crss) | 400 пФ |
Применение Irf820 транзистора включает такие области, как силовая электроника (например, в источниках питания), аудиоусилители, светодиодные драйверы, импульсные блоки питания и другие устройства, требующие усиления и переключения больших токов и напряжений.
Маркировка
Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .
Irf820 транзистор: характеристики, описание, применение
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Напряжение стока-истока | 500 В |
| Ток стока | 10 А |
| Сопротивление стока-истока при насыщении | 0,3 Ом |
Транзистор Irf820 относится к типу MOSFET и обладает высоким напряжением стока-истока в 500 В и током стока в 10 А. Это позволяет использовать его в высоковольтных и высокотоковых приложениях. Кроме того, транзистор имеет низкое сопротивление стока-истока в режиме насыщения, всего 0,3 Ом, что обеспечивает эффективную работу устройства.
Irf820 транзистор можно применять в различных схемах и устройствах. Например, он может использоваться в источниках питания, стабилизаторах напряжения, аудиоусилителях, мощных блоках питания и других устройствах, требующих высокой мощности и эффективной работы.
Данные характеристики и возможности Irf820 транзистора делают его привлекательным для разработчиков электроники, позволяя создавать надежные и эффективные устройства с высокой производительностью.