Характеристики транзистора D1761
Ток коллектора (Ic): Ток коллектора – это максимальный допустимый ток, который может протекать через коллектор транзистора. Для D1761 этот параметр составляет обычно до 0,5 Ампер.
Ток эмиттера (Ie): Ток эмиттера – это максимальный допустимый ток, который может протекать через эмиттер транзистора. Для D1761 этот параметр также составляет обычно до 0,5 Ампер.
Коэффициент усиления по току (hfe): Коэффициент усиления по току – это отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы. Для D1761 этот параметр обычно находится в диапазоне от 40 до 160.
Максимальная мощность (Pmax): Максимальная мощность – это максимальное тепловыделение, которое транзистор может выдержать без повреждения. Для D1761 это значение составляет обычно около 1 Вт.
Максимальное напряжение коллектора (Vce): Максимальное напряжение коллектора – это максимальное допустимое напряжение, которое может быть подано на коллектор транзистора. Для D1761 это значение обычно составляет 40 Вольт.
Диапазон рабочих температур (Tj): Диапазон рабочих температур – это диапазон температур, при которых транзистор может нормально функционировать. Для D1761 этот параметр может варьироваться от -65°C до +150°C.
Максимальная частота переключения (fT): Максимальная частота переключения – это частота, при которой усилительная способность транзистора снижается до 1. Для D1761 это значение обычно составляет около 80 Мегагерц.
Знание этих характеристик позволяет эффективно использовать транзистор D1761 в разных схемах, включая усилители, стабилизаторы напряжения и инверторы.
Возможности и перспективы использования транзистора D1761
Основными особенностями транзистора D1761 являются:
| Особенность | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение стока-истока (Uds) | 100 В |
| Максимальный ток стока (Id) | 10 А |
| Максимальная мощность потери (Pd) | 200 Вт |
| Максимальная температура перегрева (Tj) | 150 °C |
Транзистор D1761 активно применяется в различных электронных устройствах и системах, где требуется коммутация больших токов и высокие напряжения, например:
- Источники питания
- Инверторы
- Силовые блоки
- Системы автоматизации
Благодаря высоким параметрам и надежности работы, транзистор D1761 имеет перспективы использования в широком спектре приложений, особенно в сфере промышленной автоматизации и энергетики.
Применение транзистора D1761
Основные области применения транзистора D1761 включают:
| 1. | Преобразователи постоянного тока |
| 2. | Усилители сигналов |
| 3. | Источники питания |
| 4. | Стабилизаторы напряжения |
| 5. | Источники сигналов |
| 6. | Телекоммуникационные системы |
| 7. | Автомобильная электроника |
| 8. | Электроника бытовых приборов |
| 9. | Промышленные устройства |
В каждой из этих областей транзистор D1761 выполняет свои функции и обеспечивает стабильную и надежную работу системы или устройства. Благодаря своим характеристикам, таким как высокая мощность, низкое потребление энергии и высокая частотная пропускная способность, этот транзистор является идеальным выбором для многих проектов.
За счет своих преимуществ транзистор D1761 широко применяется в различных отраслях и областях, где требуется эффективное управление сигналами и электронными схемами. Это делает его востребованным и популярным элементом среди разработчиков и инженеров.
Режимы работы
Биполярный транзистор D5072 может работать в следующих режимах:
Режим отсечки
В этом режиме при разнице значений между базой и эмиттером примерно на 0,6V база-эмиттерный переход закрывается, так как ток базы отсутствует. Вследствие того, что в базовом слое нет свободных электронов, коллекторный ток также перестает протекать. В результате всего этого транзистор переходит в режим отсечки. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в открытом положении.
Режим насыщения
В этот режим транзистор переходит в результате увеличения базового тока до предельной величины, из-за которой р-п переход открывается. Значение тока в этом режиме зависит от величины питающего напряжения цепи и нагрузки, возникающей на коллекторе. В этом случае входной сигнал не усиливается, так как коллекторный ток не реагирует на изменение базового тока. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в закрытом положении.
Режим усиления
В этом режиме используется для усиления сигнала. На базу подаётся разность потенциалов, вследствие чего открывается база-эмиттерный переход. В результате, в транзисторе начинается движение коллекторных и базовых токов. В итоге радиокомпонент выполняет свою основную задачу.
Режим барьера
В подобном режиме транзистор используют в качестве диода с последовательно подключённым резистором. С этой целью базу соединяют с коллектором напрямую или через небольшое сопротивление. Таким образом, транзистор используют в высокочастотных устройствах и для уменьшения числа компонентов в схеме
2SD1047 Datasheet (PDF)
Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S
Ordering number : ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit : mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P / 2S
1.3. 2sd1047.pdf Size:125K _sanyo
Ordering number:680F PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB817/2SD1047 140V/12A AF 60W Output Applications Features Package Dimensions � Capable of being mounted easily because of one- unit:mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817/2SD1047] � Wide ASO because of on-chip ballast resista
1.4. 2sd1047.pdf Size:174K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1047 DESCRIPTION Ў¤ Complement to type 2SB817 Ў¤ With TO-3PN package APPLICATIONS Ў¤ Power amplification Ў¤ Low frequency and audio band PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol DESCRIPTION Absolute maximum ratings(Ta=25Ўж )
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Когда благодарность многих к одному отбрасывает всякий стыд, возникает слава. Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SD1047 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2SD1047 транзистором 2N5631; транзистором 2SB817; транзистором BD745F; транзистором КТ879А; транзистором 2SC2581; транзистором 2SC3182; транзистором 2SC2580; транзистором 2SD1148; транзистором 2SD751; дата записи: 2016-12-07 14:18:11 2SB817 — комплементарная пара; дата записи: 2017-02-12 19:48:01 Добавить аналог транзистора 2SD1047.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SD1047? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Особенности транзистора D1761
Основная особенность транзистора D1761 заключается в его высоком коэффициенте усиления, который достигает значений до нескольких сотен. Это позволяет использовать этот транзистор в различных усилительных цепях, обеспечивая надежное и качественное усиление сигналов.
Также следует отметить, что транзистор D1761 обладает высокой надежностью и долговечностью. Он способен работать в широком диапазоне температур, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации.
Транзистор D1761 имеет небольшие габариты и малый вес, что делает его удобным в установке и использовании. Он также имеет низкое энергопотребление, что позволяет экономить электрическую энергию и повышать эффективность электронных устройств, в которых он применяется.
В таблице ниже представлены основные электрические характеристики транзистора D1761:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Максимальная мощность потерь | 1 Вт |
| Максимальный ток коллектора | 200 мА |
| Максимальное напряжение коллектора | 40 В |
| Максимальное напряжение эмиттера | 5 В |
| Коэффициент усиления по току | 100 — 300 |
Транзистор D1761 – надежное и эффективное устройство, которое широко применяется в различных электронных устройствах. Благодаря его особенностям и характеристикам, он обеспечивает надежную и стабильную работу электронных схем.
Применение транзистора D1761
Транзистор D1761 широко применяется в различных электронных устройствах и схемах благодаря своим особенностям и характеристикам. Вот несколько примеров областей применения данного транзистора:
- Источники питания: электронные источники питания часто используют транзисторы D1761 для регулирования напряжения и контроля тока. Благодаря высокой надежности и эффективности, транзистор D1761 является идеальным выбором для таких приложений.
- Усилители: транзистор D1761 обладает высокой усиливающей способностью, что делает его идеальным компонентом для усилительных схем. Он может использоваться как в низкочастотных, так и в среднечастотных усилителях, обеспечивая высокое качество звучания и стабильную работу.
- Переключатели: благодаря высокой скорости переключения и низким потерям мощности, транзистор D1761 часто используется в схемах переключения. Он может управлять большими токами и напряжениями, что позволяет эффективно управлять работой устройств с большой мощностью, например, управлять электромоторами в технике, автоматических системах и других аналогичных устройствах.
- Стабилизаторы: транзистор D1761 может использоваться в схемах стабилизации напряжения и тока. Благодаря своим параметрам и возможности регулировки, он может обеспечивать стабильную работу устройств и предотвращать перегрузки и скачки напряжения.
- Радиоприемники: транзистор D1761 обладает хорошей радиочастотной характеристикой и может использоваться в радиоприемниках для усиления и обработки радиосигналов. Он способен обеспечить четкое и стабильное приемное качество радиоволн различных частот.
Транзистор D1761 является надежным и эффективным компонентом для множества электронных устройств и систем. С его помощью можно реализовать различные функции и обеспечить стабильную, качественную и энергоэффективную работу устройств.
Что представляет собой транзистор D1761?
Транзистор D1761 обладает низким внутренним сопротивлением и высокой коммутационной способностью, что позволяет использовать его в схемах с высокой мощностью и частотой. Он способен переключать токи до 10 ампер и обеспечивает низкую потерю мощности во время работы.
Преимущества использования транзистора D1761 включают высокую стабильность характеристик, надежность и длительный срок службы. Он может быть использован в различных приложениях, таких как усилители звука, источники питания, стабилизаторы напряжения и другие электронные устройства, где требуется эффективный и надежный транзистор мощности.
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное напряжение пробоя | 60 В |
| Максимальный ток переключения | 10 А |
| Внутреннее сопротивление | низкое |
| Тип | N-канальный MOSFET |
В заключение, транзистор D1761 является универсальным полевым транзистором, который обладает высокими коммутационными и электрическими характеристиками. Он используется во многих электронных устройствах, требующих эффективного и надежного транзистора мощности.
Технические характеристики транзистора D1761
Транзистор D1761 относится к классу биполярных транзисторов и широко применяется в различных радиоэлектронных устройствах, включая усилители, ключи, стабилизаторы и другие схемы.
Вот некоторые технические характеристики транзистора D1761:
- Тип транзистора: NPN
- Максимальное значение коллекторного тока: 3 А
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимальное значение мощности: 25 Вт
- Максимальное значение температуры перехода: 150 °C
- Транзистор упакован в корпус TO-220, который обеспечивает эффективное охлаждение.
Транзистор D1761 является надежным и стабильным элементом схемы, который способен работать в широком диапазоне условий и обладает хорошими электрическими характеристиками. Благодаря своим высоким техническим характеристикам, он находит широкое применение в различных электронных устройствах.
Транзистор D1761: особенности и применение
Особенности транзистора D1761:
- Мощность коллектора составляет до 1 Вт, что позволяет использовать транзистор в различных мощных электронных схемах.
- Высокая рабочая температура до +150 °C позволяет использовать транзистор в условиях повышенной тепловой нагрузки.
- Низкое выходное сопротивление обеспечивает эффективную передачу сигнала и повышает общую эффективность работы устройства.
- Быстрый переключательный процесс обеспечивает высокую скорость передачи данных и позволяет использовать транзистор в устройствах с высокой частотой переключения.
Применение транзистора D1761:
Благодаря своим характеристикам, транзистор D1761 находит широкое применение во многих областях электроники:
- Усилители звукового сигнала: транзистор может быть использован в усилителях звукового сигнала для усиления и обработки аудиосигналов.
- Радиопередатчики и радиоприемники: благодаря высокой частоте работы, транзистор может быть использован в радиопередатчиках и радиоприемниках с широким диапазоном частот.
- Электронные ключи: транзистор может использоваться в электронных ключах для переключения сигналов различных уровней.
- Электронные схемы на основе ШИМ (широтно-импульсной модуляции): транзистор может быть использован в схемах на основе ШИМ для управления мощностью выходного сигнала.
Транзистор D1761 является надежным и эффективным компонентом электронных схем. Он обладает высокими характеристиками и пригоден для использования в различных областях электроники.
Транзистор D1761: обзор, применение, характеристики
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектора | 60 V |
| Ток коллектора | 1 A |
| Мощность | 625 mW |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор D1761 широко применяется в различных электронных схемах и устройствах, таких как усилители звука, радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители и другие. Его высокая мощность позволяет использовать его в разнообразных задачах, требующих усиления или коммутации сигналов.
Транзистор D1761 отличается также надежностью и стабильностью работы. Он способен выдерживать высокие нагрузки и обеспечивает стабильное усиление сигнала. Благодаря своим характеристикам и низкой стоимости, транзистор D1761 является предпочтительным выбором для многих конструкторов и электронщиков.
В заключение, транзистор D1761 представляет собой надежный и универсальный биполярный NPN транзистор, который имеет широкий спектр применения в различных электронных устройствах.
Биполярный транзистор 2SD1207 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1207
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2SD1207
Datasheet (PDF)
..1. Size:51K sanyo 2sd1207.pdf
Ordering number : EN930D2SB892 / 2SD1207SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB892 / 2SD1207Large-Current Switching ApplicationsApplications Power supplies, relay drivers, lamp drivers, and automotive wiring.Features FBET and MBIT processed (Original process of SANYO). Low saturation voltage. Large current capacity and
..2. Size:942K blue-rocket-elect 2sd1207.pdf
2SD1207 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92LM NPN Silicon NPN transistor in a TO-92LM Plastic Package. / Features ,Low saturation voltage, large current capacity. / Applications ,,Power supplies, relay drivers, lamp
8.1. Size:86K 1 2sd1206.pdf
8.2. Size:51K 1 2sd1205a.pdf
Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all
8.3. Size:42K rohm 2sd1200.pdf
2SB1189 / 2SB1238 / 2SB899FTransistorsTransistors2SD1767 / 2SD1859 / 2SD1200F(96-618-B13)(96-750-D13)278
8.4. Size:51K panasonic 2sd1205.pdf
Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all
8.5. Size:56K panasonic 2sd1205 e.pdf
Transistor2SD1205, 2SD1205ASilicon NPN epitaxial planer type darlingtonUnit: mmFor low-frequency amplification6.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0FeaturesR0.9Forward current transfer ratio hFE is designed high, which is ap-propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: hFE= 4000 to 2000.A shunt resistor is omitted from the driver.0.85M type package all
8.6. Size:31K hitachi 2sd1209.pdf
2SD1209(K)Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplication Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SA1193(K)OutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SD1209(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7VCo
8.7. Size:114K inchange semiconductor 2sd1208.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1208 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High DC current gain Darlington APPLICATIONS Power regulator for line operated TV PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings (Ta=25) SY
8.8. Size:185K inchange semiconductor 2sd1204.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1204DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE
8.9. Size:183K inchange semiconductor 2sd1202.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1202DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageHigh DC Current Gain100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE
Другие транзисторы… 2SD1200
, 2SD1201
, 2SD1202
, 2SD1203
, 2SD1204
, 2SD1205
, 2SD1205A
, 2SD1206
, , 2SD1207R
, 2SD1207S
, 2SD1207T
, 2SD1207U
, 2SD1208
, 2SD1209
, 2SD120H
, 2SD121
.
Цоколевка
Корпус транзистора герметичный и непрозрачный. Он выполнен из материала, представляющего сложную композицию, состоящую из полимерной основы с примесью фенолформальдегидной смолы и других добавок.
Внутри корпуса располагается кристалл кремния, состоящий из трёх частей – базы, коллектора и эмиттера, которые соединены с контактами 1, 2, 3. Цоколевка D5072 указана на рисунке.
Помимо выводов в корпус встроен (кристаллодержатель) металлический теплоотвод с отверстием для установки на внешний радиатор.
Транзистор D5072 промаркирован в соответствии с японским промышленным стандартом JIS и считается комбинацией в системах обозначений Pro-Electron и JEDEEC.
Маркировка 2SD5072 расшифровывается следующим образом: Цифра 2 обозначает тип радиокомпонента – транзистор. Буква S указывает, что это полупроводник. Буква D определяет класс – низкочастотный с PNP переходом. Число 5072 обозначает номер разработки.