Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
400 | 60 | 50 | 5 | 150 | 150 | 200000000 | 3 | 70/700 |
Производитель: WEITRONСфера применения: Популярность: 59782Дополнительные параметры транзистора C945 (С945): Внимание! У разных производителей транзистора с945 – разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc
Проверяйте перед установкой.Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Применение транзистора c945p:
Транзистор c945p широко применяется в различных электронных схемах, благодаря своим уникальным техническим характеристикам. Он часто используется в усилителях, блокировщиках постоянного тока и других аудиоустройствах.
Применение транзистора c945p можно найти в следующих областях:
- Аудиоусилители. Транзистор c945p может использоваться в усилителях звука для транзисторного усиления и усиления мощности. Он отлично справляется с передачей аудиосигналов и обеспечивает высокое качество звука.
- Блокировщики постоянного тока. Транзистор c945p может использоваться в схемах блокировки постоянного тока, которые позволяют контролировать и регулировать электрический ток в цепи.
- Стабилизаторы напряжения. Транзистор c945p может быть использован в стабилизаторах напряжения для обеспечения постоянного напряжения на выходе.
- Источники питания. Транзистор c945p также может использоваться в источниках питания для обеспечения стабильного электрического тока.
- Световые приборы. Благодаря своим хорошим электрическим характеристикам, транзистор c945p может использоваться в световых приборах, таких как светодиоды, лампы и другие электронные устройства.
Транзистор c945p является незаменимым элементом в электронике и его применение охватывает широкий спектр областей, от аудиотехники до световых приборов. Благодаря своим преимуществам и стабильной работе, этот транзистор становится популярным при выборе компонентов для различных электронных устройств.
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
Наименование | Коэффициент Hfe |
---|---|
С945-Y | 120-240 |
С945-O | 70-140 |
С945-R | 90-180 |
С945-Q | 135-270 |
С945-P | 200-400 |
C945-K | 300-600 |
C945-G | 200-400 |
C945-GR | 200-400 |
C945-BL | 350-700 |
C945-L (SOT-23) | 120-200 |
C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Аналоги транзистора c945p
Транзистор c945p имеет несколько аналогов, которые можно использовать вместо него в различных электронных схемах. Эти аналоги обладают сходными характеристиками и способны выполнять аналогичные функции. Рассмотрим некоторые популярные аналоги транзистора c945p:
1. КТ3124. Этот транзистор обладает сходной структурой и параметрами с транзистором c945p. Он широко применяется в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности и каскады усиления.
2. КТ3107. Этот транзистор также является аналогом транзистора c945p и обладает схожими характеристиками. Он применяется в различных электронных схемах, включая устройства управления двигателями и сигнальные цепи.
3. BC547. Этот транзистор является одним из самых популярных аналогов транзистора c945p. Он обладает высокой эффективностью и применяется в широком спектре устройств, включая усилители, коммутационные схемы и преобразователи сигналов.
4. 2N3904. Этот транзистор также является хорошим аналогом транзистора c945p. Он используется во многих электронных схемах, включая импульсные источники питания и усилители сигналов.
Выбор аналога транзистора c945p зависит от конкретных требований и условий работы электронной схемы. Рекомендуется обращаться к даташитам и проводить соответствующий анализ перед выбором аналогичного транзистора.
Технические характеристики транзистора c945p
Ниже представлены основные технические характеристики транзистора c945p:
Параметр | Значение |
---|---|
Тип | PNP |
Напряжение коллектора (макс.) | 60 В |
Силовая диссипация (макс.) | 400 мВт |
Ток коллектора (макс.) | 150 мА |
Ток базы (макс.) | 50 мА |
Коэффициент усиления по току (мин.) | 70 |
Максимальная рабочая температура | 150 °C |
Транзистор c945p может быть заменен аналогами, которые имеют схожие характеристики. Несколько самых распространенных аналогов для c945p: c1815, s8550, 2n3906. Однако, перед заменой транзистора необходимо убедиться в совместимости его характеристик с требованиями конкретной схемы.
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCE max) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCB max) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCE sat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 450 МГц (MHz), при U КЭ = 6 В (V), IK = 10 мА (mA);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.01 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.01 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при UКЭ макс = 6 В (V) и IK макс = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 Hfe.
Классификация по Hfe
Наименование | Коэффициент Hfe |
---|---|
С945-Y | 120-240 |
С945-O | 70-140 |
С945-R | 90-180 |
С945-Q | 135-270 |
С945-P | 200-400 |
C945-K | 300-600 |
C945-G | 200-400 |
C945-GR | 200-400 |
C945-BL | 350-700 |
C945-L (SOT-23) | 120-200 |
C945-H (SOT-23) | 200-400 |
Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.
Отечественные и импортные аналоги
Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.
Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
---|---|---|---|---|---|
C945 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 200 |
Отечественное производство | |||||
КТ3102 | 45 | 0,1 | 0,25 | 250 | 300 |
Импорт | |||||
KSC945 | 50 | 0,15 | 0,25 | 40 | 300 |
2N2222 | 30 | 0,8 | 0,5 | 100 | 250 |
2N3904 | 40 | 0,2 | 0,31 | 40 | 300 |
2SC3198 | 50 | 0,15 | 0,4 | 20 | 130 |
2SC1815 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
2SC2002 | 60 | 0,3 | 0,3 | 90 | 70 |
2SC3114 | 50 | 0,15 | 0,4 | 55 | 100 |
2SC3331 | 50 | 0,2 | 0,5 | 100 | 200 |
2SC2960 | 50 | 0,15 | 0,25 | 100 | 100 |
Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945
Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
АРЕ8862 | 600 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАССАЦИЕЙ | Передовая силовая электроника | |
АРЕ8865 |
300 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ |
Передовая силовая электроника | |
АРЕ8866 | 600 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ | Передовая силовая электроника | |
АРЕ8867 | 300 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ | Передовая силовая электроника | |
БАТ54 | Диод Шоттки SMD 230 мВт | Тайвань Полупроводник | |
БАТ54 | Диоды Шоттки | Кексин | |
БАТ54 | КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ДИОДЫ ШОТТКИ | CDIL | |
БАТ54 | Диоды Шоттки | Фэирчайлд Полупроводник | |
БАТ54 | Диод Шоттки для поверхностного монтажа, 200 мВт | ЛГЭ | |
БАТ54 | БАРЬЕР ШОТТКИ ДИОД | Юнисоник Текнолоджиз |
Описание транзистора c945p
Технические характеристики:
• Ток коллектора: 150 мА
• Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
• Максимальная мощность: 400 мВт
• Усиление по току (hfe): 70-700
• Частота переключения: 150 МГц
Транзистор c945p применяется во множестве электронных устройств, включая усилители, радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители, стабилизаторы напряжения и другие устройства, где требуется надежное и эффективное усиление сигнала.
Аналоги транзистора c945p:
• 2N3904
• BC547
• BC337
• BC548
Транзистор c945p является незаменимым элементом электроники, обеспечивая усиление и коммутацию слабых сигналов в различных устройствах.
Возможности использования транзистора c945p в современных устройствах
Одной из наиболее распространенных областей применения транзистора c945p является усиление сигнала. Благодаря своим высоким значениям коэффициента усиления по току и мощности, этот транзистор может быть использован для усиления слабых сигналов во многих электронных устройствах. Он может быть частью усилителя мощности, усилителя звука, радиоприемника и других подобных устройств.
Транзистор c945p также может быть использован в качестве коммутационного элемента. Он обладает быстрым временем переключения и высоким значением максимального тока коллектора, что позволяет использовать его для коммутации высоких нагрузок. Этот транзистор может быть использован в силовых ключах, таймерах, схемах управления и других подобных устройствах, где требуется коммутация сигналов.
Еще одной возможностью использования транзистора c945p является его применение в схемах стабилизации напряжения. Благодаря своим низким значениям сопротивления переключения и базового напряжения, этот транзистор может быть использован для создания стабильного и регулируемого источника питания. Он может быть применен в схемах стабилизации напряжения для электроники, светодиодных драйверов, и других устройствах, где требуется стабильное питание.
Трназистор c945p также может быть использован в различных схемах таймеров и генераторов. Благодаря своим высоким значениям коэффициента усиления по току, этот транзистор может быть использован в различных генераторах сигналов различной частоты. Он может быть применен в схемах таймеров, генераторов импульсов, аналоговых часов и других подобных устройствах.
Возможности использования | Примеры устройств |
---|---|
Усиление сигнала | Усилители мощности, усилители звука, радиоприемники |
Коммутация | Силовые ключи, таймеры, схемы управления |
Схемы стабилизации напряжения | Источники питания, светодиодные драйверы |
Таймеры и генераторы | Таймеры, генераторы импульсов, аналоговые часы |
In Stock
United States
China
Canada
Japan
Russia
Germany
United Kingdom
Singapore
Italy
Hong Kong(China)
Taiwan(China)
France
Korea
Mexico
Netherlands
Malaysia
Austria
Spain
Switzerland
Poland
Thailand
Vietnam
India
United Arab Emirates
Afghanistan
Åland Islands
Albania
Algeria
American Samoa
Andorra
Angola
Anguilla
Antigua & Barbuda
Argentina
Armenia
Aruba
Australia
Azerbaijan
Bahamas
Bahrain
Bangladesh
Barbados
Belarus
Belgium
Belize
Benin
Bermuda
Bhutan
Bolivia
Bonaire, Sint Eustatius and Saba
Bosnia & Herzegovina
Botswana
Brazil
British Indian Ocean Territory
British Virgin Islands
Brunei
Bulgaria
Burkina Faso
Burundi
Cabo Verde
Cambodia
Cameroon
Cayman Islands
Central African Republic
Chad
Chile
Christmas Island
Cocos (Keeling) Islands
Colombia
Comoros
Congo
Congo (DRC)
Cook Islands
Costa Rica
Côte d’Ivoire
Croatia
Cuba
Curaçao
Cyprus
Czechia
Denmark
Djibouti
Dominica
Dominican Republic
Ecuador
Egypt
El Salvador
Equatorial Guinea
Eritrea
Estonia
Eswatini
Ethiopia
Falkland Islands
Faroe Islands
Fiji
Finland
French Guiana
French Polynesia
Gabon
Gambia
Georgia
Ghana
Gibraltar
Greece
Greenland
Grenada
Guadeloupe
Guam
Guatemala
Guernsey
Guinea
Guinea-Bissau
Guyana
Haiti
Honduras
Hungary
Iceland
Indonesia
Iran
Iraq
Ireland
Isle of Man
Israel
Jamaica
Jersey
Jordan
Kazakhstan
Kenya
Kiribati
Kosovo
Kuwait
Kyrgyzstan
Laos
Latvia
Lebanon
Lesotho
Liberia
Libya
Liechtenstein
Lithuania
Luxembourg
Macao(China)
Madagascar
Malawi
Maldives
Mali
Malta
Marshall Islands
Martinique
Mauritania
Mauritius
Mayotte
Micronesia
Moldova
Monaco
Mongolia
Montenegro
Montserrat
Morocco
Mozambique
Myanmar
Namibia
Nauru
Nepal
New Caledonia
New Zealand
Nicaragua
Niger
Nigeria
Niue
Norfolk Island
North Korea
North Macedonia
Northern Mariana Islands
Norway
Oman
Pakistan
Palau
Palestinian Authority
Panama
Papua New Guinea
Paraguay
Peru
Philippines
Pitcairn Islands
Portugal
Puerto Rico
Qatar
Réunion
Romania
Rwanda
Samoa
San Marino
São Tomé & Príncipe
Saudi Arabia
Senegal
Serbia
Seychelles
Sierra Leone
Sint Maarten
Slovakia
Slovenia
Solomon Islands
Somalia
South Africa
South Sudan
Sri Lanka
St Helena, Ascension, Tristan da Cunha
St. Barthélemy
St. Kitts & Nevis
St. Lucia
St. Martin
St. Pierre & Miquelon
St. Vincent & Grenadines
Sudan
Suriname
Svalbard & Jan Mayen
Sweden
Syria
Tajikistan
Tanzania
Timor-Leste
Togo
Tokelau
Tonga
Trinidad & Tobago
Tunisia
Turkey
Turkmenistan
Turks & Caicos Islands
Tuvalu
U.S. Outlying Islands
U.S. Virgin Islands
Uganda
Ukraine
Uruguay
Uzbekistan
Vanuatu
Vatican City
Venezuela
Wallis & Futuna
Yemen
Zambia
Zimbabwe
Quantity
Quick RFQ
Выгоды использования транзистора c945p в сравнении с аналогами
Низкая стоимость: Транзистор c945p отличается доступной ценой, что делает его более экономически выгодным выбором по сравнению с аналогами в той же ценовой категории.
Широкое применение: C945p имеет широкий диапазон применения в различных электронных устройствах, таких как усилители, стабилизаторы напряжения, источники питания и др.
Высокая надежность: Данный транзистор обладает высокой надежностью и длительным сроком службы, что особенно важно для проектов и устройств, требующих стабильной работы на протяжении длительного времени.
Простота использования: C945p имеет простую структуру и удобные размеры, что облегчает его установку и подключение в различные схемы и устройства.
Хорошие технические характеристики: Транзистор c945p обладает достаточно высокими параметрами, такими как малая передаточная проводимость и высокий коэффициент усиления, что позволяет его использовать в различных условиях и с разными нагрузками.
Все эти выгоды делают транзистор c945p привлекательным выбором для множества проектов и устройств, где требуется стабильная работа при минимальных затратах.
2SC945P Datasheet (PDF)
..1. Size:145K semtech 2sc945r 2sc945o 2sc945y 2sc945p 2sc945l.pdf
2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurations. T
8.1. Size:73K nec 2sc945.pdf
8.2. Size:244K mcc 2sc945-y.pdf
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.3. Size:244K mcc 2sc945-gr.pdf
MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC
8.4. Size:194K utc 2sc945.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * Complimentary to UTC 2SA733 ORDERING I
8.5. Size:226K no 2sc945.pdf
ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati
8.6. Size:272K shenzhen 2sc945.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi
8.7. Size:1959K blue-rocket-elect 2sc945.pdf
2SC945 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,h FE High voltage, excellent hFE linearity. / Applications AF amplifier and low speed switching applications. / Eq
8.8. Size:1532K blue-rocket-elect 2sc945m.pdf
2SC945M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.
8.9. Size:634K china 2sc945lt1.pdf
SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V
8.10. Size:781K kexin 2sc945.pdf
SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector
8.11. Size:260K galaxy 2sc945.pdf
Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC945 FEATURES Pb High voltage and high current. Lead-free Excellent h linearity. FE Low noise. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SC945 CR SOT-23 : none is for Lead Free package; G is for Halogen Free package
8.12. Size:189K inchange semiconductor 2sc945.pdf
isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol