C945p pdf даташит

C945 npn transistors: datasheet, equivalent and pinout

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора C945 (С945) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний

Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт Ucb max, В Uce max, В Ueb max, В Ic max, мА Tj max, °C Ft max, Гц Cc tip, пФ Hfe
400 60 50 5 150 150 200000000 3 70/700

Производитель: WEITRONСфера применения: Популярность: 59782Дополнительные параметры транзистора C945 (С945): Внимание! У разных производителей транзистора с945 – разная цоколевка. Например у Daya Electric Group Co., Ltd.: 123-ebc

Проверяйте перед установкой.Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Применение транзистора c945p:

Транзистор c945p широко применяется в различных электронных схемах, благодаря своим уникальным техническим характеристикам. Он часто используется в усилителях, блокировщиках постоянного тока и других аудиоустройствах.

Применение транзистора c945p можно найти в следующих областях:

  1. Аудиоусилители. Транзистор c945p может использоваться в усилителях звука для транзисторного усиления и усиления мощности. Он отлично справляется с передачей аудиосигналов и обеспечивает высокое качество звука.
  2. Блокировщики постоянного тока. Транзистор c945p может использоваться в схемах блокировки постоянного тока, которые позволяют контролировать и регулировать электрический ток в цепи.
  3. Стабилизаторы напряжения. Транзистор c945p может быть использован в стабилизаторах напряжения для обеспечения постоянного напряжения на выходе.
  4. Источники питания. Транзистор c945p также может использоваться в источниках питания для обеспечения стабильного электрического тока.
  5. Световые приборы. Благодаря своим хорошим электрическим характеристикам, транзистор c945p может использоваться в световых приборах, таких как светодиоды, лампы и другие электронные устройства.

Транзистор c945p является незаменимым элементом в электронике и его применение охватывает широкий спектр областей, от аудиотехники до световых приборов. Благодаря своим преимуществам и стабильной работе, этот транзистор становится популярным при выборе компонентов для различных электронных устройств.

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92, SOT-23;
  • материал корпуса – пластмасса;
  • материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

  • проводимость – обратная (n-p-n);
  • максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
  • максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
  • максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
  • максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВmax) не более 5 В (V);
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
  • граничная частота передачи тока (Current Gain Bandw >Классификация по Hfe
Наименование Коэффициент Hfe
С945-Y 120-240
С945-O 70-140
С945-R 90-180
С945-Q 135-270
С945-P 200-400
C945-K 300-600
C945-G 200-400
C945-GR 200-400
C945-BL 350-700
C945-L (SOT-23) 120-200
C945-H (SOT-23) 200-400

Точное значение Hfe смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

C945 – биполярный, высокочастотный, кремниевый, n-p-n транзистор средней рассеиваемой мощности. Используется в самых разнообразных учебных и коммерческих электронных схемах. Подходит для работы в переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.

Аналоги транзистора c945p

Транзистор c945p имеет несколько аналогов, которые можно использовать вместо него в различных электронных схемах. Эти аналоги обладают сходными характеристиками и способны выполнять аналогичные функции. Рассмотрим некоторые популярные аналоги транзистора c945p:

1. КТ3124. Этот транзистор обладает сходной структурой и параметрами с транзистором c945p. Он широко применяется в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности и каскады усиления.

2. КТ3107. Этот транзистор также является аналогом транзистора c945p и обладает схожими характеристиками. Он применяется в различных электронных схемах, включая устройства управления двигателями и сигнальные цепи.

3. BC547. Этот транзистор является одним из самых популярных аналогов транзистора c945p. Он обладает высокой эффективностью и применяется в широком спектре устройств, включая усилители, коммутационные схемы и преобразователи сигналов.

4. 2N3904. Этот транзистор также является хорошим аналогом транзистора c945p. Он используется во многих электронных схемах, включая импульсные источники питания и усилители сигналов.

Выбор аналога транзистора c945p зависит от конкретных требований и условий работы электронной схемы. Рекомендуется обращаться к даташитам и проводить соответствующий анализ перед выбором аналогичного транзистора.

Технические характеристики транзистора c945p

Ниже представлены основные технические характеристики транзистора c945p:

Параметр Значение
Тип PNP
Напряжение коллектора (макс.) 60 В
Силовая диссипация (макс.) 400 мВт
Ток коллектора (макс.) 150 мА
Ток базы (макс.) 50 мА
Коэффициент усиления по току (мин.) 70
Максимальная рабочая температура 150 °C

Транзистор c945p может быть заменен аналогами, которые имеют схожие характеристики. Несколько самых распространенных аналогов для c945p: c1815, s8550, 2n3906. Однако, перед заменой транзистора необходимо убедиться в совместимости его характеристик с требованиями конкретной схемы.

Основные технические характеристики

У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):

физические:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92, SOT-23;
  • материал корпуса – пластмасса;
  • материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;

электрические:

  • проводимость – обратная (n-p-n);
  • максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
  • максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCE max) не более 50 В (V);
  • максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCB max) не более 60 В (V);
  • максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
  • напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCE sat) не более 0.3 В (V);
  • граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 450 МГц (MHz), при U КЭ = 6 В (V), IK = 10 мА (mA);
  • максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.01 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.01 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
  • максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
  • максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при UКЭ макс = 6 В (V) и IK макс  =  1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 Hfe.

Классификация по Hfe

Наименование Коэффициент Hfe
С945-Y 120-240
С945-O 70-140
С945-R 90-180
С945-Q 135-270
С945-P 200-400
C945-K 300-600
C945-G 200-400
C945-GR 200-400
C945-BL 350-700
C945-L (SOT-23) 120-200
C945-H (SOT-23) 200-400

Точное значение Hfe  смотрите в даташите производителя, предварительно посмотрев буквы находящиеся в конце маркировки транзистора. Например у c945O Electronic Manufacturer Hfe характеристика находится в пределах от 70-140, а у С945R Stanson Technology от 90-180.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Где и как мы можем использовать ?

Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее.
Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали Функция Производители ПДФ
АРЕ8862 600 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАССАЦИЕЙ Передовая силовая электроника
АРЕ8865

300 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ

Передовая силовая электроника
АРЕ8866 600 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ Передовая силовая электроника
АРЕ8867 300 мА ЛИНЕЙНЫЙ РЕГУЛЯТОР С МАЛЫМ ПАРОМ Передовая силовая электроника
БАТ54 Диод Шоттки SMD 230 мВт Тайвань Полупроводник
БАТ54 Диоды Шоттки Кексин
БАТ54 КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ДИОДЫ ШОТТКИ CDIL
БАТ54 Диоды Шоттки Фэирчайлд Полупроводник
БАТ54 Диод Шоттки для поверхностного монтажа, 200 мВт ЛГЭ
БАТ54 БАРЬЕР ШОТТКИ ДИОД Юнисоник Текнолоджиз

Описание транзистора c945p

Технические характеристики:

• Ток коллектора: 150 мА

• Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В

• Максимальная мощность: 400 мВт

• Усиление по току (hfe): 70-700

• Частота переключения: 150 МГц

Транзистор c945p применяется во множестве электронных устройств, включая усилители, радиоприемники, телевизоры, аудиоусилители, стабилизаторы напряжения и другие устройства, где требуется надежное и эффективное усиление сигнала.

Аналоги транзистора c945p:

• 2N3904

• BC547

• BC337

• BC548

Транзистор c945p является незаменимым элементом электроники, обеспечивая усиление и коммутацию слабых сигналов в различных устройствах.

Возможности использования транзистора c945p в современных устройствах

Одной из наиболее распространенных областей применения транзистора c945p является усиление сигнала. Благодаря своим высоким значениям коэффициента усиления по току и мощности, этот транзистор может быть использован для усиления слабых сигналов во многих электронных устройствах. Он может быть частью усилителя мощности, усилителя звука, радиоприемника и других подобных устройств.

Транзистор c945p также может быть использован в качестве коммутационного элемента. Он обладает быстрым временем переключения и высоким значением максимального тока коллектора, что позволяет использовать его для коммутации высоких нагрузок. Этот транзистор может быть использован в силовых ключах, таймерах, схемах управления и других подобных устройствах, где требуется коммутация сигналов.

Еще одной возможностью использования транзистора c945p является его применение в схемах стабилизации напряжения. Благодаря своим низким значениям сопротивления переключения и базового напряжения, этот транзистор может быть использован для создания стабильного и регулируемого источника питания. Он может быть применен в схемах стабилизации напряжения для электроники, светодиодных драйверов, и других устройствах, где требуется стабильное питание.

Трназистор c945p также может быть использован в различных схемах таймеров и генераторов. Благодаря своим высоким значениям коэффициента усиления по току, этот транзистор может быть использован в различных генераторах сигналов различной частоты. Он может быть применен в схемах таймеров, генераторов импульсов, аналоговых часов и других подобных устройствах.

Возможности использования Примеры устройств
Усиление сигнала Усилители мощности, усилители звука, радиоприемники
Коммутация Силовые ключи, таймеры, схемы управления
Схемы стабилизации напряжения Источники питания, светодиодные драйверы
Таймеры и генераторы Таймеры, генераторы импульсов, аналоговые часы

In Stock

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Выгоды использования транзистора c945p в сравнении с аналогами

Низкая стоимость: Транзистор c945p отличается доступной ценой, что делает его более экономически выгодным выбором по сравнению с аналогами в той же ценовой категории.

Широкое применение: C945p имеет широкий диапазон применения в различных электронных устройствах, таких как усилители, стабилизаторы напряжения, источники питания и др.

Высокая надежность: Данный транзистор обладает высокой надежностью и длительным сроком службы, что особенно важно для проектов и устройств, требующих стабильной работы на протяжении длительного времени.

Простота использования: C945p имеет простую структуру и удобные размеры, что облегчает его установку и подключение в различные схемы и устройства.

Хорошие технические характеристики: Транзистор c945p обладает достаточно высокими параметрами, такими как малая передаточная проводимость и высокий коэффициент усиления, что позволяет его использовать в различных условиях и с разными нагрузками.

Все эти выгоды делают транзистор c945p привлекательным выбором для множества проектов и устройств, где требуется стабильная работа при минимальных затратах.

2SC945P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  semtech 2sc945r 2sc945o 2sc945y 2sc945p 2sc945l.pdf

2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurations. T

 8.1. Size:73K  nec 2sc945.pdf

 8.2. Size:244K  mcc 2sc945-y.pdf

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 8.3. Size:244K  mcc 2sc945-gr.pdf

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 8.4. Size:194K  utc 2sc945.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity * Complimentary to UTC 2SA733 ORDERING I

 8.5. Size:226K  no 2sc945.pdf

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

 8.6. Size:272K  shenzhen 2sc945.pdf

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

 8.7. Size:1959K  blue-rocket-elect 2sc945.pdf

2SC945 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,h FE High voltage, excellent hFE linearity. / Applications AF amplifier and low speed switching applications. / Eq

 8.8. Size:1532K  blue-rocket-elect 2sc945m.pdf

2SC945M Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

 8.9. Size:634K  china 2sc945lt1.pdf

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V

 8.10. Size:781K  kexin 2sc945.pdf

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

 8.11. Size:260K  galaxy 2sc945.pdf

Product specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC945 FEATURES Pb High voltage and high current. Lead-free Excellent h linearity. FE Low noise. APPLICATIONS Audio frequency amplifier. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code 2SC945 CR SOT-23 : none is for Lead Free package; G is for Halogen Free package

 8.12. Size:189K  inchange semiconductor 2sc945.pdf

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: