Транзистор s8050 параметры цоколевка

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	V_CEO, В	I_C, мA	P_C, мВт	h_FE	f_T, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Температурный режим

Транзистор C8050 имеет широкий диапазон рабочих температур. Рекомендованный диапазон рабочих температур составляет от -55°C до +150°C. Это означает, что транзистор C8050 может быть использован в широком спектре приложений, даже в экстремальных условиях, где температура может быть очень низкой или очень высокой.

Однако, стоит отметить, что при работе транзистора C8050 при высоких температурах следует соблюдать предосторожность, чтобы избежать его перегрева. При превышении максимальной рабочей температуры транзистор может выйти из строя или показывать непредсказуемое поведение

Поэтому важно обеспечить достаточное охлаждение при использовании транзистора C8050 в условиях повышенной температуры. Рекомендуется обеспечить хорошую вентиляцию и использовать радиатор, чтобы отводить излишнее тепло

Это поможет поддерживать транзистор в оптимальном рабочем состоянии и продлит его срок службы.

Взаимодействие с другими ключами

Для этого используются элементы связи. Так, если первый ключ на выходе имеет высокий уровень напряжения, то на входе второго происходит открытие и работает в заданном режиме. И наоборот. Такая цепь связи существенно влияет на переходные процессы, что возникают во время переключения и быстродействия ключей. Вот как работает транзисторный ключ. Наиболее распространёнными являются схемы, в которых взаимодействие совершается только между двумя транзисторами. Но это вовсе не значит, что это нельзя сделать устройством, в котором будет применяться три, четыре или даже большее число элементов. Но на практике такому сложно бывает найти применение, поэтому работа транзисторного ключа такого типа и не используется.

Составные транзисторы

Для увеличения значения h21 соединяют биполярные транзисторы по схеме Дарлингтона:

В составном транзисторе, имеющем характеристики, как одного, база VT1 соединена с эмиттером VT2 и ΔIэ2 = ΔIб1. Коллекторы обоих транзисторов соединены и этот вывод является выводом составного транзистора. База VT2 играет роль базы составного транзистора ΔIб = ΔIб2, а эмиттер VT1 – роль эмиттера составного транзистора ΔIэ = ΔI1.

Получим выражение для коэффициента усиления по току β для схемы Дарлингтона. Выразим связь между изменением тока базы dIб и вызванным вследствие этого изменением тока коллектора dIк составного транзистора следующим образом:

Поскольку для биполярных транзисторов коэффициент усиления по току обычно составляет несколько десятков (β1, β2 >> 1), то суммарный коэффициент усиления составного транзистора будет определяться произведением коэффициентов усиления каждого из транзисторов βΣ = β1 · β2 и может быть достаточно большим по величине.

Отметим особенности режима работы таких транзисторов. Поскольку эмиттерный ток VT2 Iэ2 является базовым током VT1 dIб1, то, следовательно, транзистор VT2 должен работать в микромощном режиме, а транзистор VT1 – в режиме большой инжекции, их эмиттерные токи отличаются на 1-2 порядка. При таком неоптимальном выборе рабочих характеристик биполярных транзисторов VT1 и VT2 не удается в каждом из них достичь высоких значений усиления по току. Тем не менее даже при значениях коэффициентов усиления β1, β2 ≈ 30 суммарный коэффициент усиления βΣ составит βΣ ≈ 1000.

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статистическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ, наоборот, и граничная частота усиления по току, и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1, VT2 в отдельности.

Преимущества использования транзистора

Малый размер и низкая стоимость – благодаря компактным размерам и массовости производства, транзистор S8050 обладает небольшими габаритами и является довольно дешевым компонентом.
Надежность и долговечность – трёхслойное строение транзистора и применение качественных материалов при его производстве обеспечивают высокую надежность и долговечность работы.
Широкий диапазон применений – благодаря своим характеристикам транзистор S8050 может использоваться во многих областях электротехники и электроники, таких как усилители малой мощности, переключатели, стабилизаторы напряжения и т.д.
Высокая интегрируемость – транзистор S8050 обладает высокой интегрируемостью, что позволяет использовать его в схемах с большим числом компонентов и обеспечивает компактность электронных устройств.
Низкое энергопотребление – S8050 транзистор потребляет мало энергии при работе, что является важным фактором при разработке мобильных устройств и портативной электроники.

Электрические характеристики транзистора s8050

Технические характеристики:

Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce0): 50 В

Максимальное напряжение закрытия коллектор-эмиттер (Ucbo): 30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база (Uebo): 5 В

Максимальный постоянный коллекторный ток (Ic): 0.7 А

Максимальный пиковый коллекторный ток (Icm): 1.2 А

Максимальная постоянная мощность на коллекторе (Pc): 0.625 Вт

Тепловое сопротивление от перехода до основания (Rthj-a): 200°C/W

Температурный диапазон (Tj): 150°C

Функциональные характеристики:

Усиление по току (hfe): 40-320

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)): 0.3 В

Напряжение подавления обратной полярности (Vbe(sus)): 5 В

Время задержки переключения (Tf): 50 нс

Время нарастания (Tr): 30 нс

Время спада (Tf): 75 нс

Время задержки переключения (Ts): 150 нс

Емкость ввода (Cib): 15 пФ

Емкость вывода (Cob): 3 пФ

Емкость прямого переноса (Cre): 10 пФ

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ и эмиттер-база U_BE₍_sat₎от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Особенности работы

Ток коллектора: Максимальный ток коллектора транзистора C8050 составляет 500 мА, что делает его подходящим для использования в низкотоковых и среднетоковых устройствах.
Напряжение коллектора-эмиттера: Максимальное напряжение коллектора-эмиттера транзистора C8050 составляет 40 В, что позволяет ему работать с достаточно высокими напряжениями.
Усиление тока: C8050 обладает усиление тока в диапазоне от 60 до 400, что позволяет ему усиливать входной ток до значительной величины.
Температурный диапазон: Транзистор C8050 может работать в широком диапазоне температур от -55°C до +150°C, что позволяет его использование в экстремальных условиях.

Важно отметить, что корректная работа транзистора C8050 зависит от правильного подключения и использования. При неправильном использовании могут возникнуть нестабильность работы и перегрев элемента

Аналоги и комплементарная пара

Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.

Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.

В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.

Описание и назначение транзистора

Транзисторы S8050 часто используются для усиления слабых сигналов в различных электронных устройствах. Они могут быть также использованы в качестве ключей для управления высокими токами или напряжениями. Транзистор S8050 имеет низкое потребление энергии, быструю переключаемость и низкий уровень шума.

Благодаря своим характеристикам, S8050 находит широкое применение в различных схемах и проектах. Он может использоваться в схемах усиления аудио- и видеосигналов, при построении блоков питания, в транспортных системах, радио- и телекоммуникационном оборудовании, а также в некоторых промышленных устройствах.

Транзистор S8050 является недорогим, доступным и универсальным компонентом, который может использоваться в различных электронных схемах. Он обладает надежностью, высоким качеством и долговечностью, что делает его отличным выбором для многих приложений в электронике.

Как выбрать аналог для замены транзистора ST8050D?

При выборе аналога для замены транзистора ST8050D следует учитывать несколько факторов:

Параметры замены: При выборе аналога необходимо обратить внимание на основные параметры транзистора ST8050D, такие как максимальное значение напряжения, максимальное значение тока, коэффициент усиления, и другие

Аналог должен иметь схожие характеристики, чтобы обеспечить правильную работу устройства.

Тип транзистора: Транзисторы могут быть различных типов, таких как NPN или PNP
При замене транзистора ST8050D следует выбрать аналог того же типа.

Доступность: При выборе аналога для замены транзистора ST8050D важно учитывать его доступность. Иногда некоторые транзисторы могут быть труднодоступны или сняты с производства

В этом случае можно обратиться к документации производителя или консультации с электронными компонентами по подбору аналога.

Важно также учитывать, что при замене транзистора на аналог может потребоваться перенастройка схемы или дополнительные манипуляции. Поэтому рекомендуется обращаться за помощью к специалистам в области электроники при замене транзистора ST8050D на его аналог

В заключение, при выборе аналога для замены транзистора ST8050D следует учитывать его параметры, тип и доступность. Корректная замена аналога позволит сохранить работоспособность устройства и избежать возможных проблем.

Характеристики и функциональность транзистора s8050

Транзистор s8050 относится к классу биполярных эпитаксиальных NPN-транзисторов. Он предназначен для работы в низко-частотных усилительных и коммутационных схемах. S8050 обладает следующими характеристиками:

1. Корпус: TO-92

2. Тип диффузии: эпитаксиальный

3. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): 25 В

4. Максимальное коллекторное напряжение эмиттера (Vces): 30 В

5. Максимальный ток коллектора (Ic): 700 мА

6. Максимальный ток базы (Ib): 200 мА

7. Максимальная мощность (Pd): 625 мВт

8. HFE (коэффициент усиления по току): 55-400

9. Скорость переключения: высокая

Функциональность транзистора s8050 позволяет использовать его в различных устройствах и схемах. Он обеспечивает усиление сигнала, переключение между состояниями и управление другими компонентами электронной схемы. S8050 подходит для применения в аудиоусилителях, источниках питания, стабилизаторах и других устройствах, требующих низкочастотного усиления и коммутации.

Аналоги

У транзистора S8050 много современных аналогов, почти идентичных по своим электрическим свойствам и параметрам. В большинстве случаев, если не учитывать тип корпуса, его можно заменить на: ZTX457STZ, MPS650, MPS651, 2SC1008, 2SD471A, KSC1008, S9013, S9014, С9014, C9012. Из отечественных устройств в качестве подмены могут подойти, например: КТ814, КТ3117, КТ972 или КТ645.

Необходимо учитывать, что во многом условия подбора аналога для рассматриваемого изделия зависят от типа оборудования, в котором его необходимо менять. Если замена требуется в каскаде усиления, то из отечественных транзисторов может подойти КТ3102, в ключевых схемах — КТ502, а в цепях питания — КТ814.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

Тип проводимости транзистора NPN;
Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

Реле;
Светодиоды;
Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Биполярный транзистор 2SC3280 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3280

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 220
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55

Корпус транзистора: X104

2SC3280
Datasheet (PDF)

..1. Size:25K wingshing 2sc3280.pdf

2SC3280 NPN PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER 2-21F1A High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1301ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25CC)CCCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 160 V Collector-Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A Collec

..2. Size:202K inchange semiconductor 2sc3280.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3280DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 160V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 8ACE(sat) CComplement to Type 2SA1301Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity au

8.1. Size:134K mospec 2sc3281.pdf

AAA

8.2. Size:190K jmnic 2sc3281.pdf

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3281 DESCRIPTION With TO-3PL package Complement to type 2SA1302 APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for 100W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol 3

8.3. Size:28K sanken-ele 2sc3284.pdf

LAPT 2SC3284Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1303)Application : Audio and General Purpose(Ta=25C) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings Symbol Conditions Ratings UnitUnit0.24.80.415.60.1VCBO 150 ICBO VCB=150V 100max A 9.6 2.0VVCEO 150 IEBO VEB=5V 100max

8.4. Size:198K inchange semiconductor 2sc3285.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3285DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-V = 800V(Min)CEO(SUS)High Speed SwitchingGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

8.5. Size:202K inchange semiconductor 2sc3281.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3281DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max)@ I = 10A, I = 1ACE(sat) C BHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fid

8.6. Size:202K inchange semiconductor 2sc3284.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3284DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = 150V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1303Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие транзисторы… 2SC3277N
, 2SC3278
, 2SC3279
, 2SC3279L
, 2SC3279M
, 2SC3279N
, 2SC3279P
, 2SC328
, TIP3055
, 2SC3280O
, 2SC3280R
, 2SC3281
, 2SC3281O
, 2SC3281R
, 2SC3282
, 2SC3282A
, 2SC3283
.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ – это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 – А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов. Первый символ (материал): А – германий, В – кремний, С – арсенид галлия, R – сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С – маломощный низкочастотный; D – мощный низкочастотный; F – маломощный высокочастотный; G – несколько приборов в одном корпусе; L – мощный высокочастотный; S – маломощный переключающий; U – мощный переключающий.

Перевод двоичного кода десятичного числа в код семисегментного индикатора

Давайте еще раз посмотрим на схему подключения семисегментного индикатора к микроконтроллеру:

для индикатора с общим

Для того, чтобы высветить определенную цифру на индикаторе, необходимо на соответствующих выводах порта микроконтроллера установить логическую единицу

На рисунке выше, черные цифры от 0 до 7 — выводы порта, зеленные латинские буквы — выводы светодиодного индикатора, красные нули — логические уровни на выходах порта (в данном случае логический уровень «0»). Для того, чтобы, к примеру, высветить на индикаторе цифру «4» и зажечь десятичную точку нам необходимо подать логическую 1 на выводы индикатора B, C, F, G и dp, что соответствует подачи логической единицы на выводы порта 1,2,5,6 и 7:

Поэтому, первое что нам необходимо сделать, это определить соответствие каждой десятичной цифре двоичного числа, которое надо выдавать на выход порта микроконтроллера для зажигания соответствующих сегментов индикатора. Для «четверки» мы уже определили такую комбинацию = 1110 0110, что соответствует шестнадцатиричному числу 66h, определяем и для остальных цифр:

Операция, которую мы проделали, называется переводом двоичного кода десятичного числа в код семисегментного индикатора.

Данная таблица дана для семисегментных индикаторов с общим катодом (сегмент индикатора зажигается логическим уровнем «1»). Для индикаторов с общим анодом (сегмент индикатора зажигается логическим уровнем «0») двоичные коды необходимо проинвертировать (поменять 0 на 1, и наоборот) и заново вычислить соответствующие значения в шестнадцатиричной системе.

Проверка и безопасное использование

Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.

Придерживайтесь следующих мер безопасности:

Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;

Производители

Транзистор S8050 выпускают следующие компании:

Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
UTC (Unisonic Technologies Company);
Weitron technology co.,ltd;
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
Daya Electric Group Co., Ltd;
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Полные характеристики транзистора s8050 на русском языке

Ниже представлены основные характеристики транзистора s8050:

— Тип транзистора: NPN

— Максимальная рабочая температура: 150°C

— Максимальное обратное напряжение (Vceo): 30V

— Максимальный коллекторный ток (Ic): 0.5A

— Максимальная мощность: 0.625W

— Коэффициент усиления по току (hfe): 40-320

— Минимальное напряжение переключения (Vbe): 0.7V

— Максимальное сопротивление коллектор-эмиттер в открытом состоянии (Rceo): 10MΩ

— Корпус: TO-92

Транзистор s8050 является недорогим и широко доступным компонентом, который часто применяется в усилительных схемах, цифровой и аналоговой электронике, источниках питания и других электронных устройствах. Его высокая надежность и хорошие характеристики делают его популярным выбором для множества приложений.

Режим насыщения

У всех транзисторов имеется определенный порог входного значения тока. Как только произойдет достижение этого значения, коэффициент усиления перестает играть большую роль. При этом выходной ток не изменяется вообще. Напряжение на контактах «база — эмиттер» может быть выше, нежели между коллектором и эмиттером. Это состояние насыщения, транзистор открывается полностью. Режим ключа говорит о том, что транзистор работает в двух режимах – либо он полностью открыт, либо же закрыт. Когда полностью перекрывается подача тока управления, транзистор закрывается и перестает пропускать ток.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы

Выводы и рекомендации по использованию

С8050 транзистор обладает следующими характеристиками:

Номинальное напряжение коллектор-эмиттер: 25 В
Номинальный ток коллектора: 0,5 А
Максимальная мощность потерь: 625 мВт
Усиление тока (hFE): от 60 до 150
Максимальная рабочая температура: 150°C

Для оптимальной работы S8050 транзистора рекомендуется соблюдать следующие указания:

Не превышайте номинальное напряжение и ток коллектора. Это поможет избежать повреждения транзистора и гарантирует его долгий срок службы.

Используйте подходящий теплоотвод. Когда транзистор работает на мощности близкой к его пределу, следует использовать теплоотвод для отвода избыточной тепловой энергии

Это предотвратит перегрев и повреждение транзистора.

Обратите внимание на пиновую распиновку. При подключении транзистора проверьте, что все пины правильно подключены к соответствующим контактам в вашей схеме.

Перед измерением характеристик, убедитесь, что транзистор достаточно прогрелся

Температура может влиять на его характеристики, поэтому рекомендуется дать ему время для стабилизации перед проведением измерений.

В целом, транзистор S8050 представляет собой надежный и универсальный компонент, который может использоваться во множестве электронных устройств. Соблюдение рекомендаций и указаний по работе с ним гарантирует его эффективное использование и долгий срок службы.

S8050 и ss8050 в чем отличие