What is njw0281g?

Njw0281g | npn   | utmel electronic

Биполярный транзистор NJW0281G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: NJW0281G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75

Корпус транзистора:

NJW0281G
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi njw0281g njw0302g.pdf

NJW0281G (NPN)NJW0302G (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. Withhttp://onsemi.comsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesetransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and15 AMPERES

 ..2. Size:1183K  cn minos njw0281g.pdf

NJW0281GTransistor SiliconNPNTripleDiffusedTypeNJW0281GPower Amplifier Applications ComplementarytoNJW0302G Highcollector voltage:VCEO=230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequencyamplifierOutput stageNote1: Usingcontinuouslyunder heavyloads (e.g. theapplicationof hightemperature/current/voltageandthesignificant changeintemperature, etc.) may causethis product

 ..3. Size:338K  cn sptech njw0281g.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power TransistorNJW0281GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

 ..4. Size:213K  inchange semiconductor njw0281g.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor NJW0281GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

 0.1. Size:1784K  cn sps njw0281gt4tl.pdf

NJW0281GT4TLDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 250 VCBOV Collector-Emitter Voltage 250 VCEOV Emitter

Другие транзисторы… 2SC945P
, C8050B
, C8050C
, C8050D
, NE685M13
, S8050MB
, S8050MC
, S8050MD
, BD135
, NJW0302G
, 2SC5614
, 2SC5800
, 2SD2195
, 2SD2398
, 2SD2004
, 2SA1193K
, 129NT1A-1
.

In Stock : 10

Please send RFQ , we will respond immediately.

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

 ..2. Size:49K  philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

 ..3. Size:100K  fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

 ..4. Size:60K  central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..5. Size:1285K  sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

 0.1. Size:300K  motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

 0.2. Size:155K  onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.3. Size:156K  onsemi 2n5087g.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.4. Size:156K  onsemi 2n5087rlrag.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.5. Size:49K  hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель PC Ta = 25°C UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г 1 40 25 6 0,1 150 100 1,7 45…630 TO-92
КТ6114 А/Б/В 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ968 В 4 300 200 5 0,1 150 90 2,8 35…220 TO-39

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
3DG8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
BC517S 0,625 40 30 10 1 150 200 33000 TO-92
BTN8050A3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 6 160 TO-92
BTN8050BA3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 160 TO-92
CX908B/C/D 0,625 40 25 6 1 150 100 120…260 TO-92
KTC3203 0,625 30 0,8 150 190 100 TO-92
KTC3211 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
KTS8050 0,625 25 0,8 175 100 TO-92
M8050-C/D 0,625 40 25 6 150 150 120…160 TO-92
S8050 0,3 409 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
8050HQLT1 0,3 40 25 5 1,5 150 150 SOT-23
8050QLT1 0,3 40 25 5 0,8 150 150 SOT-23
8050SLT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
CHT9013GP 0,3 45 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
F8050HPLG 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
KTC9013SC 0,35 40 30 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMBT8050D 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMS9013-H/L 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
NSS40201L 0,54 40 25 4 150 150 120 SOT-23
NSS40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 200 SOT-23
NSV40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 150 200 SOT-23
PBSS4140T 0,3 40 40 5 1 150 150 300 SOT-23
S9013 0,3 40 25 5 0,8 150 150 120 SOT-23
ZXTN2040F 0,35 40 1 150 300 SOT-23
ZXTN25040DFL 0,35 40 1,5 190 300 SOT-23
ZXTN649F 0,5 25 3 200 SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

NJW0281G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi njw0281g njw0302g.pdf

NJW0281G (NPN)NJW0302G (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular NJW3281G and NJW1302G audio output transistors. Withhttp://onsemi.comsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesetransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages and15 AMPERES

 ..2. Size:1183K  cn minos njw0281g.pdf

NJW0281GTransistor SiliconNPNTripleDiffusedTypeNJW0281GPower Amplifier Applications ComplementarytoNJW0302G Highcollector voltage:VCEO=230V (min) Recommendedfor 100-Whigh-fidelity audiofrequencyamplifierOutput stageNote1: Usingcontinuouslyunder heavyloads (e.g. theapplicationof hightemperature/current/voltageandthesignificant changeintemperature, etc.) may causethis product

 ..3. Size:338K  cn sptech njw0281g.pdf

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power TransistorNJW0281GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

 ..4. Size:213K  inchange semiconductor njw0281g.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor NJW0281GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)

 0.1. Size:1784K  cn sps njw0281gt4tl.pdf

NJW0281GT4TLDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0302GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 250 VCBOV Collector-Emitter Voltage 250 VCEOV Emitter

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: