Irf3205: аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

IRF2204 Datasheet (PDF)

..1. Size:258K international rectifier irf2204pbf.pdf

PD — 95490AIRF2204PbFTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveDFeaturesVDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 3.6m Dynamic dv/dt RatingG 175C Operating TemperatureID = 210A Fast SwitchingS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the las

..2. Size:141K international rectifier irf2204.pdf

PD — 94434AUTOMOTIVE MOSFETIRF2204Typical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Electric Power SteeringD 14 Volts Automotive Electrical SystemsVDSS = 40VFeatures Advanced Process TechnologyRDS(on) = 3.6m Ultra Low On-ResistanceG Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature ID = 210AS Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed u

..3. Size:258K infineon irf2204pbf.pdf

..4. Size:245K inchange semiconductor irf2204.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF2204IIRF2204FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.6mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

0.1. Size:323K international rectifier irf2204lpbf irf2204spbf.pdf

PD — 95491AIRF2204SPbFTypical Applications IRF2204LPbF Industrial Motor DriveHEXFET Power MOSFETDFeaturesVDSS = 40V Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 3.6mG 175C Operating Temperature Fast SwitchingID = 170A Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxS Lead-FreeDescriptionThis HEXFET Power MOSFET util

0.2. Size:251K inchange semiconductor irf2204s.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF2204SFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

8.1. Size:68K harris semi irf220 irf221 irf222 irf223.pdf

Semiconductor IRF220, IRF221,IRF222, IRF2234.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm,N-Channel Power MOSFETsOctober 1997Features Description 4.0A and 5.0A, 150V and 200V These are N-Channel enhancement mode silicon gatepower field effect transistors. They are advanced power rDS(ON) = 0.8 and 1.2MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand aspecified

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

IRF2204PBF Datasheet PDF — International Rectifier

Part Number	IRF2204PBF
Description	Power MOSFET ( Transistor )
Manufacturers	International Rectifier
Logo
There is a preview and IRF2204PBF download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 9 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

Typical Applications

l Industrial Motor Drive

Features

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

l Lead-Free

Description

This HEXFETPower MOSFET utilizes the lastest

processing techniques to achieve extremely low on-
resistance per silicon area. Additional features of this
design are a 175°C junction operating temperature,
fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating. These features combine to make
this design an extremely efficient and reliable device
for use in a wide variety of applications.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
www.irf.com
G
PD — 95490A
IRF2204PbF

HEXFETPower MOSFET

VDSS = 40V

RDS(on) = 3.6mΩ

S ID = 210A

TO-220AB
Max.

210

150

850
330
2.2
± 20
460
See Fig.12a, 12b, 15, 16
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
°C
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
0.45
–––
62
Units
°C/W
1
07/22/10
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

IRF2204PbF
250
LIMITED BY PACKAGE
200
150
100
50

25 50 75 100 125 150 175

TC, Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature

VDS

VGS

D.U.T.

+-VDD

10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

1
D = 0.50

0.1 0.20

0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
0.00001
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0.0001
0.001
0.01

t1, Rectangular Pulse Duration (sec)

P DM

Notes:
1. Duty factor D =

t1/ t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC

+TC

0.1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com
1
5
Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com

Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for IRF2204PBF electronic component.

Information	Total 9 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток у мосфетов аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO₂ на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

IRF3205STRLPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

2.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0mΩ
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
res

2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I =110A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI