Pn2907 параметры транзистора биполярного высокочастотного pnp. справочник параметров транзисторов

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Автомобилистам на заметку

Многие автолюбители задумывались над перегоранием ходовых огней на своей машине. Данная микросхема позволяет решить эту проблему с минимальными затратами и набором компонентов, так как она может стабилизировать нестабильное бортовое напряжение до уровня 12 В. Для работы в такую схему рекомендуют добавить два конденсатора на 25 В c емкостью на входе 330 мкФ и выходе 100 мкФ, диод IN4007, и радиатор для отвода тепла. Однако некоторые автомобилисты обходятся без них и вполне довольны результатом.

Описание того как работает схема подключения для ходовых огней можно посмотреть в непродолжительном видеоролике.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

2N7002-7 Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
допустимый ток коллектора;
коэффициент усиления;
рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

КТ834;
КТ841;
КТ844;
КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

2 N6288 ;
BD705 ;
TIP41 ;
BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

2N7002KW Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

May 20112N7002KWN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Pb Free/RoHS Compliant ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101DSSOT-323GMarking : 7KWAb

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

S2N7002KW 115mA, 60V N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES Low on-resistance Fast switching Speed AL Low-voltage drive 33 Easily designed drive circuits Top View C B11 2 ESD protected:1500V 2K EDH JF GMillimeter MillimeterREF. REF.

0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS2N7002KW N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 2.5 3 1. GATE2. SOURCE123. DRAINFEATURE APPLICATION High density cell design for Low RDS(on) Voltage controlled sm

2N7002P Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002pt.pdf Size:306K _philips

2N7002PT60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

0.2. 2n7002p.pdf Size:311K _philips

2N7002P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level compat

0.3. 2n7002pw.pdf Size:148K _philips

2N7002PW60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level co

0.4. 2n7002ps.pdf Size:354K _philips

2N7002PS60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSF

Принципиальная схема

Основой любого не импульсного блока питания является низкочастотный силовой трансформатор. В данном случае это тороидальный довольно тяжелый трансформатор типа TST250W/24V. Его номинальное выходное переменное напряжение 24V при токе 10А и входном напряжении 230V.

Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения +19В.

У данного трансформатора нет никаких колодок для подключения или клемм, — просто «колесо» с четырьмя проводами для подключения.

Конечно, можно применить любой другой трансформатор с вторичным напряжением 20-25V. В магазинах промышленного электрооборудования можно приобрести другой трансформатор соответствующей мощности на 24V, например, на Ш-образ-ном сердечнике.

Переменное напряжение с вторичной обмотки силового трансформатора Т1 поступает на выпрямительный мост VD1 и конденсатор С1, сглаживающий пульсации.

В принципе, соглашусь, что емкости 2200 мкФ при токе 10А не слишком достаточно. Но, это же не УНЧ питаем. На задней стенке ноутбука вообще стоит значок пульсирующего напряжения. Так что для данного случая, этого вполне достаточно.

Стабилизатор напряжения сделан на основе микросхемы 7812. Но её выходное напряжение равно 12V, а нам нужно 19V, плюс максимальный ток 1А, а нужно, как было решено, 10А.

Выходная мощность была увеличена за счет транзистора VТ1 типа КТ819, на котором сделан эмиттерный повторитель выходного напряжения стабилизатора А1.

Напряжение стабилизации было поднято за счет стабилитрона VD2, это Д814А, его напряжение стабилизации 8V. Так что 12+8=20. Однако, около одного вольта падает на транзисторе VТ1, так что выходит как раз как и надо.

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами. И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения. КТ819 имеет серьезные минусы:

низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;

плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги. Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3: MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

КТ818ГМ — 2N2955
КТ819ГМ — 2N3055
2Т819А — 2N5068

8 thoughts on “ КТ819 параметры ”

Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi. Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми. По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.

Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.

Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току. Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение. И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.

Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.

Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.

Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.

Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!

Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К ≤ 25 o C) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
температура p-n перехода от +125 до +150 o C;
диапазон рабочих температур от -45 до +150 o C;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 o C. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Схема включения

Сама по себе LM7812 представляет собой схему стабилизации напряжения и подключения к ней устройство обычно осуществляется только для этого. По сути, кроме неё для выполнения этой функции больше ничего не требуется. Начинающие радиолюбители применяют её в своих разработках без дополнительной обвязки и она в них работает, но это не совсем правильное решение.

Желательно следовать рекомендациям производителей, которые приводят схему включения 7812 с использованием двух конденсаторов на 25 В и более. Их необходимо паять как можно ближе к контактам, для более устойчивой работы микросхемы. При этом на входе необходима емкость больше, чем на выходе. Несоблюдении этого правила приводит к нестабильности выходного напряжения при резком изменении в нагрузке. Кроме того, такая емкостная обвязка выполняет защитные функции от самовозбуждения.

В паспорте заявлено, что на выходе допускается вообще не устанавливать сглаживающий конденсатор. Это возможно благодаря тому, что роль силового регулирующего элемента внутри серии 78xx выполняет эмиттерный повторитель на транзисторе Дарлингтона. Но как показывает практика, небольшую емкость все же ставят для лучшего подавления выходных высокочастотных пульсаций.

Пример работы подобной схемы можно посмотреть в небольшом видеоролике.

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром, так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

H2N7002 Datasheet (PDF)

0.1. h2n7002k.pdf Size:136K _hsmc

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ……………………………………………………………………………………………

0.2. h2n7002ksn.pdf Size:156K _hsmc

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

0.3. h2n7002sn.pdf Size:114K _hsmc

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol

0.4. h2n7002.pdf Size:129K _hsmc

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ………………………………………………………………………………………………….

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

полевые;
биполярные;
комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно