Содержание драгметаллов
Извлечение драгметаллов из радиокомпонентов — процесс довольно трудоёмкий и опасный, т.к. в большинстве случаев в домашних условиях для этого используют очень сильные кислоты. Что касается Транзистора КТ808А, то в различных справочниках информация о содержании серебра и золота в нем разнится. Видимо это связано с тем, что с течением времени в технологию изготовления вносились изменения. В представленном ниже фрагменте этикетки указаны следующие значения: золото — 0,014763г. , серебро — 0,058677г. Это не самые большие показатели, встречаются компоненты и с большим содержанием ценных металлов.
Аналоги
К устаревшему КТ808A подходит современный аналог 2T808А. Его можно купить во всех исполнениях от российского завода «Искра» как усилительный транзистор специального назначения. Также среди аналогов выделяют КТ808АМ, КТ808А3 – они обладают такими же техническими характеристиками, но исполнены в корпусе КТ-9.
Других полноценных устройств на замену нет. В некоторых случаях можно использовать более редкие модели — 2Т808Б и КТ808АТ, но они выпущены на рынок в ограниченных партиях и их достаточно сложно приобрести. Также от завода «Искра» продаются безкорпусные варианты 2Т808А-2. Они характеризуются молибденовой подложкой с защитной оболочкой и гибкими контактами. Найти аналог для представленного транзистора трудно из-за нестандартного корпуса КТЮ-3-20, который не встречается у зарубежных производителей.
Несмотря на все сложности, некоторые любители используют устройства, близкие по характеристикам к рассматриваемому:
- КТ808БМ;
- 2Т819 (КТ819);
- 2Т827 (КТ827);
- 2Т908 (КТ908);
- 2Т945 (КТ945).
В зависимости от собираемой схемой можно купить и заграничные варианты:
- BDY47;
- 2N3055;
- 2N4913;
- 2N4914;
- 2N4915;
- BUY55;
- 2SD867.
Они собраны в корпусе ТО-3 или ТО-66, потому перед использованием нужно озадачиться изучением способа крепления и монтажа радиатора.
Усилитель 200 Вт — простой и надежный аппарат
Желающим повторить эту схему, есть широкое поле для ее усовершенствования, например: вместо УД7 можно поставить более быстрый ОУ. Можно поднять мощность на выходе, увеличив при этом количество транзисторов в выходном тракте и подняв напряжение питания до 70v. Этот вариант может гарантировать мощность на выходе до 450 Вт. Так, что с этой схемой можно смело экспериментировать.
Мощные транзисторы в оконечном тракте необходимо монтировать на радиаторе. Теплоотвод по площади своего сечения, должен быть достаточно большим. То есть, чтобы мог эффективно рассеивать тепло выделяемое транзисторами в выходном тракте с некоторым запасом. Выходные транзисторы крепить к радиатору обязательно нужно через изолирующие прокладки с использованием теплопроводной пасты, например: КПТ-8.
В приложении ниже, находятся печатная плата на восьми транзисторах и принципиальная схема:
Оконечный усилитель на 200 Вт
Резисторы: R1 R11 =1к R2 = 36 кОм R3 = 240 Ом R4 R5 = 330 Ом R6 R7 = 20 кОм R8R9 = 3.3кОм.5w R10 = 27 Ом 2w R12 R13 R14 R15 = 0.22 Ом 5w R16 = 10 кОм
Конденсаторы: С1 = О.ЗЗ мкФ С2=180 пФ СЗ С4= 10 мкФ 25v С5 С6 = 0.1 мкФ С7 = 0.1 мкФ С8 = 0.22 мкФ С9-С10 = 56 пФ
Транзисторы: VD1 VD2 = KC515A VT1 = КТ815Г VT2 = КТ814Г VT3VT5VT…= 2SA1943 VT4 VT6 VT…= 2CA5200
Вместо выходных транзисторов указанных в схеме, можно поставить комплементарные транзисторы советского производства КТ8101А и КТ8102А. Использовать их можно в любом количестве.
Источник
Характеристики транзисторов КТ 808 — технические параметры, применение, особенности
Технические характеристики транзисторов КТ 808:
- Ток коллектора: не более 2 А;
- Обратное напряжение коллектор-эмиттер: не более 30 В;
- Ток базы: не более 0,1 А;
- Мощность диссипации: не более 0,8 Вт;
- Коэффициент усиления по току: не менее 30;
- Температурный диапазон: от -65°C до +150°C;
- Тип корпуса: TO-92.
Транзисторы КТ 808 нашли широкое применение в различных схемах силовых усилителей, формирователях сигналов, импульсных блоках питания, стабилизаторах, таймерах и других электронных устройствах.
Особенности транзисторов КТ 808 включают низкое входное сопротивление, высокую надежность, удобство монтажа, компактность и относительно низкую стоимость.
Детали УНЧ
Для работы в этом усилителе пригоден операционный усилитель с коэффициентом усиления напряжения не менее 2000. Транзисторы оконечного каскада желательно подобрать с одинаковыми коэффициентами передачи тока (h21э> 50).
Вместо транзисторов ГТ321А в усилителе можно применить транзисторы КТ626 (с буквенными индексами А, Б, В), вместо ГТ905А и ГТ806В — соответственно КТ814Г и КТ816Г. Катушка L1 (30 витков) намотана в два слоя проводом ПЭВ-2 — 1,0 на каркасе диаметром 7 и длиной 25 мм.
Для охлаждения транзисторов V8, V9 применен теплоотвод П-образной формы, согнутый из полосы (размеры 100 X 50 мм) листового алюминиевого сплава толщиной 2мм. Размеры основания теплоотвода — 50 X 50 мм, полок (на них закреплены транзисторы) — примерно 25 X 50 мм.
Теплоотвод крепят на монтажной плате с таким расчетом, чтобы выводы транзисторов можно было соединить с остальными деталями короткими проводниками. Транзисторы V10 и V11 устанавливают на универсальных теплоотводах типа 8.650.022 с эффективной площадью охлаждения 300 см2.
Особенности работы и функциональные возможности транзисторов КТ 808
Эти транзисторы имеют низкое напряжение насыщения и низкое значением коллекторного тока. Это позволяет им работать эффективно и экономно при низких напряжениях питания. Кроме того, благодаря низким значениям тока насыщения, транзисторы КТ 808 обладают быстрым временем переключения и хорошей рабочей скоростью.
Также стоит отметить, что транзисторы КТ 808 имеют низкое выходное сопротивление. Это позволяет им эффективно передавать и усиливать сигналы без искажений и потерь.
Транзисторы КТ 808 применяются в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, инверторы, источники питания, телекоммуникационное оборудование и др. Благодаря своим низковольтным характеристикам и эффективной работе при низких токах, они особенно полезны в портативных электронных устройствах и батарейных системах.
Основные функциональные возможности транзисторов КТ 808 включают:
- Усиление сигналов;
- Ключевая функция в цепях управления;
- Использование в схемах синхронизации и модуляции сигналов;
- Регулировка и контроль мощности и тока;
- Электронное переключение и управление.
Таким образом, транзисторы КТ 808 предлагают широкий спектр функциональных возможностей и обладают рядом особенностей, которые делают их привлекательными для использования в различных электронных устройствах.
Аналоги
КТ808А можно заменить на транзистор КТ808АТ, он выпускался с целью использования его в условиях тропического климата. Этот транзистор встречается довольно редко. Производят его на предприятии АО «НПП «Завод Искра»».
Другим отечественным аналогом устройства является 2Т808Б. Данный транзистор тоже трудно найти. Он применялся только в коммутаторе ТК-200-0, который использовался военными.
Наиболее распространённой заменой является отечественный прибор КТ802А.
Существуют также изделия иностранных фирм, по всем параметрам похожие :
- 2N4913, 2N4914, 2N4915;
- BLY48A, KD602, BUY55;
- 2N5427, 2N5429, 2SD201;
- 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619;
- BLY47, BLY47A, BLY48;
- KU606, 2SC1619A, 2SD867;
- 2SD202, 2SD203, KU606.
Прежде чем их использовать нужно тщательно сравнить те параметры которые для вас наиболее важны.
Преимущества и недостатки КТ808А
- Преимущества:
- Низкое энергопотребление, что позволяет уменьшить затраты на электричество и повысить эффективность работы;
- Высокая надежность и долговечность, благодаря стабильной работе при различных условиях эксплуатации;
- Широкий диапазон рабочих температур, что позволяет использовать данный транзистор в различных климатических условиях;
- Низкий уровень шума и искажений, обеспечивающий высокое качество сигнала и идеальную передачу данных.
- Недостатки:
- Относительно низкая мощность, что может ограничивать использование в некоторых сферах;
- Относительно высокая стоимость по сравнению с аналогами на рынке;
- Ограниченная доступность и невозможность быстрой поставки в некоторые регионы.
Производители
Daya Electric Group; DCCOM (Dc Components); Futurlec; HTSEMI (Shenzhen Jin Yu Semiconductor); KEXIN (Guangdong Kexin Industrial); Kisemiconductor (Kwang Myoung I.S.); Micro Electronics; NEC; Rectron Semiconductor; SECO (SeCoS Halbleitertechnologie GmbH); Stanson Technology; TGS (Tiger Electronic); UTC (Unisonic Technologies); Weitron Technology; Willas Electronic Corp; Winnerjoin (Shenzhen Yongerjia Industry).
Аналоги транзистор C945
Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Cc | Hfe | Caps |
2DC2412R | Si | NPN | 0.3 | 50 | 0.15 | 180 | 180 | SOT23 | ||||
2SC1623RLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 180 | SOT23 |
2SC1623SLT1 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 3 | 270 | SOT23 |
2SC2412-R | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
2SC2412-S | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
2SC2412KRLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
2SC2412KSLT1 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
2SC945LT1 | Si | NPN | 0.23 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 2.2 | 200 | SOT23 |
2SD1501 | Si | NPN | 1 | 70 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||||
2STR1160 | Si | NPN | 0.5 | 60 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | SOT23 | ||
50C02CH-TL-E | Si | NPN | 0.7 | 60 | 50 | 5 | 0.5 | 150 | 500 | 2.8 | 300 | SOT23 |
BRY61 | Si | PNPN | 0.25 | 70 | 70 | 70 | 0.175 | 150 | 1000 | SOT23 | ||
BSP52T1 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
BSP52T3 | Si | NPN | 1.5 | 100 | 80 | 5 | 0.5 | 150 | 150 | 5000 | SOT23 | |
C945 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
DNLS160 | Si | NPN | 0.3 | 60 | 1 | 150 | 200 | SOT23 | ||||
DTD123 | Si | Pre-Biased-NPN | 0.2 | 50 | 0.5 | 150 | 200 | 250 | SOT23 | |||
ECG2408 | Si | NPN | 0.2 | 60 | 65 | 0.3 | 150 | 300 | 300 | SOT23 | ||
FMMT493A | Si | NPN | 0.5 | 60 | 1 | 150 | 500 | SOT23 | ||||
FMMTL619 | Si | NPN | 0.5 | 50 | 1.25 | 180 | 300 | SOT23 | ||||
L2SC1623RLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 180 | SOT23 |
L2SC1623SLT1G | Si | NPN | 0.225 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 250 | 3 | 270 | SOT23 |
L2SC2412KRLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 180 | SOT23 |
L2SC2412KSLT1G | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 7 | 0.15 | 150 | 180 | 2 | 270 | SOT23 |
MMBT945-H | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 200 | SOT23 |
MMBT945-L | Si | NPN | 0.2 | 60 | 50 | 5 | 0.15 | 150 | 150 | 3 | 130 | SOT23 |
NSS60201LT1G | Si | NPN | 0.54 | 60 | 4 | 150 | SOT23 | |||||
ZXTN19100CFF | Si | NPN | 1.5 | 100 | 4.5 | 150 | 200 | SOT23F | ||||
ZXTN25050DFH | Si | NPN | 1.25 | 50 | 4 | 200 | 240 | SOT23 | ||||
ZXTN25100DFH | Si | NPN | 1.25 | 100 | 2.5 | 175 | 300 | SOT23 |