Транзистор bcw68

Принцип функционирования стабилизационных диодов

Несмотря на то, что смд похож на диод, он по сути является иным элементом электросхемы. Конечно, он может выполнять функцию выпрямителя, но обычно используется для стабилизации напряжения. Данный элемент способен поддерживать в цепи постоянного тока постоянное напряжение. Этот его принцип работы применяется в питании различного радиотехнического оборудования.

Стабилитрон и диод

Внешне смд очень похож на стандартный полупроводник. Схожесть сохраняется и в конструкционных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква Г. Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип функционирования smd будет достаточно понятным.

Проходя через этот элемент, небольшое напряжение цепи провоцирует сильный ток. При увеличении обратного напряжения ток так же растет, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Доходя до отметки, она может быть любой. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой». После случившегося «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большого значения. Именно в этот момент и начинается работа данного элемента до времени превышения его допустимого предела.

SMD маркировка электрических элементов

Принцип нанесения обозначений состоит в зашифрованной передаче сведений о размерах и электрических параметрах чипа. Существует условное деление по количеству выводов и величине корпуса элементов:

Количество выводов	Маркировка корпуса по возрастанию размера	Краткое описание
Двухконтактные	SOD (например, SOD128, SOD323 и т.п.) или WLCSP2	Пассивные чипы цилиндрической или квадратной формы, танталовые конденсаторы, диоды
Трехконтактные	DPAK, D2PAK, D3PAK	Автор данного корпуса — компания Моторола. Все элементы имеют одинаковую форму, но разный размер. Используются для полупроводниковых элементов, выделяющих тепловую энергию
Четырехконтактные и более	WLCSP(N) (литера N обозначает число выводов), SOT, SOIC, SSOP, CLCC, LQFP, DFN,DIP / DIL,Flat Pack,TSOP,ZIP	Контакты этих чипов размещены по двум противоположным боковым сторонам корпуса
Элементы с числом контактов более четырех	LCC, PLCC, QFN, QFP, QUIP	Выводы расположены по всем четырем сторонам корпуса
Выводы размещены в виде решетки	BGA, uBGA	Микросхемы, предназначенные для пайки с помощью специальной пасты
Безвыводные элементы	μBGA, LFBGA	Оснащены только контактными пластинками или каплями припоя

Чип конденсаторы

Существуют два основных типа конденсаторов — электролитические (корпус имеет форму цилиндра) и керамические или танталовые (корпус выполнен в виде параллелепипеда). На маркировке электролитов всегда присутствуют значения емкости и напряжения, а на керамических образцах — нет. Минус (катод) электролитов обозначен полоской, расположенной на верхней стороне корпуса.

Маркировка SMD резисторов

Маркировка представлена несколькими знаками — цифрами и буквами. Две первые цифры означают номинал, а третья (и четвертая) — порядок, или количество нолей. Например, число 322 означает 3200 Ом или 3,2 кОм. Иногда используется разделитель R, играющий роль запятой. Так, обозначение 3R2 значит 3,2 кОм. Или 0R32 — 0,32 кОм.

Есть специальные резисторы, выполняющие функции предохранителей или перемычек. У них нулевой номинал сопротивления.

Размеры SMD устройств стандартизированы и связаны с маркировкой. Так, чипы диодов, резисторов или конденсаторов типоразмера 0805 имеют параметры 0,6 × 0,8 × 0,23 дюйма (длина-ширина-высота).

SMD индуктивности

Форма и размеры корпусов дросселей и катушек индуктивности имеют те же величины, что и у резисторов или конденсаторов. Обозначение состоит из 4 цифр. Две первые — длина, другие — ширина чипа, выраженные в десятых долях дюйма. Например, маркировка дросселя 0805 значит, что его длина — 0,08, а ширина — 0,05 дюйма.

SMD диоды и транзисторы

Диодные чипы могут быть выполнены в виде бочонка или параллелепипеда (брикета). Все размеры полностью соответствуют параметрам резисторов, что упрощает разработку печатных плат. Учитывая специфику работы диодов, для которых необходимо соблюдать полярность, на отрицательном выводе или рядом с ним имеется полоска. Она обозначает катод, что позволяет избежать ошибок при монтаже.

На поверхности чипа может находиться только код, который не дает полной информации о параметрах детали. Поэтому существуют специальные информационные массивы — datasheet, располагающие сведениями о всех параметрах и возможностях элементов. Если необходимы полные данные о свойствах, которыми обладают транзисторы, datasheet дает возможность получить подробную информацию.

Используются корпуса двух типов:

• SOT;
• DPAK.

Помимо транзисторов в таком формате могут выпускаться диодные сборки, использующиеся в выпрямителях и драйверах.

Кодовая маркировка электролитических конденсаторов для поверхностного монтажа

Для конденсаторов таких фирм как «Panasonic», «Hitachi» и др. маркировка осуществляется 3-мя основными способами:

1. Маркировка 2 или 3 символами

Код содержит два или три знака (буквы или цифры), обозначающие рабочее напряжение и номинальную емкость. Причем буквы обозначают напряжение и емкость, а цифра указывает множитель. В случае двухзначного обозначения не указывается код рабочего напряжения.

При такой маркировки код содержит 2 или 3 символа по ним можно узнать номинальную емкость и рабочее напряжение. Буквы означают напряжение и емкость, цифра показываем множитель. Если маркировка содержит 2 символа, то рабочее напряжение не указывается. Соответствие кода маркировки и значение емкости  можно посмотреть в таблице ниже:

Код Емкость Напряжение

А6	1,0	16/35
А7	10	4
АА7	10	10
АЕ7	15	10
AJ6	2,2	10
AJ7	22	10
AN6	3,3	10
AN7	33	10
AS6	4,7	10
AW6	6,8	10
СА7	10	16
СЕ6	1,5	16
СЕ7	15	16
CJ6	2,2	16
CN6	3,3	16
CS6	4,7	16
CW6	6,8	16
DA6	1,0	20
DA7	10	20
DE6	1,5	20
DJ6	2,2	20
DN6	3,3	20
DS6	4,7	20
DW6	6,8	20
Е6	1,5	10/25
ЕА6	1,0	25
ЕЕ6	1,5	25
EJ6	2,2	25
EN6	3,3	25
ES6	4,7	25
EW5	0,68	25
GA7	10	4
GE7	15	4
GJ7	22	4
GN7	33	4
GS6	4,7	4
GS7	47	4
GW6	6,8	4
GW7	68	4
J6	2,2	6,3/7/20
JA7	10	6,3/7
JE7	15	6,3/7
JJ7	22	6,3/7
JN6	3,3	6,3/7
JN7	33	6,3/7
JS6	4,7	6,3/7
JS7	47	6,3/7
JW6	6,8	6,3/7
N5	0,33	35
N6	3,3	4/16
S5	0,47	25/35
VA6	1,0	35
VE6	1,5	35
VJ6	2,2	35
VN6	3,3	35
VS5	0,47	35
VW5	0,68	35
W5	0,68	20/35

2. Маркировка 4 символами

Код содержит четыре знака (буквы и цифры), обозначающие емкость и рабочее напряжение. Буква, стоящая вначале, обозначает рабочее напряжение, последующие знаки — номинальную емкость в пикофарадах (пФ), а последняя цифра — количество нулей.

Возможны 2 варианта кодировки емкости: а) первые две цифры указывают номинал в пикофарадах, третья — количество нулей; б) емкость указывают в микрофарадах, знак m выполняет функцию десятичной запятой. Ниже приведены примеры маркировки конденсаторов емкостью 4.7 мкФ и рабочим напряжением 10 В.

3. Маркировка в две строки

Если величина корпуса позволяет, то код располагается в две строки: на верхней строке указывается номинал емкости, на второй строке — рабочее напряжение.

Емкость может указываться непосредственно в микрофарадах (мкФ) или в пикофарадах (пф) с указанием количества нулей (см. способ В). Например, первая строка — 15, вторая строка — 35V — означает, что конденсатор имеет емкость 15 мкФ и рабочее напряжение 35 В.

• Staticvoid
• 1 Авг 2020
• 1 комментарий

• smd
• конденсатор

Что представляет собой данный элемент электрических схем

Прежде чем приступить к рассмотрению вопроса о том, какая цветовая маркировка таких элементов существует, нужно разобраться, что это вообще такое.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитрон представляет собой полупроводниковый диод, который предназначается для стабилизации в электросхеме постоянного напряжения на нагрузке. Наиболее часто такой диод используется для стабилизации напряжения в различных источниках питания. Данный диод (smd) имеет участок с обратной веткой вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Имея такую область, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IСТ.МИН до IСТ.МАКС практически не наблюдается изменений показателя напряжения. Данный эффект применяется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда к смд подключена параллельно нагрузка RH, тогда напряжение диода будет оставаться постоянным, причем в указанных пределах изменения тока, текущего через стабилитрон.

Кроме смд существуют еще и стабистроны, которые включаются при прямом включении. Они применяются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать тогда, когда нужно стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Область их прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 – 2v. При этом оно практически не зависит от силы тока. Стабисторы в своей работе применяют прямую ветвь вольт-амперной характеристики. Их также следует включать при прямом подключении. Хотя это будет не самое лучшее решение, поскольку стабилитрон в такой ситуации будет все же более эффективен. Стабисторы, как и smd, производятся зачастую из кремния. Стабилитроны маркируют по их основным характеристикам. Эта маркировка имеет следующий вид:

• UСТ. Эта маркировка означает номинальное напряжение для стабилизации;
• ΔUСТ. Означает отклонение показателя напряжения номинального напряжения стабилизации;
• IСТ. Обозначает ток, который протекает через диод при номинальном напряжении стабилизации;
• IСТ.МИН — минимальное значение тока, которые течет через стабилитрон. При этом значении такой smd диод будет иметь напряжение в диапазоне UСТ ± ΔUСТ;
• IСТ.МАКС. Означает максимально допустимую величину тока, которая может течь через стабилитрон.

Такая маркировка важна при выборе элемента под определенную электросхему.

Search Stock

Infineon Technologies AG BCW68HE6327HTSA1
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (3)	BCW68HE6327HTSA1		225,000	6 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0663	Buy Now
	BCW68HE6327HTSA1			4 Weeks	42,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	BCW68HE6327HTSA1			4 Weeks	42,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Verical (2)	BCW68HE6327HTSA1		225,000		3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0686	Buy Now
	BCW68HE6327HTSA1		210,000		42,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet EBV	BCW68HE6327HTSA1		5,442,000	0 Weeks, 5 Days	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas	BCW68HE6327HTSA1	Reel		4 Weeks	42,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
New Advantage Corporation	BCW68HE6327HTSA1		4,353,000		1	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.1373	Buy Now
Diodes Incorporated BCW68HTA
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (3)	BCW68HTA		105,000	8 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0476	Buy Now
	BCW68HTA		3,000	8 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0475	Buy Now
	BCW68HTA	Cut Strips	3,000	8 Weeks	1	1 $0.3965 10 $0.2009 100 $0.1138 1000 $0.0855 10000 $0.0535	Buy Now
Avnet Silica	BCW68HTA			1 Weeks, 3 Days	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas (2)	BCW68HTA	Reel		8 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.05636	Buy Now
	BCW68HTA	Ammo Pack		50 Weeks, 4 Days	1	1 $0.449 10 $0.223 100 $0.132 1000 $0.132 10000 $0.132	Buy Now
Avnet Asia	BCW68HTA			12 Weeks	6,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0525	Buy Now
New Advantage Corporation (2)	BCW68HTA		18,000		1	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0624	Buy Now
	BCW68HTA		3,000		1	1 — 10 $0.18 100 $0.125 1000 $0.071 10000 $0.071	Buy Now
Nexperia BCW68HR
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics (2)	BCW68HR			4 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
	BCW68HR			4 Weeks	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet EBV	BCW68HR		9,000	0 Weeks, 6 Days	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Silica	BCW68HR		27,000	0 Weeks, 6 Days	3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Avnet Americas (2)	BCW68HR	Reel		4 Weeks	48,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
	BCW68HR	Reel		4 Weeks	15,823	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet Asia	BCW68HR			4 Weeks	48,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Nexperia BCW68HVL
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Arrow Electronics	BCW68HVL			4 Weeks	10,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
Avnet Americas (2)	BCW68HVL	Reel		4 Weeks	15,823	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
	BCW68HVL	Reel		4 Weeks	50,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Buy Now
Zetex / Diodes Inc BCW68HTA
Distributors	Part	Package	Stock	Lead Time	Min Order Qty	Price	Buy
Verical (2)	BCW68HTA		105,000		3,000	1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 $0.0476	Buy Now
	BCW68HTA		3,000		110	1 — 10 — 100 — 1000 $0.0855 10000 $0.0535	Buy Now
Quest Components (4)	BCW68HTA		71			1 $0.1908 10 $0.1908 100 $0.1193 1000 $0.1193 10000 $0.1193	Buy Now
	BCW68HTA		176			1 $0.4 10 $0.4 100 $0.12 1000 $0.12 10000 $0.12	Buy Now
	BCW68HTA		2,184			1 $0.65 10 $0.65 100 $0.65 1000 $0.26 10000 $0.26	Buy Now
	BCW68HTA		5,356			1 $1 10 $1 100 $1 1000 $1 10000 $0.3	Buy Now
Bristol Electronics (2)	BCW68HTA		220		17	1 — 10 — 100 $0.15 1000 $0.15 10000 $0.15	Buy Now
	BCW68HTA		6,696			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote
ComSIT Europe	BCW68HTA		93,000			1 — 10 — 100 — 1000 — 10000 —	Get Quote

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Биполярный транзистор 2N5087 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 135
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250

Корпус транзистора:

2N5087
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  motorola 2n5086 2n5087.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5086/DAmplifier Transistors2N5086PNP Silicon*2N5087*Motorola Preferred DeviceCOLLECTOR32BASE1EMITTER 123

 ..2. Size:49K  philips 2n5087 cnv 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5087PNP general purpose transistorProduct specification 1997 Jul 02Supersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor 2N5087FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1

 ..3. Size:100K  fairchild semi 2n5086 2n5087 mmbt5087.pdf

2N5086/2N5087/MMBT5087PNP General Purpose Amplifier3 This device is designed for low level, high gain, low noise general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA.2SOT-23TO-92 1Mark: 2Q11. Emitter 2. Base 3. Collector 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings* Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collect

 ..4. Size:60K  central 2n5086 2n5087.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 ..5. Size:1285K  sprague 2n4265 2n4400 2n4401 2n4402 2n4403 2n4409 2n4410 2n4424 2n4425 2n4951 2n4952 2n4953 2n4954 2n5087 2n5088 2n5089.pdf

 0.1. Size:300K  motorola 2n5087rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5087/DAmplifier TransistorPNP Silicon2N5087COLLECTOR3Motorola Preferred Device2BASE1EMITTER123MAXIMUM RAT

 0.2. Size:155K  onsemi 2n5087-d.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.3. Size:156K  onsemi 2n5087g.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.4. Size:156K  onsemi 2n5087rlrag.pdf

2N5087Preferred Device Amplifier TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.com3 COLLECTORMAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 50 Vdc1 EMITTERCollector-Base Voltage VCBO 50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcCollector Current — Continuous IC 50 mAdcTO-92Total Device Dissipation @ TA = 2

 0.5. Size:49K  hsmc h2n5087.pdf

Spec. No. : HE6210HI-SINCERITYIssued Date : 1998.02.01Revised Date : 2005.01.20MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N5087PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThis device was designed for low noise,high gain,general purpose amplifierapplications for 1uA to 25mA collector current.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature ………..

Другие транзисторы… 2N508
, 2N5080
, 2N5081
, 2N5082
, 2N5083
, 2N5084
, 2N5085
, 2N5086
, 2N3773
, 2N5088
, 2N5089
, 2N508A
, 2N509
, 2N5090
, 2N5091
, 2N5092
, 2N5093
.

Полевые SMD транзисторы

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора
6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

А это пример n-p-n и p-n-n биполярных транзисторов (sot-23, sot-323) с типовым расположением выводов:

Аналоги

Для замены M7 могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и преобразовательных устройствах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производсто

Тип	URRM	IF(AV)	IFSM	TJ	UFM	IRMTA = 25°C	IRMTA = 125°C	Корпус
SM4007	1000	1	30	-55°C.…+125°C	1	2,5	50	SMA-W(DO-214AB)
КД210В	1000	10	50	≤ 140°С	1	≤ 4,5 мА		КД-11
2Д220Г/И	1000	3	60	–	1,2/1,0	45 мкА	1,5 мА	КД-10
2Д230Г/И	1000	3	60	-60°C.…+125°C	1,5/1,3	45 мкА	1,5 мА	КД-11
КД243Ж	1000	1	6	-60°C….+125°C	1,1	10 мкА	0,1 мА	КД-4Б
КД248А/Б/К	1000	3,0/1,0/1,5	9,6/3,2/4,8	-60°C…+125°C	1,4	40 мкА		КД-16
2Д254	1000	1	3,2	–	1,5	–	–	–
КД257Д	1000	3	15	-60°C….+85°C	1,5	0,2 мА	–	КД-29С
КД258Д	1000	3	7,5	-60°C….+85°C	1,6	2 мкА	–	КД-29А

Зарубежное производство

Тип	URRM/URSM/UDC, В	IF(AV), А	IFSM, А	TJ, °С	UFM, В	IRM, мкАTA = 25°C	IRM, мкА TA = 125°C	RƟJL, °C/Вт	RƟJA, °C/Вт	CJ, пФ	Корпус
SM4007	1000/700/1000	1	30	-55°C.…+125°C	1	2,5	50	–	55	12	SMA-W(DO-214AB)
1N4145	1000/700/1000	3	300	-55°C….+150°C	1	10	100	–	20	35	DO-27
1N4249	1000/700/1000	1	40	-65°C…+200°C	1,2	1	25	–	–	–	GPR-1A
1N4948	1000/700/1000	1	30	-65°C….+150°C	1,3	5	50	–	50	15	DO-41
1N5054	1000/700/1000	1,5	48	-65°C….+170°C	1,3		500	–	–	–	DO-41
1N5408	1000/700/1000	3	200	-65°C….+200°C	1	5	100	–	40	50	DO-201AD
1N5622	1000/700/1000	1	50	-65°C….+200°C	1,2	0,5	25	–	–	35	GPR-1A
BY133	1300/940/1300	1	30	-55°C…+150°C	1,1	5	200	–	50	15	DO-41
BY255	1300/- /1300	3	100	-50°C….+150°C	1,1	20	–	–	25	–	DO-201
BY227MGP	1250/875/1250	2	60	-65°C….+175°C	1,5	5	100	–	–	25	DO-15
BYD57M	1000/-/1000	1	5	-65°C…+175°C	2,1	5	100	30	150	20	SOD87
BYT-11	URRM = 1000	1	35	-55°C….+150°C	1,3	20	–	–	60	–	F126
BYT51M	URRM = 1000	1	50	-55°C…+175°C	1,1	1	100	–	45	–	DO-15
BYT54M	1000/700/1000	1,25	30	-55°C….+175°C	1,5	5	150	–	45	–	DO-41
BYV36E	1000/700/1000	1,6	30	-55°C…+150°C	1,45	5	100	–	45	18	DO-15
BYV96E	1000/700/1000	1,5	35	+175°C	1,6	5	150	–	50	–	DO-15
BYW56GP	1000/700/1000	2	50	-65°C….+175°C	1	5	100	–	35	50	DO-15 DO-204AC
GP210	1000/700/1000	2	70	-65°C…+175°C	1,1	5	50	–	–	40	–
GPP15M	1000/700/1000	1,5	60	-65°C….+175°C	1,1	5	–	–	–	25	DO-15
GPP10M	1000/700/1000	1	30	-65°C…+125°C	1	5	50	–	50	15	DO-41
GPP20M	1000/700/1000	2	70	-65°C….+125°C	1	5	50	–	40	20	DO-15
GP15M	1000/700/1000	1,5	50	-55°C…+150°C	1,1	5	100	–	–	20	DO-15
GP110	1000/700/1000	1	50	-65°C….+175°C	1	0,5	30	–	30	10	DO-41
MUR1100F	1000/700/1000	1	35	-55°C….+150°C	1,75	5	50	–	–	20	SOD-123F
RGP15M	1000/700/1000	1,5	50	-65°C….+175°C	1,3	5	200	–	30	25	DO-15
RGP110	1000/700/1000	1	50	-65°C….+175°C	1,2	0,5	25	–	55	15	DO-41

Те же данные представленны в виде картинки.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются

В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники

Источники

• https://habr.com/ru/post/133136/
• https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
• https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
• https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
• https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
• https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
• https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/

Цветовая маркировка керамических конденсаторов

Цветовая маркировка часто используется для конденсаторов с малой площадью поверхности. Цветные полосы наносятся сверху вниз или слева направо. Номинальная емкость обычно указывается 3-5 цветными полосками, две первые из них обозначают определенную цифру. Черный – 0, коричневый – 1, красный – 2, оранжевый – 3, желтый – 4, зеленый – 5, голубой – 6, фиолетовый – 7, серый – 8, белый – 9.

Число, которое составляется из цифр, закодированных в двух первых полосках, умножается на множитель, зашифрованный в третьей полоске. Оранжевая полоса означает 103, желтый – 104, зеленый – 105.

В маркировке может присутствовать четвертая полоса, цвет которой соответствует допустимым отклонениям от номинальной емкости. Белый цвет означает, что допустимы отклонения 10 % в обе стороны, а черный – 20 % в обе стороны. Пятая полоска характеризует номинал напряжения. Красный – 250 В, желтый – 400 В.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

1. Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
2. Input Voltage (VCC) — питание.
3. Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
4. Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
5. Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
6. Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
7. Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях