Инструкция проверки тестером
Тестеры различаются по видам моделей:
- Существуют приборы, в которых конструкцией предусмотрены устройства, позволяющие измерить коэффициент усиления микротранзисторов малой мощности.
- Обычные тестеры позволяют осуществить проверку в режиме омметра.
- Цифровой тестер измеряет транзистор в режиме проверки диодов.
В любом из случаев существует стандартная инструкция:
- Прежде, чем начать проверку, необходимо снять заряд с затвора. Это делается так – буквально на несколько секунд заряд необходимо замкнуть с истоком.
- В случае, когда проверяется маломощный полевой транзистор, то перед тем, как взять его в руки, обязательно нужно снять статический заряд со своих рук. Это можно сделать, взявшись рукой за что-нибудь металлическое, имеющее заземление.
- При проверке стандартным тестером, необходимо в первую очередь определить сопротивление между стоком и истоком. В обоих направлениях оно не должно иметь особого различия. Величина сопротивления при исправном транзисторе будет небольшой.
- Следующий шаг – измерение сопротивления перехода, сначала прямое, затем обратное. Для этого необходимо подключить щупы тестера к затвору и стоку, а затем к затвору и истоку. Если сопротивление в обоих направлениях имеет разную величину, триодное устройство исправно.
Характеристики транзистора Tip137 на русском языке
Он относится к типу NPN и предназначен для использования в усилительных схемах и переключателях.
Этот транзистор имеет высокие характеристики мощности и надежности, что обеспечивает стабильную и эффективную работу устройств, в которых он применяется.
Особенности транзистора Tip137:
- Тип: NPN
- Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 8 А
- Максимальная мощность коллектора: 125 Вт
- Температурный диапазон: -65°C до +150°C
- Большой коэффициент усиления тока (hfe) — от 10 000 до 100 000
- Защита от перегрузок и короткого замыкания
- Применяется в различных устройствах, включая блоки питания, стабилизаторы напряжения, транзисторные ключи и другие.
Таким образом, транзистор Tip137 является важным компонентом для создания надежных и эффективных электронных устройств.
Его высокие характеристики мощности и стабильности делают его предпочтительным выбором для различных приложений, где требуется усиление и коммутация сигнала.
Производители
DataSheet транзистора TIP122 можно посмотреть от следующих производителей: Motorola Inc, STMicroelectronics, KEC(Korea Electronics), Unisonic Technologies, Diotec Semiconductor, TRANSYS Electronics Limited, TAITRON Components Incorporated, Dc Components, SemiHow Co. Ltd, ON Semiconductor, Micro Commercial Components, Tiger Electronic Co. Ltd, Bourns Electronic Solutions, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Власть теряет все свое очарование, если ею не злоупотреблять. Поль Валери Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора TIP122 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор TIP122 транзистором 2SD633; транзистором 2SD970; транзистором ECG261; транзистором TIP121; транзистором TIP120; транзистором RCA122; транзистором TIP622; транзистором TIP121; транзистором 2SC1883; транзистором 2SD1196; транзистором 2SD686; транзистором 2SD970; транзистором 2SD460; транзистором 2SD1414; дата записи: 2017-08-14 04:00:51 дата записи: 2017-10-09 13:23:17 дата записи: 2019-05-18 11:56:53 Добавить аналог транзистора TIP122.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора TIP122? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество. |
Декоративная штукатурка для внутренней отделки под камень
Биполярный транзистор TIP137 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TIP137
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора:
TIP137
Datasheet (PDF)
..1. Size:38K st tip130 tip131 tip132 tip135 tip136 tip137.pdf
TIP130/131/132TIP135/136/137COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORSn TIP131, TIP132, TIP135 AND TIP137 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe TIP130, TIP131 and TIP132 are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration, mounted inJedec TO-220 plastic package. They are intentedfor use in power linear and switching appl
..2. Size:39K st tip131 tip132 tip135 tip137.pdf
TIP131/TIP132TIP135/TIP137 COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS TIP131, TIP132, TIP135 AND TIP137 ARESGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT321DESCRIPTIONThe TIP131 and TIP132 are silicon epitaxial-base TO-220NPN power transistors in monolithic Darlingtonconfiguration, mounted in Jedec TO-220 plasticp
..3. Size:212K inchange semiconductor tip137.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP137DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP132Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICA
9.1. Size:150K mospec tip130-32 tip135-37.pdf
AAA
9.2. Size:327K cdil tip130-137.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPLASTIC POWER TRANSISTORS TIP130 TIP135TIP131 TIP136TIP132 TIP137NPN PNPTO-220Plastic PackageIntended for use in Linear and Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL TIP130/135 TIP131/136 TIP132/137 UNITVCEO Collector Emitter Voltage 60 80 100 VCol
9.3. Size:212K inchange semiconductor tip130.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP130DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CComplement to Type TIP135Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
9.4. Size:133K inchange semiconductor tip132.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP132 DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE = 1000(Min)@ IC= 4A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 100V(Min) Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat) = 2.0V(Max)@ IC= 4A Complement to Type TIP137 APPLICATIONS Designed for general-purpose
9.5. Size:212K inchange semiconductor tip135.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP135DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP130Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT
9.6. Size:212K inchange semiconductor tip136.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP136DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = -4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -80V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ I = -4ACE(sat) CComplement to Type TIP131Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICAT
9.7. Size:212K inchange semiconductor tip131.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP131DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 4AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 80V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CComplement to Type TIP136Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS
Другие транзисторы… TIP125
, TIP126
, TIP127
, TIP130
, TIP131
, TIP132
, TIP135
, TIP136
, 2N3904
, TIP140
, TIP140F
, TIP140T
, TIP141
, TIP141F
, TIP141T
, TIP142
, TIP142F
.
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC815
. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: NEC Сфера применения: Medium Power, High Voltage Популярность: 13955 Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Характеристики КТ815
Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815
| Наименование | U КБ , В | U КЭ , В | I K , мА | Р К , Вт | h21 э | I КБ , мА | f, МГц | U КЭ , В. |
| КТ815А | 40 | 30 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Б | 50 | 45 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815В | 70 | 65 | 1500(3000) | 1(10) | 40-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
| КТ815Г | 100 | 85 | 1500(3000) | 1(10) | 30-275 | ≤50 | ≥ 3 | <0,6 |
Обозначения из таблицы читаются следующим образом:
- U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
- U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
- I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
- Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
- h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
- I КБ — обратный ток вывода коллектора.
- f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
- U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.
Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:
- Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
- Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.
Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.
Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.
Автомобилистам на заметку
Многие автолюбители задумывались над перегоранием ходовых огней на своей машине. Данная микросхема позволяет решить эту проблему с минимальными затратами и набором компонентов, так как она может стабилизировать нестабильное бортовое напряжение до уровня 12 В. Для работы в такую схему рекомендуют добавить два конденсатора на 25 В c емкостью на входе 330 мкФ и выходе 100 мкФ, диод IN4007, и радиатор для отвода тепла. Однако некоторые автомобилисты обходятся без них и вполне довольны результатом.
Описание того как работает схема подключения для ходовых огней можно посмотреть в непродолжительном видеоролике.
Справочники
|
|
|||||
|
Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора. Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26. Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2). Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26. Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4). Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый; КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый; КТ816 — розово — красный; КТ817 — серо — зелёный; КТ683 — фиолетовый; КТ9115 — голубой. Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода. Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине. Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).
Кизлюк А.И. Ключевые теги: Кизлюк |
|||||
|
|||||
|
|||||
Описание и принцип работы
Транзистор Tip137 представляет собой мощный биполярный PNP-транзистор, который широко используется в электронике и электротехнике. Он обладает высокой коммутационной способностью и способен работать с большими токами и напряжениями.
Типичные характеристики транзистора Tip137:
- Максимальное коллекторное напряжение: 100 В
- Максимальный коллекторный ток: 8 А
- Максимальная мощность: 40 Вт
- Предельная рабочая частота: 3 МГц
- Усиление тока: 25 — 100
Принцип работы транзистора Tip137 основан на использовании двух p-n-p переходов. Когда на базу подается положительное напряжение, электроны переносятся из эмиттера в базу и переход через базу становится обедненным. Это приводит к увеличению ширины коллекторно-эмиттерного слоя и, как результат, к увеличению сопротивления. Таким образом, транзистор становится открытым и позволяет току протекать от коллектора к эмиттеру.
Транзистор Tip137 может использоваться для усиления сигналов и коммутации больших токов. Он находит широкое применение в силовых источниках, преобразователях частоты, автоматических регуляторах и других устройствах, где требуется работа с высокими токами и напряжениями.
Архив блога
-
►
2020
(2)
►
февраля
(1)
►фев 09
(1)►
января
(1)
►янв 19
(1)
-
►
2019
(11)
►
июня
(1)
►июн 29
(1)►
апреля
(2)
►апр 30
(1)►
апр 26
(1)►
февраля
(5)
►фев 27
(1)►
фев 24
(1)►
фев 16
(1)►
фев 12
(1)►
фев 07
(1)►
января
(3)
►янв 27
(1)►
янв 25
(1)►
янв 15
(1)
-
►
2018
(35)
►
декабря
(1)
►дек 01
(1)►
ноября
(1)
►ноя 18
(1)►
октября
(4)
►окт 24
(1)►
окт 09
(1)►
окт 06
(1)►
окт 04
(1)►
сентября
(4)
►сен 18
(4)►
июля
(6)
►июл 31
(5)►
июл 03
(1)►
мая
(2)
►мая 24
(1)►
мая 17
(1)►
апреля
(5)
►апр 25
(1)►
апр 22
(1)►
апр 19
(1)►
апр 01
(2)►
марта
(5)
►мар 29
(1)►
мар 10
(1)►
мар 06
(1)►
мар 05
(2)►
февраля
(2)
►фев 25
(1)►
фев 12
(1)►
января
(5)
►янв 27
(1)►
янв 18
(1)►
янв 17
(2)►
янв 09
(1)
-
►
2017
(98)
►
декабря
(10)
►дек 24
(2)►
дек 06
(1)►
дек 03
(2)►
дек 02
(1)►
дек 01
(4)►
ноября
(35)
►ноя 29
(1)►
ноя 22
(1)►
ноя 19
(2)►
ноя 16
(20)►
ноя 14
(9)►
ноя 13
(2)►
октября
(9)
►окт 23
(1)►
окт 21
(1)►
окт 20
(1)►
окт 17
(3)►
окт 13
(2)►
окт 08
(1)►
сентября
(8)
►сен 22
(1)►
сен 18
(1)►
сен 13
(2)►
сен 12
(1)►
сен 09
(1)►
сен 04
(1)►
сен 02
(1)►
августа
(1)
►авг 13
(1)►
июля
(1)
►июл 09
(1)►
июня
(1)
►июн 22
(1)►
мая
(3)
►мая 23
(1)►
мая 22
(1)►
мая 16
(1)►
апреля
(3)
►апр 09
(2)►
апр 07
(1)►
марта
(11)
►мар 31
(1)►
мар 25
(1)►
мар 23
(1)►
мар 18
(1)►
мар 17
(2)►
мар 14
(1)►
мар 03
(1)►
мар 02
(2)►
мар 01
(1)►
февраля
(6)
►фев 28
(1)►
фев 26
(1)►
фев 24
(2)►
фев 20
(1)►
фев 02
(1)►
января
(10)
►янв 28
(3)►
янв 24
(2)►
янв 21
(1)►
янв 19
(1)►
янв 14
(1)►
янв 13
(2)
-
►
2016
(184)
►
декабря
(8)
►дек 24
(1)►
дек 23
(1)►
дек 22
(1)►
дек 20
(1)►
дек 15
(1)►
дек 14
(1)►
дек 13
(1)►
дек 11
(1)►
ноября
(24)
►ноя 30
(1)►
ноя 29
(3)►
ноя 28
(1)►
ноя 26
(3)►
ноя 25
(1)►
ноя 21
(2)►
ноя 19
(2)►
ноя 15
(1)►
ноя 14
(3)►
ноя 12
(2)►
ноя 10
(1)►
ноя 08
(1)►
ноя 06
(2)►
ноя 04
(1)►
октября
(7)
►окт 31
(1)►
окт 24
(1)►
окт 19
(2)►
окт 11
(2)►
окт 02
(1)►
сентября
(23)
►сен 24
(2)►
сен 23
(1)►
сен 22
(8)►
сен 20
(2)►
сен 16
(1)►
сен 15
(1)►
сен 12
(1)►
сен 10
(2)►
сен 03
(3)►
сен 01
(2)►
августа
(7)
►авг 06
(4)►
авг 03
(2)►
авг 01
(1)►
июля
(28)
►июл 31
(2)►
июл 30
(3)►
июл 28
(1)►
июл 24
(1)►
июл 22
(1)►
июл 21
(2)►
июл 20
(2)►
июл 18
(4)►
июл 15
(3)►
июл 10
(1)►
июл 07
(1)►
июл 06
(3)►
июл 05
(1)►
июл 04
(2)►
июл 01
(1)►
июня
(11)
►июн 27
(1)►
июн 26
(2)►
июн 19
(2)►
июн 16
(1)►
июн 13
(1)►
июн 06
(2)►
июн 05
(1)►
июн 03
(1)►
мая
(22)
►мая 31
(5)►
мая 27
(2)►
мая 26
(1)►
мая 24
(2)►
мая 22
(3)►
мая 21
(2)►
мая 16
(1)►
мая 15
(1)►
мая 14
(1)►
мая 09
(2)►
мая 04
(1)►
мая 01
(1)►
апреля
(9)
►апр 23
(2)►
апр 16
(1)►
апр 13
(1)►
апр 09
(1)►
апр 04
(1)►
апр 02
(3)►
марта
(25)
►мар 26
(1)►
мар 22
(1)►
мар 21
(3)►
мар 20
(5)►
мар 19
(3)►
мар 17
(1)►
мар 12
(1)►
мар 09
(1)►
мар 08
(1)►
мар 07
(2)►
мар 06
(3)►
мар 05
(3)►
февраля
(10)
►фев 28
(1)►
фев 24
(1)►
фев 22
(1)►
фев 20
(1)►
фев 10
(1)►
фев 06
(2)►
фев 02
(3)►
января
(10)
►янв 30
(1)►
янв 26
(1)►
янв 24
(1)►
янв 20
(1)►
янв 19
(4)►
янв 09
(1)►
янв 06
(1)
-
►
2015
(125)
►
декабря
(16)
►дек 30
(4)►
дек 24
(1)►
дек 21
(1)►
дек 20
(5)►
дек 13
(3)►
дек 05
(1)►
дек 04
(1)►
ноября
(35)
►ноя 27
(1)►
ноя 25
(1)►
ноя 22
(3)►
ноя 21
(7)►
ноя 19
(1)►
ноя 18
(1)►
ноя 17
(2)►
ноя 16
(3)►
ноя 15
(3)►
ноя 14
(6)►
ноя 11
(2)►
ноя 09
(3)►
ноя 06
(2)►
октября
(8)
►окт 31
(1)►
окт 23
(3)►
окт 22
(3)►
окт 08
(1)►
сентября
(5)
►сен 29
(1)►
сен 28
(1)►
сен 18
(1)►
сен 17
(1)►
сен 11
(1)►
августа
(10)
►авг 21
(1)►
авг 20
(5)►
авг 18
(1)►
авг 16
(1)►
авг 07
(2)►
июля
(4)
►июл 31
(1)►
июл 10
(1)►
июл 06
(1)►
июл 01
(1)►
июня
(9)
►июн 30
(1)►
июн 26
(1)►
июн 25
(1)►
июн 22
(1)►
июн 19
(1)►
июн 18
(1)►
июн 13
(1)►
июн 09
(1)►
июн 01
(1)►
мая
(11)
►мая 27
(1)►
мая 25
(1)►
мая 23
(2)►
мая 20
(1)►
мая 17
(1)►
мая 16
(2)►
мая 11
(1)►
мая 05
(1)►
мая 04
(1)►
апреля
(5)
►апр 29
(1)►
апр 19
(2)►
апр 16
(1)►
апр 06
(1)►
марта
(4)
►мар 26
(2)►
мар 23
(1)►
мар 10
(1)►
февраля
(6)
►фев 28
(1)►
фев 22
(1)►
фев 14
(1)►
фев 10
(2)►
фев 01
(1)►
января
(12)
►янв 17
(1)►
янв 13
(2)►
янв 12
(1)►
янв 09
(1)►
янв 06
(2)►
янв 05
(1)►
янв 04
(1)►
янв 03
(2)►
янв 01
(1)
-
▼
2014
(232)
►
декабря
(13)
►дек 31
(1)►
дек 27
(1)►
дек 26
(1)►
дек 23
(1)►
дек 22
(1)►
дек 20
(1)►
дек 19
(1)►
дек 14
(2)►
дек 13
(1)►
дек 06
(1)►
дек 01
(2)►
ноября
(5)
►ноя 30
(3)►
ноя 19
(1)►
ноя 03
(1)►
октября
(1)
►окт 16
(1)►
сентября
(1)
►сен 21
(1)►
августа
(5)
►авг 19
(1)►
авг 11
(1)►
авг 08
(3)►
июня
(15)
►июн 30
(1)►
июн 27
(1)►
июн 24
(3)►
июн 22
(2)►
июн 21
(3)►
июн 05
(2)►
июн 04
(1)►
июн 03
(2)►
мая
(2)
►мая 26
(1)►
мая 20
(1)►
апреля
(5)
►апр 17
(2)►
апр 13
(1)►
апр 12
(1)►
апр 02
(1)►
марта
(3)
►мар 10
(2)►
мар 03
(1)►
февраля
(10)
►фев 19
(1)►
фев 04
(8)►
фев 01
(1)-
▼
января
(172)
►
янв 26
(20)
▼
янв 25
(16)►
янв 20
(2)
►
янв 19
(30)
►
янв 18
(10)
►
янв 17
(41)
►
янв 10
(13)
►
янв 06
(40)
-
Возможные аналоги
Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:
- допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
- допустимый ток коллектора;
- коэффициент усиления;
- рабочая частота.
Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.
Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:
- КТ834;
- КТ841;
- КТ844;
- КТ847.
Зарубежные аналоги
Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:
- 2 N6288 ;
- BD705 ;
- TIP41 ;
- BD533 .
Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.
Проверка транзистора
Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.
После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.
Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.
Усилитель на КТ819
В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.
Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.
При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.
После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.
Подробные технические характеристики
Основные технические характеристики транзистора Tip137:
- Максимальное коллекторное напряжение: 100 В
- Максимальный коллекторный ток: 8 А
- Максимальная мощность диссипации: 90 Вт
- Номинальное значение базового тока: 50 мА
- Температурный диапазон эксплуатации: от -65°C до +150°C
- Коэффициент усиления по току: 40 до 250
- Максимальное значение сопротивления коллектор-эмиттер: 1.5 Ом
- Корпус: TO-220AB
Транзистор Tip137 может использоваться в различных схемах управления мощными нагрузками, таких как электродвигатели, лампы и другие устройства, требующие высокого уровня коммутации и надежности. Он обеспечивает стабильную и эффективную работу при широком диапазоне рабочих температур и является незаменимым компонентом во многих электронных устройствах.
Особенности транзистора Tip137
Вот основные особенности транзистора Tip137:
1. Мощность:
Tip137 имеет высокую мощность, что позволяет использовать его в приложениях, требующих большого тока и напряжения. Он способен выдерживать до 8 А тока коллектора и до 100 В напряжения коллектора.
2. Низкий насыщенный напряженный падение:
Tip137 обладает низким насыщенным напряженным падением, что означает, что при работе транзистора малая часть напряжения теряется на переходе от коллектора к эмиттеру. Это позволяет увеличить эффективность работы транзистора.
3. Отличные характеристики переключения:
Транзистор Tip137 имеет высокую скорость переключения и отличные характеристики переключения, что позволяет использовать его в высокочастотных и сложных цепях. Он также обладает низким временем задержки переключения и низким временем восстановления.
4. Интегрированная защита:
Tip137 оснащен встроенной защитой от перегрузки и короткого замыкания. Это позволяет ему работать в трудных условиях, защищая от повреждений и обеспечивая долговечность.
5. Хорошая тепловая устойчивость:
Транзистор Tip137 имеет хорошую тепловую устойчивость, что позволяет работать при высоких температурах без потери производительности и надежности.
В целом, транзистор Tip137 — это надежное и эффективное устройство, используемое во множестве электронных схем для работы с большой мощностью. Он предлагает широкий функциональный диапазон и устойчивость в различных условиях, что делает его привлекательным выбором для разработчиков и электронных инженеров.
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
| Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
| 7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
| 11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
| 1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
| 1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
| 31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
| 32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
| 33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
| 34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
| 35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
| 36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
| 3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
| 3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
| 51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
| 52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
| 54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
| 6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
| 6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
| 6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
| 6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
| 6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
| 6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
| 6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
| 6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
| 6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
| 6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
| 6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
| 7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
| 7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
| 7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
| 7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы
