Усилитель l12-2 на современных, но быстрых транзисторах

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка	Тип прибора	Маркировка	Тип прибора

6A	MMBF4416	C92	SST4392
6B	MMBF5484	C93	SST4393
6C	MMBFU310	H16	SST4416
6D	MMBF5457	I08	SST108
6E	MMBF5460	I09	SST109
6F	MMBF4860	I10	SST110
6G	MMBF4393	M4	BSR56
6H	MMBF5486	M5	BSR57
6J	MMBF4391	M6	BSR58
6K	MMBF4932	P01	SST201
6L	MMBF5459	P02	SST202
6T	MMBFJ310	P03	SST203
6W	MMBFJ175	P04	SST204
6Y	MMBFJ177	S14	SST5114
B08	SST6908	S15	SST5115
B09	SST6909	S16	SST5116
B10	SST6910	S70	SST270
C11	SST111	S71	SST271
C12	SST112	S74	SST174
C13	SST113	S75	SST175
C41	SST4091	S76	SST176
C42	SST4092	S77	SST177
C43	SST4093	TV	MMBF112
C59	SST4859	Z08	SST308
C60	SST4860	Z09	SST309
C61	SST4861	Z10	SST310
C91	SST4391

DataSheet PDF Search Site

Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Преимущества использования сайта

Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39. com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.

Новые листы технических данных

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
1КСМБ100А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ100КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ10А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ10КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ110А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ110КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфьюз
1КСМБ11А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ11КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ120А	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе
1КСМБ120КА	Диод (подавление переходного напряжения)	Литтельфузе

ЗАЩИТА АС УМЗЧ

Изначально задумал использовать схему защиты от БРИГ, но затем читая отзывы о симисторной защите захотел попробовать ее. Блоки защиты были сделаны в самом конце, тогда было туго с финансами, а симисторы и прочие компоненты схемы у нас оказались довольно дороги, поэтому вернулся к релейной защите.

В итоге были собраны три блока защиты, один из них для сабвуферного усилителя, а два остальных для каналов ОМ.

В сети можно найти большое количество схем блоков защиты, но эта схема перепробована мной неоднократно. При наличии постоянного напряжения на выходе (выше допустимого) защита мгновенно срабатывает спасая динамическую головку. После подачи питания реле замыкается, а при срабатывания схемы оно должно размыкаться. Защита включает головку с небольшой задержкой — это тоже в свою очередь, является дополнительной страховкой и щелчок после включения, почти не слышен.

Компоненты блока защиты могут отклоняться от указанного, Основной транзистор можно заменить на наш КТ815Г, использовал высоковольтные транзисторы MJE13003 — их у меня навалом, кроме того, они довольно мощные и не перегреваются в ходе работы, поэтому в теплоотводе не нуждаются. Маломощные транзисторы можно заменить на S9014, 9018, 9012, даже на КТ315, оптимальный вариант — 2N5551. Реле на 7-10 Ампер, подобрать можно любое реле на 12 или 24 Вольта, в моем случае на 12 Вольт.

Блоки защиты для каналов ОМ установлены возле трансформатора второго инвертора, работает все это дело довольно четко, при максимальной громкости защита может сработать (ложно) крайне редко.

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ

25L8006E
MX25L8006E
MXIC
ПДФ

8050
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

8050С
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

8050D
Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN
СЕМТЕХ
ПДФ

БИСС0001
Детектор движения Micro Power PIR IC
И Т. Д.
ПДФ

БИСС0001
ПИР-КОНТРОЛЛЕР
Сильван Чип
ПДФ

БЗС84К10
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К11
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К12
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К13
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К15
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К16
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К18
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

БЗС84К20
Стабилитрон для поверхностного монтажа
Тайвань Полупроводник
ПДФ

Сравнение D1275a транзистора с аналогами

Для определения наиболее подходящего варианта транзистора для конкретной задачи, полезно сравнить D1275a транзистор с его аналогами. Ниже приведено сравнение характеристик D1275a с несколькими популярными аналогами.

BC546: Этот транзистор широко используется во многих электронных схемах и имеет сходные параметры с D1275a. Он обладает низким уровнем шума и хорошей мощностью передачи. Однако, BC546 имеет меньшую максимальную рабочую температуру, чем D1275a, что может быть ограничивающим фактором для определенных приложений.
MPSA42: Этот транзистор имеет высокий коэффициент усиления и низкую входную емкость. В отличие от D1275a, MPSA42 обладает большим напряжением коллектор-эмиттер и меньшим током силы.
2N2222: Другой популярный аналог D1275a, 2N2222, имеет схожие характеристики, включая высокий коэффициент усиления и хорошую линейность. Однако, максимальная рабочая температура 2N2222 также ниже, чем у D1275a.

При выборе аналога D1275a транзистора необходимо учитывать специфические требования и условия работы для определенного проекта

Кроме того, важно проверить доступность выбранного аналога на рынке, его стоимость и надежность, чтобы сделать наиболее информированный выбор

В любом случае, D1275a транзистор и его аналоги представляют собой надежные и распространенные компоненты, которые можно использовать в широком спектре электронных устройств и схем.

↑ Корпус

делал из листа аллюминия толщиной 1мм, и размерами 22х50см. Этот лист до моего использования выглядел как табличка номера маршрутки. Досталась она так: брат ехал с друзьями в маршрутном такси, маршрутчик серьезно и необоснованно нагрубил, вот и сперли её. С этой табличкой я намучался, отчищаяя её от наклеек, ушло около 2-х дней. Затем принялся гнуть, гнул с помошью металического уголка 4х4см и резинового молотка. Сначала гнул руками прижимая аллюминий уголком к полу. Затем на нем-же выстукивал углы корпуса.

Получился корпус с такими размерами: днище- 30х22см, высота — 4.1см, верхние части получились 10х22см. Потом по углам корпуса прикрутил аллюминевые брусочки 10х10мм, к которым будет крепится передняя и задняя стенки. Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Весь корпус покрасил матовой краской с балончика.

. Все транзисторы и микросхемы изолированы от корпуса слюдяными прокладками.

Стенки делал из оргстекла толщиной 4мм, так как других вариантов не придумалось. В этих стенках с помошью паяльника и надфеля вырезал отверстия под все разъемы и выключатели. Покрасил с внутренней стороны матовой краской с балончика и установил все разъемы, выключатели, переменные резисторы и светодиоды. На передней стенке установлены: выключатели, раземы RCA,спаренные резисторы по 50кОм категории B, светодиоды, красный (индикация питания всего усилителя) подключен к входу питания преобразователя через резистор на 1кОм 0.25вт, два зеленых (индикация работы преобразователей) подключены к выходам преобразователей на плюсовое плечо через резисторы по 3кОм 0.25вт.

На задней стенке размещены разъемы для подключения динамиков (не самый удачный вариант разъемов для авто-усилителя), разъем для подключения питания (этот девайс должен был использоватся как тройничек, но я его применил в таком исполнении), а также сзади два разъема под предохранители.

Эти стенки крепятся к корпусу двумя большими болтами, которые вкручиваются в брусочки по углам, а также 4мя маленькими болтиками вкручеными непосредственно в оргстекло (резьбу в нем нарезал метчиком на 1.2мм).

Аналоги D1275a транзистора на русском языке

Если у вас нет возможности использовать D1275a транзистор, вы можете рассмотреть следующие аналоги:

1. D880

Транзистор D880 является одним из популярных аналогов D1275a. Он также относится к группе типов PNP транзисторов и имеет аналогичные характеристики и параметры. D880 обладает высоким коэффициентом усиления и хорошей надежностью.

2. 2SD1880

2SD1880 — еще один альтернативный вариант D1275a транзистора. Он также является PNP транзистором и имеет сходные характеристики. 2SD1880 обладает высокой мощностью и низким внутренним сопротивлением, что делает его подходящим для различных электронных устройств.

3. BD140

Транзистор BD140 также может быть использован в качестве аналога D1275a. Он относится к классу PNP транзисторов и имеет схожие параметры. BD140 обладает низким паразитным емкостным эффектом и хорошей высокочастотной производительностью.

Обратите внимание: При выборе аналога D1275a транзистора обязательно учитывайте требования и спецификации ваших конкретных проектов и устройств

Важно убедиться, что аналог выбранного транзистора обеспечивает необходимые электрические характеристики и функциональность

Функции и применение D1275a транзистора

Функция усиления сигнала: D1275a транзистор способен усиливать слабые электрические сигналы для дальнейшей обработки в электронных схемах. Благодаря этому, он широко используется в радио, телевизионных и аудиоустройствах.
Функция коммутации: D1275a транзистор позволяет переключать электрические сигналы, что делает его незаменимым элементом в различных управляющих и силовых схемах. Он может использоваться для управления другими более мощными устройствами, такими как реле или электромоторы.
Функция стабилизации и регулирования: D1275a транзистор позволяет стабилизировать или регулировать электрические напряжение и ток. Он может использоваться в источниках питания для поддержания стабильной работы электронных устройств.

D1275a транзистор применяется в широком спектре устройств и систем, таких как:

— Радиоприемники и передатчики;
— Телевизоры и мониторы;
— Аудиоусилители и ресиверы;
— Источники питания и блоки питания;
— Устройства светотехники;
— Устройства автоматизации и контроля;
— Электромедицинская аппаратура.

В целом, D1275a транзистор представляет собой надежный и многофункциональный элемент электроники, который успешно применяется во многих отраслях и областях техники.

ИНВЕРТОР 1

Этот инвертор предназначен только для питания сабвуферного усилителя по схеме ланзара. Выходное напряжение +/-65 Вольт. Инвертор не имеет стабилизацию выходного напряжения, но не смотря на это серьезные скачки напряжения не наблюдал. Построен инвертор по классической двухтактной схеме с применением ШИМ контроллера на микросхеме TL494. Трансформатор был намотан на двух кольцах марки 3000НМ (Евгений, спасибо, что выручил и с другого конца света выслал кольца), размеры колец 45*28*8. Если есть возможность, то используйте феррит марки 2000НМ, с ним меньше потерь в трансформаторе. Кольца не склеивал, просто обмотал прозрачным скотчем. Грани кольца не закруглял, просто перед намоткой сердечник обмотал полоской стекловолокна в два слоя. Стекловолокно не боится перегрева и обеспечивает довольно неплохую изоляцию обмоток, хотя в таких инверторах промышленного образца никогда не изолируют обмотки друг от друга, поскольку напряжение не столь высокое.

Намотка делалась двумя полностью идентичными шинами, каждая из шин состоит из 12 жил провода с диаметром 0,7 мм. Перед намоткой берем контрольный провод, им будем выяснять, какой длины нужна шина. Контрольный провод может быть любым, любого сечения (для удобства диаметр подобрать 0,3-1 мм), Итак, берем контрольный провод и мотаем 5 витков по на кольце, витки равномерно растягивая по всему кольцу. Теперь отматываем обмотку измеряя длину, допустим длина провода составила 20 см, следовательно для намотки основной обмотки провод нужно брать с запасом 5-7 см, т.е. 25-27 см, разумеется, длина не точная и привел только для примера. Теперь переходим дальше. Поскольку первичная (силовая) обмотка у нас состоит из двух полностью аналогичных плеч, то нам нужны 24 жилы провода 0,7 мм одинаковой длины. Дальше нужно собрать шины из 12 жил, концы жил скручиваем и переходим к процессу намотки.

В разных источниках приводятся отличающиеся друг от друга технологии намотки, этот метод отличается тем, что позволяет получить максимально равноценные обмотки. Намотку делаем сразу двумя шинами, желательно использовать жгут для удобства, но я мотал без него. Максимально аккуратно мотаем 5 витков по всему кольцу, в итоге у нас получается 4 отвода. Для стойкости витков обмотку изолируем, пробная изоляция может быть любой — скотч, изолента, нитки и т.п, лишь бы обмотка держалась, если уверены в правильности намотки, то можно ставить конечную изоляцию (в моем случае опять стекловолокно). Теперь нужно сфазировать обмотки, подключая начало первой полуобмотки (плеча) к концу второй или наоборот начало второй, к концу первой. Мест стыковки обмоток есть отвод от середины, на него подается силовой плюс 12 Вольт по схеме. Вторичная обмотка мотается и фазируется по тому же принципу, что и первичная. Обмотка состоит из 2х24 витков, мотается двумя шинами. Каждая шина состоит из 5 жил провода 0,7 мм.

Диодный выпрямитель собран из 4-х диодов серии КД213А. Это импульсные диоды с обратным напряжением до 200 Вольт, отлично себя чувствуют на частотах 50-80 кГц (хотя могут работать на частотах до 100 кГц), а максимально допустимый ток 10 Ампер — то, что нужно. В дополнительном охлаждении диоды не нуждаются, хотя в ходе работы может наблюдаться тепловыделение.

Дросселя в выходной цепи использовал готовые, от компьютерных блоков питания. Намотаны дросселя на ферритовом стержне (длина 1,5-2 см, диаметр 6 мм). Обмотка содержит 5-6 витков, намотана проводом 2-2,5 мм, для удобства можно мотать несколькими жилами более тонкого провода. Сглаживающие электролиты брал с напряжением 100 Вольт 1000 мкФ, работают с большим запасом. В итоге на плате инвертора 4 таких конденсатора в плече, еще два аналогичных стоят на плате усилителя Ланзар, т.е общая емкость фильтров в плече 5000 мкФ. Перед и после дросселей стоят пленочные конденсаторы с напряжением 100 Вольт, их емкость не особа критична и может быть в районе 0,1-1 мкФ.

Биполярный транзистор 2SA1271 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1271

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора:

2SA1271
Datasheet (PDF)

..1. Size:495K no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf

..2. Size:39K kec 2sa1271.pdf

8.1. Size:144K jmnic 2sa1279.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1279 DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS High current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec

8.2. Size:240K jmnic 2sa1276.pdf

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1276 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC3230 Good linearity of hFE APPLICATIONS General purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL P

8.3. Size:39K kec 2sa1270.pdf

8.4. Size:34K kec 2sa1273.pdf

8.5. Size:174K inchange semiconductor 2sa1279.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1279DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60

8.6. Size:219K inchange semiconductor 2sa1276.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1276DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -30V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC3230Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Col

Другие транзисторы… 2SA1265NO
, 2SA1265NR
, 2SA1266
, 2SA1267
, 2SA1268
, 2SA1269
, 2SA127
, 2SA1270
, SS8050
, 2SA1272
, 2SA1273
, 2SA1274
, 2SA1275
, 2SA1276
, 2SA1277
, 2SA1278
, 2SA1279
.

Конструкция сабвуфера

Корпус, входные «гнёзда», выходные клеммы и регуляторы были использованы от «родного» переделываемого автомобильного усилителя. Регулятор «Уровня» (Громкости) сопротивлением 50 кОм включен по обычной схеме между выходом сумматора-фильтра и входом усилителя мощности. Теплоотводы для транзисторов предоконечного каскада не нужны. Сопротивления, помеченные * заменены на подстроечные и сопротивления их подбирались непосредственно при настройке, на «слух» по отсутствию каких-либо искажений на всех уровнях громкости. Надо сказать, что при всей простоте схемы качество и мощность звука получились на высоком уровне и все запросы «меломана» были вполне удовлетворены! Хотя не 2000 ватт, конечно.

Собранный усилитель в корпусе был размещён непосредственно внутри «ящика» сабвуфера.

Входные каскады — сумматор и фильтр

В качестве сумматора сигналов левого и правого каналов, а также для выделения НЧ-составляющей из общего сигнала была применена приведённая ниже схема:

Схема — одна из множества подобных схем, которые опубликованы на различных радиосайтах и выполняют одну функию — суммирование сигналов и выделение НЧ-сигнала с возможностью регулировки частоты среза. В эту схему были внесены, однако, некоторые изменения:

на входах L и R добавлены конденсаторы ёмкостью по 1 mF (плёночные) перед резисторами R1, R2 для развязки от возможной постоянной составляющей от источника сигнала;
ёмкость конденсатора С1 увеличена до 3300 рF;
сопротивление резистора регулировки ОС R3 увеличено до 100 кОм;
сопротивление резистора регулировки частоты среза R5 и R7 (сдвоенный) увеличено до 100 кОм.

Питание на ОУ можно взять непосредственно с ножек 4 и 7 микросхемы 140УД708 усилителя мощности или же собрать простейший стабилизатор на ограничительных резисторах и стабилитронах, как и для ОУ усилителя мощности (на фото он присутствует в виде небольшой отдельной платки). Также, при желании или необходимости можно добавить фильтр-сабсоник, который представляет собой обычно простейший фильтр 2-го порядка и «срезает» частоты ниже 10-15 Гц, но это … при желании. В этом отношении высказывается много различных мнений, в частности о том, фильтр какого порядка лучше — первого, второго или третьего и другие тонкости и схемы также существуют в большом множестве — пассивные, на ОУ и транзисторах. В данной статье я не сумею раскрыть эту тему в полной мере и этот вопрос, опять же — при желании, каждый может изучить самостоятельно на досуге)) При уровне «качества» автомобильной музыки наличие или отсутствие узла-сабсоника вряд-ли критично.

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

снижение канального сопротивления;
паразитного сопротивления;
выводной емкости и индуктивности;
увеличение рабочего тока;
увеличение рабочего напряжения;
увеличение скорости действия.

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

Невысокое открытое сопротивление.
Стабильность температуры, если не используется радиатор.
Невысокий порог напряжения затвора.
Бюджетная стоимость.

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой

Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

управляющее напряжение затвора;
тип корпуса;
технология кристаллизации;
уровень напряжения стока и размера кристалла.

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

L — уровень управляющего напряжения.
F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

Описание транзистора D1275a

Основные характеристики транзистора D1275a:

Тип: NPN
Максимальное напряжение коллектора: 60 В
Максимальный коллекторный ток: 6 А
Максимальная мощность: 50 Вт
Максимальная рабочая температура: 150 °C
Корпус: TO-220

Транзистор D1275a широко применяется в схемах управления электромоторами, импульсных источниках питания, усилителях мощности и других устройствах, где требуется высокая мощность и устойчивость к высоким температурам.

Важно отметить, что при использовании транзистора D1275a необходимо соблюдать условия эксплуатации, указанные в его техническом описании, чтобы обеспечить надежную и безопасную работу транзистора