D44h11 транзистор: области применения и преимущества

CZT5401 Datasheet (PDF)

1.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401E
www.centralsemi.com
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
DESCRIPTION:
PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a
PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case,
designed for general purpose amplifier applications
requiring high breakdown voltage.
MARKING: FULL PART NUMBER
FEATURES:
• High Collector Breakdown Voltage 250V
SOT-223 CASE
SOT-223

1.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401
PNP Transistor
Elektronische Bauelemente
Epitaxial Planar Transistor
RoHS Compliant Product
SOT-223
Description
The CZT5401 is designed for general
purpose applications requiring high
breakdown voltages.
REF. REF.
Min. Max. Min. Max.
A 6.70 7.30 B 13 TYP.
C 2.90 3.10 J 2.30 REF.
5 4 0 1
D 0.02 0.10 1 6.30 6.70
Date Code
E 0 10 2 6.30 6.70
I 0.60 0.80 3 3.3

1.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type Transistors
PNP Transistors
CZT5401 (KZT5401)
Unit:mm
SOT-223
6.50±0.2
3.00±0.1
■ Features
4
● High Voltage
● High Voltage Amplifier Application
1 2 3
0.250
2.30 (typ)
Gauge Plane
1.Base
2.Collector
0.70±0.1
3.Emitter
4.60 (typ)
4.Collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO -160
Coll

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Infineon Technologies (брэнд International Rectifier);
Philips Semiconductors;
INCHANGE Semiconductor;
Leshan Radio Company.

Импульсные источники тока

Импульсные источники тока используются для генерации высокочастотных импульсов и переключения нагрузки на определенные участки цепи. Они позволяют создавать мощные и эффективные схемы передачи энергии и управления с различными уровнями сигналов.

Импульсные источники тока также активно используются в силовой электронике. Они обеспечивают управляемую передачу энергии, позволяют регулировать интенсивность и напряжение сигнала, а также моментально переключаться на другие уровни мощности.

Кроме того, импульсные источники тока применяются в димерных источниках света, в аппаратуре для анализа сигналов, в системах управления, где требуется быстрое реагирование и высокая точность управления.

Транзистор D44h11 является одним из основных элементов импульсных источников тока. Он обладает высокой мощностью и приспособлен к работе в широком диапазоне температур. Благодаря своим характеристикам, транзистор D44h11 успешно применяется в множестве электронных систем и устройств, где требуется создание и управление высокочастотными импульсами.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Блок питания и инверторы

Транзистор D44h11 широко применяется в электронике для создания блоков питания и инверторов.

Блок питания – это устройство, которое преобразует электрическую энергию из источника переменного тока в постоянный ток, достаточный для питания других электронных устройств. Транзистор D44h11 используется в блоках питания для контроля тока и напряжения, а также для обеспечения стабильной работы устройства.

Инвертор – это устройство, которое преобразует постоянный ток в переменный ток определенной частоты и амплитуды. Транзистор D44h11 используется в инверторах для управления сигналами переменного тока и обеспечения его правильной формы и параметров.

Блоки питания и инверторы, в которых используется транзистор D44h11, широко применяются в различных электронных устройствах, таких как компьютеры, телевизоры, мобильные телефоны и др. Это связано с его высокой надежностью, эффективностью и возможностью работы с большими токами и напряжениями.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

Аналоги

Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.

Тип	I_d, А	V_dss, В	V_GS(th), В	V_GS, В	R_DS(on),Ом	T_j °C
IRFZ44N	49	55	2-4	20	0.0175	175
Зарубежное производство
IRFZ44E	48	60	4	10	0.023	150
IRFZ45	35	60	2-4	20	0.035	150
IRFZ46N	46	55	2-4	10	0.02	150
STP45NF06	38	60	4	20	0.028	175
HUF75329P3	49	55	4	20	0.024	150
IRF3205	98	55	2-4	10	0.008	150
BUZ102	42	50	4	20	0.023	175
Отечественное производство
КП723	50	60	2-4	20	0.028	150
КП812А1	50	60	2-4	20	0.028	150

При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

SMD маркировка электрических элементов

Принцип нанесения обозначений состоит в зашифрованной передаче сведений о размерах и электрических параметрах чипа. Существует условное деление по количеству выводов и величине корпуса элементов:

Количество выводов	Маркировка корпуса по возрастанию размера	Краткое описание
Двухконтактные	SOD (например, SOD128, SOD323 и т.п.) или WLCSP2	Пассивные чипы цилиндрической или квадратной формы, танталовые конденсаторы, диоды
Трехконтактные	DPAK, D2PAK, D3PAK	Автор данного корпуса — компания Моторола. Все элементы имеют одинаковую форму, но разный размер. Используются для полупроводниковых элементов, выделяющих тепловую энергию
Четырехконтактные и более	WLCSP(N) (литера N обозначает число выводов), SOT, SOIC, SSOP, CLCC, LQFP, DFN,DIP / DIL,Flat Pack,TSOP,ZIP	Контакты этих чипов размещены по двум противоположным боковым сторонам корпуса
Элементы с числом контактов более четырех	LCC, PLCC, QFN, QFP, QUIP	Выводы расположены по всем четырем сторонам корпуса
Выводы размещены в виде решетки	BGA, uBGA	Микросхемы, предназначенные для пайки с помощью специальной пасты
Безвыводные элементы	μBGA, LFBGA	Оснащены только контактными пластинками или каплями припоя

Чип конденсаторы

Существуют два основных типа конденсаторов — электролитические (корпус имеет форму цилиндра) и керамические или танталовые (корпус выполнен в виде параллелепипеда). На маркировке электролитов всегда присутствуют значения емкости и напряжения, а на керамических образцах — нет. Минус (катод) электролитов обозначен полоской, расположенной на верхней стороне корпуса.

Маркировка SMD резисторов

Маркировка представлена несколькими знаками — цифрами и буквами. Две первые цифры означают номинал, а третья (и четвертая) — порядок, или количество нолей. Например, число 322 означает 3200 Ом или 3,2 кОм. Иногда используется разделитель R, играющий роль запятой. Так, обозначение 3R2 значит 3,2 кОм. Или 0R32 — 0,32 кОм.

Есть специальные резисторы, выполняющие функции предохранителей или перемычек. У них нулевой номинал сопротивления.

Размеры SMD устройств стандартизированы и связаны с маркировкой. Так, чипы диодов, резисторов или конденсаторов типоразмера 0805 имеют параметры 0,6 × 0,8 × 0,23 дюйма (длина-ширина-высота).

SMD индуктивности

Форма и размеры корпусов дросселей и катушек индуктивности имеют те же величины, что и у резисторов или конденсаторов. Обозначение состоит из 4 цифр. Две первые — длина, другие — ширина чипа, выраженные в десятых долях дюйма. Например, маркировка дросселя 0805 значит, что его длина — 0,08, а ширина — 0,05 дюйма.

SMD диоды и транзисторы

Диодные чипы могут быть выполнены в виде бочонка или параллелепипеда (брикета). Все размеры полностью соответствуют параметрам резисторов, что упрощает разработку печатных плат. Учитывая специфику работы диодов, для которых необходимо соблюдать полярность, на отрицательном выводе или рядом с ним имеется полоска. Она обозначает катод, что позволяет избежать ошибок при монтаже.

На поверхности чипа может находиться только код, который не дает полной информации о параметрах детали. Поэтому существуют специальные информационные массивы — datasheet, располагающие сведениями о всех параметрах и возможностях элементов. Если необходимы полные данные о свойствах, которыми обладают транзисторы, datasheet дает возможность получить подробную информацию.

Используются корпуса двух типов:

SOT;
DPAK.

Помимо транзисторов в таком формате могут выпускаться диодные сборки, использующиеся в выпрямителях и драйверах.

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В		30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В		40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak
55 В		55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak
75 В		75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak
100 В		100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
55 В		55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
75 В		75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak
	100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55 В		55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB
	55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В		75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB
	100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Система управления электродвигателями

В системе управления электродвигателями транзистор D44h11 выполняет роль коммутационного устройства, которое регулирует подачу электрического тока в обмотки двигателя. Он позволяет управлять скоростью и направлением вращения электродвигателя, а также осуществлять его пуск и остановку.

Транзистор D44h11 обладает высокой надежностью и эффективностью, что делает его привлекательным для использования в системах управления электродвигателями различной сложности. Он имеет высокую мощность и способен обрабатывать большие токи, что позволяет эффективно управлять большими электродвигателями.

Применение транзистора D44h11 в системах управления электродвигателями обеспечивает точное и надежное управление работой двигателя, позволяет осуществлять его плавный пуск и регулирование скорости вращения. Благодаря этому, такие системы находят применение в различных областях, включая промышленность, автомобильную отрасль, бытовую технику и другие.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Стабилизаторы напряжения

Транзистор D44h11 широко применяется в электронике в качестве ключевого элемента в стабилизаторах напряжения. Стабилизаторы напряжения используются для поддержания постоянного выходного напряжения, несмотря на изменения входного напряжения или нагрузки.

Стабилизаторы напряжения на основе транзистора D44h11 обеспечивают надежную защиту электронных устройств от возможных перепадов напряжения в электросети или от колебаний напряжения, вызванных изменениями потребления энергии во время работы устройств.

Транзистор D44h11 имеет высокую надежность, низкий уровень шума и высокую стабильность, что делает его идеальным выбором для использования в стабилизаторах напряжения. Он обеспечивает мощность до 10 А и напряжение до 100 В, что позволяет использовать стабилизаторы с высокой нагрузкой.

Стабилизаторы напряжения на базе транзистора D44h11 могут использоваться в различных областях электроники, включая компьютерные системы, телекоммуникационное оборудование, лабораторные приборы, автомобильные и промышленные электронные устройства. Они обеспечивают надежное и стабильное питание для этих устройств, что помогает предотвратить повреждение электронных компонентов и сохранить их долгий срок службы.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;