Электрические характеристики
Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.
| Характеристика | Символ | Параметры при измерениях | Значение |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 200 мА, IC = 0 | ≥ 5 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC=4А, IB=0,8А | ≤ 5,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC=4А, IB=0,8А | ≤ 1,5 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB=500В, IE=0 | ≤ 10 |
| Коэффициент усиления статический | hFE | UCE=5В, IC=1А | ≥ 8 |
| Падение напряжения на защитном диоде, В | UECF | IF=5А | ≤ 2,0 |
| Частота среза, МГц | fT | UCE=10В, IC=0,1А | Типовое значение 3 |
| Выходная емкость, pF | COB | IE = 0, UCB = 10В, fTEST = 1 МГц | 165 |
| Время спада, мксек | tf | ICP = 4А, IB1=0,8А, | ≤ 1,0 Типовое значение 0,5 |
Применение транзистора КТ808А в электронике
Основным преимуществом транзистора КТ808А является его низкое входное сопротивление, что позволяет использовать его в усилительных цепях и коммутационных схемах. Также его небольшой ток утечки обеспечивает стабильность работы устройств даже при высоких температурах.
Транзистор КТ808А может быть применен во многих устройствах электроники, включая усилители, генераторы сигналов, системы управления мощностью, а также как ключевой элемент в цифровых и аналоговых интегральных схемах.
Кроме того, транзистор КТ808А может быть использован в электронных блоках питания, регуляторах напряжения, импульсных источниках тока, модуляторах и демодуляторах сигналов, оцифровывающих устройствах и многих других приложениях.
При выборе транзистора КТ808А для конкретного устройства необходимо учитывать его характеристики, такие как максимальное напряжение и ток коллектора-эмиттера, коэффициент передачи тока, рабочая частота и температурный диапазон. Эти параметры должны быть согласованы с требованиями конкретной схемы или устройства.
В целом, транзистор КТ808А обладает высокой надежностью и стабильностью работы, что делает его одним из популярных компонентов в области электроники. Его широкий спектр применения позволяет использовать его в различных устройствах и схемах для достижения нужной функциональности и эффективной работы.
Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог
|
|
|
|
.
Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером
В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.
Рисунок 9 Схема с общим эмиттером
Характеристики входа
Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.
Рисунок 10 Характеристики входа
Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:
Характеристики выхода
Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:
Рисунок 11 Характеристики выхода
Характеристики передачи тока
Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:
Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.
Рисунок 12 Характеристики передачи тока
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Схема УНЧ
Первый каскад усилителя собран на операционном усилителе А1. Для того чтобы скорость нарастания сигнала на входе усилителя не превысила допустимого значения, применен фильтр нижних частот R1C1R2 с частотой среза около 20 кГц. Усиливаемый сигнал подается на инвертирующий вход операционного усилителя, сигнал ООС (с выхода усилителя) — на его неинвертирующий вход.
Конденсатор С2 корректирует фазовую характеристику усилителя в области высоких частот. Частота среза каскада (с учетом коррекции через конденсатор С3) — около 30 кГц.
Второй каскад выполнен на транзисторах V4—V7 по схеме двухтактного каскодного усилителя. Частота среза этого каскада 4,7 МГц. Помимо инвертирования сигнала, он выполняет функции генератора стабильных токов смещения для транзисторов предоконечного каскада на транзисторах разной структуры V8 и V9.
Включенные в их эмиттерные цепи резисторы R12, R13 создают местные ООС по току, что вместе со стабильными токами смещения и определяет высокую термостабильность усилителя в целом. Ток покоя транзисторов, V8, V9 равен 30 мА (при температуре 60 °С он возрастает до 50 мА). Частота среза этой ступени усилителя 130 кГц.
Транзисторы оконечного каскада V10, V11 включены по схеме эмиттерного повторителя и работают без начального смещения, т. е. при токе покоя, равном нулю. Для снижения неизбежных в этом случае искажений типа «ступенька» введен резистор R14. Благодаря этому при малых уровнях сигнала, когда транзисторы V10, V11 закрыты, на нагрузку работает предоконечный каскад.
Частота среза каскада на транзисторах V10, V11 — около 140 кГц.
