Транзистор КТ339АМ — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

BC109 Datasheet (PDF)

..1. bc107 bc108 bc109 4.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.

..2. bc107 bc108 bc109.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D125BC107; BC108; BC109NPN general purpose transistors1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BC107; BC108; BC109FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max.

..3. bc107 bc108 bc109.pdf Size:120K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824TMCentralSemiconductor Corp.145 Adams AvenueHauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824www.centralsemi.com

..4. bc107 bc108 bc109 bc147 bc148 bc149.pdf Size:791K _aeg-telefunken

..5. bc107 bc108 bc109 a b c.pdf Size:142K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS BC107/A/B/CBC108/A/B/CBC109/A/B/CTO-18Metal Can PackageLow Noise General Purpose Audio AmplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL BC107 BC108 BC109 UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 25 V25VCBOCollector Base Voltage 50 30 V30VEBOEm

..6. bc107 bc108 bc109 bc167 bc168 bc169 bc237 bc238 bc239 bc317 bc318 bc319.pdf Size:228K _microelectronics

..7. bc109.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc General Purpose NPN Small Signal Transistor BC109DESCRIPTIONWith TO-18 package.High DC Current Gain-: h :200-800@ (V = 5V, I = 2mA)FE CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned For Low Noise General Purpose Amplifiers,Driver Stages and Signal Processing ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

0.1. bc107-bc108-bc109.pdf Size:100K _st

BC107BC108-BC109LOW NOISE GENERAL PURPOSE AUDIO AMPLIFIERSDESCRIPTIONThe BC107, BC108 and BC109 are silicon planarepitaxial NPN transistors in TO-18 metal case.Theyare suitable for use in driver stages, low noise inputstages and signal processing circuits of televisionreceivers. The complementary PNP types are re-spectively the BC177, BC178 and BC179.TO-18INTERNAL SCHEMATI

0.2. bc109dcsm.pdf Size:155K _semelab

SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR BC109DCSM Dual Silicon Planar NPN Transistors Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For Low Noise General Purpose Amplifiers, Driver Stages and Signal Processing Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) Each Side Total Device VCBO Collector Base Vol

Физические характеристики

Транзистор КТ 339 представляет собой маломощный кремниевый биполярный npn транзистор. Он имеет следующие физические характеристики:

Транзистор КТ 339 является надежным и универсальным элементом, который может быть использован в различных электронных схемах и приложениях.

Маркировка полевых SMD транзисторов

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

• Bipolar Transistor Cross-Reference Search (для биполярных транзисторов);
• MOSFET Cross-Reference Search (для полевых транзисторов).

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Информация по транзистору была найдена на сайте www.weisd.com, там указано что 458-056 NTE Equivalent NTE53 — это высоковольтный быстродействующий кремниевый транзистор NPN-структуры в корпусе TO3 (NTE Electronics Inc). Используется в переключающих устройствах, где нужно высокое быстродействие.

Даташит: 458-056 NTE Equivalent NTE53.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

• Напряжение Коллектор-Эмиттер: 400В (максимум 800В);
• Напряжение Эмиттер-База: 9В;
• Продолжительный ток Коллектора: 15А;
• Пиковый ток Коллектора: 30А;
• Рассеиваемая транзистором мощность: 175Ватт.

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).

Подготовлено редакцией сайта RadioStorage.net .