1am smd транзистор даташит

Основные параметры биполярного высокочастотного npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ)

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний

Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
200	60	40	6	200	150	250000000		100/300

Производитель: AVICTEK (Avic Technology)Сфера применения: Популярность: 41717Дополнительные параметры транзистора MMBT3904LT1 (1AM)(1АМ): MMBT3904LT1=1AM Маркировка: 1АМ.Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (Т_А) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.

Максимальные параметры

2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при Т_А < +25оС):

предельное напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до 60 В (при I_E=0); К-Э (V_CEO) до 30 В (при I_B=0); Э-Б (V_EBO) до 5 В (при I_B=0);
пиковый ток коллектор (I_B) до 0,8 А;
рассеиваемая мощность (P_tot) до 500 мВт (при Т_С_ase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
температура хранения (T_STG) -65 … +200оС;
температура кристалла (T_J) до +175оС.

Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (T_J), согласно datasheet, может достигать +200 оС.

Электрические параметры

Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (Т_А) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления по току (H_FE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра H_FE могут быть разные. Обычно их H_FE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.

Комплементарная пара

Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.

FMMT2222A Datasheet PDF — ETC

Part Number	FMMT2222A
Description	SOT23 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS
Manufacturers	ETC
Logo
There is a preview and FMMT2222A download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 2 Pages

Preview 1 page

No Preview Available !

SOT23 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
FMMT2222
FMMT2222A
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
FEATURES
* Fast switching
PARTMARKING DETAILS
FMMT2222 1BZ
FMMT2222A 1P
FMMT2222R 2P
FMMT2222AR 3P
COMPLEMENTARY TYPES
FMMT2222 FMMT2907
FMMT2222A FMMT2907A
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL FMMT2222 FMMT2222A UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO

60
75 V
Collector-Emitter Voltage

VCEO

30
40 V
Emitter-Base Voltage

VEBO

5
6V
Continuous Collector Current

600 mA

Power Dissipation at Tamb=25°C

Ptot

330 mW

Operating and Storage Temperature Range Tj:Tstg

-55 to +150
°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER
SYMBOL FMMT2222 FMMT2222A UNIT CONDITIONS.
MIN. MAX. MIN. MAX.
Collector-Base

V(BR)CBO 60

Breakdown Voltage
75

V IC=10µA, IE=0

Collector-Emitter V(BR)CEO 30 40 V IC=10mA, IB=0

Breakdown Voltage
Emitter-Base

V(BR)EBO

Breakdown Voltage
5
6

V IE=10µA, IC=0

Collector Cut-Off
Current

ICBO

Emitter Cut-Off
Current

IEBO

10 nA VCB=50V, IE=0

10 µA VCB=60V, IE=0

10 nA VCB=50V, IE=0, Tamb=150°C

10 µA VCB=60V, IE=0, Tamb=150°C

10 10 nA VEB=3V, IC=0

Collector-Emitter
Cut-Off Current

ICEX

10 10 nA VCE=60V, VEB(off)=3V

Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward
Current Transfer
Ratio

VCE(sat)

VBE(sat)

hFE

0.3 0.3 V
1.0 1.0 V
0.6 2.0 0.6 1.2 V
2.6 2.0 V
35 35
50 50
75 75
35 35
100 300 100 300
50 50
30 40

IC=150mA, IB=15mA*

IC=500mA, IB=50mA*

IC=150mA, IB=15mA*

IC=500mA, IB=50mA*

IICC==01.m1mA,AV, CVEC=E1=01V0V*

IC=10mA, VCE=10V*

IC=10mA, VCE=10V, Tamb=-55°C

IC=150mA, VCE=10V*

IC=150mA, VCE=1V*

IC=500mA, VCE=10V*

*SMpieceaspuarreadmuentdererdpatualsiesdavcaoinladbitlieonusp.oPnurlesequweisdtthfo=r3t0h0isµsd.eDvuictey cycle ≤ 2%

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for FMMT2222A electronic component.