Производители
Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| H2N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Обозначения и модификации транзистора 2N3906
В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.
Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей. Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.
| Обозначение транзистора | Корпус | RJƟC, °С/Вт | RƟJA, °С/Вт | PC,мВт | Компания-производитель |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3906 | TO — 92 | 83 | 200 | 625 | ON Semiconductor |
| 2N3906BU | TO — 92 | 83 | 200 | 625 | Fairchild Semiconductor |
| 2N3906N | TO – 92N | — | — | 400 | AUK Corp. |
| 2N3906S | SOT – 23 | — | 250 | 300 | ISC (Inchange Semiconductor) |
| 2N3906U | SOT – 23 | — | 833 | 150 | First Silicon Corp. |
| 2N3906E | SOT – 23 | — | — | 100 | KEC (Korea Electronics) |
| 2N3906E1G | SOT – 23 | — | 400 | 200 | First Silicon Corp. |
| MMBT3906 | SOT – 23 | — | 357 | 350 | Fairchild Semiconductor |
| PZT3906 | SOT — 223 | — | 125 | 1000 |
Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.
Электрические характеристики
При температуре внешней среды (Ta ) 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, нА | ICEX | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Ток базы выключения, нА | IBL | VCE = 30 В, VEB = 3 В | ≤ 50 |
| Напряжение пробоя коллектор – база, В | V(BR)CBO | IC = 10мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор – эмиттер, В | V(BR)CEO | IC = 10мА, IB = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя эмиттер – база, В | V(BR)EBO | IE = 10мкА, IC = 0 | ≥ 5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE(1) | VCE = 1 В, IC = 0,1 мА | ≥ 60 |
| hFE(2) | VCE = 1 В, IC = 1 мА | ≥ 80 | |
| hFE(3) | VCE = 1 В, IC = 10 мА | от 100 до 300 | |
| hFE(4) | VCE = 1 В, IC = 50 мА | ≥ 60 | |
| hFE(5) | VCE = 1 В, IC = 100 мА | от 30 до 60 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | VCE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,25 |
| VCE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,4 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | VBE(sat)1 | IC = 10 мА, IB = 1 мА | ≤ 0,85 |
| VBE(sat)2 | IC = 50 мА, IB = 5 мА | ≤ 0,95 | |
| Частота среза, МГц | fT | VCE = 20 В, IC = 10 мА, f =100 МГц | ≥ 250 |
| Выходная емкость коллектора, pF | Cob | VCB = 5 В, IE = 0, f = 1МГц | ≤ 4,5 |
| Входная емкость, pF | Cib | VBE = 0,5 В, IС = 0, f = 1МГц | ≤ 10 |
| Входной импеданс, кОм | hie | VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 1 кГц | от 2 до 12 |
| Коэффициент обратной связи по напряжению | hre | от 1 до 10 | |
| Коэффициент усиления при малом сигнале | hfe | от 100 до 400 | |
| Выходная проводимость, мкСм | hoe | от 3 до 60 | |
| Коэффициент шума транзистора,dB | NF | VCE = 5В, ICE = 0,1мА, Rg = 1кОм, f = от 10 Гц до 15,7 кГц | ≤ 4,0 |
| Времена режима переключения | td | См. Рис. 16 | ≤ 35 |
| tr | ≤ 35 | ||
| tstg (ts) | См. Рис. 17 | ≤ 225 | |
| tf | ≤ 75 |
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.
Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.
В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.
Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.
Основные особенности транзистора Дарлингтона
Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.
Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.
Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.
схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.
Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.
Основные электрические параметры:
-
Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
-
Напряжение эмиттер – база 5 V;
-
Ток коллектора – 15 А;
-
Ток коллектора максимальный – 30 А;
-
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
-
Температура кристалла (перехода) – 1750С.
На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.
Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.
2N3906 pnp транзистор комплиментарный npn, замена, распиновка, конфигурация выводов, заменитель, маркировка 2N 3906, spice model, аналог smd, техпаспорт
Характеристики транзистора 2N3906
- Тип: ПНП
- Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: -40 В
- Напряжение коллектор-база, макс.: -40 В 9 0101 Напряжение эмиттер-база, макс.:
-5 В Ток коллектора – непрерывный, макс. : -0,2 А
Рассеивание коллектора: 0,625 Вт
Коэффициент усиления по постоянному току (h fe ): 100 до 300
Частота перехода, мин: 250 МГц
Коэффициент шума, не более: 4 дБ
Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении: от -55 до +150 °C
Упаковка: TO-92
900 06
Распиновка 2N3906
2Н3906 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, базы и коллектора. Вот изображение, показывающее схему выводов этого транзистора.
SMD версия транзистора 2N3906
N3906S (СОТ -23), KST3906 (SOT-23), KTA1504 (SOT-23), KTA1504S (SOT-23), MMBT3906 (SOT-23), MMBT3906L (SOT-23), MMBT3906LT1 (SOT-23), MMBT3906LT1G (SOT- 23), ММБТ3906LT3 (СОТ-23), ММБТ3906LT3G (SOT-23), MMBT3906T (SOT-523F), MMBT3906TT1 (SOT-416), MMBT3906TT1G (SOT-416), MMBT3906WT1 (SOT-323), MMBT3906WT1G (SOT-323), MMST3906 (SOT-323), PMBS39 06 (SOT-23), PMBT3906 (SOT-23), PMST3906 (SOT-323), PZT3906 (SOT-223) и TMBT3906 (SOT-23) — это SMD-версия транзистора 2N3906.
Эти транзисторы однотипны, имеют схожие параметры и предназначены для поверхностного монтажа.
Замена и аналог для транзистора 2N3906
Вы можете заменить 2N3906 на 2N4403, 2SA696, 2SA697, 2SA708, BC527, BC528, KN2907, KN2907A , КН3906, КСА708, КСП2907А, КСП55, КСП56, КСП8598, КСП8599 , KTN2907, KTN2907A, MPS2907, MPS2907A, MPS2907AG, MPS2907G, MPS3906, MPS4354, MPS4355, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPS8598, MPS8598G, MPS8599, MPS859 9Г, МПСА55, МПСА55Г, МПСА56, МПСА56Г, МПСВ51А, МПСВ51АГ, МПСВ55, МПСВ55Г , MPSW56, MPSW56G, P2N2907A, P2N2907AG, PN200, PN2905, PN2905A, PN2907, PN2907A, PN4354, PN4355, ZTX550 или ZTX951.
2N3906 Spice Модель
.модель 2N3906 PNP ( + Is=1,41f + Хти=3 + Пример=1,11 + Ваф=18,7 + Bf=180,7 + Ne=1,5 + Исэ=0 + Iкф=80м + Хтб=1,5 + руб=4,977 + Нк=2 + Иск=0 + Икр=0 + Rc=2,5 + Сjc=9,728p + Mjc=0,5776 + Vjc = 0,75 + ФК = 0,5 + Cje=8.
