Интернет-справочник основных параметров транзисторов. аналоги транзистора bc857a

Транзистор s8050: характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

Введение

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются «SMD». По-русски это значит «компоненты поверхностного монтажа». Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово «запекают» и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может. 

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений. Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы

SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах

SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!

Findchips: сравнение BC557 и BC556

BC557 BC556

э.557
Фрискейл Полупроводник купить сейчас

купить сейчас
Лист данных
Исходное содержимое uid до н. э.557
Код RoHS Нет Нет
Код жизненного цикла детали Устаревший Перенесено
Описание упаковки , ,
Достичь кода соответствия неизвестный неизвестный
Максимальный ток коллектора (IC) 0,1 А 0,1 А
Конфигурация Одинокий Одинокий
Минимальное усиление постоянного тока (hFE) 120 120
Максимальная рабочая температура 150°С 150°С
Полярность/Тип канала ПНП ПНП
Макс. рассеиваемая мощность (абс.) 0,625 Вт 0,625 Вт
Поверхностный монтаж НЕТ НЕТ
Базовый номер соответствует 35 32
Код ECCN EAR99
JESD-609 Код e0
Финишная отделка Олово/свинец (Sn/Pb)

Немного подробнее о модуле и принципе его работы

Это полупроводниковый диод, который имеет свойство выдавать определенное значение напряжения вне зависимости от подаваемого на него тока. Это утверждение не является до конца верным абсолютно для всех вариантов, потому что разные модели имеют разные характеристики. Если подать очень сильный ток на не рассчитанный для этого модуль SMD (или любой другой тип), он попросту сгорит. Поэтому подключение выполняется после установки токоограничивающего резистора в качестве предохранителя, значение выходного тока которого равняется максимально возможному значению входного тока на стабилизатор.

Он очень похож на обыкновенный полупроводниковый диод, но имеет отличительную черту – его подключение выполняется наоборот. То есть минус от источника питания подается на анод стабилитрона, а плюс – на катод. Таким образом, создается эффект обратной ветви, который и обеспечивает его свойства.

Похожим модулем является стабистор – он подключается напрямую, без предохранителя. Используется в тех случаях, когда параметры входного электричества точно известны и не колеблются, а на выходе получается тоже точное значение.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводника

Очень часто люди задаются вопросом, как можно отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили раньше, оба этих элемента имеют практически идентичное обозначение на электросхеме и могут выполнять схожие функции. Самым простым способом отличить стабилизационный полупроводник от обычного является использование схемы приставки к мультиметру. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и выявить напряжение стабилизации, которое характерно для данного смд (если оно, конечно, не превышает 35В). Схема приставки мультиметра является DC-DC преобразователем, в которой между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта схема имеет следующий вид:

Схема приставки мультиметра

В ней генератор с широтно-импульсной модуляцией выполняется на специальной микросхеме МС34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания контрольное напряжение следует снимать с первичной обмотки трансформатора. Для этой цели имеется выпрямитель на VD2. При этом величина для выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается путем подбора резистора R3. На конденсаторе С4 происходит выделение напряжения примерно в 40В. При этом проверяемый смд VDX и стабилизатор для тока А2 будут формировать параметрический стабилизатор. Мультиметр, который подключили к выводам Х1 и Х2, будет измерять на данном стабилитроне напряжение. При подключении катода к «-«, а анода к «+» диода, а также к несимметричному смд мультиметра, последний покажет незначительное напряжение. Если подключать в обратной полярности (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор будет регистрировать напряжение около 40В.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на торообразном ферритовом сердечнике с внешним диаметром в 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0,43

При этом важно при намотке укладывать виток к витку. Следует помнить, что первичная обмотка идет на одной части кольца, а вторая – на другой. Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX

Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод

Проводя настройку прибора, подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен иметь номинал 10 кОм. А сопротивление R3 нужно подбирать для того, чтобы добиться напряжения в 40В на конденсаторе С4 Вот так можно выяснить, стабилитрон у вас или обычный диод.

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Литература по электронике

Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:

  1. Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
  2. Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
  3. Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .

В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.

Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются

В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники

Источники

  • https://habr.com/ru/post/133136/
  • https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
  • https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
  • https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
  • https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
  • https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
  • https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

  1. sot23-3.
  2. sot23-5.
  3. sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

  1. DC/DC.
  2. AC/DC.
  3. ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

Транзистор КТ375 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в переключательных и усилительных схемах высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Параметры транзистора КТ375
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ375А BCW88A, 2N3903, 2N560 *1, 2N2520 *1, BCY65EDP *1, BCY65EPDL *1, BCY65EPDM *1
КТ375Б BSX80, 2N3904, PET8006 *1, PET8005 *1, 2SC460A, MPS9624 *2, CX917 *2, KTC9016 *2, PE108 *2, MPS8001 *2, BF254, BSX66 *3, 2N5223 *2, BFY37 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ375А 200(400**) мВт
КТ375Б 200(400**)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ375А ≥250 МГц
КТ375Б ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ375А 60 В
КТ375Б 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ375А 5 В
КТ375Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ375А 100(200*) мА
КТ375Б 100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ375А 60 В ≤1 мкА
КТ375Б 30 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ375А 2 В; 20 мА 10…100*
КТ375Б 2 В; 20 мА 50…280*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ375А 10 В ≤5 пФ
КТ375Б 10 В ≤5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р. КТ375А ≤40 Ом, дБ
КТ375Б ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ375А Дб, Ом, Вт
КТ375Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ375А ≤300 пс
КТ375Б ≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Основная классификация транзисторов, параметры

Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.

Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:

  • транзисторы малой мощности,
  • транзисторы средней мощности,
  • транзисторы большой мощности.

По частоте транзисторы делят на:

  • низкочастотные,
  • среднечастотные,
  • высокочастотные,
  • сверхвысокочастотные.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:

  • германиевые,
  • кремниевые.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

  • статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
  • статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
  • обратный ток коллектора Іко;
  • граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

  • напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
  • максимальный ток стока Іс. макс;
  • напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
  • входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота. 

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы. 

Типы корпусов SMD по названиям 

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам 
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J  >4, в четыре линии по бокам 
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам 
LQFP  низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFP  пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам 
CQFP  керамический QFP >4, в четыре линии по бокам 
TQFP  тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам 
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA  низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA  корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA  СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус  

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.  

Кроме диодов

На основе p-n-переходов создан миллиард модификаций диодов. Сюда относятся варикапы, стабилитроны и даже тиристоры. Каждому семейству присущи особенности, с диодами много сходства. Видим три глобальных вида:

  • устаревшая сегодня элементная база сравнительно большого размера, явно различимая маркировка, сформированная стандартными буквами, цифрами;
  • стеклянные корпусы, снабженные цветовой символикой;
  • SMD элементы.

Аналоги подбираются исходя из условий, указанных выше: мощность рассеяния, предельные напряжение, пропускаемый ток.

Любая электронная схема вне зависимости от назначения имеет в своем составе большое количество элементов, которые регулируют и контролируют течение электрического тока по проводам. Именно регулирование напряжения играет важную роль в работе большинства модулей, потому что от этого параметра зависит стабильная и долгая работа цепи.

Для стабилизации входного напряжения на схемы был разработан специальный модуль, который является буквально важнейшей частью многих приборов. Импортные и отечественные стабилитроны используются в схемах с разными параметрами, поэтому имеется различная маркировка диодов на корпусе, что помогает определить и подобрать нужный вариант.

SOT-23: аналоги

Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.

С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.

В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.

Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.

ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:

При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель PC Ta = 25°C UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г 1 40 25 6 0,1 150 100 1,7 45…630 TO-92
КТ6114 А/Б/В 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ968 В 4 300 200 5 0,1 150 90 2,8 35…220 TO-39

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
3DG8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
BC517S 0,625 40 30 10 1 150 200 33000 TO-92
BTN8050A3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 6 160 TO-92
BTN8050BA3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 160 TO-92
CX908B/C/D 0,625 40 25 6 1 150 100 120…260 TO-92
KTC3203 0,625 30 0,8 150 190 100 TO-92
KTC3211 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
KTS8050 0,625 25 0,8 175 100 TO-92
M8050-C/D 0,625 40 25 6 150 150 120…160 TO-92
S8050 0,3 409 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
8050HQLT1 0,3 40 25 5 1,5 150 150 SOT-23
8050QLT1 0,3 40 25 5 0,8 150 150 SOT-23
8050SLT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
CHT9013GP 0,3 45 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
F8050HPLG 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
KTC9013SC 0,35 40 30 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMBT8050D 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMS9013-H/L 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
NSS40201L 0,54 40 25 4 150 150 120 SOT-23
NSS40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 200 SOT-23
NSV40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 150 200 SOT-23
PBSS4140T 0,3 40 40 5 1 150 150 300 SOT-23
S9013 0,3 40 25 5 0,8 150 150 120 SOT-23
ZXTN2040F 0,35 40 1 150 300 SOT-23
ZXTN25040DFL 0,35 40 1,5 190 300 SOT-23
ZXTN649F 0,5 25 3 200 SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка Тип прибора Маркировка Тип прибора
       
6A MMBF4416 C92 SST4392
6B MMBF5484 C93 SST4393
6C MMBFU310 H16 SST4416
6D MMBF5457 I08 SST108
6E MMBF5460 I09 SST109
6F MMBF4860 I10 SST110
6G MMBF4393 M4 BSR56
6H MMBF5486 M5 BSR57
6J MMBF4391 M6 BSR58
6K MMBF4932 P01 SST201
6L MMBF5459 P02 SST202
6T MMBFJ310 P03 SST203
6W MMBFJ175 P04 SST204
6Y MMBFJ177 S14 SST5114
B08 SST6908  S15  SST5115
B09 SST6909  S16 SST5116
B10 SST6910  S70 SST270
C11 SST111  S71 SST271
C12 SST112  S74  SST174
C13 SST113  S75 SST175
C41 SST4091  S76 SST176
C42 SST4092  S77 SST177
C43 SST4093  TV MMBF112
C59 SST4859  Z08 SST308
C60 SST4860  Z09 SST309
C61 SST4861  Z10 SST310
C91 SST4391    

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

  • был добавлен 5-контактный вариант;
  • появилась бессвинцовая версия;
  • был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов

Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.

Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.

Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.

В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.

Указание паспортных характеристик

Они же являются основными показателями отечественных и импортных стабилитронов, которыми необходимо руководствоваться при подборе стабилитрона под конкретную электронную цепь.

  1. UCT – указывает, какое номинальное значение модуль способен стабилизировать.
  2. ΔUCT – используется для указания диапазона возможного отклонения входящего тока в качестве безопасной амортизации.
  3. ICT – параметры тока, который может протекать при подаче номинального напряжения на модуль.
  4. ICT.МИН – показывает самое маленькое значение, которое способно протекать по стабилизатору. При этом протекающее напряжение по диоду будет находиться в диапазоне UCT ± ΔUCT.
  5. ICT.МАКС – модуль не способен выдерживать более высокое напряжение, чем это значение.

На фото ниже представлен классический вариант

Обратите внимание, что прямо на корпусе показано, где у него анод и катод. По кругу нарисована черная (реже встречается серая) полоска, которая располагается со стороны катода. Противоположная сторона – анод

Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов

Противоположная сторона – анод. Такой способ используется как для отечественных, так и для импортных диодов.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Пафос клуб
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: