Цоколевки транзисторов

Цветовая и символьно – цветовая маркировка транзисторов

В данной статье речь пойдет об определению основных параметров как отечественных так и зарубежных транзисторов по таблицам цветовой и символьно – цветовой маркировке.

Цветовая маркировка транзисторов

В данной маркировке используют цветные точки для кодирования параметров транзисторов в корпусах КТ-26 (ТО-92) и КТП-4. При полной цветовой маркировке кодирование типономинала, группы и даты выпуска наносится на срезе боковой поверхности согласно принятой цветовой гамме.

Точку, обозначающую типономинал наносят в левом верхнем углу. Она является началом отсчета. Далее, по часовой стрелке наносятся три точки, означающие группу, год и месяц выпуска соответственно.

При сокращении цветовой маркировке дату выпуска опускают (указывается на вкладыше упаковки). Типономинал указывается на срезе боковой поверхности корпуса. Группа указывается на торце корпуса.

Символьно — цветовая маркировка транзисторов

Отличительная особенность данной маркировки – отсутствие цифр и букв. Типономинал транзистора обозначается на срезе боковой поверхности специальными символом (точки, горизонтальные, вертикальные или пунктирные линии) или цветной геометрической фигурой (круг, полукруг, квадрат, треугольник, ромб и др.). Маркировка группы относится одной (несколькими) точками на торце корпуса (КТ-26, КТП-4).

Цветовая гамма точек, обозначающих группу при данной маркировке, не совпадает со стандартной цветовой гаммой по ГОСТ 24709-81. Она определяется производителем.

Символ круга на боковом срезе транзистора необходимо отличать от точки, которая не имеет четкой формы, т.к. наносится кистью.

Особенности маркировки зарубежных транзисторов

Ряд зарубежных фирм использует цветовую маркировку для обозначения коэффициента усиления радиочастотных транзисторов. В таблице показана цветовая маркировка радиочастотных транзисторов фирмы MOTOROLLA. Возможно либо нанесение буквенного кода, либо цветной точки.

Режимы работы в схеме с ОЭ

Работу полупроводниковых устройств интересно анализировать с помощью входных/выходных вольт-амперных характеристик (ВАХ). На них видно изменение значений параметров, от которых зависит его состояние: в каких случаях он открывается, когда происходит усиление сигнала и др. На рисунке представлены графики ВАХ для схемы включения КТ315Г с общим эмиттером (ОЭ), на её выход подано постоянное питание Uп. Разберемся как она работает в таком режиме.

Если транзистор используется в качестве электронного ключа, то в закрытом состоянии (режим отсечки) базовое напряжение на входе (U_БЭ) не должно превышать 0.5 В. Токи базы I_Би коллектора I_Кнезначительные, т.е. практически отсутствуют.

Для открытия транзистора (режим насыщения) необходимо поднять входное напряжение U_БЭс 0.6 до 0.8В. Этим нужно добиться увеличения базового тока I_Б максимум до 2 мА, путем снижения сопротивления переменного ограничительного резистора R_Б. При этом I_К может расти до 100 мА, а U_КЭ на p-n-переходе должно находится на уровне до 0.4 В.

В промежутке между открытым и закрытым состоянием транзистор используется как усилитель слабых сигналов – активный режим. Используя эту информацию можно создавать интересные схемы с этим устройством. Например такие, как в представленном видеоролике.

Структура и цоколевка Кт326

Кт326 представляет собой биполярный транзистор с гетерополевой структурой. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала: базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C).

Цоколевка Кт326 соответствует стандарту TO-18. На корпусе имеется одна ножка, обозначенная как «E» (эмиттер), и две ножки, помеченные буквами «B» (база) и «C» (коллектор). Ножка «C» является телом корпуса и является общей для коллектора и корпуса.

Цокольный план Кт326 выглядит следующим образом:

Ножка 1 — эмиттер (E)
Ножка 2 — база (B)
Ножка 3 — коллектор (C)

Отличительной особенностью Кт326 является наличие специального ребра на корпусе, которое отводит тепло от транзистора и повышает его эффективность.

Кт326 применяется в радиоэлектронике для усиления и переключения электрических сигналов. Он широко используется в различных устройствах, включая усилители звука, телевизоры, радиоприемники и телекоммуникационное оборудование.

Преимущества КТ326 транзистора

Основные преимущества КТ326 транзистора включают:

1. Надежность	КТ326 обладает высокой степенью надежности и долговечности, что позволяет использовать его в широком диапазоне условий эксплуатации.
2. Высокая мощность	Транзистор имеет возможность передавать большую мощность, что делает его идеальным для применения в устройствах, требующих высокой производительности.
3. Низкое сопротивление	КТ326 обладает низким сопротивлением включения и выключения, что позволяет улучшить его работу и снизить энергопотребление.
4. Удобная цоколевка	Транзистор имеет удобную цоколевку, что облегчает его монтаж и подключение к другим компонентам электрической схемы.
5. Широкий рабочий диапазон	КТ326 имеет широкий рабочий диапазон, что позволяет использовать его в различных приложениях, включая усилители, источники питания и др.

В целом, КТ326 транзистор представляет собой надежный и мощный компонент, который может быть использован в различных электронных устройствах для обеспечения оптимальной производительности и эффективности.

Транзистор ГТ308 — DataSheet

Перейти к содержимому

Описание

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные универсальные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в автогенераторах, усилителях мощности и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2.2 г.

Характеристики транзистора
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		ГТ308А	—	2N797
ГТ308Б	—	2N796
ГТ308В	—	2N2048
ГТ308Г	—	—
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P_{K, τ max},P*_{K, и max}	—	—	150(360**)	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f_h31б,f_h31э, f**_max	А	—	≥90	МГц
Б	—	≥120
В	—	≥120
Г	—	≥120
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,}U_{КЭR проб.,}U*_{КЭО проб.}	А	—	20

В
Б
—
20

В
—
20

Г
—
20*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,}
А
—3
В

Б
—3

В
—3

Г
—

3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
А
—
50(120*)
мА

Б
—
50(120*)

В
—
50(120*)

Г
—
50(120*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*_КЭR, I**_КЭO
А
5 В
≤2
мкА

Б
5 В
≤2

В
5 В
≤2

Г
5 В
≤2

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э, h*_21Э
А
1 В; 10 мА
20…75*

1 В; 10 мА
50…120*

В
1 В; 10 мА
80…200*

Г
1 В; 10 мА
80…150

Емкость коллекторного перехода
c_к, с*_12э
А
5 В
≤8
пФ

Б
5 В
≤8

В
5 В
≤8

Г
5 В
≤8

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером

r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}
А
—
≤30
Ом
Б
—
≤24

В
—
≤24

Г
—
≤24

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P_вых
А
—
—
Дб, Ом, Вт

Б
—
—

1. 6 МГц
≤8

Г
1.6 МГц
≤8

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас, t**_выкл, t***_пк(нс)
А
—
≤400
пс

Б
—
≤1000*

В
—

≤400

Г
—
≤500

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

принцип действия – биполярный;
корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
материал – кремний (Si);
npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В

Ниже приведена классификация КТ3102

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Техническое описание

Характеристики

принцип действия – биполярный;
корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
материал – кремний (Si);
npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
Токр от -40 до +85 °C.

Ниже приведена классификация КТ3102

Маркировка

Применение транзистора Кт326

Транзистор Кт326 широко используется в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам и надежности.

Одним из основных применений Кт326 является использование в усилительных схемах. Транзистор обладает высоким коэффициентом усиления и способностью работать на высоких частотах, что делает его идеальным для усиления слабых сигналов.

Также транзистор Кт326 используется в схемах стабилизации напряжения. Благодаря своим характеристикам, транзистор может работать в режиме стабилизации напряжения, обеспечивая постоянный уровень напряжения на выходе.

Другое важное применение транзистора Кт326 — это его использование в схемах коммутации. Транзистор способен быстро переключаться между открытым и закрытым состояниями, что делает его идеальным для управления высокочастотными сигналами и коммутации электрических цепей

Кроме того, транзистор Кт326 может быть использован в различных других электронных схемах, где требуется усиление сигнала, управление потоком энергии или коммутация сигнала.

Цоколевка и применение КТ326

Эмиттер – это контакт транзистора, через который осуществляется подача сигнала. База – это контакт, который контролирует усиление сигнала. Коллектор – это контакт, через который происходит выход сигнала из транзистора.

Цоколевка КТ326 обладает особыми особенностями, которые отличают ее от других типов транзисторов. Эти особенности влияют на способы подключения транзистора в схему и его функционирование.

Применение КТ326 возможно в различных устройствах, где требуется усиление и коммутация сигнала. Он широко используется в радиоэлектронике, телекоммуникационных устройствах, аудиоусилителях и других устройствах схожего назначения.

В заключение, цоколевка КТ326 имеет трехконтактную схему, состоящую из эмиттера, базы и коллектора. Этот транзистор находит применение в различных электронных устройствах, где необходимо усиление и коммутация сигналов. Знание особенностей цоколевки и умение правильно подключить транзистор позволяют использовать его эффективно в различных схемах.