Транзистор кт502: характеристики, цоколевка, маркировка, аналоги

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ и эмиттер-база U_BE₍_sat₎от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Как собрать корпус SOT23 собственноручно

Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.

Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.

Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.

С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:

Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.

Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.

Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.

Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.

Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.

Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.

1000PCS 2N5401 MMBT5401 2L SOT-23 SMD PNP транзистор

ДОСТАВКА И ДОСТАВКА

Мы рады предложить услуги международной доставки, которые в настоящее время работают в более чем 200 странах и островах по всему миру.

Как вы отправляете посылки?

Пакеты с нашего склада будут отправлены ePacket или Aliexpress Standard или China Post Registered Air Mail в зависимости от веса и размера продукта и места доставки.

Вы отправляете по всему миру?

Да. Мы осуществляем доставку в более чем 200 стран мира. Тем не менее, есть некоторые места, куда мы не можем отправить товар. Если вы окажетесь в одной из этих стран, мы свяжемся с вами.

А таможня?

Мы не несем ответственности за любые таможенные сборы после отправки товара. Покупая наши продукты, вы соглашаетесь с тем, что одна или несколько посылок могут быть отправлены вам и могут быть оплачены таможенными сборами, когда они прибудут в вашу страну.

Сколько времени занимает доставка?

Время доставки зависит от местоположения.

Местоположение	* Расчетное время доставки
США	10-60 рабочих дней
Канада, Европа	10-60 рабочих дней
Австралия, Новая Зеландия	10-60 рабочих дней
Центральная и Южная Америка	15-60 рабочих дней
Азия	10-40 рабочих дней
Африка	15-60 рабочих дней

Предоставляете ли вы информацию для отслеживания?

Да, после отправки вашего заказа вы получите электронное письмо с информацией для отслеживания. Если вы не получили информацию об отслеживании в течение 5 дней, свяжитесь с нами.

В моем отслеживании написано «нет информации в данный момент».

Некоторым транспортным компаниям требуется 2-5 рабочих дней для обновления информации об отслеживании в системе. Если ваш заказ был размещен более 5 рабочих дней назад, а информация о вашем номере для отслеживания до сих пор отсутствует, свяжитесь с нами.

Мои товары будут отправлены одной посылкой?

По логистическим причинам товары в рамках одной покупки иногда отправляются отдельными посылками, даже если вы указали комбинированную доставку.

Если у вас есть другие вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы помочь вам.

ПОЛИТИКА ВОЗВРАТА

Отмена заказа

Все заказы могут быть отменены до тех пор, пока они не будут отправлены. Если ваш заказ оплачен и вам необходимо внести изменения или отменить заказ, вы должны связаться с нами в течение 12 часов.

Возврат

Ваше удовлетворение является нашим приоритетом №1. Таким образом, вы можете запросить возврат или повторную отправку заказанных товаров, если:

Если вы , а не получили товар в течение гарантированного времени (60 дней, не включая 2-5-дневную обработку), вы можете запросить возврат или повторную отправку.
Если вы получили не тот товар, вы можете запросить возврат или повторную отправку.
Если вам не нужен продукт, который вы получили, вы можете запросить возврат средств, но вы должны вернуть товар за свой счет, и товар не должен быть использован.

Мы делаем , а не возвращаем деньги, если:

Ваш заказ не прибыл из-за факторов, находящихся под вашим контролем (т.е. указание неверного адреса доставки)
Ваш заказ не прибыл из-за исключительных обстоятельств, не зависящих от National Semiconductor (например, не прошел таможенную очистку, задержался из-за стихийного бедствия).
Другие исключительные обстоятельства, не зависящие от https://nationalsemiconductor.net

*Вы можете отправить запрос на возврат в течение 15 дней после истечения гарантированного периода доставки (60 дней). Вы можете сделать это, отправив сообщение на странице «Свяжитесь с нами»

. Если вы одобрены для возврата, ваш возврат будет обработан, и кредит будет автоматически применен к вашей кредитной карте или первоначальному способу оплаты в течение 14 дней. .

Обмен

После оплаты товар не подлежит обмену. Но вы можете отменить заказ, отправив нам электронное письмо в течение 12 часов.

Пожалуйста, не возвращайте нам свою покупку, если мы не разрешим вам сделать это.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

ЗАЩИТА АС УМЗЧ

Изначально задумал использовать схему защиты от БРИГ, но затем читая отзывы о симисторной защите захотел попробовать ее. Блоки защиты были сделаны в самом конце, тогда было туго с финансами, а симисторы и прочие компоненты схемы у нас оказались довольно дороги, поэтому вернулся к релейной защите.

В итоге были собраны три блока защиты, один из них для сабвуферного усилителя, а два остальных для каналов ОМ.

В сети можно найти большое количество схем блоков защиты, но эта схема перепробована мной неоднократно. При наличии постоянного напряжения на выходе (выше допустимого) защита мгновенно срабатывает спасая динамическую головку. После подачи питания реле замыкается, а при срабатывания схемы оно должно размыкаться. Защита включает головку с небольшой задержкой — это тоже в свою очередь, является дополнительной страховкой и щелчок после включения, почти не слышен.

Компоненты блока защиты могут отклоняться от указанного, Основной транзистор можно заменить на наш КТ815Г, использовал высоковольтные транзисторы MJE13003 — их у меня навалом, кроме того, они довольно мощные и не перегреваются в ходе работы, поэтому в теплоотводе не нуждаются. Маломощные транзисторы можно заменить на S9014, 9018, 9012, даже на КТ315, оптимальный вариант — 2N5551. Реле на 7-10 Ампер, подобрать можно любое реле на 12 или 24 Вольта, в моем случае на 12 Вольт.

Блоки защиты для каналов ОМ установлены возле трансформатора второго инвертора, работает все это дело довольно четко, при максимальной громкости защита может сработать (ложно) крайне редко.

Подключение IRF3205

Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:

Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.

Подключение к микроконтроллеру

Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:

Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF

Справочники

Цоколевка широко распространенных транзисторов и цветовая и кодовая маркировка транзисторов.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

В цветовой и кодовой маркировке транзисторов нет единых стандартов. Каждый завод, который производит транзисторы, принимает свои цветовые и кодовые обозначения. Вы можете встретить транзисторы одного типа и группы, которые изготовлены разными заводами и маркируются по-разному, или разные транзисторы, которые маркируются одинаково. В этом случае их можно отличить только по некоторым дополнительным признакам, таким как длина выводов коллектора и эмиттера или окраска торцевой (противоположной выводам) поверхности транзистора.

Табл. 8.13. Цветовая и кодовая маркировка транзисторов в корпусе КТ-26.

Цветовая маркировка транзисторов осуществляется двумя точками. Тип транзистора обозначается на боковой поверхности, а маркировка группы на торцевой (рис. 8.2).

Кодовая маркировка наносится на боковую поверхность транзистора (рис. 8.2). Тип транзистора обозначается кодовым знаком (табл. 8.13), а группа — соответствующей буквой. Дата изготовления в соответствии с ГОСТ 26486-82 кодируется двумя буквами или буквой и цифрой (табл. 8.14). Первая буква обозначает год выпуска, а следующая за ней цифра или буква — месяц. Кодированное обозначение даты изготовления применяется не только для транзисторов, но и для других радиоэлементов. На рис. 8.3 приведены примеры кодовой и цветовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-26.

Транзисторы в корпусе КТ-27 могут маркироваться или буквенно — цифровым кодом (табл. 8.16 и рнс. 8.4) или кодом, состоящим из геометрических фигур (рис. 8.4).

Транзисторы в корпусе КТ-27 дополнительно маркируются окрашиванием торца корпуса, противоположного выводам: КТ814 — серо — бежевый;

КТ815 — серый нлн снренево — фиолетовый;

КТ816 — розово — красный;

КТ817 — серо — зелёный;

КТ683 — фиолетовый;

КТ9115 — голубой.

Транзисторы КТ814Б, КТ815Б, КТ816Б и КТ817Б иногда маркируются только окрашиванием торцевой поверхности без нанесения буквенно — цифрового кода.

Примеры маркировки транзисторов в корпусе КТ-13 приведены на рис. 8.6. Буква группы у транзисторов КТ315 наносится сбоку поверхности, а КТ361 — посередине.

Тип транзисторов КПЗОЗ и КП307 в корпусе КТ-1-12 маркируются соответственно цифрами 3 и 7, группа — соответствующей буквой. Транзисторы КП327А маркируются одной белой точкой, а КП327Б — двумя (рис. 8.3).

Здесь Ваше мнение имеет значение

—
поставьте вашу оценку (оценили — 68 раз)

Кизлюк А.И.

Ключевые теги: Кизлюк

Смотри также:

Калькулятор РЛ
Прибор для проверки транзисторов «ППТ»
Портативный прибор для подбора пары мощных транзисторов KB усилителя мощнос …
Обозначение зарубежных радиоэлементов
Цветовая маркировка резисторов
Кашкаров А. П. — Популярный справочник радиолюбителя (2008)
Основные системы условных обозначений зарубежных полупроводниковых приборов
Усилитель мощности без динамических искажений
Основы основ начинающего радиолюбителя. Краткая справка
Справочник по устройству и ремонту телефонных аппаратов зарубежного и отече …
Программа для определения типа транзистора по цветной и кодовой маркировке
Новые MOSFET транзисторы DualCool NexFET с двухсторонним охлаждением от T …
Как простым омметром проверить полевой транзистор
«Хитрые» неисправности транзисторов серии КТ3102, КТ3107
STMicro анонсировала новую серию транзисторов с технологией STripFET

ОПЛЕУХА МИКРОСХЕМАМ

Оплеуха микрухам — не самый простой, но высококачественный усилитель мощности НЧ. Усилитель способен развивать максимальную выходную мощность в 130 ватт и работает в довольно широком диапазоне входного напряжения. Выходной каскад усилителя построен на паре 2sa1943 2sc5200 и работает в режиме АВ. Эта версия, автором была разработана в этом году, ниже ее основные параметры.

Диапазон питающих напряжений = +/- 20В … +/- 60В
Номинальное напряжение питания (100Вт, 4 Ом) = +/- 36В
Номинальное напряжение питания (100Вт, 8 Ом) = +/- 48В

С мощностью все понятно, а что со стороны искажений?

THD+N (при Pвых<=60Вт, 20кГц) <= 0,0009%
THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 0,003%
THD+N (при максимальной выходной мощности, 20кГц) = 0,008%

Детали, используемые в этом модуле — подстроечные резисторы, маломощные и среднемощные транзисторы:

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

↑ Далее встал вопрос с фильтрами

Мне захотелось сделать такой вариант: купить для каждого канала выключатель на 3 положения. Первое положение (выключатель в крайнем левом положении), усилитель воспроизводит все до 100гц. Второе положение (выключатель в среднем положении), усилитель воспроизводит полностью весь сигнал. Третье положение (выключатель в крайнем правом положении), усилитель воспроизводит все от 200гц. Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Фильтр который обрезает все что ниже 200гц я сделал из одного конденсатора 0.047мкф (к73-15А) на каждый канал.

Ну и в конце осталось сделать корпус и функцию REM (управление).

Подбор транзисторов в усилитель JLH

Выходные транзисторы

Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.

Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.

Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.

В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).

Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055

Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.

Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.

Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.

MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819

У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.

Драйверный транзистор

Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки

Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.

Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.

Маркировка SOT-23

Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.

Корпуса бывают:

sot23-3.
sot23-5.
sot23-6.

Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:

DC/DC.
AC/DC.
ШИМ(pwm).

Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.

Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.

Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.

253.

Состояние:

Новый

Код товара:

234495373657

До окончания осталось:

17ч 56m 44c

Примерный вес вещей

Предварительный расчет доставки в Украину

Вес посылки (1 кг = 2.2 lb) :

Вид отправки	USD	Сроки

Продавец:
185115

Товар находится в
SZ

Рейтинг продаж:
81970

Положительных отзывов:
99.

Гарантия доставки

Страховка посылок

Служба поддержки

Трекинг посылок

Бесплатное хранение на складе

Удобные способы оплаты

Mounting Style

Surface Mount

Minimum DC Amplifier Gain

Configuration

Common Basis

Number of Elements per Chip

Package/Case

SOT-23

MPN

Does Not Apply

Transistor Category

Power Transistor

Minimum Operating Temperature

-40 °C (-40 °F)

Марка

Series

MMBT5401 2L

Тип

PNP

Number of Pins

Packaging

Tape & Reel

Maximum Operating Temperature

105 °C (221 °F)

Maximum Operating Frequency

MHz

UPC

Does not apply

Создание устройства

Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.

Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.

Более современные варианты

Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:

12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки

Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит

был добавлен 5-контактный вариант;
появилась бессвинцовая версия;
был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.

Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.

Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.

MJ4502 Datasheet (PDF)

..1. Size:128K onsemi mj4502.pdf

MJ4502High-Power PNP SiliconTransistorThis transistor is for use as an output device in complementary audioamplifiers to 100-Watts music power per channel.Features http://onsemi.com High DC Current Gain — hFE = 25-100 @ IC = 7.5 A30 AMPERE Excellent Safe Operating AreaPOWER TRANSISTOR Complement to the NPN MJ802PNP SILICON Pb-Free Package is Available*100 V

..2. Size:101K mospec mj4502.pdf

AAA

..3. Size:206K inchange semiconductor mj4502.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor MJ4502DESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 25-100@I = -7.5AFE CExcellent Safe Operating AreaComplement to the NPN MJ802Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as an output device in complementaryaudio amplifiers to 100-Watts music power per channel.ABSOLUTE M

0.1. Size:119K motorola mj4502re.pdf

Order this documentMOTOROLAby MJ4502/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJ4502High-Power PNP Silicon30 AMPERETransistorPOWER TRANSISTORPNP SILICON. . . for use as an output device in co

0.2. Size:124K onsemi mj4502g.pdf

9.1. Size:196K inchange semiconductor mj450.pdf

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor MJ450 DESCRIPTION Low Saturation Voltage- : VCE(sat) =-1V@IC=-10Adc DC Current Gain- : hFE=20(Min)@ IC=-10A APPLICATIONSDesigned for high-current switching and general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base

Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23

Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:

снижение канального сопротивления;
паразитного сопротивления;
выводной емкости и индуктивности;
увеличение рабочего тока;
увеличение рабочего напряжения;
увеличение скорости действия.

Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.

Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.

Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.

К транзисторам предъявляются следующие требования:

Невысокое открытое сопротивление.
Стабильность температуры, если не используется радиатор.
Невысокий порог напряжения затвора.
Бюджетная стоимость.

У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.

У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.

Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.

Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.

Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23

Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.

Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой

Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения

На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.

Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.

Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23

В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:

управляющее напряжение затвора;
тип корпуса;
технология кристаллизации;
уровень напряжения стока и размера кристалла.

Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:

L — уровень управляющего напряжения.
F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.

Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.

Для чего предназначены выводы

Обозначение производится следующим образом:

Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
Input Voltage (VCC) — питание.
Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.

Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.

Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.

Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.

Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB

От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях