Alternate Parts for MJ11028G
This table gives cross-reference parts and alternative options found for MJ11028G. The Form Fit Function (FFF) tab will give you the options that are more likely to serve as direct pin-to-pin alternates or drop-in parts. The Functional Equivalents tab will give you options that are likely to match the same function of MJ11028G, but it may not fit your design. Always verify details of parts you are evaluating, as these parts are offered as suggestions for what you are looking for and are not guaranteed.
Functional Equivalents (10)
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
MJ11028.MOD |
50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited |
MJ11028G vs MJ11028.MOD |
|
MJ11028R1 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11028R1 |
|
MJ11028 |
50A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA, CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN | onsemi |
MJ11028G vs MJ11028 |
|
MJ11028 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11028 |
| Part Number | Description | Manufacturer | Compare |
|---|---|---|---|
|
2SC2433 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | FUJITSU Semiconductor Limited |
MJ11028G vs 2SC2433 |
|
BDX69C |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs BDX69C |
|
MJ11030.MOD |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11030.MOD |
|
MJ11032R1 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11032R1 |
|
MJ11028 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11028 |
|
RCA9228D |
50A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE | Intersil Corporation |
MJ11028G vs RCA9228D |
|
BDX69B |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs BDX69B |
|
BDX69C |
25A, 120V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 | TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited |
MJ11028G vs BDX69C |
|
MJ11032 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN | TT Electronics Resistors |
MJ11028G vs MJ11032 |
|
RCA9228D |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin | Harris Semiconductor |
MJ11028G vs RCA9228D |
Полевики с обособленным затвором
Эти устройства часто используются как полупроводниковые управляющиеся ключи. Как правило, они функционируют в режиме ключа. Есть 2 положения — включить и выключить 3 названия:
- МДП, что означает присутствие в устройстве диэлектрического материала, полупроводника и металла.
- МОП. В него входит окислительный элемент, полупроводник и металл.
- МОФСЕТ:metal-oxide-semiconductor.
Все перечисленное — только варианты одного и того же наименования. Окислительный, или диэлектрический элемент — это, по сути, изолятор затвора. Он находится между самим затвором и n-участком. Это пространство белого цвета, с точечками, состоящее из кремниевого диоксида.
Диэлектрик не допускает электрического контакта подложки и затворного электрода. Он функционирует не так, как p-n переход, по принципу расширения канального перекрытия и перехода. Устройство действует за счёт смены концентрации полупроводниковых переносчиков заряда под влиянием внешнего электрополя.
Есть 2 вида распространённых транзисторов МОП: с индукционным и встроенным каналами.
Со встроенным
Принцип действия такого прибора аналогичен полевому транзистору с управлением от p-n перехода при нулевом напряжении затвора. Ток при этом течёт через ключ.
Транзисторы с внутренним каналом
Возле истока и стока есть 2 области с большим количеством заряженных примесей, имеющих повышенную проводимость. Здесь подложкой является p-основание.
Кристалл соединяется с истоком, поэтому на большей части условных графиков он так и изображен. Когда напряжение на затворе повышается, в канале появляется поперечное электрополе, отталкивающее Электроны. Происходит закрытие канала, когда достигается порог Uзи.
Когда подается отрицательное напряжение затвора — истока, стоковая сила тока уменьшается. Транзистор закрывается. Это называется режимом обеднения. Если же подаётся напряжение со знаком «+», на затворе и истоке осуществляется обратное: за счет притягивания электронов возрастает сила тока. Это явление именуют режимом обогащения.
Все описанное подходит к транзисторам типа n, с внутренним каналом. В случае с p происходит замена электронов так называемыми дырками, и происходит изменение полярности напряжения на другой знак.
С индуктивным каналом
В таких транзисторах не протекает ток, если нет напряжения затвора. Если сказать точнее, ток очень небольшой, поскольку он является обратным от подложки — к высоко легированным элементам стока и истока.
Если напряжение есть, мы имеем дело с вариантом канала индукции, где под влиянием поля заряды со знаком «-» попадают на территорию затвора. Это означает появление электронного коридора между истоком и стоком. При появлении канала происходит открытие транзистора и протекание через него электричества.
Приведем пример практического применения высокого сопротивления выхода. Устройства с такими свойствами довольно популярны. Это согласующие приборы, которыми проводится подключение электроакустики — гитар с пьезозвукоснимающими приборами и электрических гитар с электромагнитными снимателями звука, к входам с маленькими сопротивлениями
От невысокого сопротивления может произойти просадка сигнала выхода. Его форма может меняться в разных пределах, согласно частоте сигнала. Это можно предотвратить введением каскада невысокого сопротивления входа. Таким способом удобно подключаются электрогитары к линейным входам компьютерных видеокарт. Это делает звук более ярким, а тембр — насыщенным.
Биполярный транзистор MJ11028 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJ11028
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора:
MJ11028
Datasheet (PDF)
..1. Size:208K inchange semiconductor mj11028.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11028DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 60V(Min.)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 25AFE C: h = 400(Min.)@I = 50AFE CComplement to the PNP MJ11029Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in comp
0.1. Size:153K motorola mj11028r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ11028/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ11028High-Current ComplementaryMJ11030Silicon TransistorsMJ11032*. . . for use as output devices in complem
0.2. Size:116K onsemi mj11028g.pdf
MJ11028, MJ11030,MJ11032 (NPN)MJ11029, MJ11033 (PNP)High-CurrentComplementary SiliconPower TransistorsHigh-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use50 AMPEREas output devices in complementary general purpose amplifierCOMPLEMENTARYapplications.DARLINGTON POWERFeaturesTRANSISTORS High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc60 — 120 VOLTS
8.1. Size:127K onsemi mj11022g.pdf
MJ11021(PNP)MJ11022 (NPN)Complementary DarlingtonSilicon Power TransistorsComplementary Darlington Silicon Power Transistors are designedfor use as general purpose amplifiers, low frequency switching andhttp://onsemi.commotor control applications.15 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)DARLINGTON POWER Collector-Emi
8.2. Size:127K onsemi mj11021g.pdf
MJ11021(PNP)MJ11022 (NPN)Complementary DarlingtonSilicon Power TransistorsComplementary Darlington Silicon Power Transistors are designedfor use as general purpose amplifiers, low frequency switching andhttp://onsemi.commotor control applications.15 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)DARLINGTON POWER Collector-Emi
8.3. Size:207K inchange semiconductor mj11029.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJ11029DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min.)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = -25AFE C: h = 400(Min.)@I = -50AFE CComplement to the NPN MJ11028Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in c
8.4. Size:208K inchange semiconductor mj11020.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11020DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V (Min.)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 400(Min.)@I = 10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 5.0ACE (sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purp
8.5. Size:208K inchange semiconductor mj11022.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11022DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V (Min.)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 400(Min.)@I = 10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 5.0ACE (sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purp
Другие транзисторы… MJ11015
, MJ11016
, MJ11017
, MJ11018
, MJ11019
, MJ11020
, MJ11021
, MJ11022
, BC558
, MJ11029
, MJ11030
, MJ11031
, MJ11032
, MJ11033
, MJ1200
, MJ12002
, MJ12003
.
MJ11028 Datasheet (PDF)
..1. Size:208K inchange semiconductor mj11028.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11028DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = 60V(Min.)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = 25AFE C: h = 400(Min.)@I = 50AFE CComplement to the PNP MJ11029Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in comp
0.1. Size:153K motorola mj11028r.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJ11028/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJ11028High-Current ComplementaryMJ11030Silicon TransistorsMJ11032*. . . for use as output devices in complem
0.2. Size:116K onsemi mj11028g.pdf
MJ11028, MJ11030,MJ11032 (NPN)MJ11029, MJ11033 (PNP)High-CurrentComplementary SiliconPower TransistorsHigh-Current Complementary Silicon Power Transistors are for use50 AMPEREas output devices in complementary general purpose amplifierCOMPLEMENTARYapplications.DARLINGTON POWERFeaturesTRANSISTORS High DC Current Gain — hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc60 — 120 VOLTS
8.1. Size:127K onsemi mj11022g.pdf
MJ11021(PNP)MJ11022 (NPN)Complementary DarlingtonSilicon Power TransistorsComplementary Darlington Silicon Power Transistors are designedfor use as general purpose amplifiers, low frequency switching andhttp://onsemi.commotor control applications.15 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)DARLINGTON POWER Collector-Emi
8.2. Size:127K onsemi mj11021g.pdf
MJ11021(PNP)MJ11022 (NPN)Complementary DarlingtonSilicon Power TransistorsComplementary Darlington Silicon Power Transistors are designedfor use as general purpose amplifiers, low frequency switching andhttp://onsemi.commotor control applications.15 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY High dc Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)DARLINGTON POWER Collector-Emi
8.3. Size:207K inchange semiconductor mj11029.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor MJ11029DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -60V(Min.)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min.)@I = -25AFE C: h = 400(Min.)@I = -50AFE CComplement to the NPN MJ11028Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in c
8.4. Size:208K inchange semiconductor mj11020.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11020DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V (Min.)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 400(Min.)@I = 10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 5.0ACE (sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purp
8.5. Size:208K inchange semiconductor mj11022.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ11022DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V (Min.)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 400(Min.)@I = 10AFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 5.0ACE (sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purp
Рабочие режимы IRF740
Uзи (напряжение) бывает или нулевым, или обратным. Второе помогает прикрыть транзистор, поэтому и применяется внутри усилителей группы А и иных схемах с плавным регулированием.
В так называемом режиме отсечки Uзи=Uотсечки. Тогда для всех приборов оно разное, хоть и прилагается в обратную сторону.
Типы подключений
По аналогии с биполярниками, у рассматриваемого устройства есть 3 варианта подключения:
- С одним истоком. Самая распространенная схема, усиливает ток и мощность.
- С одним затвором. Непопулярный вариант. Небольшое напряжение входа, усиление отсутствует.
- С одним стоком. Напряжение усиливается почти на 100%, сильное сопротивление входа, маленькое — выхода. По-другому схема называется токовым повторителем.