Bd675a pdf ( даташит ) - plastic medium-power silicon npn darlingtons

Datasheets

Datasheet

PDF, 40 Кб

Выписка из документа

BD675A/677A/679A/681 BD675A/677A/679A/681Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively TO-126 2.Collector 3.Base NPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25°C unless otherwise notedSymbol VCBO Collector-Base Voltage Parameter : BD675A : BD677A : BD679A : BD681 : BD675A : BD677A : BD679A : BD681 1 1. Emitter Value 45 60 80 100 45 60 80 100 5 4 6 100 40 150 -65 ~ 150 Units V V V V V V V V V A A mA W °C °C VCEO Collector-Emitter Voltage VEBO IC ICP IB PC TJ TSTG Emitter-Base Voltage Collector Current (DC) *Collector Current (Pulse) Base Current Collector Dissipation (TC=25°C) Junction Temperature Storage Temperature Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise notedSymbol VCEO(sus) Parameter *Collector-Emitter Sustaining Voltage : BD675A : BD677A : BD679A : BD681 Collector-Base Voltage : BD675A : BD677A : BD679A : BD681 : BD675A : BD677A : BD679A : BD681 : BD675A/677A/679A : BD681 Test Condition IC = 50mA, IB = 0 Min. 45 60 80 100 200 200 200 200 500 500 500 500 2 750 750 2.8 2.5 2.5 2.5 V V V V Typ. Max. Units V V V V µA µA µA µA µA µA µA µA mA ICBO VCB = 45V, IE = 0 VCB = 60V, IE = 0 VCB = 80V, IE = 0 VCB = 100V, VBE = 0 VCE = 45V, VBE = 0 VCE = 60V, VBE = 0 VCE = 80V, VBE = 0 VCE = 100V, VBE = 0 VEB = 5V, IC = 0 VCE = 3V, IC = 2A VCE = 3V, IC = 1.5A IC = 2A, IB = 40mA IC = 1.5A, IB = 30mA VCE = 3V, IC = 2A VCE = 3V, IC = 1.5A ICEO Collector Cut-off Current IEBO hFE VCE(sat) Emitter Cut-off Current * DC Current Gain * Collector-Emitter Saturation Voltage : BD675A/677A/679A : BD681 * Base-Emitter ON Voltage : BD675A/677A/679A : BD681 VBE(on) * Pulse Test: PW=300µs, duty Cycle=1.5% Pulsed2000 Fairchild Semiconductor International Rev. A, February 2000 BD675A/677A/679A/681 Typical Characteristics 10000 VCE(sat), SATURATION VOLTAGE VCE = 3V 2.4 Ic = 250 IB 2.0 hFE, DC CURRENT GAIN 1.6 1000 1.2 0.8 0.4 100 0.1 1 10 0.0 0.1 1 10 IC, COLLECTOR CURRENT IC, COLLECTOR CURRENT Figure 1. DC current Gain Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage 4.0 3.8 VCE = 3V 3.6 3.4 3.2 3.0 2.8 2.6 2.4 2.2 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 10 IC(max). Pulsed IC(max). Continuous 10µ s IC, COLLECTOR CURRENT IC, COLLECTOR CURRENT DC100µs1 BD675A BD677A BD679A BD6810.1 1 10 1ms 10ms100 1000 VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE Figure 3. Base-Emitter On Voltage Figure 4. Safe Operating Area 50 PC, POWER DISSIPATION 40 30 20 …

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).

Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).

BD675A Datasheet (PDF)

..1. Size:112K motorola bd675 bd675a bd677 bd677a bd679 bd679a bd681 bd675 bd677 bd679 bd681.pdf

Order this documentMOTOROLAby BD675/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD675BD675APlastic Medium-PowerBD677Silicon NPN DarlingtonsBD677A. . . for use as output devices in complementary

..2. Size:39K fairchild semi bd675a bd677a bd679a bd681.pdf

BD675A/677A/679A/681Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectivelyTO-1261NPN Epitaxial Silicon Transistor1. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : BD675A 45 V : BD677A 60 V : B

..3. Size:117K inchange semiconductor bd675a bd677a bd679a bd681.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD675A/677A/679A/681 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD676A/678A/680A/682 DARLINGTON APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25

..4. Size:189K inchange semiconductor bd675a.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD675ADESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 45 V(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = 2 AFE CComplement to Type BD676AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementarygeneral-purpose amplifier ap

0.1. Size:77K onsemi bd675ag.pdf

BD675G, BD675AG,BD677G, BD677AG,BD679G, BD679AG, BD681GPlastic Medium-PowerSilicon NPN Darlingtonshttp://onsemi.comThis series of plastic, medium-power silicon NPN Darlingtontransistors can be used as output devices in complementary4.0 AMPERESgeneral-purpose amplifier applications.POWER TRANSISTORSFeaturesNPN SILICON High DC Current Gain60, 80, 100 VOLTS, 40 WATT

9.1. Size:77K onsemi bd675g.pdf

9.2. Size:88K comset bd675 bd677 bd679 bd681.pdf

NPN BD675/A — BD677/A — BD679/A — BD681/A SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORSThe BD675/A-BD677/A-BD679/A-BD681/A are NPN They are eptaxial-base transistors in monolithic Darlington circuit for audio and video applications. They are mounted in Jedec TO-126 plastic package. PNP complements are BD676/A-BD678/A-BD680/A-BD682/A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value UnitB

9.3. Size:176K cdil bd675 bd677 bd679 bd681 bd683.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS BD675, BD675ABD677, BD677ABD679, BD679ABD681, BD683TO126 Plastic PackageECBComplementary BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 & 684ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD675 677 679 681 683 UNITSBD675A 677A 679AVCBOCollector B

9.4. Size:118K inchange semiconductor bd675 bd677 bd679.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Darligton Power Transistors BD675/BD677/BD679 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD676/678/680 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use as output devices in complementary generalpurpose amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2

9.5. Size:188K inchange semiconductor bd675.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD675DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = 45 V(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = 1.5 AFE CComplement to Type BD676Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementarygeneral-purpose amplifier ap

Транзистор биполярный BD435

Arduino, модули, датчики
DC-DC преобразователи
Flash карты и адаптеры
Wi-Fi адаптеры и повторители
Аудио усилители
Батарейки, аккумуляторы
Бытовые удлинители, адаптеры и разветвители
Вентиляторы
Граверы и аксессуары
Дисплеи и индикаторы
Зарядные устройства
Измерительные приборы
Инструменты
Источники питания
Кабели и шнуры
Калькуляторы
Клеевые пистолеты
Коммутация
Компьютерные аксессуары
Компьютерные комплектующие
Материалы для пайки и монтажа
Наушники
Паяльное оборудование
Паяльные станции и фены
Пульты
Радиодетали
- Конденсаторы
- Резисторы
- Диодный мост
- Стабилизаторы напряжения и тока
- Датчики
- Транзисторы
  - Полевые транзисторы
  - Биполярные транзисторы
  - Транзисторы IGBT
- Микросхемы
- Катушка индуктивности
- Ионистор
- Реле
- Диоды
- Тиристоры и симисторы
- Оптопары
Разъемы
Светодиодное освещение
Радиоприемники
Текстолит и макетные платы
Трансформаторы
Фонари
Электрика
Электромоторы