Маркировка IRF3205
В маркировке данного транзистора первые две буквы (IR) означают первого производителя — International Rectifier. Сейчас этот транзистор выпускается многими компаниями, но именно с этой началась история этого компонента.
Помимо оригинальной версии, на данный момент существует еще и бессвинцовая версия, которая помечается постфиксом “Z” — (IRF3205Z), но раньше обозначение выглядело по-другому, а именно — “PbF”, что расшифровывается как Plumbum Free.
А также существуют версии в других корпусах: IRF3205ZL — TO262 (припаивание стока-радиатора к плате для охлаждения) и IRF3205ZS — D2Pak (для поверхностного монтажа).
TO262 и D2Pak, который иначе называется TO263, отличаются тем, что первый предназначен для монтажа в отверстия на плате, после чего загибается и припаивается радиатором к ней же. TO263, в свою очередь, не требует отверстий и обладает короткими выводами, что позволяет использовать его при поверхностном монтаже на небольших платах.
Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
Схемы с использованием TL431
Микросхема может использоваться во многих разных схемах блоков питания. Это могут быть как регулируемые блоки питания, так и зарядные устройства к аккумуляторам. Давайте разберем несколько базовых, типовых схем, которые можно модернизировать, и на базе которых можно создавать свои замыслы и творения.
Стабилизатор напряжения на TL431 (2.5-36В, 100mA)
Данная схема позволяет заменить обыкновенный стабилитрон. Вы можете менять выходное напряжение путем изменения сопротивления резисторов R1 и R2. Чтобы провести расчет сопротивления, рекомендуем прибегнуть к использованию формулы, указанной ниже:
Стабилизатор напряжения с увеличенным максимальным током (2.5-36В)
Максимальный выходной ток TL431 равен 100мА. Однако, если вашему проекту нужен больший показатель выходного тока, то советуем вам использовать транзистор: тогда максимальный ток будет зависеть от его характеристик. Формула для расчета сопротивлений резисторов остается такой же.
Подобные схемы часто используются с другими микросхемами.К сожалению, большинство из них просто не могут пропускать высокий ток, поэтому, чтобы решить такую проблему, в дело вступает управляющий транзистор. В таком случае максимальный ток ограничивается его свойствами. Главная задача здесь — правильный подбор транзистора под управляющее напряжение на его базе.
Лабораторный блок питания на TL431 с защитой
Данная схема представляет собой регулируемый блок питания, который способен выдавать до 30Вт. И помимо этого имеет встроенную защиту от перегрузки. В случае, если ток начнет превышать допустимое значение на транзисторе Т2, то на ЛБП произойдет прекращение подачи напряжения, о чем будет сигнализировать загоревшийся светодиод.
Не стоит забывать использовать охлаждение в виде радиатора, ведь компоненты во время пиковых нагрузок будут быстро нагреваться, и со временем при частых перегревах, выходить из строя.
Стабилизатор тока на TL431 (Светодиодный драйвер)
Чаще всего стабилизаторы тока используются для запитывания светодиодов и светодиодных лент. Схема тут элементарная — вам понадобятся всего лишь пара резисторов и один транзистор.
Индикатор напряжения
Схема может понадобиться, когда вам необходимо следить за тем, чтобы напряжение не выходило за верхние и нижние пределы. Эти пределы задаются сопротивлением резисторов, по формуле, указанной ниже.
Данную схему можно модернизировать путем добавления пищалок или других звуковых устройств. Таким образом точно не получится пропустить сигнал о неправильном напряжении.
Таймер задержки на TL431
Универсальная микросхема, на которой есть возможность реализовать даже схему таймера задержки. Все, что вам понадобится — это пара резисторов и конденсатор. Их номиналы необходимо рассчитать по формуле, чтобы получить требуемое время задержки (формула указана ниже).
Такая схема возможна благодаря очень низкому показателю входного тока (4мкА). Во время замыкания главного контакта, транзистор начинает производить зарядку. После достижения показателя в 2.5В он открывается, и ток при содействии оптопаровому светодиоду (оптрону) начинает течь, от чего на внешней цепи происходит замыкание.
Зарядное устройство для литиевых аккумуляторах на TL431 и LM317
Эта простейшая схема позволяет правильно заряжать литиевые аккумуляторы. В этой зарядке TL431 используется в качестве источника опорного напряжения, а LM317 в качестве источника тока. Устройство заряжает аккумуляторы методом CC CV, означает, как все знают, постоянный ток (Constant Current), постоянное напряжение (Constant Voltage).
Входное напряжение для этой схемы — 9-20В. Сначала аккумулятор заряжается постоянным током, который поддается изменению, меняя сопротивление резистора R5. После того, как аккумулятор достигнет напряжения около 4.2В, он начинает заряжаться постоянным напряжением.
Учтите, что очень важно перед использованием настроить устройство: без нагрузки необходимо подстроить переменный резистор RV1 так, чтобы на выходе напряжение было равно 4.2 Вольта.
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Описание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для импульсных источников питания и преобразователей.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя: Vceo = 800 В.
- Изолированный корпус.
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | 900 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 800 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | 7 | В |
| Ic | Ток коллектора постоянный/импульсный | — | — | — | 3,0/5,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 25 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 0,15 А | 15 | — | — | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 1,2 A, Ib = 0,24 А | — | — | 1,0 | В |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 1,0 | А |
| Tr/Tf | Время нарастания/спада | — | — | 0,5 | 0,7/0,5 | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Если что-либо не работает, стукните это хорошенько, если оно сломалось — ничего, все равно нужно было выбрасывать. Основные параметры биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5353 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn |
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 25000 | 900 | 800 | 7 | 3000 | +150 | 200000 | 15 |
Bosch pke611d17e варочная панель как подключить провода
Производитель: UTCСфера применения: Популярность: 3246Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC5353
| Общий вид транзистора 2SC5353. | Цоколевка транзистора 2SC5353. |
Обозначение контактов: Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер. Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.
Дата создания страницы: 2016-02-03 08:45:50.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.
Биполярный транзистор 2SC5353 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5353
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220NIS
2SC5353 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:
«>
Как проверить IRF3205
Это делается, как и с любым другим полевым транзистором с изолированным затвором. Для этого достаточно одного лишь мультиметра.
Перед тем, как проводить проверку рекомендую вам замкнуть все выводы пинцетом между собой, во избежания порчи элемента статическим электричеством (если такое имеется).
Проверка диода
На что нужно обратить внимание первым делом, так это на проверку диода внутри транзистора. Для этого включаем на мультиметре режим прозвонки и прикасаемся красным щупом к контакту истока, а черным к контакту стока
Мультиметр в этом случае должен показывать значение около 400-700. После этого меняем местами щупы — тогда мультиметр должен показывать 1, если мультиметр ограничен индикацией — 1999. Высококлассные мультиметры с ограничением в 4000 будут отображать 2800.
Проверка работы транзистора
Из-за того, что в нашем случае элемент оснащен n-каналом, то для его открытия необходимо на затвор, приложить положительный потенциал. Только в таком случае через транзистор начнет проходить ток.
Снова включаем режим прозвонки на мультиметре, отрицательным щупом прикасаемся к истоку, положительный же к стоку.
В случае исправного транзистора, линия исток-сток начнет проводить ток, другими словами транзистор откроется. Чтобы это проверить, нужно прозвонить исток-сток. В случае, если мультиметр показывает какое-либо значение, значит все работает.
После проверки открытия транзистора, необходимо проверить его закрытие. Для этого на затвор нужно приложить отрицательный потенциал. Для этого присоединим отрицательный щуп к затвору, а положительный к истоку.
Снова проверяем сток-исток и тогда все, что должен показать мультиметр — падение на встроенном диоде.
Если все вышеописанные условия выполняются, значит транзистор полностью исправен и его можно использовать в своих проектах.
Биполярный транзистор 2SC3950 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3950
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
2SC3950
Datasheet (PDF)
..1. Size:79K sanyo 2sc3950.pdf
Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC
8.1. Size:41K sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf
Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm
8.2. Size:41K sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf
Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.3. Size:39K sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf
Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2
8.4. Size:41K sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf
Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.5. Size:40K sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf
Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S
8.6. Size:40K sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf
Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20
8.7. Size:33K hitachi 2sc3957.pdf
2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current
Другие транзисторы… 2SC3944
, 2SC3944A
, 2SC3945
, 2SC3946
, 2SC3947
, 2SC3948
, 2SC3949
, 2SC395
, 2SC4793
, 2SC3951
, 2SC3952
, 2SC3953
, 2SC3953C
, 2SC3953D
, 2SC3954
, 2SC3955
, 2SC3956
.
Устройство IRF3205
Устройство и работа данного транзистора не имеет никаких отличий от устройств и работ других n-канальных МОП-транзисторов.
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
При подаче положительного напряжения между контактом затвора и истока между подложкой и контактом затвора образуется поперечное электрическое поле. Это поле притягивает отрицательно заряженные электроны к поверхностному слою диэлектрика. В результате такого заряда, в этом слое образуется некая область проводимости — так называемый “канал”.
Стоит заметить, что заряд накапливается, в своего рода, электрическом конденсаторе, состоящем из электрода затвора и подложки с диэлектриком. В этом конденсаторе обкладки — металлический вывод затвора и область подложки, а изоляторы — диэлектрики, состоящие из оксида кремния. Именно исходя из характеристик этого конденсатора и складывается параметр емкости затвора транзистора.
2SC3950 Datasheet (PDF)
..1. Size:79K sanyo 2sc3950.pdf
Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC
8.1. Size:41K sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf
Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm
8.2. Size:41K sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf
Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.3. Size:39K sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf
Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2
8.4. Size:41K sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf
Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.5. Size:40K sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf
Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S
8.6. Size:40K sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf
Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20
8.7. Size:33K hitachi 2sc3957.pdf
2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3 pf | 0.15 A | 130 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| STC945 | 0.5 W | 50 V | 40 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2PC945 | 0.5 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | SOT54, TO-92, SC43 |
| 2SC945-GR | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 200 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945-Y | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 120 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945L | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945LT1 | 0.23 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.2 pf | 0.15 A | 200 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945M | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 250 pf | 0.15 A | 90 | 3 MHz | SOT23 |
| 2SC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945P | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945T | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| BTC945A3 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 9 pf | 0.2 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| C945LT1 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 40 | 150 MHz | SOT23 | |
| C945T | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| CSC945 | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945K | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945P | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945Q | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945R | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| FPC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 175 °C | 5 pf | 0.1 A | 200 | 250 MHz | TO-92 | |
| FTC945B | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| HSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| KSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945G | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945L | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 350 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 90 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945B | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
Отечественные и импортные аналоги
Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 200 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ3102 | 45 | 0,1 | 0,25 | 250 | 300 |
| Импорт | |||||
| KSC945 | 50 | 0,15 | 0,25 | 40 | 300 |
| 2N2222 | 30 | 0,8 | 0,5 | 100 | 250 |
| 2N3904 | 40 | 0,2 | 0,31 | 40 | 300 |
| 2SC3198 | 50 | 0,15 | 0,4 | 20 | 130 |
| 2SC1815 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SC2002 | 60 | 0,3 | 0,3 | 90 | 70 |
| 2SC3114 | 50 | 0,15 | 0,4 | 55 | 100 |
| 2SC3331 | 50 | 0,2 | 0,5 | 100 | 200 |
| 2SC2960 | 50 | 0,15 | 0,25 | 100 | 100 |
Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945
Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.