2sc3503 pdf даташит

2SC3503 Datasheet PDF — Sanyo Semicon Device

Part Number	2SC3503
Description	High-Definition CRT Display/ Video Output
Manufacturers	Sanyo Semicon Device
Logo
There is a preview and 2SC3503 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 4 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! Ordering number:EN1426B PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1381/2SC3503 High-Definition CRT Display, Video Output Applications Features · High breakdown voltage : VCEO≥300V. · Small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristic : Cre=1.8 pF (NPN), 2.3pF (PNP), VCB=30V. · Adoption of MBIT process. Package Dimensions unit:mm 2009A [2SA1381/2SC3503] JEDEC : TO-126 Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-to-Base Voltage Collector Current Collector Current (Pulse) Collector Dissipation Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICP PC Junction Temperature Storage Temperature Tj Tstg Electrical Characteristics at Ta = 25˚C Tc=25˚C Conditions Parameter Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Symbol Conditions ICBO IEBO hFE fT Cob VCB=(–)200V, IE=0 VEB=(–)4V, IC=0 VCE=(–)10V, IC=(–)10mA VCE=(–)30V, IC=(–)10mA VCB=(–)30V, f=1MHz Reverse Transfer Capacitance Cre VCB=(–)30V, f=1MHz Collector-to-Emitter Saturation Voltage Base-to-Emitter Saturation Voltage Collector-to-Base Breakdown Voltage Collector-to-Emitter Breakdown Voltage Base-to-Emitter Breakdown Votage VCE(sat) VBE(sat) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO IC=(–)20mA, IB=(–)2mA IC=(–)20mA, IB=(–)2mA IC=(–)10µA, IE=0 IC=(–)1mA, RBE=∞ IE=(–)10µA, IC=0 * : The 2SA1381/2SC3503 are classified by 10mA hFE as follows : 40 C 80 60 D 120 100 E 200 160 F 320 B : Base C : Collector E : Emitter Ratings (–)300 (–)300 (–)5 (–)100 (–)200 1.2 7 150 –55 to +150 Unit V V V mA mA W W ˚C ˚C Ratings min typ 40* 150 2.6 (3.1) 1.8 (2.3) (–)300 (–)300 (–)5 max (–)0.1 (–)0.1 320* (–)0.6 (–)1.0 Unit µA µA MHz pF pF pF pF V V V V V SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 71598HA (KT)/3107KI/D134MW, TS No.1426-1/4

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SC3503 electronic component.

Information	Total 4 Pages
Link URL
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

• Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

• Напряжение эмиттер – база 5 V;

• Ток коллектора – 15 А;

• Ток коллектора максимальный – 30 А;

• Мощность рассеивания при 250С – 135 W;

• Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

2SC3503D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:158K  sanyo 2sa1381 2sc3503.pdf

Ordering number:EN1426BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1381/2SC3503High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage : VCEO 300V.unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent high2009Afrequency characteristic[2SA1381/2SC3503]: Cre=1.8 pF (NPN), 2.3pF (PNP), VCB=30V. Adoption of

 7.2. Size:153K  fairchild semi ksc3503 2sc3503.pdf

March 20082SC3503/KSC3503NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications Audio, Voltage Amplifier and Current Source CRT Display, Video Output General Purpose Amplifier Features High Voltage : VCEO= 300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30VTO-1261 Excellent Gain Linearity for low THD1. Emitter 2.Collector 3.Base High Frequency:

 7.3. Size:242K  onsemi 2sc3503 ksc3503.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

2SC5353 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:

«>

Недостатки транзистора c3503 d и их устранение

Для устранения этого недостатка рекомендуется применять радиаторы, которые помогут отводить излишнее тепло и обеспечат стабильную работу транзистора

Также стоит обратить внимание на качество монтажа и обязательно проверить правильность подключения контактов транзистора — неправильный монтаж также может привести к его неправильной работе и ухудшению характеристик

Другим недостатком транзистора c3503 d может быть его низкая мощность, что может ограничить его использование в некоторых приложениях, требующих большей мощности. Для устранения этого недостатка можно воспользоваться параллельным подключением нескольких транзисторов этой модели, что позволит увеличить мощность и обеспечить требуемые характеристики.

Также стоит обратить внимание на потери напряжения на переходах транзистора, что может привести к потерям энергии и неэффективной работе системы. Одним из способов устранения этого недостатка является использование транзистора с более низкими значениями потерь напряжения на переходах

Технические характеристики

Рассмотрим технические характеристики отечественной серии транзисторов КТ503. Превышения указанных ниже значений не допускается, так как кремниевая структура в результате перегрева разрушается, и устройство в конечном итоге выходит из строя. Все параметры представлены с учётом температуры перехода (Т_П) не более +25oC.

Абсолютные характеристики КТ503:

• максимальное напряжение К-Э (U_{КЭ0 max}) при заданном токе К (I_К до 0.15 А или I_{К имп}. до 0.35 А) и нулевом токе Б (I_Б = 0 А):
  • КТ503А(Б) до 40 В;
  • КТ503В(Г) до 60 В;
  • КТ503Д до 80 В;
  • КТ503Е до 100 В.
• напряжение Б-Э (U_{ЭБ0 max}) до 5 В (при IК max = 0 А);
• ток коллектора (I_К) до 0.15 А; импульсный (I_{К имп)} до 0.35 А;
• ток базы (I_Б) до 0.1 А;
• рассеиваемая мощность (P_K) до 0,35 Вт (с теплоотводом и без него);
• температура перехода (Т_П) до 398 К (до +125oC).

Маркировка

В советское время до 1986 г. маркировка на корпусе КТ503 была цветная. Белая точка (круг) на квадратной части корпуса КТ-26 указывала принадлежность транзистора к рассматриваемой серии. Группу (от А до Е), к которой устройство было отнесено при производстве, можно определить по цвету краски на торце упаковки.

С 1986 г. до 2000 г. на аналогичных устройства наносилась кодово-символьная маркировка, для типизации по прежнему использовался белы круг. Год, месяц и группа имели соответствующий код на корпусе. Расшифровка такого обозначения показана в таблице ниже.

Кроме вышеуказанных вариантов, после 2000 г., на корпус наносилась буквенно-цифровое обозначение. Однако, в связи со снижением производства такая маркировка встречаются крайне редко.

Комплиментарная пара

Комплементарной парой для КТ503 является серия КТ502, которая имеет p-n-p-структуру кристалла. В советское время оба транзистора широко использовались во входных каскадах усиления сигнала низкой частоты. Не удивительно, что маркировка и классификация по группам у них схожа.

Биполярный транзистор 2SC3503D — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC3503D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

2SC3503D
Datasheet (PDF)

 7.1. Size:158K  sanyo 2sa1381 2sc3503.pdf

Ordering number:EN1426BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1381/2SC3503High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage : VCEO 300V.unit:mm Small reverse transfer capacitance and excellent high2009Afrequency characteristic[2SA1381/2SC3503]: Cre=1.8 pF (NPN), 2.3pF (PNP), VCB=30V. Adoption of

 7.2. Size:153K  fairchild semi ksc3503 2sc3503.pdf

March 20082SC3503/KSC3503NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications Audio, Voltage Amplifier and Current Source CRT Display, Video Output General Purpose Amplifier Features High Voltage : VCEO= 300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30VTO-1261 Excellent Gain Linearity for low THD1. Emitter 2.Collector 3.Base High Frequency:

 7.3. Size:242K  onsemi 2sc3503 ksc3503.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы… 2SC3501
, 2SC3502
, 2SC3502C
, 2SC3502D
, 2SC3502E
, 2SC3502F
, 2SC3503
, 2SC3503C
, TIP42C
, 2SC3503E
, 2SC3503F
, 2SC3504
, 2SC3504D
, 2SC3504E
, 2SC3504F
, 2SC3505
, 2SC3507
.