Bcx54 pdf даташит

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

BC547B Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

Характеристики биполярного транзистора.

Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:

I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const

В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):

Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.

Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы

I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const

Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:

Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .

Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:

Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.

Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.

Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:

I_к = \beta I_б

Двигаемся дальше

На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.

В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.

Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.

И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.

Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:

Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

• принцип действия – биполярный;
• корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
• материал – кремний (Si);
• npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

• IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
• IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
• fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
• емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
• коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
• cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
• тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
• Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В

Ниже приведена классификация КТ3102

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Выбор p-канальных и n-канальных MOSFET

Невозможно создать p-канальный силовой MOSFET, который имел бы такие же электрические характеристики, как и n-канальный MOS-FET. Поскольку подвижность носителей заряда в n-канальном силовом MOSFET в 2,5–3 раза выше, то для обеспечения одного и того же сопротивления в открытом состоянии R_ds(on), размер кристалла p-канального MOSFET должен быть в 2,5–3 раза больше, по сравнению с n-канальным транзистором. Вследствие большей площади кристалла p-канальные MOSFET-транзисторы имеют меньшее тепловое сопротивление и более высокие значения допустимого тока. Но их динамические характеристики (емкость, заряд затвора и др.) зависят от размера кристалла.

На низких частотах переключений, при которых доминируют потери проводимости, p-канальный MOSFET должен иметь тот же уровень номинального тока I_D25, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый номинальный ток I_D25, нагрев их кристаллов будет практически одинаков при одинаковой температуре корпуса и одинаковом токе. В этом случае оптимальный размер кристалла p-канального MOSFET составит уже 1,5–1,8 от размера кристалла n-канального транзистора.

На высоких частотах переключения, где доминируют динамические потери, p-канальный MOSFET должен иметь ту же величину заряда затвора, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый заряд затвора и управляются одинаково, их динамические потери близки. В этом случае p-канальный MOSFET имеет тот же размер кристалла, что и n-канальный, но его номинальный ток I_D25 может быть меньше, чем у n-канального.

Для работы в линейном режиме необходимо соответствие p-канального и n-канального транзистора по FBSOA (области безопасной работы) в реальном режиме

Это часто означает соответствие по номинальной рассеиваемой мощности ID25, но, кроме того, нужно обращать внимание на физическую способность транзистора работать в линейном режиме

В реальных приложениях необходимо тщательно выбирать p-канальный MOSFET-тран-зистор по номинальному току I_D25 или заряду затвора Qg. Приложений, в которых требуется одинаковое сопротивление в открытом состоянии R_ds(on), не так много.

Что такое NPN транзистор?

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала. Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

• биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр.») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
• полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.