Схема дарлингтона

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Важность транзистора BC557 в электронике

Универсальность: BC557 используется в различных электронных цепях и приборах, включая усилители, импульсные источники питания, переключатели и стабилизаторы напряжения.

Низкое напряжение насыщения: Транзистор BC557 имеет низкое напряжение насыщения, что обеспечивает эффективную работу с низкими сигнальными уровнями и способствует снижению потребляемой энергии.

Высокая эффективность: BC557 обеспечивает высокую эффективность в электронных схемах благодаря своим параметрам и характеристикам.

Низкий уровень шума: Транзистор BC557 имеет низкий уровень шума, что важно для приемных устройств и аудиоусилителей.

Хорошая линейность: BC557 обладает хорошей линейностью, что позволяет использовать его в аналоговых схемах, требующих точного усиления сигнала.

Долговечность: BC557 имеет высокую надежность и долговечность, что делает его предпочтительным выбором для различных приложений.

Все эти характеристики делают транзистор BC557 важным элементом в электронной индустрии. Его широкое использование в различных устройствах и схемах свидетельствует о его значимости и незаменимости. Без участия транзистора BC557 многие электронные устройства и схемы не смогли бы работать с такой эффективностью и надежностью.

Что такое транзистор? Основные типы

Транзистором назван полупроводниковый радиоэлектронный компонент для преобразования тока в усилительном, когда большой выходной сигнал меняется пропорционально малому входному, или ключевом, когда транзистор полностью открыт или закрыт в зависимости от наличия входного сигнала, режимах. Применительно к технологии изготовления можно разделить на биполярные и полевые радиоэлементы. Биполярные компоненты бывают прямой (p-n-p) либо обратной (n-p-n) проводимости. Приборы полевые могут быть n-типа или p-типа, с изолированным или встроенным каналом.

Проверка исправности конкретного транзистора требует некоторых познаний в электронике. Достаточно просто прозвонить выводы транзистора как электрическую цепь, чтобы убедиться, что транзистор исправен. Щуп с черным проводом подключается на вход COM прибора. К входу измерения сопротивления подключен красный провод.

Возвращаемся к подделкам

Транзистор 2N3055 конструктивно в корпусе ТО- 3 при температуре окр. среды плюс двадцать пять градусов способен рассеивать мощность равную 115W (Total Dissipation). Но не в моем случае. Эксперименты показали, что поддельные транзисторы благополучно выходили из строя с характерным щелчком при превышении тока коллектора на 3,5 Ампер, напряжении 12 Вольт и мощностью 42 Ватта.

Решил вскрыть корпуса поддельных транзисторов:

На фотографиях видно отсутствие медной подложки под кристаллом транзистора, сам кристалл припаян к стальному корпусу ТО — 3, следовательно кристалл транзистора плохо будет передавать тепло из — за стального основания. Малое сечение токоведущего провода эмиттера не способно передать ток 15Ампер.

На форумах люди писали предположения, что именно из — за отсутствия медной подложки они выходят из строя. Решил проверить данные предположения, выпаял кристалл из корпуса ТО — 3 и припаял кристалл на корпус(медную подложку) ТО — 220, провел заново испытания с теми же условия, которые были ранее, транзистор отказался работать с током коллектора 3,5 Ампера и выходил из строя. Предположения людей — форумчан оказались не действительны. Скорее всего в поддельных транзисторах распаяны кристаллы от транзисторов TIP31 у которых, как раз максимальный ток коллектора равен 3 Амперам, а мощность 40 Ваттам.

Вот такой интересный эксперимент. Радиолюбители будьте внимательны и не попадайтесь на подделки.

Маркировка 78L05

Обозначения содержат минимальный объем информации о характеристиках устройства. Число 78 обозначает полярность со знаком «+», буква L — маленькую силу тока не более 0,1 А, цифры 05 — нагрузочное напряжение до 5 В. Символы, расположенные в конце, показывают уровень точности стабилизации, разброс температур, допустимых для работы, вид корпуса.

Сегодня производством полноценных копий 78L05 стали заниматься и другие фирмы. Например, с такими же обозначениями устройство изготавливается китайским производителем Wing Shing Computer Components (WS). Есть и другие:

Texas Instruments;
Fairchild (LM78L05);
STMicroelectronics (L78L05).

На российском рынке популярен второй вариант, о котором мы и поговорим.

Распиновка 78L05

Прежде всего, нужно знать вариант цоколевки по типу smd с 8 ножками. Но стандартная версия данной микросхемы с корпусом ТО-92 имеет лишь 3 вывода (вход, земля, выход). Число выводов — вполне нормальное, если учесть, что часть из них ни к чему не подключается или соединяется между собой электрическими проводами внутри упаковки из пластика.

Для лучшего понимания цоколевки взгляните на рисунок. Из него видно, что не у всех изготовителей она одинаковая.

Стабилизаторы от WS имеют зеркальную цоколевку, что не соответствует вариантам от других компаний. А вот китайские изготовители, наоборот, придерживаются стандартов WS. Всегда имейте в виду этот момент, поскольку из-за него система нередко выходит из строя.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

полевые;
биполярные;
комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.

Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.

Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Рис. 5. Полевые транзисторыРис. 6. Фото реального полевого триода

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор. Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора

Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Более детально о строении и принципе работы рассмотрим ниже.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Это интересно: Как подключить электроплиту к 220 Вольт — кратко и понятно

MJ2955 Datasheet (PDF)

..1. Size:179K motorola 2n3055 mj2955.pdf

Order this documentMOTOROLAby 2N3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3055 *Complementary Silicon Power PNPMJ2955*Transistors. . . designed for general purpose switching and amplif

..2. Size:90K st 2n3055 mj2955 2.pdf

2N3055MJ2955Complementary power transistorsFeatures Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose Audio Amplifier12DescriptionTO-3The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications.Figure 1. Internal schematic d

..3. Size:70K onsemi 2n3055 mj2955.pdf

2N3055(NPN), MJ2955(PNP)Preferred Device Complementary SiliconPower TransistorsComplementary silicon power transistors are designed forgeneral-purpose switching and amplifier applications.Featureshttp://onsemi.com DC Current Gain — hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc Collector-Emitter Saturation Voltage -15 AMPEREVCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 AdcPOWER TRANSISTORS Exc

..4. Size:330K cdil 2n3055 mj2955.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company2N3055 NPNSILICON PLANAR POWER TRANSISTORSMJ2955 PNPTO-3Metal Can PackageGeneral Purpose Switching and Amplifier ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL UNITSVALUECollector Base Voltage VCBO V100Collector Emitter Voltage VCEO V60Collector Emitter Voltage(RBE=100

..5. Size:206K inchange semiconductor mj2955.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors MJ2955DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = -4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.1V(Max)@ I = -4ACE(sat CComplement to Type 2N3055Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifier

0.1. Size:235K motorola 2n3055a mj2955a mj15015 mj15016.pdf

Order this documentMOTOROLAby 2N3055A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNComplementary Silicon2N3055AHigh-Power Transistors*MJ15015. . . PowerBase complementary transistors designed

0.2. Size:130K motorola mj2955-2n3055.pdf

Order this documentMOTOROLAby 2N3055/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPN2N3055 *Complementary Silicon Power PNPMJ2955*Transistors. . . designed for general purpose switching and amplif

0.3. Size:71K onsemi mj2955g.pdf

0.4. Size:193K mospec mj15015-16 2n3055a mj2955a.pdf

AAAA

0.5. Size:207K inchange semiconductor mj2955a.pdf

isc Silicon PNP Power Transistors MJ2955ADESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-: h =20-70@I = -4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= -1.1V(Max)@ I = -4ACE(sat CComplement to Type 2N3055AMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplif

Устройство лабораторного источника электричества на основе 78L05

Рассматриваемая конструкция оригинальна, так как в ней применяется нетипичная микросхема TDA2030, а вот источником электроэнергии здесь является стабилизатор 78L05. Так как максимум рабочего входного напряжения этого устройства равно 20 В, то, чтобы оно не сломалось, работа продолжается не без участия параметрического стабилизатора.

Для подключения устройства TDA2030 применяем неинвертирующий прибор. В итоге создаётся конкретный показатель усиления. В итоге, напряжение на выходе источника электроэнергии при переменах показателя резистора корректируется от 0 до 30 В. При необходимости смены наибольшего выходного вольтажа, для этого подбирают резистор соответствующего уровня.

Источник электропитания с не постоянным током

“Минусовая” связь в обратном направлении идет через нагрузочное сопротивление. У входа инверсии микросхемы (TDA2030) сосредоточено определенное число вольт. Под его воздействием сквозь дополнительный элемент проходит ток. Он не зависит от нагрузочного показателя резистора.

Получается, что, если скорректировать напряжение, которое поступило от устройства с изменяемым сопротивлением, при его постоянном значении нагрузочный ток может быть изменен в пределах 0,5 А. При помощи такой схемы легко заряжать любые разновидности батарей. На протяжение всей зарядки ее ток остается на одном уровне. Он не зависит от того, разряжен ли аккумулятор, и насколько стабильна электрическая сеть. Максимальный зарядный ток можно корректировать резистором, меняя его сопротивление.

Купить 78L05 и другие устройства типа 78Lxx можно в Китае на

Запрашиваемая страница не найдена!

Главная
Запрашиваемая страница не найдена!

Категории

УФ-ППЗУ (Eprom)
Flash, Eeprom, Firmware Hub
Serial Eeprom, Serial Flash
Static RAM
Микроконтроллеры Atmel
PIC-микроконтроллеры Microchip
Микроконтроллеры Winbond/Nuvoton
Микроконтроллеры NXP/Philips
Микроконтроллеры Texas Instruments
Микроконтроллеры ST Microelectronics
Устройства программирования микросхем (переходники, клипсы, УФ-приборы), прочие приборы, инструмент
Макетные платы, текстолит
Панели, разъёмы, переключатели, герконы, кабель
Микросхемы импортные для ремонта (TDA, AN, LA, STR и пр. )
Логика
Компоненты Analog Devices

Компоненты Maxim/Dallas

Компоненты FTDI

Компоненты International Rectifier

Светодиоды

Транзисторы

Диоды, мосты, стабилитроны

Тиристоры, симисторы

Оптоэлектроника

Кварцы, генераторы

AC/DC преобразователи

Магниты

Импортные выводные (=К50-35, К50-24) и SMD электролитические конденсаторы, ионисторы

Импортные выводные керамические конденсаторы (=К10-17Б, К15-5, КД-2)

Импортные выводные плен. полиэстер. конденсаторы (=К73-9)

Чип конденсаторы керамические

Чип танталовые конденсаторы

Резисторы подстроечные

Чип резисторы

Резисторы выводные МЛТ-0,25 (С1-4), МЛТ-1, МЛТ-2 (С2-33)

Звукоизлучатели

Реле

Аккумуляторы свинцово-кислотные герметизированные

Тюнеры

Прочее

Товары под заказ

Как проверить полевой транзистор

У полевых транзисторов выводы называются сток (С), исток (И) и затвор (З). Несмотря на то, что физика работы отличается от биполярного, при проверке на исправность также можно использовать диодный эквивалент схемы.

Схема проверки полевого транзистора p-типа аналогична испытанию с p-n-p. Перед проверкой необходимо соединить все выводы для разряда емкостей переходов. Сопротивление при подключении щупов к парам выводов «С, З» и «И, З» должно показываться только в одном из направлений. Подсоединяем черный щуп к выводу «С», а красный к вывод «И». Величину показанного сопротивления (400-700 Ом)нужно запомнить. После этого на секундочку соединяем красный провод с затвором, тем самым открывая переход. После этого замеряем сопротивление перехода. Его уменьшение говорит о том, что транзистор частично открылся. Теперь так же соединяем черный провод с выводом «З» и закрываем переход. Восстановление первоначального значения сопротивления перехода свидетельствует об исправности радиодетали. Отличие проверки полевика n-типа заключается только в перемене полярности подключения щупов прибора.

При тестировании полевых транзисторов с изолированным затвором проверяется отсутствие проводимости между затвором и истоком. Потом объединяем исток с затвором. Двухсторонняя проводимость появится у транзистора обедненного типа. У деталей обогащенного типа проводимость будет односторонняя.

Connecting 2N3055 Transistors in Parallel

Paralleling 2N3055 Transistors

Connecting two or more 2n3055 transistors in parallel is very easy; just join their collectors and the emitters together to produce a common terminal from the collector joint and a common terminal from the emitter joint. The base of each transistor must also be made common by joining, however each base terminal must incorporate the respective resistors (usually of identical calculated values) and the free terminal of the resistors must be joined to produce a common base connection point (refer the diagram).

Since the body of the device forms the collector, the respective connections must be acquired from the body fitting screws of the transistors.

2n3055 transistor Description

The 2n3055 transistor is a medium power transistor device and due to this reason, they had wide applications in power electronics.
The peak current gain on the 2n3055 transistor is 20 to 70hFE, and this is an important value at amplifier circuits.
The maximum collector current at 2n3055 transistor is 15A, which means the maximum load current allowed on this transistor, the current indicate it is a power transistor.
The peak base current of this transistor is 7A, the maximum allowable bias voltage on the trigger terminal.
The power dissipation on the transistor is 115W, this particular value indicates the power dissipation at this transistor device.
The transition frequency on this transistor is 2.5MHZ, it is an important factor in transistor switching applications.
The maximum junction temperature on the 2n3055 transistor is 200°C.

Аналоги

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Корпус
2N3055	117 W	100 V	70 V	7 V	15 A	200 °C	0,2 MHz	20	TO3
2N5630	200 W	120 V	120 V	7 V	20 A	200 °C	1 MHz	20	TO3
2N5671	140 W	120 V	90 V	7 V	30 A	200 °C	50 MHz	20	TO3
2N6678	175 W	650 V	400 V	8 V	15 A		3 MHz	от 8	TO3
2N6254	150 W	100 V	90 V	7 V	15 A	200 °C	0,8 MHz	20	TO3
2N6322	200 W	300 V	200 V		30 A	200 °C		40	TO3
2SC6011	160 W	200 V	200 V		15 A		20 MHz	50	TO3P
BDY58	175 W	160 V	125 V	10 V	25 A	200 °C	10 MHz	20	TO3
BDY77	150 W	150 V	120 V	7 V	16 A	200 °C	0,8 MHz	40	TO3
BD130	100 W	100 V	60 V		15 A		1 MHz	20…70	TO3
BUR52	350 W	350 V	250 V	10 V	60 A	200 °C	10 MHz	20	TO3
BUS13	175 W	850 V	400 V	9 V	15 A	200 °C		30	TO3
BUS14	250 W	850 V	400 V	9 V	30 A	200 °C		30	TO3
BUS52	350 W	350 V	200 V		40 A	200 °C		20	TO3
BUV12	150 W	300 V	250 V	7 V	20 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUV21	150 W	250 V	200 V	7 V	40 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUX10	150 W	160 V	125 V	7 V	25 A	200 °C	8 MHz	20	TO3
BUX48	175 W	800 V	400 V	7 V	15 A			от 8	TO3
BUX48A	175 W	1000 V	450 V	7 V	15 A	200 °C		30	TO3
BUX92	300 W	500 V	500 V		60 A	200 °C	5 MHz	30	TO3
MJ10005	175 W	500 V	400 V	8 V	20 A	200 °C		40	TO3
MJ10016	250 W	700 V	500 V	8 V	60 A	200 °C		25	TO3
MJ10022	250 W	450 V	350 V	8 V	40 A	200 °C		50	TO3
MJ10023	250 W	600 V	400 V	8 V	40 A	200 °C		50	TO3
MJ15026	250 W	200 V	250 V	7 V	16 A	200 °C	4 MHz	25	TO3
MJL21194	200 W		250 V		16 A		4 MHz	25	TO3PBL TO264
MJL21196	200 W		250 V		16 A		4 MHz	25	TO3PBL TO264
MJL3281A	200 W		260 V		15 A		30 MHz	75	TO3PBL TO264
MJL4281A	230 W		350 V		15 A		35 MHz	80	TO3PBL TO264
MJ15015	180 W	200 V	120 V	7 V	15 A		1 MHz	20…70	TO3
MJ15015G	180 W	200 V	120 V	7 V	15 A		1 MHz	20…70	TO3
MJ12022	175 W	850 V	450 V	6 V	15 A		15 MHz	от 5	TO3
NJW0302	150 W		250 V		15 A		30 MHz	75	TO3P
NJW1302	200 W		250 V		15 A		30 MHz	75	TO3P
NJW21194	200 W		250 V		15 A		4 MHz	20	TO3P
SK3260	150 W	160 V	140 V	7 V	30 A	200 °C	0,8 MHz	75	TO3
SM1258	250 W		400 V		50 A	200 °C	20 MHz	20	TO3

В качестве отечественного производителя могут подойти транзисторы 2Т808А, КТ819ГМ.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Биполярный транзистор

Биполярный транзистор обладает двумя переходами: p-n-p или n-p-n. Принципиальное различие между ними – направление течения тока.

Коллектор и эмиттер, обладающие одинаковой проводимостью (в n-p-n транзисторе n-проводимостью), разделены базой, которая обладает p-проводимостью. Если даже эмиттер подключен к источнику питания, ему не пробиться напрямую в коллектор. Для этого необходимо подать ток на базу.

В таком случае электроны из эмиттера заполняют «дырки» последней. Но так как база слабо легирована, то и дырок в ней мало. Поэтому большая часть электронов переходит в коллектор и они начинают свое движение по цепи. Ток коллектора практически равен току эмиттера, ведь на базу приходится очень маленькое его значение.

Чтобы нагляднее себе это представить, можно воспользоваться аналогией с водопроводной трубой. Для управления количеством воды нужен вентиль (транзистор). Если приложить к нему небольшое усилие, он увеличит свое проходное сечение трубы и через него начнет проходить больше воды.

Основные особенности транзистора Дарлингтона

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h21). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n. Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.

схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Хорошо зарекомендовал себя для работы в электронных схемах зажигания мощный n-p-n транзистор Дарлингтона BU931.

Основные электрические параметры:

Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;
Напряжение эмиттер – база 5 V;
Ток коллектора – 15 А;
Ток коллектора максимальный – 30 А;
Мощность рассеивания при 250С – 135 W;
Температура кристалла (перехода) – 1750С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n, а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p.

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Как устроена зарядка для разных видов электроники

Рассмотрим несложную и повсеместно применяемую конструкцию. От полученного устройства заряжаются все возможные батареи из лития, никеля, свинца, используемые в бесперебойных устройствах.

Когда аккумулятор заряжается, особое значение имеет сила тока зарядного устройства. В норме он равен приблизительно 1/10 аккумуляторной ёмкости. Постоянство этой величины, в свою очередь, обеспечивается стабилизатором 78L05.

Существует 4 варианта разброса тока зарядки, от 50 до 200 А. Они зависят от величины сопротивления.

При выходном напряжении стабилизатора, равном 5 В, чтобы получить ток 100 мА, нужно воспользоваться резистором с сопротивлением 100 Ом. И так — с каждым из значений.

Кроме того, в схеме есть индикатор, в основе которого лежат 2 транзистора и световой диод. Последний гасится, когда заканчивается заряд.

Как проверить устройство 78L05 с помощью мультиметра

Прежде чем воспользоваться устройством, необходима его проверка с помощью мультиметра. Для этого нужно сделать прозвон контактов, чтобы выяснить, нет ли короткого замыкания между ними. При его отсутствии проверка продолжается.

Входное напряжение должно быть не меньше 7 В, и не больше максимума. Для этого применяется обычная крона с напряжением 9 В. На выход подцепляется устройство дополнительной нагрузки, к примеру, резистор в 1 Ом.

Подавая питание, придерживайтесь полярности. Минусовая сторона подсоединяется к главному выводу, а со знаком “+” — к входу. Напряжение выхода отсоединяется от земли и составляет 5 В, согласно конструкции микросхемы.

Заключение

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы