Транзистор п216: характеристики и цоколевка

Технические характеристики транзистора П216

Основные технические характеристики транзистора П216 включают следующее:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
• Максимальный ток коллектора: 1 А
• Максимальная мощность потери: 1 Вт
• Максимальная рабочая частота: 200 МГц
• Коэффициент усиления в режиме активного сопротивления (h21E): не менее 50
• Температурный диапазон работы: от -55°C до +150°C

Транзистор П216 имеет 3 вывода для подключения: коллектор (C), база (B) и эмиттер (E). Корпус транзистора может быть выполнен в нескольких вариантах, таких как металл, пластмасса и керамика.

Важно учитывать, что эти характеристики могут варьироваться в зависимости от производителя и конкретной модели транзистора П216. Поэтому перед использованием необходимо ознакомиться с технической документацией производителя и проверить соответствие указанным характеристикам

Преимущества использования транзистора П216

• Высокая надежность. Транзистор П216 производится из высококачественных материалов, что обеспечивает его долговечность и стабильную работу на протяжении длительного времени.
• Широкий диапазон рабочих температур. Транзистор П216 способен работать в экстремальных условиях, в том числе при высоких и низких температурах.
• Низкое энергопотребление. Транзистор П216 экономичен в использовании, так как потребляет меньшее количество энергии по сравнению с аналогичными устройствами.
• Быстрый коммутационный процесс. Транзистор П216 обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в высокочастотных системах связи и стабильно передавать данные.
• Простота в установке и подключении. Транзистор П216 имеет стандартную цоколевку и легко вписывается в существующие электронные схемы без дополнительных модификаций.

Таким образом, использование транзистора П216 обеспечивает надежность, стабильность и эффективность работы электронных систем в различных областях применения.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

• принцип действия – биполярный;
• корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
• материал – кремний (Si);
• npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

• IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
• IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
• fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
• емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
• коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
• cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
• тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
• Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В

Ниже приведена классификация КТ3102

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Устройство и принцип действия

Транзистор — электронный полупроводник, состоящий из 3 электродов, одним из которых является управляющий. Транзистор биполярного типа отличается от полярного наличием 2 типов носителей заряда (отрицательного и положительного).

Отрицательные заряды представляют собой электроны, которые высвобождаются из внешней оболочки кристаллической решетки. Положительный тип заряда, или дырки, образуются на месте высвобожденного электрона.

Устройство биполярного транзистора (БТ) достаточно простое, несмотря на его универсальность. Он состоит из 3 слоев проводникового типа: эмиттера (Э), базы (Б) и коллектора (К).

Эмиттер (от латинского «выпускать») — тип полупроводникового перехода, основной функцией которого является инжекция зарядов в базу. Коллектор (от латинского «собиратель») служит для получения зарядов эмиттера. База является управляющим электродом.

Слои эмиттерный и коллекторный почти одинаковые, однако отличаются степенью добавления примесей для улучшения характеристик ПП. Добавление примесей называется легированием. Для коллекторного слоя (КС) легирование выражено слабо для повышения коллекторного напряжения (Uк). Эмиттерный полупроводниковый слой легируется сильно для того, чтобы повысить обратное допустимое U пробоя и улучшить инжекцию носителей в базовый слой (увеличивается коэффициент передачи по току — Kт). Слой базы легируется слабо для обеспечения большего сопротивления (R).

Переход между базой и эмиттером меньший по площади, чем К-Б. Благодаря разнице в площадях и происходит улучшение Кт. При работе ПП переход К-Б включается со смещением обратного типа для выделения основной доли количества теплоты Q, которое рассеивается и обеспечивает лучшее охлаждение кристалла.

Быстродействие БТ зависит от толщины базового слоя (БС). Эта зависимость является величиной, изменяющейся по обратно пропорциональному соотношению. При меньшей толщине — большее быстродействие. Эта зависимость связана с временем пролета носителей заряда. Однако при этом снижается Uк.

Между эмиттером и К протекает сильный ток, называемый током К (Iк). Между Э и Б протекает ток маленькой величины — ток Б (Iб), который используется для управления. При изменении Iб произойдет изменение Iк.

У транзистора два p-n перехода: Э-Б и К-Б. При активном режиме Э-Б подключается со смещением прямого типа, а подключение К-Б происходит с обратным смещением. Так как переход Э-Б находится в открытом состоянии, то отрицательные заряды (электроны) перетекают в Б. После этого происходит их частичная рекомбинация с дырками. Однако большая часть электронов достигает К-Б из-за малой легитивности и толщины Б.

В БС электроны являются неосновными носителями заряда, и электромагнитное поле помогает им преодолеть переход К-Б. При увеличении Iб произойдет расширение открытия Э-Б и между Э и К пробежит больше электронов. При этом произойдет существенное усиление сигнала низкой амплитуды, т. к. Iк больше, чем Iб.

Смотрите это видео на YouTube

Для того чтобы проще понять физический смысл работы транзистора биполярного типа, нужно ассоциировать его с наглядным примером. Нужно предположить, что насос для закачки воды является источником питания, водопроводный кран — транзистором, вода — Iк, степень поворота ручки крана — Iб. Для увеличения напора нужно немного повернуть кран — совершить управляющее действие. Исходя из примера можно сделать вывод о простом принципе работы ПП.

Однако при существенном увеличении U на переходе К-Б может произойти ударная ионизация, следствием которой является лавинное размножение заряда. При комбинации с тоннельным эффектом этот процесс дает электрический, а с увеличением времени и тепловой пробой, что выводит ПП из строя. Иногда тепловой пробой наступает без электрического в результате существенного увеличения тока через выход коллектора.

Кроме того, при изменении U на К-Б и Э-Б меняется толщина этих слоев, если Б тонкая, то происходит эффект смыкания (его еще называют проколом Б), при котором происходит соединение переходов К-Б и Э-Б. В результате этого явления ПП перестает выполнять свои функции.

Описание транзистора П216

Транзистор П216 относится к типу биполярных транзисторов и используется в различных электронных устройствах и схемах. Он обладает высокой надежностью и хорошими электрическими характеристиками, что делает его популярным выбором для различных приложений.

Транзистор П216 имеет трехслойную структуру, которая состоит из эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер является областью с высокой примесью, база – областью с малой примесью, а коллектор – областью средней примесью. Такая конструкция позволяет транзистору выполнять свою основную функцию – усиление сигнала.

Транзистор П216 имеет следующие основные характеристики:

• Максимальная рабочая температура: 150°C;
• Максимальное значение тока коллектора: 0.15 А;
• Максимальное значение напряжения коллектора: 30 В;
• Коэффициент усиления по току: не менее 60.

Цоколевка транзистора П216 имеет следующую структуру:

1. Эмиттер;
2. База;
3. Коллектор.

Транзистор П216 является распространенным элементом в электронике и широко используется в усилительных схемах, генераторах, источниках питания и других устройствах.

Транзистор П216: характеристики и цоколевка

Одной из главных характеристик транзистора П216 является его максимальное напряжение затвор-исток (U_gs), которое составляет 20 В. Оно определяет максимальное напряжение, которое можно подать на затвор транзистора без возникновения пробоя.

Транзистор П216 имеет также максимальную токовую нагрузку на сток (I_d), которая составляет 2 А. Это означает, что транзистор способен выдерживать ток до 2 А при подключении нагрузки к стоку.

Цоколевка транзистора П216 представляет собой корпус TO-92 и имеет три вывода: затвор (G), дренаж (D) и исток (S). Затвор подключается к источнику управляющего напряжения, а дренаж и исток служат для подключения нагрузки.

Важно отметить, что перед использованием транзистора П216 необходимо ознакомиться с его полной документацией и рекомендациями по применению