2sa1943 transistor

Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2SA1943

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2SA1943 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВт	Ucb max, В	Uce max, В	Ueb max, В	Ic max, мА	Tj max, °C	Ft max, Гц	Cc tip, пФ	Hfe
150000	-230	-230	-5	-15000	150	30000000	360	55/160

Производитель: TOSHIBAСфера применения: схемы питания, выходные каскады hi-fi audioДополнительные параметры транзистора 2SA1943:
Комплементарная пара — 2SC5200.Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Драйвер полевого транзистора

Если всё же требуется подключать нагрузку к n-канальному транзистору
между стоком и землёй, то решение есть. Можно использовать готовую
микросхему — драйвер верхнего плеча. Верхнего — потому что транзистор
сверху.

Выпускаются и драйверы сразу верхнего и нижнего плеч (например,
IR2151) для построения двухтактной схемы, но для простого включения
нагрузки это не требуется. Это нужно, если нагрузку нельзя оставлять
«висеть в воздухе», а требуется обязательно подтягивать к земле.

Рассмотрим схему драйвера верхнего плеча на примере IR2117.

Схема не сильно сложная, а использование драйвера позволяет наиболее
эффективно использовать транзистор.

Статические характеристики биполярного транзистора

Эти характеристики показывают графическую зависимость между токами и напряжениями транзистора и могут применяться для определения некоторых его параметров, необходимых для расчета транзисторных схем. Наибольшее применение получили статические входные и выходные характеристики.

Рис. 10 — Входные характеристики германиевого транзистора типа р-n-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)

Входные статические характеристики представляют собой вольтамперные характеристики эмиттерного электронно-дырочного перехода (ЭДП). Если транзистор включен по схеме с общей базой, то это будет зависимость тока эмиттера от напряжения на эмиттерном переходе (рис. 10, а). При отсутствии коллекторного напряжения ( = 0) входная характеристика представляет собой прямую ветвь вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП, подобную ВАХ диода. Если на коллектор подать некоторое напряжение, смещающее его в обратном направлении, то коллекторный ЭДП расширится и толщина базы вследствие этого уменьшится. В результате уменьшится и сопротивление базы эмиттерному току, что приведет к увеличению эмиттерного тока, то есть характеристика пройдет выше.

При включении транзистора по схеме с общим эмиттером входной характеристикой будет графическая зависимость тока базы от напряжения на эмиттерном переходе . Так как эмиттерный переход и при таком включении остается смещенным в прямом направлении, то входная характеристика будет также подобна прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного ЭДП (рис. 10, б).

Выходные статические характеристики биполярного транзистора — это вольтамперные характеристики коллекторного электронно-дырочного перехода, смещенного в обратном направлении. Их вид также зависит от способа включения транзистора и очень сильно от состояния, а точнее — режима работы, в котором находится эмиттерный ЭДП.

Если транзистор включен по схеме с общей базой (ОБ) и =0, то есть цепь эмиттера оборвана, то эмиттерный ЭДП не оказывает влияния на коллекторный переход. Так как на коллекторный ЭДП подано обратное напряжение, то выходная характеристика, представляющая собой зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и базой , будет подобна обратной ветви ВАХ диода (нижняя кривая на рис. 11, а). Если же на эмиттерный ЭДП подать прямое напряжение, то появится ток эмиттера , который создаст почти такой же коллекторный ток . Чем больше прямое напряжение на эмиттерном ЭДП, тем больше значения эмиттерного и коллекторного токов и тем выше располагается выходная характеристика.

Рис. 11 — Выходные характеристики германиевого транзистора типа р-п-р в схемах с ОБ (а) и ОЭ (б)

Сказанное справедливо и при включении биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). Разница состоит лишь в том, что в этом случае выходные характеристики снимают не при постоянных значениях тока эмиттера, а при постоянных значениях тока базы (рис. 11, б), и идут они более круто, чем выходные характеристики в схеме с ОБ.
При чрезмерном увеличении коллекторного напряжения происходит пробой коллекторного ЭДП, сопровождающийся резким увеличением коллекторного тока, разогревом транзистора и выходом его из строя. Для большинства транзисторов напряжение пробоя коллекторного перехода лежит в пределах от 20 до 30 В

Это важно знать при выборе транзистора для заданного напряжения источника питания или при определении необходимого напряжения источника питания для имеющихся транзисторов

Увеличение температуры вызывает возрастание токов транзистора и смещение его характеристик. Особенно сильно влияет температура на выходные характеристики в схеме ОЭ (рис. 12).

Рис. 12 — Зависимость выходных статических характеристик транзистора от температуры:
а — в схеме с ОБ, б — в схеме с ОЭ.

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Усилитель на транзисторах 2SA1943: все, что нужно знать

Принцип работы усилителя на транзисторах 2SA1943 основан на использовании двух транзисторов – NPN 2SA1943 и PNP 2SC5200. Эти транзисторы работают в комбинации, обеспечивая высокую мощность выходного сигнала и низкий уровень искажений.

Схема усилителя на транзисторах 2SA1943 состоит из нескольких основных блоков. Входной блок преобразует звуковой сигнал в электрический сигнал малой мощности. Затем сигнал поступает в усилительный блок, где происходит его усиление до требуемого уровня. Выходной блок передает усиленный сигнал на колонки или другие внешние устройства.

Усилитель на транзисторах 2SA1943 имеет несколько преимуществ. Во-первых, он обеспечивает высокую мощность и качество звука. Во-вторых, такой усилитель достаточно надежен и долговечен, благодаря использованию качественных компонентов. В-третьих, он обладает низким уровнем искажений и шумов, что позволяет получить чистый и четкий звук.

Усилитель на транзисторах 2SA1943 нашел применение во многих областях. В домашних аудио-системах он используется для создания качественного звучания в домашнем кинотеатре или стерео-системе. В автомобильных аудио-системах он обеспечивает мощный и глубокий звук. В профессиональных аудио-установках он применяется для усиления звука на концертах, в ночных клубах и других мероприятиях.

В заключение, усилитель на транзисторах 2SA1943 – это надежное и эффективное устройство, которое позволяет получить качественное звучание. Он имеет широкий спектр применения и является одним из основных компонентов аудио-систем. Благодаря своим характеристикам и возможностям, этот тип усилителей остается популярным среди многих меломанов и профессионалов аудио-индустрии.

Проверка NPN-транзисторов на практике

Итак, теория позади. Пришло время проверить, как это работает на практике. О транзисторах можно очень много и долго рассказывать, но мы обсудим только их основные принципы работы. Мы начнем со схемы, которая будет использовать транзистор в качестве ключа, управляющего освещением светодиода. Таким образом, контролируя ток базы, мы сможем включать и выключать диод, подключенный к транзистору.

Для сборки схемы потребуются следующие комплектующие:

• Транзистор BC546B,
• Резисторы 1 кОм и 10 кОм,
• Светодиод,
• Аккумулятор 9 В с проводами,
• Макетная плата,
• Мультиметр.

Схема подключения представлена ​​ниже

На точки, обозначенные как амперметры и вольтметры, можете пока не обращать внимание. Вам просто нужно собрать схему таким образом, чтобы можно было щупами мультиметра прикоснуться к этим четырем отмеченным местам. Схема с NPN транзистором

Схема с NPN транзистором

Описание выводов транзистора следует проверять в его документации. Вы также можете использовать наши схемы, вам просто нужно помнить, что всегда лучше проверять описание контактов в примечании к каталогу на наличие новых элементов (не всегда все контакты расположены в одном порядке):

Описание выводов транзистора BC546 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)

Эта схема может быть собрана на макетной плате, например, следующим образом:

Сборка схемы с транзистором

На практике это может выглядеть следующим образом. В результате этого подключения загорается светодиод, в этом нет ничего необычного, правда? Однако давайте проверим, что именно происходит в цепи.

После подключения АКБ загорается светодиод. Ток течет через базу (ограничивается резистором 10 кОм), что позволяет току протекать через коллектор последовательно с включенным диодом. Резистор (1 кОм) ограничивает ток, протекающий через этот диод, чтобы светодиод не сгорел. Если кабель от положительной шины питания к базе отсоединен, светодиод гаснет.

Если схема работает, на ней можно сделать несколько измерений. Сначала измеряем напряжения, показанные на диаграмме. Речь идет о напряжении между базой и эмиттером (так называемая база-эмиттер) и между коллектором и эмиттером (т.е. коллектор-эмиттер).

Измерение напряжения база-эмиттер	Измерение напряжения коллектор-эмиттер

Теперь пришло время для более интересного измерения, то есть измерения силы тока. Не забудьте переместить ручку мультиметра в правильное положение и проверить базовый ток (подключив мультиметр последовательно с резистором 10 кОм ), и ток коллектора (подключив мультиметр последовательно с резистором 1 кОм). Т.к. мы ожидаем небольших значений, значит устанавливаем диапазон 20 мА.

Измерение базового тока	Измерение тока коллектора

Стоит собрать результаты измерений в таблицу:

Интерпретация измерений: напряжение коллектор-эмиттер невелико, порядка нескольких десятков милливольт. Это означает, что транзистор вошел в состояние насыщения. Такое происходит, когда через коллектор протекает ток меньший, чем можно было бы судить по коэффициенту β . Давайте проверим, так ли это: согласно документации на этот транзистор, коэффициент находится в диапазоне от 200 до 450. Об этом свидетельствует буква B в конце маркировки, которая также есть на нашем транзисторе. Фрагмент документации:

Давайте проведем простой расчет: мы знаем ток базы, мы знаем коэффициент усиления по току. Так какой ток должен протекать через коллектор, чтобы он стал ненасыщенным? Преобразуем формулу β = I c / I B к следующему виду: I c = β * I B , затем подставляем в нее крайние значения коэффициента, т.е. 200 и 450. И вычисляем диапазон ожидаемого тока коллектора:

• минимум: I c1 = β * I B = 200 * 0,86 мА = 172 мА
• максимум: I c2 = β * I B = 450 * 0,86 мА = 387 мА

Между тем, через коллектор протекает всего 7 мА. Это потому, что он ограничен резистором 1 кОм. Если бы его не было, через коллектор мог бы протекать гораздо больший ток, но это привело бы к разрушению светодиода, транзистора и (возможно) к повреждению батареи.

Транзистор здесь работает как переключатель: включив базовый ток низкой интенсивности, мы можем включить поток более высокого тока через коллектор. В свою очередь, после отключения тока базы, почти сразу пропадает и коллекторный ток.

Когда ток течет через коллектор, транзистор считается открытым. Тогда напряжение на его основе примерно на 0,7 В выше, чем на эмиттере. В свою очередь, чтобы закрыть транзистор (то есть предотвратить протекание тока коллектора), напряжение база-эмиттер должно быть уменьшено (желательно до нуля).

2SA1943 specification

• 2SA1943 is a PNP epitaxial bipolar junction silicon power transistor device
• Collector to emitter voltage (V_CE) is -250V
• Collector to base voltage (V_CB) is -250V
• Emitter to base voltage (V_EB) is -5V
• Collector current is –17A
• Base current is -1.5A
• Power dissipation is 40W
• DC current gain is 55 to 160hFE
• Transition frequency (F_T) is 30MHz
• Junction temperature is between -50 to 150℃
• Collector to emitter saturation voltage (V_{CE (SAT)}) is -0.4 to -3.0V
• Output capacitance (C_o) is 360pF
• Thermal resistance, junction to the case is 83℃/W
• Power amplifier device
• High current capability
• High power dissipation
• High frequency
• High voltage
• Wide range of S.O.A for reliable operation
• Excellent gain
• LOW THD

МАЛОМОЩНЫЕ УСИЛИТЕЛИ

Долго решал какой усилитель использовать для маломощных акустических систем. Как дешевый вариант вначале решил использовать микросхемы TDA2030, потом подумал, что 18-ти ватт на канал маловато и перешел к TDA2050 — умощненный аналог на 32 ватта. Затем сравнив звучание основных вариантов выбор впал на любимую микросхему — LM1875, 24 ватта и качество звучания на 2-3 порядка лучше, чем у первых двух микросхем.

Долго копался в сети, но печатную плату под свои нужды так и не нашел. Сидя за компом несколько часов была создана своя версия для пятиканальноо усилителя на микросхемах LM1875, плата получилась довольно компактной, на плате также предусмотрен блок выпрямителей и фильтров. Этот блок был полностью собран за 2 часа — все компоненты к тому времени имелись в наличии.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы. У MJE13001A — от 10 до 15. У MJE13001B — от 15 до 20. У MJE13001C — от 20 до 25. У MJE13001D — от 25 до 30. У MJE13001E — от 30 до 35. У MJE13001F — от 35 до 40. У MJE13001G — от 40 до 45. У MJE13001H — от 45 до 50. У MJE13001I — от 50 до 55. У MJE13001J — от 55 до 60. У MJE13001K — от 60 до 65. У MJE13001L — от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока — 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Режим работы транзистора

Он имеет три режима работы согласно смещению, а именно:

• Активный режим
• Режим отключения
• Режим насыщенности

Режим отключения

• Транзистор работает как разомкнутая цепь.
• В отсечке два перехода имеют обратное смещение.
• Току не будет позволено протекать.

Насыщенный режим

• Транзистор выполнен по замкнутой схеме.
• Оба перехода настроены только на прямое смещение.
• Поскольку напряжение база-эмиттер сравнительно велико, ток проходит от коллектора к эмиттеру.

Активный режим

• В это время транзистор работает как схема усилителя тока.
• В активном режиме транзистора соединение BE имеет прямое смещение, а переход C -B – обратное смещение.
• Ток проходит между эмиттером и коллектором, и величина тока пропорциональна имеющейся приложенной базе.

2SA1943 Datasheet PDF — JILIN SINO

Part Number	2SA1943
Description	PNP Epitaxial Silicon Transistor
Manufacturers	JILIN SINO
Logo
There is a preview and 2SA1943 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total 8 Pages

Preview 1 page No Preview Available ! PNP 硅外延晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor R 2SA1943 SERIES 用途 应用于功率放大器 产品特性 高集电极电压：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) 与 2SC5200 互补 推荐用于 100W 音响频率放大器输出电路 环保（RoHS）产品 APPLICATIONS  Power Amplifier Applications FEATURES High collector voltage：VCEO=230V (min) VCEO=250V (min) Complementary to 2SC5200 Recommended for 100W audio frequency amplifier output RoHS product 封装 Package TO-3PL(T) TO-3PB 1 基极 BASE 3 发射极 EMITTER 2 集电极（热沉）COLLECTOR (HEAT SINK) 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 印记 Order codes Marking 2SA1943-O-AL-N-D 2SA1943-O-AL-N-B 2SA1943-O-AB -N-B 2SA1943A-O-AL-N-D 2SA1943A-O-AL-N-B 2SA1943A-O-AB -N-B 2SA1943B -O-AL-N-B 2SA1943B -O-AL-N-D 2SA1943B-O-AB -N-B 2SA1943C -O-AL-N-B 2SA1943C -O-AL-N-D 2SA1943C-O-AB -N-B 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 2SA1943 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 封装 Package TO-3PL(T) TO-3PL(T) TO-3PB TO-3PL(T) TO-3PL(T) TO-3PB TO-3PL(T) TO-3PL(T) TO-3PB TO-3PL(T) TO-3PL(T) TO-3PB 包装 Packaging 器件重量 Weight 泡沫盒 Foam Box 条管 Tube 条管 Tube 泡沫盒 Foam Box 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 泡沫盒 Foam Box 条管 Tube 条管 Tube 泡沫盒 Foam Box 条管 Tube 9.53g(typ) 9.53g(typ) 6.03g(typ) 9.53g(typ) 9.53g(typ) 6.03g(typ) 9.53g(typ) 9.53g(typ) 6.03g(typ) 9.53g(typ) 9.53g(typ) 6.03g(typ) 版本：201603A 18

R 2SA1943 SERIES 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (2SA1943B curves) Base-Emitter Voltage 2.5 Common emitter 1000 DC Current Gain 2.0 IC/IB = 5 Single pulse test 1.5 Tc=100℃ 100 1.0 Tc=25℃ Tc=25℃ 0.5 Tc=100℃ 0.0 0.1 1 10 Collector corrent IC (A) Saturation Voltage 0.8 0.7 Common emitter 0.6 IC/IB = 5 Single pulse test 0.5 0.4 Tc=100℃ 0.3 Tc=25℃ 0.2 0.1 0.0 0.1 1 10 Collector corrent IC (A) Common emitter VCE = 5 V Single pulse test 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 Collector corrent IC (A) 100 Power Derating Safe Operating Area 100 Infinite heat sink Case temperature TC（℃） TC=25℃ DC Operation Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C Curves must be derated linear with increase in temperature. 1ms 10ms 100ms Collector-emitter voltage VCE (V) 版本：201603A 58 Preview 5 Page

On this page, you can learn information such as the schematic, equivalent, pinout, replacement, circuit, and manual for 2SA1943 electronic component.

Information	Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. -250V, PNP Transistor — Fairchild
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

An electronic components distributor is a company that sources, stocks, and sells electronic components to manufacturers, engineers, and hobbyists.

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Newark	Chip One Stop

In Stock: 75197

United States

China

Canada

Japan

Russia

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belarus

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Ukraine

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Quantity

Quick RFQ

Characteristics curves of 2SA1943 PNP transistor

static characteristics of the 2SA1943

The figure shows static characteristics of the 2SA1943 PNP transistor, the graph plots with collector current vs collector to emitter voltage.

At different base current values, the 2SA1943 transistor produces a curved graph with collector current and collector-to-emitter voltage.

current gain characteristics of the 2SA1943

The figure shows the current gain characteristics of the 2SA1943 transistor, the graph plots with DC current gain vs collector current.

At different temperature values, the DC current gain increases from the highest point and becomes constant, and starts decreasing at the end.