Транзистор кт854б: характеристики и цоколевка

Как использовать транзистор КТ854Б

Транзистор КТ854Б представляет собой униполярный транзистор с n-канальным эффектом. Он обладает малыми габаритными размерами и высокой надежностью, что делает его идеальным для использования в различных электронных устройствах.

Для использования транзистора КТ854Б необходимо правильно подключить его к схеме. Вот шаги, которые нужно выполнить:

1. Определите нижнюю ножку транзистора КТ854Б. Она обозначена символом «D» или «Source» на корпусе транзистора.
2. Подключите нижнюю ножку к источнику электрического сигнала или заземлителю схемы.
3. Определите верхнюю ножку транзистора КТ854Б. Она обозначена символом «G» или «Gate».
4. Подключите верхнюю ножку к управляющему сигналу.
5. Определите центральную ножку транзистора КТ854Б. Она обозначена символом «S» или «Drain».
6. Подключите центральную ножку к потребителю электрического сигнала.

Не забывайте, что перед использованием транзистора КТ854Б важно ознакомиться с его техническими характеристиками и соблюдать все необходимые условия эксплуатации. Это позволит избежать возможных поломок или некорректной работы транзистора

Расчет параметров составного транзистора

Коэффициент передачи тока

Для первой схемы (Дарлингтона) [Коэффициент передачи тока

] = ([Коэффициент передачи тока первого транзистора ] + 1) * [Коэффициент передачи тока второго транзистора ]

Для второй схемы (Шиклаи) [Коэффициент передачи тока

] = [Коэффициент передачи тока первого транзистора ] * ([Коэффициент передачи тока второго транзистора ] + 1)

Напряжение насыщения база — эмиттер

Для первой схемы (Дарлингтона) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб ] + [Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы I1 ], где [I1 ] = [Iб ] * (1 + [Коэффициент передачи тока первого транзистора ]) — [Ток через резистор ]

Для второй схемы (Шиклаи) [Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы Iб

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер первого транзистора при токе базы Iб ]

Как видно из формул, напряжение насыщения база — эмиттер во второй схеме намного ниже. Это и есть главное преимущество второй схемы.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер

[Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора Iк

] = [Напряжение насыщения база — эмиттер второго транзистора при токе базы Iб ] + [Напряжение насыщения коллектор — эмиттер первого транзистора при токе коллектора I2 ], где [Iб ] = [Iк ] / [Коэффициент передачи тока второго транзистора ]

Для первой схемы (Дарлингтона), [I2

] = ([Iб ] + [Ток через резистор ]) / (1 + 1 / [Коэффициент передачи тока первого транзистора ])

Для второй схемы (Шиклаи), [I2

] = ([Iб ] + [Ток через резистор ])

Сразу бросается в глаза, что напряжение насыщения коллектор — эмиттер составного транзистора в разы больше напряжения насыщения обычных транзисторов. Действительно, чтобы второй транзистор открылся, нужно подать на его базу напряжение, большее напряжения насыщения база — эмиттер. А это напряжение обычно больше напряжения насыщения коллектор — эмиттер. Кроме того, напряжение подается через первый транзистор, на котором также падает часть напряжения. Вот и получается, что чтобы составной транзистор открылся, между его коллектором и эмиттером должно быть приложено значительное напряжение.

Принцип работы и особенности транзистора КТ854Б

Принцип работы транзистора КТ854Б основан на явлении инжекции носителей заряда в полупроводниковую структуру транзистора. Три области транзистора — эмиттер, коллектор и база — образуют два p-n-перехода. База является тонким проводящим слоем между эмиттером и коллектором.

Когда на базу подается напряжение, носители заряда (электроны или дырки) инжектируются из эмиттера в базу и дальше рекомбинируются в коллекторе. Это позволяет контролировать поток тока через транзистор, используя базовое напряжение.

Транзистор КТ854Б имеет следующие особенности:

1. Максимальная рабочая частота — до 0,6 ГГц, что позволяет использовать его в схемах с высокой частотой.
2. Максимальная мощность коллектора до 100 Вт, что делает его подходящим для работы с высокими мощностями.
3. Высокая надежность и долговечность, благодаря устойчивому к перегрузкам и высоким температурам корпусу.
4. Цоколевка транзистора включает в себя три вывода: эмиттер, коллектор и базу, что обеспечивает удобство подключения и интеграцию в схемы.

Транзистор КТ854Б применяется во многих электронных устройствах и схемах, где требуется усиление, коммутация или управление током. Его особенности делают его незаменимым элементом в многих областях электроники, включая радиоэлектронику, телевидение, промышленную автоматизацию и другие.

Где купить транзистор КТ854Б

Одним из таких магазинов является «Электроника», который специализируется на продаже электронных компонентов и имеет широкий ассортимент продукции. Транзистор КТ854Б представлен в их каталоге и доступен для покупки как оптом, так и в розницу.

Кроме того, КТ854Б можно приобрести на площадках электронной коммерции, таких как «Авито» или «Яндекс.Маркет». Здесь можно найти большой выбор продавцов, предлагающих транзисторы по конкурентным ценам.

При выборе магазина для покупки транзистора КТ854Б рекомендуется обратить внимание на репутацию продавца, наличие гарантии на товар, а также на отзывы других покупателей

Плюсы и минусы составного транзистора

Если говорить о плюсах этого замечательного устройства, то это, конечно же, очень высокий коэффициент усиления, который позволяет запускать транзистор даже с очень низким током на базе. Однако, есть и минусы, как и всегда. Казалось бы, что здесь может быть не так, а вот может. Дело в том, что быстродействием здесь и не пахнет, поэтому в основном транзистор Дарлингтона используется в низкочастотных схемах. Обычно их ставят на выходных каскадах схем, а также в блоках управления электродвигателями — там они действительно на своем месте. Также без них не обойтись и многим современным авто, ведь они являются важнейшей частью коммутатора электронных схем в системе зажигания.

Вот такую схему используют радиолюбители, когда делают составной транзистор своими руками (используя транзистор Дарлингтона вместе с электродвигателем):