Характеристики и цоколевка транзистора кт835а

Особенности Кт835а транзистора

Вот некоторые особенности Кт835а транзистора:

Особенность	Описание
Мощность	Транзистор Кт835а обладает высокой мощностью, что позволяет использовать его в схемах с большими токовыми нагрузками.
Надежность	Кт835а транзистор имеет высокий уровень стабильности и надежности работы в различных условиях эксплуатации.
Высокая скорость переключения	Транзистор обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих электронных схемах.
Широкий температурный диапазон	Кт835а транзистор работает в широком температурном диапазоне, что позволяет использовать его в различных климатических условиях.
Простая цоколевка	Цоколевка транзистора Кт835а удобна для монтажа и подключения к электрическим схемам, что облегчает использование устройства.

В результате всех этих особенностей, Кт835а транзистор является отличным выбором для различных приложений, включая усилители мощности, источники питания, инверторы, светодиодные источники света и другие устройства, требующие мощного и надежного устройства для управления токовыми нагрузками.

Подбор транзисторов в усилитель JLH

Выходные транзисторы

• Старые экземпляры, которые делались по меза-планарной технологии (2N3055), которую вытеснила эпитаксильно-паланарная современная (MJE3055) — очень музыкальные транзисторы.
• Несмотря на АЧХ, звук 2n3055 звонче и прозрачнее, но у 2sc3281 звук более приглушённый и ламповый, что ли. Видимо, сказывается распределение гармоник
• Самыми лучшими и стабильными в этом агрегате все-таки оказались MJ15024, MJ15003, 2N2773. Бэтта транзисторов выходного каскада при 4 Ом нагрузке должна быть не менее 120.
• Супер транзисторы — MJ15026, 15027 за 27 $ один, в Штатах 7 $.

Ну и моторолловский клон 2SC3281 — это MJL3281A, он по линейности Кус вообще рекордсмен. Практически прямая «полка», а спад беты начинается с 5-6 Ампер. По звуку лидируют MJL3281A (NPN) MJL1302A (PNP) как самые интегрально-линейные мощные биполярные транзисторы для ЗЧ.

Очень хороший результат дает параллельное включение на выходе 2-х 3-х транзисторов средней мощности 2sc5707, предварительно отобранных по бэтте (она у них очень высокая – до 560). Паяем по 2-3 транзистора на общую медную пластину, а потом ее крепим к радиатору через прокладку, паять лучше легкоплавким припоем пос-61.

В пластике (ТО-247) можно ставить MJE21193, 2CS5200, КТ8101 (в порядке ухудшения качества); В металле (ТО-3) можно MJ15003, MJ15024, 2N3055, КТ819ВМ, ГМ (в таком же порядке); Из наших — КТ908, КТ903, КТ808, КТ805, КТ803 (КТ908 на голову выше всех, из отечественных они самые лучшие).

Не применяйте MJL21294, эти транзисторы не для этого усилителя. Тем более при 4 Ом нагрузке. Вот в однотактном повторителе Игоря Семынина или усилителях с составными транзисторами на выходе им самое место. В усилителе по схеме JLH чем выше Кус выходных транзисторов и предвыходного — тем лучше. MJL-21194 сейчас лучшие для звука но не для Худа, в JLH можно применить MJ15003, но у них корпус неудобный, как и у 2N3055

Смотрел характеристики аппарата на таком комплекте транзисторов: Выходные высокочастотные 2sc5200 + драйверный каскад на вс550bp, входной транзистор bc109b. Искажения получились 0,02. 0,03 % при прекрасном меандре. При тех же условиях низкочастотные моторолы с невысокой бэтой дают искажения 0,08-0,1 % при сильно заваленном фронте меандра.

Схема с ВЧ транзисторами на выходе должна обязательно корректироваться от возбуждения установкой конденсаторов между базой и коллектором драйверного транзистора порядка 10-15 пФ и конденсатором емкостью 22-60 пФ параллельно резистору ООС R5 2,7 кОм. Если конденсатор ООС имеет номинал 470-680 мкФ, то делитель ООС 2,7 кОм/240 Ом лучше уменьшить до 1,2 кОм/120 Ом, что даст меньшие искажения и большую устойчивость.

Современные транзисторы проигрывают винтажным по качеству воспроизведения НЧ. Я считаю, что 2SA1943, 2SC5200 обеспечивают лучшее звучание, чем MJ15003, 15004 или MJ15024, 25.

MJL21194 сочетают в себе плюсы: плоский удобный для монтажа корпус и узкую полосу в 4-6,5 МГц. Правда они имеют два «минуса» — высокую стоимость и маленький коэффициент усиления. Мощные современные транзисторы с ft>30MHz ставить не рекомендуются — будет возбуд. Старые НЧ транзисторы лучше себя ведут, чем новодельные ВЧ. В этом смысле стоит попробовать наши Кт805-Кт819

У транзисторов серий: MJ, MJL, MJW – 21193, 21194, 21195, 21196… применена медная металлизация на поверхности кристалла для формирования вывода базы, что выравнивает температуру поверхности кристалла, улучшает распределение тока по площади кристалла и расширяет ОБР, особенно в области высоких напряжений.

Драйверный транзистор

Перепробовал множество транзисторов в драйвере, лучшие результаты показал 2sc2240, что закономерно т.к. у него 300-700 бэтта, при прекрасной линейности тока коллектора в диапазоне 1,0-50 мА и малая емкость 3 пФ, приклеиваем к нему медную пластинку получаем превосходный драйвер средней мощности = Ибуки

Если у вас выходные транзисторы с большой бэттой, то ток от драйверного транзистора нужен не очень большой 15-25 мА, так что не нужно туда ставить тупой конский транзистор. Из советских неплох кт602Б, но его нужно отбирать с бетой при токе 20-30 мА не менее 200.

Маломощный предвыходной транзистор показывает намного лучшие результаты по качеству меандра и искажениям чем BD139 и такие же «среднемощные» из-за более линейных характеристик при токах 10-30 мА, высокого h21э и малых межэлектродных емкостей. Особенно хорош прирост качества в классической схеме 1969 года.

Советская «силиконовая долина»

В советское время, в начале 60-х годов, город Зеленоград стал плацдармом для организации в нем Центра микроэлектроники. Советский инженер Щиголь Ф. А. разрабатывает транзистор 2Т312 и его аналог 2Т319, который в последующем стал главным компонентом гибридных цепей. Именно этот человек заложил основу для выпуска в СССР германиевых транзисторов.

В 1964 году на базе Научно-исследовательского института точных технологий создал первую интегральную микросхему IC-Path с 20 элементами на кристалле, выполняющую задачу совокупности транзисторов с резистивными соединениями. В это же время появилась другая технология: были запущены первые плоские транзисторы «Плоскость».

В 1966 году в Пульсарском научно-исследовательском институте начала действовать первая экспериментальная станция по производству плоских интегральных микросхем. В NIIME группа доктора Валиева начала производство линейных резисторов с логическими интегральными схемами.

В 1968 году Исследовательский институт Пульсар произвел первую часть тонкопленочных гибридных ИС с плоскими транзисторами с открытой рамой типов KD910, KD911, KT318, которые предназначены для связи, телевидения, радиовещания.

Линейные транзисторы с цифровыми ИС массового использования (типа 155) были разработаны в Научно-исследовательском институте МЭ. В 1969 году советский физик Алферов Ж. И. открыл миру теорию по управлению электронными и световыми потоками в гетероструктурах на базе арсенид-галлиевой системы.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока от 15 и выше.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 60 в, импульсное – 160 в – у КТ805А, КТ805АМ. 135 в – у КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А: У транзисторов КТ805А, КТ805АМ – не более 2,5 в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – 5 в.

Максимальный ток коллектора. – 5 А.

Обратный импульсный ток коллектора при сопротивлении база-эмиттер 10Ом и температуре окружающей среды от +25 до +100 по Цельсию, у транзисторов КТ805А, КТ805АМ – – не более 60 мА, при напряжении колектор-эмиттер 160в. У транзисторов КТ805Б, КТ805БМ – – не более 70 мА, при напряжении колектор-эмиттер 135в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 100 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора(с теплоотводом). – 30 Вт.

Граничная частота передачи тока – 20 МГц.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина – черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла – источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста – он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости – КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент – намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 – 0,25 мм на диэлектрическое основание, например – пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен – может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН). К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу – это даст возможность наблюдать «стример» – коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы – стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 – 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 – 2000 мФ на 50 в. Транзистор обязательно устанавливается на радиатор – чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно – выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению. Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина – 22см), а первичной – 6см (длина – 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения – 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего – от 100 до 250 мА. Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

Структура транзистора КТ835Г

Транзистор КТ835Г относится к типу полевых транзисторов, который состоит из трех слоев полупроводникового материала: эмиттера (Е), базы (B) и коллектора (С). Слои образуют p-n-переходы, что определяет его принцип работы и особенности.

Эмиттер является самым тонким слоем и выполнен из сильно легированного типа N. Он служит для инжекции электронов в базу и является источником основных носителей заряда в транзисторе.

База выполнена из слабо легированного типа P, поэтому она обладает высоким сопротивлением электрическому току. База позволяет контролировать ток в эмиттере, именно это свойство делает транзистор управляемым устройством.

Коллектор – самый широкий слой и выполнен из сильно легированного типа N. Он служит для сбора основных носителей заряда и отвода их от транзистора.

КТ835Г имеет три вывода – эмиттер, базу и коллектор. На выводах транзистора находятся металлические контакты, по которым подключаются внешние элементы схемы.

Устройство и принцип действия

Рис.2: Планарный биполярный n-p-n транзистор в поперечном разрезе

Самые первые модели биполярных транзисторов выполнялись с применением металлического германия (полупроводниковый материал). На данный момент для этих целей используется монокристаллический кремний и монокристаллический арсенид галлия.

Рис.3: Монокристаллы кремния и арсенида галлия

Наиболее быстродействующими устройствами являются те, в которых задействован арсенид галлия. По этой причине их наиболее часто применяют как элементы сверхбыстродействующих логических схем и схем сверхвысокочастотных усилителей.

Как уже говорилось выше, структура биполярного транзистора складывается из эмиттерного, базового и коллекторного слоёв с различным уровнем легированности, и каждый слой соединён со своим электродом, представленный омическим (невыпрямляющим) контактом.

Слаболегированный базовый слой транзистора отличается большим уровнем омического сопротивления.

При соотнесении контактов эмиттер-база и коллектор-база можно отметить, что первый уступает по размерам второму.

Подобная конструкция обусловлена следующими моментами:

• Большой коллекторно-базовый переход позволяет увеличить количество передаваемых от базы к коллектору неосновных носителей заряда (ННЗ);
• На момент активной работы К-Б-переход функционирует в условиях обратного смещения, что вызывает сильное тепловыделение в зоне коллекторного перехода, поэтому, чтобы улучшить его теплоотводность приходится увеличивать площадь.

Таким образом «идеальный» симметричный биполярный транзистор фигурирует только в теоретических выкладках, а перенос теорию на практическую базу демонстрирует, что наибольшим КПД обладают именно те модели, которые не обладают симметрией.

В режиме активного усиления в транзисторе происходит прямое смещение Э-перехода (он становится открытым), и обратное смещение К-перехода (он становится закрытым). В противоположной ситуации, при закрытии Э-перехода и открытии К-перехода происходит инверсное включение биполярного транзистора.

Если подробнее рассматривать процесс функционирования транзисторов n-p-n типа, то в первую очередь наблюдается переход основных НЗ (носителей заряда) из эмиттерного слоя по Э-Б-переходу в базовый слой. Часть НЗ, представленных электронами взаимодействует с дырками базы, что приводит к нейтрализации обоих зарядов и сопутствующему выделению энергии. Тем не менее, базовый слой достаточно тонок и легирован достаточно слабо, это увеличивает общее время процесса взаимодействия, поэтому гораздо большее количество эмиттерных НЗ успевает проникнуть в коллекторный слой. Кроме того, сказывается действие силы электрического поля, образуемого смещённым коллекторным переходом. Благодаря этой силе значительно увеличивается количество перетягиваемых из базового слоя электронов.

В  результате, значение коллекторного тока практически равняется эмиттерному за вычетом потерь в базовом слое, которыми и исчисляется ток самой базы. Для вычисления значения коллекторного тока используется формула:

Iк = αIэ,

где Iк – коллекторный ток, Iэ – эмиттеный ток, α– коэффициент передачи тока эмиттера.

Спектр значений коэффициента α варьируется от 0,9 до 0,99. Большие значения позволяют производить более эффективную трансляцию тока транзистором. Величина α при этом не определяется тем, какое напряжение демонстрируют К-Б и Б-Э переходы. Как результат, в условиях множества вариантов рабочего напряжения сохраняется пропорциональное соотношение между Iк и Iб. Для нахождения коэффициента данной пропорциональности применяется формула:

β = α/(1 − α).

Значения β  могут находиться в диапазоне 10-100. Отсюда можно сделать вывод о том, что для регуляции работы большого коллекторного тока, вполне можно обходиться током малой силы на базе.

↑ Техническое задание

Как всегда, считаю, что любительская конструкция, как правило, должна быть простой, дешевой, технологичной, состоять из недефицитных деталей. Кроме того, я давно пришел к выводу, что для подобных целей лучше делать небольшие простые платы без блока питания, без цифрового индикатора, без сложного корпуса. Достаточно предусмотреть зажимы для подключения внешнего лабораторного регулируемого блока питания, индикатора в виде простого цифрового тестера или стрелочного прибора, при необходимости — осциллографа и т. п. Такие приборы быстро делаются и переделываются, а главное — они работают и приносят пользу. Если же задумать многофункциональный самодостаточный прибор в отдельном красивом корпусе, он обычно так и останется в прожектах. Кроме того, если прибор сделан, вдруг оказывается, что надо добавить еще одну функцию, например, капацитовизор, а места на передней панели уже нет и дизигн надо портить… Поэтому я считаю, что неказистые любительские узкофункциональные изделия имеют право на жизнь.

Итак, задумана проверка кремниевых транзисторов в режиме — ток 200 мА, напряжение К-Э = 2 В. Оперативно можно изменять ток в диапазоне примерно 150…300 мА, напряжение К-Э до 5…7 В. Можно проверять (чуть изменив настройки) составные транзисторы с двумя последовательными P-N переходами.

Тумблером можно изменить ток, например, в 10 раз. Это позволит проверять и маломощные транзисторы при токе 15…30 мА (заменой одного резистора можно установить любой разумный ток). Важным считаю удобство подключения любых транзисторов. Для транзисторов КТ814-819 на плате стоят панельки, для мощных транзисторов в корпусах типа ТО-247, ТО-3Р, есть зажимы. В них устанавливают провода с «крокодилами», которые позволяют подключать транзисторы в корпусе ТО-3, любые транзисторы с гнутыми паяными выводами и т. д.

Изменение напряжения К-Э осуществляется внешним источником питания, цель – проверка идентичности режимов при большем напряжении и значительном нагреве транзисторов. При 5 В и 200 мА получаем предельную мощность для КТ814 без теплоотвода — 1 Вт. Для бОльших корпусов без теплоотводов тепловая мощность обычно = 2 Вт.

Легко заметить, что усиление транзистора зависит в некоторых пределах как от напряжения, так и от температуры, поэтому определение абсолютного значения усиления транзистора с помощью микропроцессора с точностью до седьмого знака, не имеет смысла. По этой причине выбрано простейшее схемное решение, которое дает достаточную для практики точность и позволяет обойтись без ОУ, МК и нескольких источников питания. Для измерения тока базы годится любой цифровой тестер, например, М-832.

Проверка работоспособности КТ315

Иногда КТ315 может быть нерабочим из-за пробитого или закороченного перехода, поэтому перед использованием стоит проверить его np-переходы мультиметром. Отрицательный щуп прикрепляется к базе, а положительный — на выбор (коллектор или эмиттер). Если диоды исправны, то их значения должны быть не близки нулю, а также отсутствие пищания мультиметра.

Проверка работоспособности КТ361

Поскольку эти транзисторы часто применяются вместе, то исправность КТ361 тоже нужно узнать

Очень важно запомнить, что КТ361 противоположен 315, из-за чего работа должна совершаться наоборот. Здесь отрицательный щуп прикрепляется к коллектору (или эмиттеру), а положительный — к базе

Показатели должны быть не близки к нулю, мультиметр не должен сигнализировать (как и в предыдущем разделе).

Кт835а транзистор: особенности и применение

• Максимальная коллектор-эмиттерная обратная напряжение (Uкэо): 25 В
• Максимальный коллекторный ток (Iкмакс): 0.1 А
• Коэффициент усиления по току (hfe): 60-300

Кт835а транзистор имеет применение в различных электронных схемах, включая усилители мощности, схемы переключения и регулировки напряжения. Благодаря своим небольшим габаритам и низкому энергопотреблению, он широко используется в портативных электронных устройствах, таких как радиоприемники, телевизоры и аудиоплееры.

Этот транзистор обладает высокой надежностью и долговечностью, что делает его предпочтительным выбором для различных проектов. Он также доступен и по доступной цене, что делает его популярным среди разработчиков и любителей электроники.

Важно отметить, что перед использованием Кт835а транзистора в своих проектах, необходимо ознакомиться с его полной технической документацией и учесть его ограничения и рекомендации по использованию

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Основные параметры

Транзисторы серии КТ837 подразделяют на 19 типов (от А до Х). У всей линейки одинаковая заявленной рассеиваемая мощность 30 Вт (при использовании теплоотвода) и ток коллектора 7,5 А (у белорусского до 10 А). По остальным параметрам они отличаются между собой, в основном величиной максимального напряжению между выводами и коэффициентом усиления по току (разброс по h_21Э  от 10 до 150).

Ниже представлены все возможные типы транзистора КТ837 и их основные технические характеристики. Значения указаны для температуры окружающей среды не более +25 oС.

Как видно из представленной таблицы параметров, данные устройства не могут похвастаться способностью работать при высоких температурах, характерных для большинства современных аналогов. Так, максимальный нагрев корпуса (Т_К) у них не должен превышать  +100 oС, а перехода (Т_П) +125oС. Граничная частота коэффициента передачи тока (F гр.) иногда больше 1 МГц, в новых партиях может достигать 5 МГц.

Коэффициент h_21Э

К сожалению, разброс значений коэффициента усиления по току h_21Э (он же H_FE в зарубежной литературе) у серии КТ837 очень высокий — это один из главных её минусов. При этом, данный параметр может плавать в разных партиях как в большую, так и в меньшую сторону. Например, у некоторых транзисторов h_21Э по даташит составляет 150_,  а при замерах в реальной жизни — в два, а то и в три раза хуже заявленного и не превышать 50.

Чтобы избежать сюрпризов в работе уже купленного транзистора, необходимо предварительно проверять соответствие значения h21Э с данными из даташит. Это можно сделать обычным мультиметром. Также заранее необходимо определится с его ролью в проекте. Устройства с буквами «В», «E»,  «Н» в конце маркировки, лучше подходят для усиления — они имеют h21Э от 50 до 150 и большой запас по возможному напряжению между выводами коллектор-эммттер

Для коммутационных схем лучше обратить внимание на устройства с меньшим h21Э  и напряжением насыщения

Наиболее универсальными в линейке являются транзисторы КТ837Ф. Как видно из таблицы параметров, они обладают довольно низким напряжением насыщения (U_КЭ.нас. до 0,5 В), небольшим для этого током базы (I_КБO до 0,15 мА)  и высоким  h_21Э (от 50 до 150). Они хорошо подходят как для усиливающих, так и для переключений схем.

Меры безопасности

Для стабильной работы любого полупроводникового устройства необходимо правильно рассчитать его обвязку и добиться соблюдения режимов эксплуатации. Производители обычно рекомендуют отнимать от заявленных в даташит значений параметров 20-30%. Чтобы транзистор меньше грелся дополнительно предусматривают установку его на радиатор.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для рассматриваемого устройства является серия с NPN-структурой КТ805. Её долгие годы производили «без пары» и поэтому не указывали данной информации в технических справочниках. Позже для него начали производить комплементарник — КТ837 PNP-структуры. Очень часто эта парочка встречалась в выходных каскадах УНЧ. В советские годы их применяли в активной акустике вроде «Радиотехник S70», блоках УНЧ-50-8 усилителей «Радиотехника У7101 СТЕРЕО», «Радиотехника У101 СТЕРЕО».

Аналоги

Для транзистора КТ837 довольно сложно найти аналог. В большинстве случаев, при поиске ему альтернативы можно найти рекомендации по замене на уже снятые с производства транзисторы. Поэтому многие радиолюбители предпочитают не заморачиваться и меняют на оригинальный. В российских магазинах радиотоваров найти его не сложно. Тем не менее, для некоторых транзисторов этой серии можно рассмотреть следующие варианты замены:

• КТ837А, КТ837Г – BD244A, TIP42C;
• КТ837Б — BD302, KT818Б;
• КТ837В — КТ835Б, 2SB834;
• КТ837Д — 2N6111;
• КТ837C — 2N6108, 2N6109, BD225;
• КТ837Е — BD277;
• КТ837К — TIP127, КТ8115А;
• КТ837Н — 2N6107, BD223;
• КТ837Ф — 2N6106, BD224;
• КТ837Х — NTE197.

Применение транзистора Кт 835 в электронике и электротехнике

Основные параметры транзистора Кт 835:

1. Максимальный коллекторный ток (Ic) — до 10 А;

2. Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (Uce) — до 120 В;

3. Максимальная мощность потерь (Pd) — 25 Вт;

4. Коэффициент усиления тока по току базы (hfe) — от 40 до 160;

Транзистор Кт 835 используется в электронике и электротехнике в различных схемах и устройствах:

1. В схемах усиления — транзистор Кт 835 может использоваться для усиления электрических сигналов в усилительных цепях различных устройств, таких как радиоприемники, музыкальные усилители и т.д. Благодаря его высокому коэффициенту усиления тока по току базы, он обеспечивает эффективное усиление сигнала в этих устройствах.

2. В блокировочных цепях — транзистор Кт 835 может использоваться в схемах блокировки напряжения или тока. Он позволяет контролировать подводимое к нагрузке напряжение или ток, благодаря своему высокому коллекторному току и коллектор-эмиттерному напряжению. Такие схемы широко применяются в источниках питания, стабилизаторах напряжения и других устройствах.

3. В коммутационных схемах — транзистор Кт 835 может использоваться в схемах коммутации, где требуется высокая мощность и скорость коммутации. Он обладает большим коллекторным током и высоким коллектор-эмиттерным напряжением, что позволяет ему работать с высокими нагрузками и обеспечивать быструю коммутацию сигнала.

4. В переключателях и усилителях мощности — транзистор Кт 835 может быть использован в схемах переключателей и усилителей мощности. Благодаря его высокому коллекторному току и коллектор-эмиттерному напряжению, он способен усиливать и переключать мощные сигналы, что позволяет использовать его в звуковых усилителях, источниках высокого напряжения и других устройствах мощности.

Транзистор Кт 835 является универсальным и многоцелевым устройством, которое находит применение в многих областях электроники и электротехники. Его высокие характеристики и параметры позволяют использовать его в различных схемах и устройствах, что делает его незаменимым компонентом для создания электронных систем и устройств.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности

Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h21е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

• максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R_БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
• предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ОС) – до 250 В.
• наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
• предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
• наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
• максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
• рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
• вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.