Виды применения
Транзистор B601 y широко применяется в различных устройствах электроники, благодаря своим уникальным характеристикам:
- Усилительный устройства: Транзистор B601 y используется в усилительных схемах различных аудио- и видеоустройств, обеспечивая усиление сигнала в необходимом диапазоне частот. Это позволяет улучшить качество звука или изображения.
- Переключающие устройства: Транзистор B601 y также может использоваться в различных переключающих устройствах, где необходимо быстрое и точное переключение сигнала.
- Источник питания: Благодаря высокой энергетической эффективности и низкому сопротивлению, транзистор B601 y может применяться в источниках питания, обеспечивая эффективную передачу энергии.
- Аналоговые и цифровые схемы: Транзистор B601 y подходит для использования в аналоговых и цифровых схемах, обеспечивая стабильную работу и высокую точность передачи сигнала.
Важно отметить, что транзистор B601 y имеет низкое потребление энергии и высокую надежность, что делает его предпочтительным выбором для многих электронных устройств
Биполярный транзистор: внешний вид, составные элементы, конструкция корпуса — кратко
Сразу стоит определиться, что биполярный транзистор (bipolar transistor) создан для работы в цепях постоянного тока, где и используется. Сократим его название до БТ.
На фотографии ниже показал насколько разнообразные формы он имеет. А ведь этот небольшой ассортимент мной высыпан из одной маленькой коробочки.
Транзисторный корпус может быть изготовлен из пластмассы или металла в виде параллелепипеда, цилиндра, таблетки различной величины. Общими элементами являются три контактных штыря, созданные для подключения к электрической схеме.
Эти выводы необходимо различать в технической документации, правильно подключать при монтаже. Поэтому их назвали:
- Э (E) — эмиттер;
- К (C) — коллектор;
- Б (B) — база.
Буквы в скобках используются в международной документации.
Основной метод соединения БТ в электрических схемах — пайка, хотя допускаются и другие.
Габариты корпуса и контактных выводов зависят от мощности, которую способен коммутировать этот модуль. Чем выше проектная нагрузка, тем большие размеры вынуждены создавать производители для обеспечения надежной работы и отвода опасного тепла.
Общеизвестно, что полупроводниковые переходы не способны выдерживать высокий нагрев — они банально перегорают. Поэтому все мощные корпуса выполняются из металла и снабжаются теплоотводящими радиаторами.
В особо ответственных узлах для них дополнительно создается принудительный обдув струями воздуха. Этим приемом значительно повышается надежность работы системных блоков компьютеров, ноутбуков, сложной электронной техники.
Любой БТ состоит из трех полупроводниковых переходов p и n типа, как обычный диод. Только у диода их меньше: всего два. Он способен пропускать ток всего в одну сторону, а в противоположную — блокирует.
Bipolar transistor создается по одной из двух схем соединения полупроводниковых элементов:
- p-n-p, называемую прямым включением;
- n-p-n — обратным.
При обозначении на схемах их рисуют одинаково, но с небольшими отличиями вывода эмиттера:
- прямое направление: стрелка нацелена на базу;
- обратное — стрелка показывается выходом из базы наружу элемента.
Указатель стрелки эмиттера показывает положительное направление тока через полупроводниковый переход.
Особенности транзистора B601 y
- Транзистор B601 y имеет высокие характеристики усиления, что позволяет использовать его во многих усилительных схемах.
- Этот транзистор обладает низким уровнем шума, что делает его идеальным для применения в высокочувствительных устройствах, таких как радиоприемники.
- Он имеет малое сопротивление включения, что позволяет ему эффективно работать при низком уровне входного сигнала.
- Транзистор B601 y обеспечивает хорошую стабильность параметров в широком диапазоне рабочих условий, что повышает надежность работы устройств.
- Он обладает высокой теплопроводностью, что позволяет транзистору эффективно отводить излишки тепла и предотвращать перегрев.
В целом, транзистор B601 y является функциональным и надежным элементом электроники, широко применяемым в различных устройствах для усиления слабых сигналов и обеспечения их стабильности и низкого уровня шума.
Транзистор
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стремительно начали вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают ведущее положение в схемотехнике.
Начинающему, а порой и опытному радиолюбителю-конструктору, не сразу удаётся найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея же под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами гораздо легче строить «здание» того или другого устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одна из первых проблем, возникающих перед разработчиком, — увеличение мощности транзистора. Её можно решить параллельным включением транзисторов (рис.1). Токовыравнивающие резисторы в цепях эмиттеров способствуют равномерному распределению нагрузки.
Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для уменьшения шума при усилении слабых. Уровень шумов уменьшается пропорционально корню квадратному из количества параллельно включённых транзисторов.
Защита от перегрузки по току наиболее просто решается введением дополнительного транзистора (рис.2). Недостаток такого самозащитного транзистора — снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант усовершенствования показан на рис.3. Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R, а значит, и рассеиваемую на нём мощность.
Составной транзистор (рис. 4) имеет повышенное выходное сопротивление и значительно уменьшенный эффект Миллера благодаря каскодному включению полевого и биполярного транзисторов.
За счёт полной развязки второго транзистора от входа и питанию стока первого транзистора напряжением, пропорциональным входному, составной транзистор, изображённый на рис.5, имеет ещё более высокие динамические характеристики.
Единственное условие реализации такого транзистора — более высокое напряжение отсечки второго транзистора. Входной транзистор можно заменить на биполярный.
Одна из особенностей транзисторного ключа при изменяющейся нагрузке — изменение времени выключения транзистора. Чем больше насыщение транзистора при минимальной нагрузке, тем больше время выключения. Избежать глубокого насыщения можно путём предотвращения прямого смещения перехода база-коллектор. Наиболее простая реализация этой идеи с помощью диода Шоттки представлена на рис.6. На рис.7 изображён более сложный вариант — схема Бейкера.
https://youtube.com/watch?v=D60LaX9Fza0
Уникальные особенности транзистора B601 y
Транзистор B601 y имеет ряд уникальных особенностей, которые делают его привлекательным для применения в различных электронных устройствах.
Высокое быстродействие. Транзистор B601 y обладает высокой скоростью переключения, что позволяет использовать его в быстродействующих устройствах. Благодаря этому он может эффективно работать в системах с высокой частотой.
Низкое сопротивление. Один из главных плюсов транзистора B601 y заключается в его низком внутреннем сопротивлении. Это позволяет снизить потери энергии и повысить эффективность работы устройства, в котором он используется.
Широкий диапазон рабочих температур. Транзистор B601 y может безопасно работать в широком диапазоне температур от -55 до +150 градусов Цельсия. Это позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации и повышает надежность работы устройств.
Высокая степень надежности. Благодаря высокому качеству материалов и строгому контролю производства, транзистор B601 y обладает высокой степенью надежности и долговечности. Он способен прекрасно работать в течение длительного времени без существенного снижения своих характеристик.
Малые габариты. Транзистор B601 y имеет компактные размеры, что делает его удобным для применения в малогабаритных устройствах. Это особенно актуально в случае, когда требуется высокая функциональность при ограниченных размерах.
Все эти особенности делают транзистор B601 y непременным элементом в проектировании и разработке современной электроники.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).
Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).
Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.
Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.
Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
Режимы работы транзистора B601 y
Транзистор B601 y может работать в нескольких режимах в зависимости от поданных на него параметров и условий использования. Ниже представлены основные режимы работы данного транзистора:
| Режим | Описание |
|---|---|
| Активный режим | В активном режиме транзистор B601 y устройства работает как усилитель сигнала. Он обладает высоким коэффициентом усиления и может усилить входной сигнал. |
| Насыщенный режим | В насыщенном режиме транзистор B601 y пропускает все возможные токи, обеспечивая наибольший коэффициент усиления. Он находится в метастабильном состоянии и используется для создания стабильного усиления сигнала. |
| Вырожденный режим | В вырожденном режиме транзистор B601 y не усиливает сигнал и пропускает его без изменений. Он находится в метастабильном рабочем режиме. |
Выбор режима работы транзистора B601 y зависит от требуемых характеристик устройства и целей его использования.
Характеристики транзистора B601 y
Один из основных параметров транзистора B601 y — это его типоразмер. Благодаря своим компактным размерам, данный транзистор широко используется в различных электронных устройствах.
Транзистор B601 y относится к полупроводниковым устройствам, что позволяет ему эффективно выполнять функции усиления и коммутации электрических сигналов. Он способен работать в широком диапазоне температур и обладает высокой надежностью, что делает его применимым в различных условиях эксплуатации.
Одним из важных параметров транзистора B601 y является его максимально допустимая мощность. Этот параметр определяет, какая мощность может быть подана на транзистор без риска его повреждения. Значение максимально допустимой мощности влияет на выбор схемы и режима работы устройства, в котором будет использоваться данный транзистор.
Также стоит обратить внимание на коэффициент усиления по току (hFE) транзистора B601 y. Данный параметр характеризует, во сколько раз транзистор усиливает входной ток
Большое значение коэффициента усиления позволяет использовать транзистор в устройствах с низким уровнем входного сигнала.
Другим важным параметром является рабочая частота транзистора B601 y. Она определяет, в каком диапазоне частот транзистор способен работать эффективно. Выбор транзистора с определенной рабочей частотой важен при проектировании различных устройств связи и измерения сигналов.
Благодаря своим характеристикам, транзистор B601 y находит применение в множестве электронных устройств, включая усилители звука, генераторы сигналов, блоки питания и другие. Его надежность, универсальность и компактность делают его отличным выбором при проектировании различных электронных схем.
Технические характеристики
Основные технические характеристики B601 транзистора включают:
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное коллекторное напряжение (VCEO) | 60 В |
| Максимальная коллекторная мощность (PC) | 1 Вт |
| Максимальная коллекторный ток (IC) | 0.5 А |
| Ток базы (IB) | 0.3 А |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | 40-250 |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |
Этот транзистор обладает высокой надежностью и широким диапазоном температурной стабильности, что позволяет использовать его в различных условиях эксплуатации. Б601 транзистор применяется в усилительных схемах, цепях постоянного тока, а также в различных электронных устройствах, требующих небольшой мощности и низкого уровня шума.
Структура и принцип работы
Транзистор B601 y представляет собой p-n-p структуру, состоящую из трех слоев полупроводникового материала: эмиттера, базы и коллектора. Каждый слой имеет свою определенную зонированную область, в которой преобладает определенный тип носителей заряда (электроны или дырки).
Принцип работы транзистора B601 y основан на управлении током проходящего через него тока с помощью изменения тока в базе. При подаче небольшого управляющего тока в базу, транзистор усиливает этот ток и пропускает более сильный ток через коллектор-эмиттерную цепь. Это позволяет использовать транзистор в качестве усилителя сигнала или ключевого элемента в электронных схемах.
В самом простом случае, транзистор B601 y имеет три вывода: эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Ток базы может контролировать ток коллектора, и это свойство позволяет использовать транзисторы для различных целей, включая усиление сигнала, создание логических элементов и перемещение энергии в электронных схемах.
| Вывод транзистора | Описание |
|---|---|
| Эмиттер (E) | Обычно подключается к источнику заряда (например, земле) и отвечает за эмитирование носителей заряда (электронов или дырок) в базу. |
| База (B) | Подача небольшого управляющего тока в базу позволяет контролировать ток коллектора и, следовательно, управлять работой транзистора. |
| Коллектор (C) | Принимает основной ток, контролируемый током в базе. Отвечает за сбор носителей заряда, эмитированных из базы и эмиттера. |
Структура транзистора B601 y обеспечивает эффективность и контролируемость работы, что делает его важным элементом в современной электронике. Благодаря своим характеристикам, он находит широкое применение в различных устройствах и системах, от микроэлектроники до высокопотужных усилителей.
Планарные MOSFETS транзисторы
D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)
|
30 В |
30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak |
|
|
40 В |
40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak |
|
|
55 В |
55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak |
|
|
75 В |
75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak |
|
|
100 В |
100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak |
D2PAK (доступны в корпусах TO-262)
|
30 В |
30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
40 В |
40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak |
||
|
55 В |
55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak |
|
|
55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak |
||
|
75 В |
75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak |
|
|
100 В |
100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak |
|
|
100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak |
TO-220 и TO-247
|
30 В |
30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB |
|
|
40 В |
40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB |
|
|
40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB |
||
|
55 В |
55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB |
|
|
55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC |
||
|
75 В |
75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC |
|
|
100 В |
100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB |
|
|
100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC |
Транзисторные пары в усилительных каскадах
Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют «комплементарные», или «согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.
Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.
Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.
Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.
Биполярный транзистор 2SC1162 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC1162
Datasheet (PDF)
..1. Size:29K hitachi 2sc1162.pdf
2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current
..2. Size:392K secos 2sc1162.pdf
2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG
..3. Size:267K jiangsu 2sc1162.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package
..4. Size:172K jmnic 2sc1162.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base
..5. Size:180K lge 2sc1162.pdf
2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100
..6. Size:214K inchange semiconductor 2sc1162.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a
8.1. Size:63K toshiba 2sc1169.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.2. Size:49K no 2sc1166.pdf
8.3. Size:181K inchange semiconductor 2sc1161.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1161DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency high voltage power amplifierTV vertical deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
8.4. Size:182K inchange semiconductor 2sc1163.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1163DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 0.1ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl
Другие транзисторы… 2SC1156
, 2SC1157
, 2SC1158
, 2SC1159
, 2SC116
, 2SC1160
, 2SC1161
, 2SC1161A
, 2N3904
, 2SC1162B
, 2SC1162C
, 2SC1162D
, 2SC1162WT
, 2SC1163
, 2SC1164
, 2SC1165
, 2SC1166
.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся
Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
| Код | Сопротивление |
| 101 | 100 Ом |
| 471 | 470 Ом |
| 102 | 1 кОм |
| 122 | 1.2 кОм |
| 103 | 10 кОм |
| 123 | 12 кОм |
| 104 | 100 кОм |
| 124 | 120 кОм |
| 474 | 470 кОм |
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные
SOT-23
|
-20 В |
P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23 |
|
|
P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23 |
||
|
-30 В |
P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23 |
|
|
P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23 |
PQFN 2×2 мм, 3×3 мм
|
-20 В |
P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2 |
|
|
-30 В |
||
|
P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33 |
||
|
P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2 |
SO-8 и TSOP-6
|
-30 В |
IRFTS9342TRPBF |
P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6 |
|
P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8 |
||
|
P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8 |
PQFN 5×6мм
|
-30 В |
P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6 |