Габариты транзистора КТ361 и КТ361-1
Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1), а также пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ361 и КТ361-1 приведены на рисунке 1.
Самая простая схема подключения светодиода
Самый простой вариант — подключить прибор к источнику со стабильным низким напряжением — батарее, аккумулятору, блоку питания с низкой мощностью. Желательно, чтобы напряжение находилось в пределах от 5 до 24 Вольт. Это безопасное подключение, а чтобы его осуществить, нужно лишь одно дополнительное устройство — резистор с низкой мощностью. Он необходим для ограничения тока, который проходит по p-n переходу на уровне, не превышающем максимальное допустимое значение. Поэтому установка резистора и излучающего диода — последовательная.
Подключая светодиод к источнику стабильного напряжения, необходимо всегда придерживаться полярности.
При исключения из схемы резистора, ток внутри цепи ограничится лишь небольшим сопротивлением источника. В итоге, изучающий кристалл моментально выйдет из строя.
IRFP32N50K Datasheet (PDF)
1.1. irfp32n50k irfp32n50kpbf.pdf Size:175K _upd-mosfet
IRFP32N50K, SiHFP32N50K
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.135
RoHS*
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qg (Max.) (nC) 190 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 59
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 84
and Current
Con
1.2. irfp32n50k.pdf Size:94K _international_rectifier
PD — 94099A
IRFP32N50K
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Applications
Switch Mode Power Supply (SMPS)
VDSS RDS(on)typ. ID
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching 500V 0.135Ω 32A
Hard Switched and High Frequency
Circuits
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterize
1.3. irfp32n50kpbf.pdf Size:202K _international_rectifier
PD — 95052
IRFP32N50KPbF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
AppIications
l Switch Mode Power Supply (SMPS)
VDSS RDS(on)typ. ID
l Uninterruptible Power Supply
l High Speed Power Switching
500V 0.135Ω 32A
l Hard Switched and High Frequency
Circuits
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggednes
1.4. irfp32n50ks.pdf Size:115K _international_rectifier
PD — 94360
IRFP32N50KS
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
Applications
Switch Mode Power Supply (SMPS)
VDSS RDS(on)typ. ID
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching 500V 0.135Ω 32A
Hard Switched and High Frequency
Circuits
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterize
1.5. irfp32n50k sihfp32n50k.pdf Size:170K _vishay
IRFP32N50K, SiHFP32N50K
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 500
Available
Requirement
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.135
RoHS*
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qg (Max.) (nC) 190 COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 59
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 84
and Current
Configuration
1.6. irfp32n50k.pdf Size:260K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP32N50K
·FEATURES
·With TO-247 packaging
·With low gate drive requirements
·Easy to drive
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source
2N3906 Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
12 декабря 2017 – 0 комментариев
2N3906 Конфигурация контактов
|
Номер контакта |
Название контакта |
Описание |
|
1 |
Излучатель |
Утечка тока через эмиттер |
|
2 |
Базовый |
Управляет смещением транзистора |
|
3 |
Коллектор |
Ток протекает через коллектор |
Характеристики
- Биполярный PNP-транзистор
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) не более 300
- Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 200 мА
- Базовое напряжение эмиттера (VBE) равно 5 В
- Базовый ток (IB) не более 5 мА
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 40 В
- Базовое напряжение коллектора (VCB) составляет 40 В
- Доступен в пакете To-92
Примечание.
Полные технические характеристики можно найти в техническом паспорте 2N3906, приведенном в конце этой страницы.
2N3906 Эквивалентные транзисторы
2N4403, MPSA13, MPSA92, MPSA55, ZTX555
Альтернатива для 2N3906
BC157, BC558, 2SA1943, BD140, S8550, TIP127, TIP42
Краткое описание 2N3906
2N3906 представляет собой транзистор PNP , следовательно, коллектор и эмиттер будет закрыт (смещен в прямом направлении), когда базовый штифт удерживается на земле, и будет разомкнут (смещен в обратном направлении), когда на базовый штырь подается сигнал. В этом отличие PNP-транзистора от NPN-транзистора: логическое состояние (синий цвет) используется для переключения между заземлением и сигнальным напряжением (эмиттер-база VBE), как показано ниже.0003
2N3906 имеет коэффициент усиления от 110 до 300, это значение определяет мощность усиления транзистора.
Когда этот транзистор полностью смещен, он может пропускать через коллектор и эмиттер максимум 200 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое между коллектором-эмиттером (VCE) или базой-эмиттером (VBE), может составлять 40 и 5 В соответственно. Когда ток базы удаляется, транзистор полностью закрывается, этот этап называется областью отсечки, а напряжение базы-эмиттера может составлять около 5 В.
Где использовать 2N3906
2N3906 — широко используемый PNP-транзистор. Он очень похож на транзистор bc557, за исключением того, что он имеет высокое напряжение между коллектором и эмиттером, и, следовательно, можно переключать высоковольтные нагрузки.
Итак, если вы ищете PNP-транзистор , способный переключать высоковольтные нагрузки в пределах 0,2 А, то этот транзистор 2N3906 может оказаться для вас правильным выбором.
Как использовать 2N3906
Транзистор 2N3906 обычно используется в качестве переключающего устройства. При использовании в качестве переключателя он может работать в области насыщения и области отсечки. В транзисторе PNP по умолчанию он находится во включенном состоянии, но нельзя сказать, что он полностью включен, пока базовый вывод не будет заземлен. Если мы обеспечим заземление на базовый контакт, то транзистор будет смещен в обратном направлении и, как говорят, включен. Если питание подается на базовый контакт, он прекращает проводить ток между эмиттером и коллектором и считается выключенным. Для защиты транзистора последовательно с ним добавлено сопротивление.
RB = VBE / IB
Где значение VBE для этого транзистора будет 5В. Максимальное значение обеспечения базового тока составляет 200 мА. Таким образом, из этого вы можете найти значение сопротивления, которое будет добавлено последовательно с ним. В приведенной ниже схеме напряжение базового эмиттера (VBE) равно 0 В (заземлено), поэтому транзистор PNP проводит, и двигатель вращается. Если установлено высокое значение (5 В), двигатель остановит вращение
Обратите внимание, что для PNP-транзисторов нагрузки должны быть подключены со стороны коллектора, как показано ниже. Также обратите внимание, что ток нагрузки должен быть менее 200 мА (здесь 140 мА)
Применение
- Используется для переключения высоковольтных слаботочных нагрузок
- Оптимально для нагрузок с высоким пиковым напряжением до 40 В
- Используется в различных приложениях переключения.
- Используется в схемах инверторов и преобразователей
- Используется для изготовления сирены или двойной светодиодной или ламповой мигалки.
- Можно использовать в парах Дарлингтона.
2D-модель и размеры
2D-размеры помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на плате или печатной плате.
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
FQP32N12V2 Datasheet (PDF)
1.1. fqp32n12v2 fqpf32n12v2.pdf Size:856K _fairchild_semi
QFET
FQP32N12V2/FQPF32N12V2
120V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 32 A, 120V, RDS(on) = 0.05Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 41 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 70 pF)
This advanced technology has been especially tailor
4.1. fqp32n20c fqpf32n20c.pdf Size:1208K _fairchild_semi
QFET
FQP32N20C/FQPF32N20C
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 28A, 200V, RDS(on) = 0.082Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 82.5 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 185 pF)
This advanced technology has been especially tailo
Полезные страницы
- Набор GyverKIT – большой стартовый набор Arduino моей разработки, продаётся в России
- Каталог ссылок на дешёвые Ардуины, датчики, модули и прочие железки с AliExpress у проверенных продавцов
- Подборка библиотек для Arduino, самых интересных и полезных, официальных и не очень
- Полная документация по языку Ардуино, все встроенные функции и макросы, все доступные типы данных
- Сборник полезных алгоритмов для написания скетчей: структура кода, таймеры, фильтры, парсинг данных
- Видео уроки по программированию Arduino с канала “Заметки Ардуинщика” – одни из самых подробных в рунете
- Поддержать автора за работу над уроками
- Обратная связь – сообщить об ошибке в уроке или предложить дополнение по тексту ()
Аналоги
Для замены M7 могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и преобразовательных устройствах аппаратуры общего назначения.
Отечественное производсто
| Тип | URRM | IF(AV) | IFSM | TJ | UFM | IRMTA = 25°C | IRMTA = 125°C | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1000 | 1 | 30 | -55°C.…+125°C | 1 | 2,5 | 50 | SMA-W(DO-214AB) |
| КД210В | 1000 | 10 | 50 | ≤ 140°С | 1 | ≤ 4,5 мА | КД-11 | |
| 2Д220Г/И | 1000 | 3 | 60 | – | 1,2/1,0 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-10 |
| 2Д230Г/И | 1000 | 3 | 60 | -60°C.…+125°C | 1,5/1,3 | 45 мкА | 1,5 мА | КД-11 |
| КД243Ж | 1000 | 1 | 6 | -60°C….+125°C | 1,1 | 10 мкА | 0,1 мА | КД-4Б |
| КД248А/Б/К | 1000 | 3,0/1,0/1,5 | 9,6/3,2/4,8 | -60°C…+125°C | 1,4 | 40 мкА | КД-16 | |
| 2Д254 | 1000 | 1 | 3,2 | – | 1,5 | – | – | – |
| КД257Д | 1000 | 3 | 15 | -60°C….+85°C | 1,5 | 0,2 мА | – | КД-29С |
| КД258Д | 1000 | 3 | 7,5 | -60°C….+85°C | 1,6 | 2 мкА | – | КД-29А |
Зарубежное производство
| Тип | URRM/URSM/UDC, В | IF(AV), А | IFSM, А | TJ, °С | UFM, В | IRM, мкАTA = 25°C | IRM, мкА TA = 125°C | RƟJL, °C/Вт | RƟJA, °C/Вт | CJ, пФ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM4007 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -55°C.…+125°C | 1 | 2,5 | 50 | – | 55 | 12 | SMA-W(DO-214AB) |
| 1N4145 | 1000/700/1000 | 3 | 300 | -55°C….+150°C | 1 | 10 | 100 | – | 20 | 35 | DO-27 |
| 1N4249 | 1000/700/1000 | 1 | 40 | -65°C…+200°C | 1,2 | 1 | 25 | – | – | – | GPR-1A |
| 1N4948 | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C….+150°C | 1,3 | 5 | 50 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| 1N5054 | 1000/700/1000 | 1,5 | 48 | -65°C….+170°C | 1,3 | 500 | – | – | – | DO-41 | |
| 1N5408 | 1000/700/1000 | 3 | 200 | -65°C….+200°C | 1 | 5 | 100 | – | 40 | 50 | DO-201AD |
| 1N5622 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+200°C | 1,2 | 0,5 | 25 | – | – | 35 | GPR-1A |
| BY133 | 1300/940/1300 | 1 | 30 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 200 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| BY255 | 1300/- /1300 | 3 | 100 | -50°C….+150°C | 1,1 | 20 | – | – | 25 | – | DO-201 |
| BY227MGP | 1250/875/1250 | 2 | 60 | -65°C….+175°C | 1,5 | 5 | 100 | – | – | 25 | DO-15 |
| BYD57M | 1000/-/1000 | 1 | 5 | -65°C…+175°C | 2,1 | 5 | 100 | 30 | 150 | 20 | SOD87 |
| BYT-11 | URRM = 1000 | 1 | 35 | -55°C….+150°C | 1,3 | 20 | – | – | 60 | – | F126 |
| BYT51M | URRM = 1000 | 1 | 50 | -55°C…+175°C | 1,1 | 1 | 100 | – | 45 | – | DO-15 |
| BYT54M | 1000/700/1000 | 1,25 | 30 | -55°C….+175°C | 1,5 | 5 | 150 | – | 45 | – | DO-41 |
| BYV36E | 1000/700/1000 | 1,6 | 30 | -55°C…+150°C | 1,45 | 5 | 100 | – | 45 | 18 | DO-15 |
| BYV96E | 1000/700/1000 | 1,5 | 35 | +175°C | 1,6 | 5 | 150 | – | 50 | – | DO-15 |
| BYW56GP | 1000/700/1000 | 2 | 50 | -65°C….+175°C | 1 | 5 | 100 | – | 35 | 50 | DO-15 DO-204AC |
| GP210 | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C…+175°C | 1,1 | 5 | 50 | – | – | 40 | – |
| GPP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 60 | -65°C….+175°C | 1,1 | 5 | – | – | – | 25 | DO-15 |
| GPP10M | 1000/700/1000 | 1 | 30 | -65°C…+125°C | 1 | 5 | 50 | – | 50 | 15 | DO-41 |
| GPP20M | 1000/700/1000 | 2 | 70 | -65°C….+125°C | 1 | 5 | 50 | – | 40 | 20 | DO-15 |
| GP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -55°C…+150°C | 1,1 | 5 | 100 | – | – | 20 | DO-15 |
| GP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+175°C | 1 | 0,5 | 30 | – | 30 | 10 | DO-41 |
| MUR1100F | 1000/700/1000 | 1 | 35 | -55°C….+150°C | 1,75 | 5 | 50 | – | – | 20 | SOD-123F |
| RGP15M | 1000/700/1000 | 1,5 | 50 | -65°C….+175°C | 1,3 | 5 | 200 | – | 30 | 25 | DO-15 |
| RGP110 | 1000/700/1000 | 1 | 50 | -65°C….+175°C | 1,2 | 0,5 | 25 | – | 55 | 15 | DO-41 |
Те же данные представленны в виде картинки.
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
WFP50N06 Datasheet (PDF)
1.1. wfp50n06c.pdf Size:586K _winsemi
WFP50N06C
WFP50N06C
WFP50N06C
WFP50N06C
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Features
R (Max 23mΩ)@V =10V
■ DS(on) GS
■ Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC)
■ Fast Switching Capability
■ 100%Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150℃)
General Description
This Power MOSFET is produced usin
1.2. wfp50n06.pdf Size:585K _winsemi
WFP50N06
WFP50N06
WFP50N06
WFP50N06
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Silicon N-Channel MOSFET
Features
R (Max 22mΩ)@V =10V
■ DS(on) GS
■ Ultra-low Gate Charge(Typical 31nC)
■ Fast Switching Capability
■ 100%Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150℃)
General Description
This Power MOSFET is produced using Wi
Аналоги импортного и отечественного производства
| Тип транзистора | PC | VCEO | VEBO | IC | TJ | fT | CC | hFE | Тип корпуса |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N 3906A | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| Импортные аналоги | |||||||||
| MMBT 390 | 0,35 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-23 |
| PZT 3906 | 1 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | SOT-223 |
| H2N 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| KN 3906 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2N 3905 | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 200 | 4,5 | 100 | ТО-92 |
| 2SB 1014 | 0,7 | 60 | 8 | 1 | 185 | 160 | ТО-92 | ||
| 2SB 977A | 0,75 | 50 | 8 | 1 | 195 | 3000 | ТО-92 | ||
| BC 327-025 | 0,625 | 45 | 5 | 0,5 | 150 | 260 | 10 | 160 | ТО-92 |
| KN 4403 | 0,625 | 40 | 5 | 0,6 | 150 | 200 | 8,5 | 100 | ТО-92 |
| KSP 75/76/77 | 0,625 | 40/50/60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | ТО-92 | ||
| TIPP 115/116/117 | 0,8 | 60/80/100 | 5 | 2 | 150 | 1000 | ТО-92 | ||
| TIS 91 (M) | 0,625 | 40 | 5 | 0,4 | 150 | 100 | ТО-92 | ||
| ECG 2342 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 2000 | ТО-92 | |
| BSR 62 | 0,8 | 80 | 5 | 1 | 150 | 200 | 1000 | ТО-92 | |
| Аналоги производства РФ и Республики Беларусь | |||||||||
| КТ 6109D/G | 0,625 | 40 | 5 | 0,5 | 150 | 144/112 | ТО-92 | ||
| КТ361Г/В2/Д2/К2 | 0,15 | 35 – 60 | 4 | 0,05 | 150 | 250 | 7 | 350 | ТО-92 |
| КТ502В/Г/Д /Е | 0,35 | 40 | 0,15 | 150 | 5 | 120 | ТО-92 | ||
| КТ6136А | 0,625 | 40 | 5 | 0,2 | 150 | 250 | 4,5 | 300 | ТО-92 |
| КТ313Б/В | 0,3 | 60 | 5 | 0,35 | 150 | 200 | 12 | 300 | ТО-92 |
Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.
Domix Green Professional Лак для ногтей, C1959, 17 мл
Главная
Каталог
Для рук и ног
Покрытия
Лаки
Domix Green Professional Лак для ногтей, C1959, 17 мл
Лак для ногтей DGP придает ногтям яркий и насыщенный оттенок в течение долгого времени. Состав лака разработан во Франции и содержит запатентованный альдегид, одобренный медицинской экспертизой. Максимально плотный слой достигается за счет одного нанесения.
Получить в
Доставка курьером
—
399 ₽, c 16 апреля (вс)
Из пунктов
—
199 ₽, c 16 апреля (вс)
Дешевле при заказе от 6 000
₽
Бесплатно при заказе от 12 000
₽
Описание и характеристики
Лак для ногтей DGP придает ногтям яркий и насыщенный оттенок в течение долгого времени. Состав лака разработан во Франции и содержит запатентованный альдегид, одобренный медицинской экспертизой. Максимально плотный слой достигается за счет одного нанесения. Лак для ногтей способствует улучшению состояния ногтевой пластины и укреплению кератина.
Подробнее
Характеристики
-
Тип
Лак для ногтей
-
Срок годности (месяц)
24
-
Эффект
Без эффектов
-
Тон
Розовый
-
Цвет
Розовый, малиновый
-
Оттенок
C1959
-
Объем
17 мл
-
Штрихкод
4640021381960
-
Страна происхождения бренда
Россия
Состав
На сайте используются файлы cookies, которые его делают более удобным для каждого пользователя. Посещая страницы сайта, вы соглашаетесь с Политикой конфиденциальности