Маркировка smd транзисторов - расшифровка кодовых обозначений

C1959_71072.PDF Datasheet Скачать — IC-ON-LINE

Номер детали	Горячий поиск: PIC16C7 MAX97200 МБФ2 КГФ1522 Б1237 ФМ1107 701АТ ОП184
Описание продукта
Полнотекстовый поиск

Деталь №

С1959 2SC1959

Описание

Транзистор Поиск –К 2SC1959

Размер файла

434,50 тыс. /
2 Страница

Производитель

Микрокоммерческие компоненты

ДЖИТОНГ
TECHNOLOGY (CHINA HK & SZ) Спонсор Datasheet.hk

Деталь: C1959

Изготовитель: Н/Д

Упаковка: TO-92

На складе: 153

Цена за единицу
для :

50: 0,13 доллара

100: 0,13 доллара США

1000:
0,12 $

Электронная почта: oulindz@gmail.

com

Свяжитесь с нами

Домашняя страница

http://www.mccsemi.com

Скачать

Полнотекстовый поиск: Поиск транзисторов –к 2SC1959

Номер связанной детали

ЧАСТЬ	Описание	Производитель
Д947 2СД947	Транзистор NPN Поиск –К 2SD947	Ром
2001 2SC2001	Транзистор NPN Поиск –К 2SC2001	ЦУП
АН1338	УПРАВЛЕНИЕ НЕСКОЛЬКИМИ ТАБЛИЦАМИ ПОИСКА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СЕТЕВЫХ ПОИСКОВЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ M7010 И M7020	СГС Томсон Микроэлектроника
3DG1417 C1417	КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN Поиск –К 2SC1417	ИЗГ
050N60PA KMB050N60PA	N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор Поиск –К KMB050N60PA	КЭК
75P52100 ИДТ75P52100	64K x72 Network Search Engine Сетевые поисковые системы (NSE) с высокопроизводительным интерфейсом	ИДТ
Д75106КВ Д75108КВ	Поиск –К UPD75108CW Поиск –К UPD75106CW	НЭК
М7020Р 7659 М7020Р-083ЗА1Т М7020Р-050ЗА1Т М7020Р-0	32K x 68-bit Entry NETWORK SEARCH ENGINE Из старой системы спецификаций 32 KBIT X 68 BIT ENTRY NETWORK SEARCH ENGINE	STMICROELECTRONICS
С5801	Поиск –Кому 2SC5801	НЭК
А1271	Поиск –К 2SA1271	КЭК
С3102	Поиск –К 2SC3102	Mitsubishi Electric Semiconductor

Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска

Код ленты C1959	C1959 скорость	C1959 преис	C1959 Вкк	С1959 планарный
Конденсаторы C1959	Усилитель C1959	Схема USB C1959	C1959 型号替换	C1959 бесплатно вниз

Цена и наличие C1959 от

Все права защищены
IC-ON-LINE 2003 – 2022

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв

2N5401

Описание

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

Производители

Unisonic Technologies

логотип

1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCHING
TRANSISTOR
1
FEATURES
* Collector-emitter voltage:

VCEO = -150V

* High current gain
SOT-89
1
TO-92
*Pb-free plating product number:2N5401L
ORDERING INFORMATION
Order Number
Normal
Lead Free Plating
2N5401-x-AB3-R
2N5401L-x-AB3-R
2N5401-x-T92-B
2N5401L-x-T92-B
2N5401-x-T92-K
2N5401L-x-T92-K
Package
Pin Assignment
123
SOT-89
BCE
www.DataSheet4U.com
TO-92
EBC
TO-92
EBC
Packing
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2N5401L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Rank
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89, T92: TO-92

(3) x: refer to Classification of hFE

(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-001,D

No Preview Available !

2N5401
PNP SILICON TRANSISTOR

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C , unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage

VCBO

-160
V
Collector-Emitter Voltage

VCEO

-150
V
Emitter-Base Voltage

VEBO

-5
V
Collector Current

IC -600 mA

Collector Dissipation
TO-92
625 mW
SOT-89

500
mW
Junction Temperature

TJ +150

Storage Temperature

TSTG

-55 ~ +150
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain(Note)
Collector-Emitter Saturation Voltage
SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE1

hFE2

hFE3

VCE(SAT)

Base-Emitter Saturation Voltage

VBE(SAT)

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance
Cob
Noise Figure
NF

Note: Pulse test: PW<300µs, Duty Cycle<2%

TEST CONDITIONS

Ic = -100µA, IE = 0

Ic = -1mA, IB = 0

IE = -10µA, Ic = 0

VCB = -120V, IE = 0

VEB = -3V, Ic = 0

VCE = -5V, Ic = -1mA

VCE = -5V, Ic = -10mA

VCE = -5V, Ic = -50mA

Ic = -10mA, IB = -1mA

Ic = -50mA, IB = -5mA

Ic = -10mA, IB = -1mA

Ic = -50mA, IB = -5mA

VCE = -10V, Ic = -10mA

f = 100MHz

VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz

Ic = -0.25mA, VCE = -5V

Rs = 1kΩ, f = 10Hz ~ 15.7kHz

CLASSIFICATION OF hFE

RANK
RANGE
A
80-170
B
150-240
MIN TYP MAX UNIT
-160 V
-150 V
-6 V
-50 nA
-50 nA
80
80 400
80

-0.2 V

-0.5
-1

-1 V

100 400 MHz
6.0 pF
8 dB
C
200-400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 4
QW-R201-001,D

No Preview Available !

2N5401

TYPICAL CHARACTERISTICS
Capacitance vs. Collector-
Base Voltage
20
16
f= 1M H z

12 IE=0

8
4

-10

— 101

-102

Collector-Base Voltage (V)
Collector Current vs. Base-Emitter
Voltage

-103

-102

VCE =-5 V

-101

-10

0 -0.2 -0.4 -0 .6 -0 .8 -1.0
Base-Emitter V oltage (V)
Current Gain-B andwidth Product
vs. Collector Current

103

V CE=- 10V

102

101

-10-1 -10-101 -10 2 -10 3

Collector Current, Ic(mA)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
PNP SILICON TRANSISTOR
DC Current Gain vs.
Collector Current

103

V CE=-5V

102

10 1

-10 -1 -10 -101 -102 -103

Collector Current , Ic (mA)
Saturation Voltage vs.
Collector Current

-10 1

I C= 10* IB

-10

VBE(SAT)

-10 -1

VCE (SAT)

-10 -2

— 10-1 -10 -101

-102 -103

Collector Current , Ic (mA)
3 of 4
QW-R201-001,D

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

напряжение К – Б U_{кб max}(V_CBO) = -160 В;
напряжение К – Э U_{кэ max}(V_CЕO) = -150 В;
напряжение Э – Б U_{эб max}(V_ЕBO) = -5 В;
ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
- для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
- для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
- для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров

В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения»

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	U_{кэ(проб.)}	I_К=-1,0мA, I_Б=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	U_{кб(проб.)}	I_К=-100мкA, I_Э=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	U_{эб(проб.)}	I_Э=-10мкA, I_К=0	-5		В
Обратный ток коллектора	I_кбо	U_кб=-120В, I_Э=0		-50	нА
U_кб=-120В, I_Э=0, Т_А=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	I_эбо	U_эб= — 3 В, I_К=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h_21э	I_К=-1 мA, U_кэ=-5В	50	240
I_К=-10мA, U_кэ=-5В	60
I_К=-50мA, U_кэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	U_{кэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-0,2	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	U_{бэ(нас.)}	I_К=-10мA, I_Б=-1мA		-1	В
I_К=-50мA, I_Б=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	f_гр	U_кэ=-10B,I_К=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	C_к	U_кб= -10В, I_Э= 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	К_ш	I_К=-250мкA, U_кэ=-5В, R_S =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

Поиск

Возможна отправка в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас, вам понравится ✓Отправьте заказ в тот же день! ✓Доставка по всему миру! ✓Ограниченная распродажа ✓Легкий возврат.

Обзор продукта
Название продукта	Поиск
Доступное количество	Возможна отправка немедленно
№ модели.
Код ТН ВЭД	8529908100
Минимальное количество	Начиная с одной детали
Атрибуты продукта
Категории	Поиск
идентификатор продукта
артикул
gtin14
мпн
Статус детали	Активный

Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости. Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней после оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества. Другие способы доставки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для получения подробной информации.

Судоходная компания	Расчетное время доставки	Информация об отслеживании
Плоская транспортировочная	30-60 дней	Нет в наличии
Заказная авиапочта	15-25 дней	В наличии
ДХЛ/ЭМС/ФЕДЕРАЛ ЕХПРЕСС/ТНТ	5-10 дней	В наличии
Окончательное время доставки Может быть задержано вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте. Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть продукт в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь никаких повреждений. После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали во время покупки. Для платежей по кредитной карте может потребоваться от 5 до 10 рабочих дней, чтобы возмещение появилось в выписке по кредитной карте. Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение. Если что-то неясно или у вас есть дополнительные вопросы, не стесняйтесь обращаться в нашу службу поддержки клиентов.

Подробнее о программе защиты покупок PayPal. Получите заказанный товар или верните деньги.

Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
100% гарантия качества компонентов: Оригинал.
Достаточный запас по вашему срочному требованию.
Опытные коллеги помогут вам решить проблемы, чтобы снизить риск при производстве по требованию.

Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
Круглосуточно.

Каковы ваши основные продукты?

Интегральные схемы (ИС)	Дискретный полупроводник	Потенциометры, регулируемые R
Звук специального назначения	Аксессуары	Реле
Часы/хронометраж	Мостовые выпрямители	Датчики, преобразователи
Сбор данных	Диакс, Сидак	Резисторы
Встроенный	Диоды	Катушки индуктивности, катушки, дроссели
Интерфейс	МОП-транзисторы	Фильтры
Изоляторы — драйверы затворов	БТИЗ	Кристаллы и осцилляторы
Линейный	JFET (эффект поля перехода)	Соединители, межсоединения
Логика	ВЧ полевые транзисторы	Конденсаторы
Память	ВЧ-транзисторы (BJT)	Изоляторы
PMIC	SCR	Светодиод
	Транзисторы (БЮТ)
	Транзисторы
	Триаки

Все цены указаны за единицу в долларах США (USD).

Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам, чтобы узнать самую последнюю и лучшую цену.

PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union.
Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
Пожалуйста, свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.

Если есть какие-либо проблемы с качеством, пожалуйста, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы иметь право на возмещение или замену.
(Любые использованные или поврежденные предметы не могут быть возвращены или заменены).

Минимальный объем заказа от ОДНОЙ штуки.
Вы можете купить столько, сколько захотите.

Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.

Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений

Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard

#	Конфигурация	Тип корпуса	Цоколевка
	Одиночный диод	SOT23	D1a
2	Два последовательно включенных диода	SOT23	D1i
3	Два диода с общим анодом	SOT23	D1j
4	Два диода с общим катодом	SOT23	D1h
5	Два отдельных диода	SOT143	D6d
7	Кольцо из четырех диодов	SOT143	D6c
8	Мост из четырех диодов	SOT143	D6a
9	Перевернутая четверка диодов	SOT143	–
B	Одиночный диод	SOT323	D2a
C	Два последовательно включенных диода	SOT323	D2b
E	Два диода с общим анодом	SOT323	D2c
F	Два диода с общим катодом	SOT323	D2d
K	Два отдельных диода	SOT363	D7b
L	Три отдельных диода	SOT363	D7f
M	Четыре диода с общим катодом	SOT363	D7g
N	Четыре диода с общим анодом	SOT363	D7h
P	Мост из четырех диодов	SOT363	D7i
R	Кольцо из четырех диодов	SOT363	D7j
T	Диод с низкой индуктивностью	SOT363	–
U	Последовательно-параллельная пара диодов	SOT363	–

Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах

Тип	1 полоса	2 полоса	Эквивалент
BA682	Красная	Нет	BA482
BA683	Красная	Желтая	BA483
BAS32	Черная	Нет	1N4148
BAV100	Зеленая	Черная	BAV18
BAV101	Зеленая	Красная	BAV19
BAV102	Зеленая	Красная	BAV20
BAV103	Зеленая	Желтая	BAV21
BB219	Нет	Нет	BB909

Маркировка диодов и диодных сборок

Наименование	Маркировка	Кол-во диодов	Обратное напр.	Прямой ток	Время рас.	Емкость диода	Корпус
LL 4148	…	один	70 В	100 мА	4 нс	4,0 пФ	mini-МELF
BAS 216	…	один	75 В	250 мА	4 нс	1,5 пф	SOD110
BAT254 NEW	…	один	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOD110
BAS 16	JU/A6	один	75 В	200 мА	6 нс	2,0 пФ	SOT23
BAS 21	JS	один	200 В	200 мА	50 нс	5 пФ	SOT23
BAV 70	JJ/A4	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	1,5 пФ	SOT23
BAV 99	JK, JE, A7	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	1,5 пФ	SOT23
BAW 56	JD, A1	2 диода	70 В	250 мА	6 нс	2,0 пФ	SOT23
BAT54S	L44	2 шотки	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOT23
BAT54C	L43	2 шотки	30 В	200 мА	5 нс	10 пФ	SOT23
BAV23S	L31	2 диода	200В	225 мА	50 нс	5 пФ	SOT23

Маркировка стабилитронов BZX84

Тип	Маркировка	Uст при 5мА min	Uст при 5мА nom	Uст при 5мА max	Max R ДИФ	Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZX84C2V7	W4	2,4B	2,7B	3,1B	85 Oм	-0,06%
BZX84C3V0	W5	2,8B	3,0B	3,2B	85 Oм	-0,06%
BZX84C3V3	W6	3,1В	3,3В	3,5В	85 Ом	-0,06%
BZX84C3V9	W8	3,7В	3,9В	4,1В	85 Ом	-0,06%
BZX84C4V3	Z0	4,1B	4,3B	4,5B	80 Ом	-0,03%
BZX84C4V7	Z1	4,4В	4,7В	5,0В	80 Ом	-0,03%
BZX84C5V1	Z2	4,9B	5,1B	5,3B	60 Ом	0,03%
BZX84C5V6	Z3	5,2В	5,6В	6,0В	40 Ом	0,03%
BZX84C6V2	Z4	5,8В	6,2В	6,6В	10 Ом	0,05%
BZX84C6V8	Z5	6,4В	6,8В	7,2В	15 Ом	0,05%
BZX84C7V5	Z6	7,1В	7,5В	7,9В	15 Ом	0,05%
BZX84C8V2	Z7	7,7В	8,2В	8,7В	15 Ом	0,06%
BZX84C9V1	Z8	8,8В	9,1В	9,5В	20 Ом	0,05%
BZX84C10	Z9	9,4В	10,0В	10,6В	20 Ом	0,07%
BZX84C12	Y2	11,4В	12,0В	12,7В	25 Ом	0,07%
BZX84C15	Y4	13,8В	15,0В	15,6В	30 Ом	0,08%
BZX84C18	Y6	16,8В	18,0В	19,1В	45 Ом	0,08%
BZX84C20	Y8	17,8В	20,0В	21,0В	45 Ом	0,08%

Маркировка стабилитронов BZT52

Тип	Маркировка	Uст при 5мА min	Uст при 5мА nom	Uст при 5мА max	Max R ДИФ	Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZT52-C3V3S	W4	3,1B	3,3B	3,5B	95 Oм	-0,055%
BZT52-C3V9S	W6	3,7B	3,9B	4,1B	95 Oм	-0,050%
BZT52-C4V3S	W7	4,0В	4,3В	4,6В	95 Ом	-0,035%
BZT52-C4V7S	W8	4,4В	4,7В	5,0В	75 Ом	-0,015%
BZT52-C5V1S	W9	4,8B	5,1B	5,4B	60 Ом	-0,005%
BZT52-C6V8S	WB	6,4B	6,8B	7,2B	8 Ом	0,045%

Как проверить SMD компоненты

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Модель	Тип корпуса	P_C	Другие параметры	Производитель
2N3904	TO-92	0,625	T_j = от -55°C до +150°C	Motorola
2N3904 S	SOT-23	0,35	T_j = от -55°C до +150°C	KEC (Korea Electronics)
2N3904 E	ESM	0,1
2N3904 U	USM
2N3904 V	VSM
2N3904 S	SOT-23	0,225	FS (First Silicon)
2N3904 U	SOT-323	0,15
2N3904 N	TO-92N	0,4	AUK Semiconductor
MMBT 3904	SOT-23	0,35	Fairchild Semiconductor
PZT 3904	SOT-223	1
2N3904 – T18	TO-18	0,31	T_j = от -63°C до +200°C	SEME LAB