Транзистор ГТ806Д - параметры, цоколевка, аналоги, обозначение

Содержание драгметаллов

Транзистор ГТ806Д содержит в себе значительное количество драгоценных металлов, которые играют важную роль в его производстве и функционировании.

Основным драгметаллом, используемым в транзисторе ГТ806Д, является золото. Золото используется для покрытия контактов и выводов транзистора, чтобы обеспечить надежное соединение и передачу сигналов. Оно также обладает высокой электропроводностью и химической стабильностью, что делает его идеальным материалом для таких целей.

Кроме золота, в транзисторе ГТ806Д присутствуют другие драгоценные металлы, такие как серебро и палладий. Серебро обеспечивает хорошую электропроводность и способствует устойчивости транзистора к окислению. Также, серебро используется для покрытия выводов транзистора. Палладий применяется в качестве покрытия на сверхтонких деталях транзистора для улучшения их электрических свойств.

Важно отметить, что драгоценные металлы, применяемые в транзисторе ГТ806Д, не только улучшают его электрические свойства, но и обеспечивают долговечность и надежность работы. Такая конструкция транзистора позволяет ему выдерживать высокие температуры и интенсивный электрический ток, что особенно важно для работы в сложных условиях, например, в промышленных установках или автомобильных системах

Таким образом, содержание драгметаллов в транзисторе ГТ806Д является неотъемлемой частью его конструкции и обеспечивает высокую надежность и эффективность работы этого устройства.

Усилитель на транзисторах 13002

Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.

Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.

Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:

Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.

Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.

Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:

Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:

Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:

Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.

Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.

Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.

Источник (Source)

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Описание и назначение транзистора ГТ806А

Основное назначение транзистора ГТ806А — усиление слабых электрических сигналов. Благодаря его свойствам, он может быть использован в различных приборах и системах, таких как радиоприемники, радиопередатчики, усилители звука и другие устройства, где требуется усиление и преобразование электрических сигналов.

Транзистор ГТ806А обладает следующими характеристиками:

Напряжение сток-исток (U_ceo): не менее 30 В
Ток стока (I_c): не менее 0,5 А
Коэффициент усиления (h_21e): не менее 100
Температурный коэффициент усиления: не более 0,01%/°C
Максимально допустимая мощность (P_c): не менее 0,5 Вт

Транзистор ГТ806А обладает компактными размерами и низкими электрическими шумами, что делает его удобным для использования в различных электронных схемах. Он легко интегрируется в различные устройства и позволяет получить высокое качество усиления сигнала.

В целом, транзистор ГТ806А является надежным и эффективным компонентом, который широко применяется в современной электронике для решения задач усиления и обработки электрических сигналов.

Характеристики IRF3205

Постоянный максимальный ток на коллектора при 10В и 25C — 110А
Постоянный максимальный ток на коллекторе при 10В и 100C — 80А
Максимальный ток при импульсном режиме — 390А
Максимальное напряжение на канале сток-исток — 55В
Напряжение для открытия — 2-4В
Максимальное напряжение на затворе — ±20В
Сопротивление канала сток-исток — 8 мОм
Емкость затвора — ±3200 пФ
Время открытия — ±14 нс
Время закрытия — ±50 нс
Максимальная мощность рассеивания — 200 Вт
Диапазон рабочих температур — -55-175C
Температура пайки (до 10 секунд) — 300C

Отдельное замечание по поводу максимального тока на коллекторе. Официально указанные 110 Ампер — это действительно максимальная сила тока для кристалла, но к нему он идет по тонкой проволочке от контакта истока. Она может выдержать максимум 75А. Это ограничение носит название “Максимальный ток корпуса”.

Если Вам необходимы полные характеристики и графики зависимости, то найти Вы их сможете в официальном datasheet.

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Особенности транзистора

Транзистор ГТ806Д относится к классу полевых транзисторов с эффектом полевого транзистора (MOSFET) и обладает рядом особенностей, которые делают его незаменимым во многих электронных устройствах.

Высокая мощность. Транзистор ГТ806Д может выдерживать большие токи и обеспечивать высокую мощность.
Малый уровень шума. Благодаря низкому уровню шума, этот транзистор идеально подходит для работы с чувствительными сигналами и низкими уровнями сигналов.
Высокая скорость коммутации. ГТ806Д имеет высокую скорость коммутации, что позволяет использовать его в высокочастотных системах.
Низкое сопротивление. Транзистор ГТ806Д обладает низким внутренним сопротивлением, что позволяет ему эффективно передавать сигналы и обеспечивать высокую эффективность работы.
Надежность. Транзистор ГТ806Д отличается высокой надежностью, долгим сроком службы и стабильной работой в широком диапазоне рабочих условий.

Все эти особенности делают транзистор ГТ806Д привлекательным решением для большого спектра электронных устройств, включая усилители, источники питания, схемы автоматики и т.д.

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Преимущества транзистора

1. Малый размер и вес: Транзисторы очень компактны и обладают малым весом, что делает их идеальными для применения в мобильных устройствах и электронике на основе печатных плат.

2. Низкое энергопотребление: Транзисторы потребляют очень мало энергии, что позволяет увеличить энергоэффективность устройств, снизить затраты на электроэнергию и продлить время работы от батарей.

3. Высокая производительность: Транзисторы обладают высокой скоростью работы и могут переключаться быстрее, чем другие электронные устройства. Это позволяет им выполнять сложные вычисления и передавать данные с высокой скоростью.

4. Надежность и долговечность: Транзисторы имеют малую вероятность отказа и обладают долгим сроком службы. Они могут работать на протяжении десятилетий без необходимости замены.

5. Легкость управления: Транзисторы легко управляются и могут быть включены и выключены с помощью небольших электрических сигналов. Это делает их удобными для использования в электронных схемах и устройствах.

6. Работа при низком напряжении: Транзисторы могут работать при очень низком напряжении, что позволяет использовать их в электронике, работающей от батареек или других источников с низким напряжением.

Таким образом, транзисторы ГТ806Д обладают рядом преимуществ, которые делают их незаменимыми в современных электронных устройствах и системах. Они обеспечивают компактность, энергоэффективность, высокую производительность и надежность, что позволяет создавать инновационные и эффективные технические решения.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно технические характеристики КТ817Г, которые разделяют на предельно допустимые и электрические. Предельно допустимые параметры, указывают на максимальные значения рабочих режимов эксплуатации. Их значения представлены в техническом описании для температуры перехода (Т_П) не превышающей 25 оС:

постоянное напряжение между выводами: К-Э = 100 В (при R_ЭБ≤ 1 кОм); Э-Б до 5 В;
ток коллектора: постоянный до 3 А; импульсный до 6 А;
ток базы до 1 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе (P_{К макс}): до 25 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
температура p-n-перехода до +150 оС;
диапазон рабочих температур вокруг корпуса от -60 до +150 °C.

Не рекомендуется допускать длительную эксплуатацию устройство в таких режимах. С большей долей вероятности оно просто выйдет из строя. При этом необходимо учитывать, что P_К, при увеличении температуры корпуса (Т_К) свыше 25 оС, уменьшается линейно на 0,002 Вт/°C с теплотоводом, и 0,0001 Вт/°C без него.

Электрические параметры

Основные электрические параметры для КТ817Г также представлены в даташит, с учетом Т_Пне более 25 оС. Приводятся минимальные и максимальные их значения, с учетом дополнительных условий и режимов измерения. Рассмотрим их ниже.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – зарубежный транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие импортные изделия, близкие по своим характеристикам к рассматриваемому: MJE31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SC1826, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C.

Применение IRF3205

Максимальное напряжение стока-истока в 55 В дает возможность использовать этот транзистор в схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, блоков питания, источниках бесперебойного питания и прочем. Также зачастую при создании высокочастотных инверторов.

Так как IRF3205 имеет малую паразитную емкость, а, соответственно, и время открытия/закрытия, в совокупности с очень маленьким сопротивлением, то он является универсальным вариантом для многих проектов, связанных с коммутацией небольшого напряжения.

Если же Вам не хватает токовых характеристик этого транзистора, Вы можете подключить несколько штук параллельно, что дает хорошую возможность использовать его для управления большой нагрузкой.

Описание транзистора ГТ806Д

Транзистор ГТ806Д имеет следующие характеристики:

Номинальное напряжение стока-исток (U_ds): 60 В
Номинальное напряжение сток-затвор (U_gs): ±20 В
Номинальный ток стока (I_d): 9 А
Максимальная потребляемая мощность (P_d): 75 Вт
Коэффициент усиления по току (h_21e): не менее 20
Температурный диапазон работы: от -55 °C до +150 °C

Транзистор ГТ806Д изготовляется по технологии планарного типа, что обеспечивает ему высокую надежность и стабильность работы. Кроме того, он оснащен защитой от статического электричества и короткого замыкания.

Особенностью транзистора ГТ806Д является наличие графитового коллектора, который обеспечивает эффективное охлаждение при высоких температурах работы. Благодаря этому, транзистор может применяться в условиях повышенной тепловой нагрузки без потери своих характеристик.

Транзистор ГТ806Д содержит драгоценные металлы, такие как золото, палладий и серебро. Это делает его ценным и возможным объектом для вторичной переработки и восстановления драгоценных металлов.

Применение транзистора

Транзистор ГТ806Д имеет широкий спектр применения в различных электронных устройствах. Благодаря своим характеристикам и особенностям, этот транзистор нашел применение в следующих областях:

1. Аудиоусилительные устройства: Транзистор ГТ806Д может использоваться в усилителях для усиления звукового сигнала. Благодаря своей высокой мощности и низким искажениям, этот транзистор обеспечивает качественное усиление звука.

2. Источники питания: Транзистор ГТ806Д подходит для использования в блоках питания, где требуется стабильное и надежное напряжение. Он может быть использован в выпрямителях и стабилизаторах напряжения, обеспечивая эффективное преобразование электроэнергии.

3. Электронные схемы датчиков: Транзистор ГТ806Д может применяться в различных схемах датчиков, таких как температурные, световые или датчики движения. Благодаря своей высокой чувствительности, этот транзистор позволяет эффективно реагировать на изменения внешних условий.

4. Импульсные и высокочастотные устройства: Транзистор ГТ806Д может использоваться в импульсных и высокочастотных устройствах, таких как генераторы импульсов, модуляторы и демодуляторы сигналов. Благодаря своей высокой скорости переключения, этот транзистор обеспечивает стабильную и точную работу таких устройств.

Транзистор ГТ806Д является важным элементом электронных устройств и находит широкое применение в различных областях техники. Его особенности и характеристики позволяют использовать его в различных схемах и устройствах для обеспечения эффективной и надежной работы.

Распиновка

Цоколевка транзистора КТ817Г зависит от корпуса, в котором размещено устройство. Он в свою очередь в зависимости от монтажа, бывает всего двух типов: для дырочного, с жесткими выводами применяется КТ27 (ТО-126), а для поверхностного — КТ-89 (DPAK). На рисунке ниже представлено назначение каждого из контактов, для разных типов упаковки.

Оба корпуса выполнены из пластмассы. У транзистора КТ817Г (КТ-27), с отверстием для крепления на радиатор, следующее назначение контактов: первая ножка – эмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья – база (Б). Задняя часть металлизированной упаковки в таком исполнении физически соединена с коллекторным выводом.

КТ817Г9 (КТ-89) не имеет отверстия для крепления на теплоотвод. Вывод К соединен с задней металлической поверхностью. Если смотреть на лицевую часть устройства, то назначение контактов будет таким: в нижней части расположены выводы Б и Э, а сверху размещен К. Цифра “9” в конце обозначения, указывает на тип упаковки для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK). На транзисторах в таком исполнении отсутствует маркировка.

Характеристики транзистора

1. Тип транзистора: ГТ806Д представляет собой биполярный NPN транзистор.

2. Максимальное рабочее напряжение: Транзистор ГТ806Д способен работать при максимальном рабочем напряжении до 30 В.

3. Максимальный ток коллектора: Максимальное значение тока коллектора составляет 1 А.

4. Мощность: Мощность, которую транзистор способен выдержать, составляет 0,8 Вт.

5. Коэффициент усиления тока h_fe: Данный параметр определяет усиление тока и имеет значение в диапазоне от 40 до 300.

6. Сопротивление коллектора: Сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора составляет примерно 0,4 Ом.

7. Рабочая температура: Транзистор может без повреждений работать в диапазоне температур от -55°C до +150°C.

8. Время переключения: Время переключения транзистора находится в диапазоне от 50 до 300 нс.

Все эти характеристики делают транзистор ГТ806Д надежным и эффективным компонентом для использования в различных электронных схемах и устройствах.