Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
MJE340 Transistor Equivalent Parts
The MJE340 is a popular NPN bipolar junction transistor (BJT) used for general-purpose amplification and switching applications. While there might not be an exact equivalent part, you can consider the following options that have similar specifications and characteristics:
NTE378: This is an NPN transistor with comparable ratings to the MJE340, including a maximum collector current (Ic) of 0.5 A, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 300 V, and a maximum power dissipation (Pd) of 40 W. However, it is always recommended to check the datasheet for detailed specifications and ensure it meets your specific requirements.
TIP31: The TIP31 is another NPN transistor suitable for general-purpose amplification and switching. It has a higher maximum collector current (3 A) compared to the MJE340 but similar voltage ratings, such as a maximum Vce of 40 V and a maximum Pd of 40 W. Again, refer to the datasheet for detailed specifications.
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Режима работы в SOA
Очень важной характеристикой для переключающего транзистора является параметры, относящиеся к область безопасной работы (Safe operating area (SOA). Они в даташит показаны в виде графиков активного (безопасного) режима работы в SOA (FBSOA) и выключения (RBSOA)
Режим FBSOA
На графике активного режима работы для mje13003 видно, что постоянный ток коллектора в 1 А допустим только при напряжении около 30 В, что не превышает номинальной мощности 30 Вт (при предельной мощности устройства в 40 Вт). При импульсном токе активная область расширяется. Например при импульсном токе в 3 A, в течении 100 мкс, допустимо напряжение около 150 В. Как видно из графика, при увеличении напряжения, величина используемого тока коллектора уменьшается. Область возможного вторичного пробоя указывается в правой части графика.
Выглядит это конечно замечательно, но стоит внести в эту идиллию ложку дёгтя. Как принято, безопасный режим работы рассчитывается производителями при температуре перехода до 25 градусов. В реальности нельзя поддерживать такую температуру у работающего полупроводникового прибора, так как при её увеличении мощность устройства падает. А при увеличении температуры до предельных 150 °С доходит до 0 Вт. В связи с этим радиолюбители стараются разными способами уменьшить нагрев корпуса, оснащая устройства радиаторами, добиваясь при этом средних рабочих температур.
Режим RBSOA
В справочнике на 13003 (рисунке 12), приводится график работы в режиме выключения — RBSOA. На графике показана область устойчивой работы транзистора при выключении и обратном смещении на переходе эмиттер-база VBE(off), при этом ток коллектора продолжает течь. Если на базе напряжение нулевое, то область RBSOA значительно меньше.
MJE340 Transistor Voltage
The MJE340 transistor has a maximum collector-emitter voltage (Vce) rating of 300 volts. This means that, under normal operating conditions, the voltage across the collector and emitter terminals should not exceed 300 volts to ensure the safe and reliable operation of the transistor.
It’s important to note that the voltage applied to the collector-emitter junction should always be within the specified limits mentioned in the transistor’s datasheet. Operating the transistor above its maximum rated voltage can lead to potential damage or failure.
Additionally, when using the MJE340 transistor in a circuit, it is advisable to consider voltage spikes, transient conditions, and other factors that might cause temporary voltage surges. Proper voltage regulation and protective measures should be implemented to ensure the transistor operates within its specified voltage range.
MJE340 Transistor Pinout
The MJE340 transistor follows a specific pinout configuration, which determines how the different terminals are arranged. The pinout of the MJE340 transistor in TO-126 package is as follows:
In the TO-126 package, the transistor has three pins: Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The pins are labeled next to their corresponding letters on the package.
Here’s a brief description of each pin:
Collector (C): This is the terminal through which the current flows out of the transistor. It is typically connected to the positive supply voltage or load in most circuit configurations.
Base (B): The base terminal acts as the control input of the transistor. By applying a small current or voltage to this pin, the transistor’s behavior can be controlled. It is commonly used to switch the transistor on or off.
Emitter (E): The emitter terminal is connected to the ground or the common reference point in a circuit. It allows the current to flow into the transistor.
Understanding the pinout configuration of the MJE340 transistor is essential for correctly connecting it in a circuit and ensuring proper functionality.
Want to know about other MJE models? Click to jump to another article:
MJE340 Datasheet (PDF)
..1. Size:594K st mje340 mje350.pdf
MJE340MJE350Complementary silicon power transistorsFeatures STMicroelectronics preferred salestypes Complementary NPN — PNP devicesApplications Linear and switching industrial equipment321DescriptionSOT-32The MJE340 is a silicon planar NPN transistor intended for use in medium power linear and switching applications. It is mounted in SOT-32.The complemen
..2. Size:37K fairchild semi mje340.pdf
MJE340High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to MJE350TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 VVEBO
..3. Size:238K cdil mje340.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR MJE340TO126 Plastic PackageECBFor use in High Voltage General Purpose ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 300 VCollector Base Voltage VCBO 300 VVEBOEmitter Base Voltage 3.0 VICC
..4. Size:212K inchange semiconductor mje340.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE340DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CComplement to the PNP MJE350Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned
0.1. Size:117K motorola mje340re.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJE340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE340Plastic Medium Power NPN0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . useful for high voltag
0.2. Size:66K st mje340-mje350.pdf
MJE340MJE350COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICESAPPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe MJE340 is a silicon epitaxial planar NPN12transistor intended for use in medium power3linear and switching applications.It is mounted inSOT-32.The complementary PNP type is MJE350. S
0.3. Size:67K onsemi mje340-d.pdf
MJE340Plastic Medium-PowerNPN Silicon TransistorThis device is useful for high-voltage general purpose applications.Featureshttp://onsemi.com Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating0.5 AMPEREfor High Reliability Pb-Free Package is Available*POWER TRANSISTORNPN SILICON300 VOLTS, 20 WATT
0.4. Size:67K onsemi mje340g.pdf
MJE340Plastic Medium-PowerNPN Silicon TransistorThis device is useful for high-voltage general purpose applications.Featureshttp://onsemi.com Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating0.5 AMPEREfor High Reliability Pb-Free Package is Available*POWER TRANSISTORNPN SILICON300 VOLTS, 20 WATT
0.5. Size:208K inchange semiconductor mje340t.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE340TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general p
What is a MJE340 Transistor?
The MJE340 is a popular bipolar junction transistor (BJT) that belongs to the NPN (Negative-Positive-Negative) type. It is widely used in electronic circuits for various applications, including amplification and switching. The MJE340 transistor offers a maximum collector current of 0.5A and has a maximum voltage rating of 300V. It features high current gain, low saturation voltage, and excellent switching characteristics, making it suitable for a range of general-purpose electronic designs. With its reliable performance and availability, the MJE340 transistor has become a staple component in many electronic projects.
Биполярный транзистор MJE340 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE340
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
MJE340
Datasheet (PDF)
..1. Size:594K st mje340 mje350.pdf
MJE340MJE350Complementary silicon power transistorsFeatures STMicroelectronics preferred salestypes Complementary NPN — PNP devicesApplications Linear and switching industrial equipment321DescriptionSOT-32The MJE340 is a silicon planar NPN transistor intended for use in medium power linear and switching applications. It is mounted in SOT-32.The complemen
..2. Size:37K fairchild semi mje340.pdf
MJE340High Voltage General Purpose Applications High Collector-Emitter Breakdown Voltage Suitable for Transformer Complement to MJE350TO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 VVEBO
..3. Size:238K cdil mje340.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR MJE340TO126 Plastic PackageECBFor use in High Voltage General Purpose ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 300 VCollector Base Voltage VCBO 300 VVEBOEmitter Base Voltage 3.0 VICC
..4. Size:212K inchange semiconductor mje340.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE340DESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CComplement to the PNP MJE350Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned
0.1. Size:117K motorola mje340re.pdf
Order this documentMOTOROLAby MJE340/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJE340Plastic Medium Power NPN0.5 AMPERESilicon TransistorPOWER TRANSISTORNPN SILICON. . . useful for high voltag
0.2. Size:66K st mje340-mje350.pdf
MJE340MJE350COMPLEMETARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP — NPN DEVICESAPPLICATIONS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe MJE340 is a silicon epitaxial planar NPN12transistor intended for use in medium power3linear and switching applications.It is mounted inSOT-32.The complementary PNP type is MJE350. S
0.3. Size:67K onsemi mje340-d.pdf
MJE340Plastic Medium-PowerNPN Silicon TransistorThis device is useful for high-voltage general purpose applications.Featureshttp://onsemi.com Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating0.5 AMPEREfor High Reliability Pb-Free Package is Available*POWER TRANSISTORNPN SILICON300 VOLTS, 20 WATT
0.4. Size:67K onsemi mje340g.pdf
MJE340Plastic Medium-PowerNPN Silicon TransistorThis device is useful for high-voltage general purpose applications.Featureshttp://onsemi.com Suitable for Transformerless, Line-Operated Equipment Thermopad Construction Provides High Power Dissipation Rating0.5 AMPEREfor High Reliability Pb-Free Package is Available*POWER TRANSISTORNPN SILICON300 VOLTS, 20 WATT
0.5. Size:208K inchange semiconductor mje340t.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor MJE340TDESCRIPTIONCollectorEmitter Sustaining Voltage-: V = 300 V(Min)CEO(SUS)DC Current Gain-: h = 100(Min) @ I = 50mAFE CLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max.)@ I = 50mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and general p
Другие транзисторы… MJE3311
, MJE3312
, MJE3370
, MJE3371
, MJE33A
, MJE33B
, MJE33C
, MJE34
, TIP41
, MJE340K
, MJE341
, MJE341K
, MJE3439
, MJE344
, MJE3440
, MJE344K
, MJE345
.
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.