Примеры использования
Вариантов применения транзистора TIP122 и его схем включения достаточно много, их просто невозможно уместить в одну статью. Поэтому рассмотрим только некоторые схемы с его участием. Первая — усилитель звуковой частоты на 12 Вт, вторая — автоматический регулятор скорости вращения вентилятора.
Усилитель низкой частоты
Данный усилитель сделан на микросхеме операционном усилителе TL081 и двух выходных транзисторах TIP122 и TIP127. При нагрузке 8 Ом рассматриваемый усилитель способен обеспечить выходную мощность 12 Вт. Напряжение питания данного прибора должно находиться в пределах от 12 до 18 вольт.
Автоматический регулятор скорости вращения вентилятора
Рассматриваемый регулятор скорости вращения вентилятора можно использовать для предотвращения перегрева различной бытовой аппаратуры, например, компьютера. Его устанавливают в корпус охлаждаемого им устройства. Данная схема позволяет автоматически регулировать скорость вращения вентилятора, в зависимости от температуры воздуха.
Температурный датчик LM335 ориентирован на работу при -40 до +1000 градусов цельсия. Напряжение на нем будет увеличиваться на 10 мВ вместе с ростом вокруг окружающей температуры. Напряжение с него подается на неинвертирующий вход операционного усилителя LM741. Со стабилитрона 1N4733 на инвертирующий вход микросхемы, через потенциометр, подается опорное напряжение 5.1 В.
В данной схеме потенциометр предназначен для регулирования порога срабатывания вентилятора. Транзистор находится в выходном каскаде усилителя и предназначен для непосредственного управления вентилятором.
Основная классификация транзисторов, параметры
Основная классификация транзисторов ведется по исходному материалу, на основе которого они сделаны, максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе и частотным свойствам.
Эти параметры определяют их основные области применения. По мощности транзисторы делят на:
- транзисторы малой мощности,
- транзисторы средней мощности,
- транзисторы большой мощности.
По частоте транзисторы делят на:
- низкочастотные,
- среднечастотные,
- высокочастотные,
- сверхвысокочастотные.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы разделяют на:
- германиевые,
- кремниевые.
Основными параметрами биполярных транзисторов являются:
- статический коэффициент усиления по току а в схеме с общей базой;
- статический коэффициент усиления по току |3 в схеме с общим эмиттером. Параметры аир связаны зависимостями вида в = а/(1 — а) или а = в/(1 + в);
- обратный ток коллектора Іко;
- граничная fгр и предельная fh21 частоты коэффициента передачи тока.
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
- напряжение отсечки U0 — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
- максимальный ток стока Іс. макс;
- напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;
- входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Литература по электронике
Наука, которая изучает транзисторы и другие приборы, называется электроника. Целый ее раздел посвящён полупроводниковым приборам. Если вам интересно получить больше информации о работе транзисторов, можно почитать следующие книги по этой тематике:
- Цифровая схемотехника и архитектура компьютера — Дэвид М.
- Операционные системы. Разработка и реализация — Эндрю Т.
- Силовая электроника для любителей и профессионалов — Б. Ю. Семенов .
В этих книгах описываются различные средства программируемой электроники. Конечно же, в основе всех программируемых схем, лежат транзисторы. Благодаря этим книгам вы не только получите новые знания о транзисторах, но и навыки, которые, возможно, принесут вам доход.
Теперь вы знаете, как работают транзисторы, и где они применяются в жизни. Если вам интересна эта тема, продолжайте её изучать, ведь прогресс не стоит на месте, и все технические устройства постоянно совершенствуются
В этом деле очень важно идти в ногу со временем. Успехов вам!. Источники
Источники
- https://habr.com/ru/post/133136/
- https://principraboty.ru/princip-raboty-tranzistora/
- https://odinelectric.ru/knowledgebase/kak-rabotaet-tranzistor-i-gde-ispolzuetsya
- https://rusenergetics.ru/oborudovanie/skhema-tranzistora
- https://RadioStorage.net/1670-tranzistory-osnovnye-parametry-i-harakteristiki-markirovka-tranzistorov.html
- https://tokar.guru/hochu-vse-znat/tranzistor-vidy-primenenie-i-principy-raboty.html
- https://www.RusElectronic.com/chitaem-elektricheskie-skhemy-s-tranzistorami/
KTD1691 Datasheet (PDF)
..1. Size:396K kec ktd1691.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1691TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORLOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGEALARGE CURRENT BDCEFEATURES FHigh Power Dissipation : PC=1.5W(Ta=25 )Complementary to KTB1151.GHDIM MILLIMETERSJA 8.3 MAXKB 5.8LMAXIMUM RATING (Ta=25 )C 0.7_+D 3.2 0.1CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 3.5_+F 11.0 0.3VCBOCollector-Bas
9.1. Size:50K kec ktd1624.pdf
SEMICONDUCTOR KTD1624TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORVOLTAGE REGULATORS, RELAY DRIVERS LAMP DRIVERS, ELECTRICAL EQUIPMENTACFEATURESHAdoption of MBIT processes.GLow collector-to-emitter saturation voltage.Fast switching speed.DIM MILLIMETERSLarge current capacity and wide ASO.A 4.70 MAXD _+D B 2.50 0.20Complementary to KTB1124.K C 1.7
9.2. Size:1380K blue-rocket-elect ktd1624.pdf
KTD1624 Rev.G Jan.-2019 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features MBIT -, KTB1124Adoption of MBIT processes, low collector-t
Биполярный транзистор 2N1711 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1711
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2N1711
Datasheet (PDF)
..1. Size:623K rca 2n1711.pdf
..2. Size:51K philips 2n1711 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1711NPN medium power transistor1997 May 28Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1711FEATURES PINNING High current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emit
..3. Size:46K st 2n1711.pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..4. Size:47K st 2n1711 .pdf
2N1711EPITAXIAL PLANAR NPNDESCRIPTION The 2N1711 is a silicon Planar Epitaxial NPNtransistor in Jedec TO-39 metal case. It isintented for use in high performance amplifier,oscillator and switching circuits.The 2N1711 is also used to advantage inamplifiers where low noise is an important factor.TO-39INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Va
..5. Size:64K central 2n1613 2n1711 2n1893.pdf
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
..6. Size:127K bocasemi 2n956 2n718a 2n1711.pdf
http://www.bocasemi.comBoca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.com
..7. Size:74K cdil 2n1711.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N1711TO-39Metal Can PackageGeneral Purpose TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage, RBE
..8. Size:92K microelectronics 2n1613 2n1711.pdf
9.1. Size:318K no 2n1716s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.2. Size:318K no 2n1715s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.3. Size:318K no 2n1717s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
9.4. Size:317K no 2n1714s.pdf
INCH-POUND The documentation and process conversion measures necessary to comply with this revision MILPRF19500/263B shall be completed by 13 April 2015. 12 January 2015 SUPERSEDING MILS19500/263A(ER) 15 May 1963 PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET TRANSISTOR, NPN, SILICON, HIGH POWER, THROUGH-HOLE MOUNT, TYPES 2N1714 THROUGH 2N1717, QUALITY LEVEL JAN Inactive
Другие транзисторы… 2N1704
, 2N1705
, 2N1706
, 2N1707
, 2N1708
, 2N1708A
, 2N1709
, 2N1710
, , 2N1711-46
, 2N1711A
, 2N1711B
, 2N1711L
, 2N1711S
, 2N1713
, 2N1714
, 2N1715
.
Встречное, параллельное, последовательное соединение стабилитронов
Для повышения напряжения стабилизации можно последовательно соединять два и более стабилитрона. Например на нагрузке нужно получить 17 В, тогда, в случае отсутствия нужного номинала, применяют опорные диоды на 5,1 В и на 12 В.
Параллельное соединение применяется с целью повышения тока и мощности.
Также стабилитроны находят применение для стабилизации переменного напряжения. В этом случае они соединяются последовательно и встречно.
В один полупериод переменного напряжения работает один стабилитрон, а второй работает как обычный диод. Во второй полупериод полупроводниковые элементы выполняют противоположные функции. Однако в таком случае форма выходного напряжения будет отличается от входного и выглядит как трапеция. За счет того, что опорный диод будет отсекать напряжение, превышающее уровень стабилизации, верхушки синусоиды будут срезаться.
Маркировка транзисторов
Транзистор КТ361 и КТ361-1.
Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая находится по центру корпуса транзистора. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения, станков с числовым программным управлением и бытовой электроники высшего класса, соответственно такие транзисторы были повышенной надежности и проходили дополнительные испытания при изготовлении. Пример маркировки транзистора КТ361-1 показан на рисунке 1 (в случае КТ361 цифра в маркировке отсутствует).
Следует также отметить, что транзисторы КТ315 и КТ361 были первыми массовыми транзисторами с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Транзистор КТ361 тоже маркировался одной буквой, как и КТ315, но буква располагалась по центру, а также иногда слева и справа от неё были тире. Однако транзисторы, поставляемые с отклонениями по внешнему виду и габаритным размерам, дополнительно маркировались диагональной чертой. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.
Транзистор КТ361-2 и КТ361-3.
Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора. Пример маркировки транзистора КТ361-2 приведен на рисунке 2(в случае КТ361-3 на корпусе указывается цифра 3).
Инструкция проверки тестером
Тестеры различаются по видам моделей:
- Существуют приборы, в которых конструкцией предусмотрены устройства, позволяющие измерить коэффициент усиления микротранзисторов малой мощности.
- Обычные тестеры позволяют осуществить проверку в режиме омметра.
- Цифровой тестер измеряет транзистор в режиме проверки диодов.
В любом из случаев существует стандартная инструкция:
- Прежде, чем начать проверку, необходимо снять заряд с затвора. Это делается так – буквально на несколько секунд заряд необходимо замкнуть с истоком.
- В случае, когда проверяется маломощный полевой транзистор, то перед тем, как взять его в руки, обязательно нужно снять статический заряд со своих рук. Это можно сделать, взявшись рукой за что-нибудь металлическое, имеющее заземление.
- При проверке стандартным тестером, необходимо в первую очередь определить сопротивление между стоком и истоком. В обоих направлениях оно не должно иметь особого различия. Величина сопротивления при исправном транзисторе будет небольшой.
- Следующий шаг – измерение сопротивления перехода, сначала прямое, затем обратное. Для этого необходимо подключить щупы тестера к затвору и стоку, а затем к затвору и истоку. Если сопротивление в обоих направлениях имеет разную величину, триодное устройство исправно.
Отечественные и зарубежные аналоги
Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.
При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).
Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:
- (MJE)13002;
- (MJE)13003;
- (MJE)13005;
- (MJE)13007;
- (MJE)13009.
Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.
В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.
Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:
Они заменяют приборы серии 13001 функционально, имеют большую мощность (а иногда и более высокое рабочее напряжение), но расположение выводов и габариты корпуса могут разниться.
Что такое SMD
Прежде всего, что означает «SMD» и откуда такое странное название? Все очень просто: это аббревиатура от английского выражения Surface Mounted Device, означающего прибор, монтируемый на поверхность.
То есть, в отличие от обычной радиодетали, ножки которой вставляются в отверстия в печатной плате и припаиваются с другой ее стороны, smd прибор просто накладывается на контактные площадки, предусмотренные на плате, и с этой же стороны припаивается.
Технология поверхностного монтажа не только позволила уменьшить габариты элементов и плотность элементов на плате, но и существенно упростила сам монтаж, с которым сегодня легко справляются роботы. Автомат прикладывает электронный компонент к нужному месту платы, разогревает это место ИК светом или лазером до температуры плавления нанесенной на площадки паяльной пасты, и монтаж элемента выполнен.
Схема включения
Сама по себе LM7812 представляет собой схему стабилизации напряжения и подключения к ней устройство обычно осуществляется только для этого. По сути, кроме неё для выполнения этой функции больше ничего не требуется. Начинающие радиолюбители применяют её в своих разработках без дополнительной обвязки и она в них работает, но это не совсем правильное решение.
Желательно следовать рекомендациям производителей, которые приводят схему включения 7812 с использованием двух конденсаторов на 25 В и более. Их необходимо паять как можно ближе к контактам, для более устойчивой работы микросхемы. При этом на входе необходима емкость больше, чем на выходе. Несоблюдении этого правила приводит к нестабильности выходного напряжения при резком изменении в нагрузке. Кроме того, такая емкостная обвязка выполняет защитные функции от самовозбуждения.
В паспорте заявлено, что на выходе допускается вообще не устанавливать сглаживающий конденсатор. Это возможно благодаря тому, что роль силового регулирующего элемента внутри серии 78xx выполняет эмиттерный повторитель на транзисторе Дарлингтона. Но как показывает практика, небольшую емкость все же ставят для лучшего подавления выходных высокочастотных пульсаций.
Пример работы подобной схемы можно посмотреть в небольшом видеоролике.
Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов
Номер пьезы
Описание
Фабрикантес
ПДФ
1SMA10AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA11AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA12AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA13AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA14AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA15AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA16AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA17AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA18AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA20AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA22AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA24AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA26AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона с пиковой мощностью 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
1SMA28AT3G
Подавители переходного напряжения стабилитрона пиковой мощности 400 Вт
ПО Полупроводник
ПДФ
Модификации и группы
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13001-0 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,4 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 1,8 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-2 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,0 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-A | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,6 | TO-92T |
| 3DD13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…26 | Группы A/B | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 0,8 / 1 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P1 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| ALJ13001 | 1 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 10 групп без обозначения | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CD13001 | 0,9 | 500 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | — | — | 6 групп A/B/C/…/F | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CS13001 | 0,75 | 700 | 480 | 9 | 0,2 | 150 | — | 8…30 | 4 группы без обозначения | — | TO-92 |
| HMJE13001 | 1 | 600 | 400 | 6 | 0,3 | 150 | — | 8…36 | — | — | TO-92 |
| MJ13001A | 0,625 | 500 | 400 | 8 | 0,5 | 150 | ˃10 | 8…40 | — | — | TO-92 |
| MJE13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…70 | 12 групп A/B/C…/L | — | TO-92, SOT-89 |
| MJE13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92 |
| MJE13001A2 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92L |
| MJE13001AH | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,3 | 150 | — | 5…30 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92(S) |
| MJE13001B1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92L |
| MJE13001DE1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,8 | TO-92 |
| MJE13001E1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001E2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — / 3 / 0,6 | TO-92L | |
| MJE13001H | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,18 | 150 | — | 5…30 | — | — | TO-92(S) |
| MJE13001P | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…70 | 12 групп A/B/C…/L | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| SBN13001 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0.5 | 150 | — | 10…40 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92 |
| SXW13001 | 9 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| SXW13001 | 10 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 10…40 | — | — | TO-126 |
| XW13001 | 7 | 600 | 400 | — | 0,25 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| Исполнение SMD | |||||||||||
| MJD13001 | 0,3 | 700 | 400 | 8 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 6 групп A/B/C/…/F | — / 2,4 / 0,9 | SOT-23 |
| MJE13001A0 | 0,5 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-23 |
| MJE13001AT | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-89 |
| MJE13001C0 | 0,65 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-23 |
| MJE13001CT | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-89 |
Примечание. Маркировка:
- MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
- MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.
Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание
Номер в каталоге
Особенности
Производители
PDF
12D-XXD05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXD15N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS05N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS09N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
12D-XXS12N2
3000VDC SINGLE AND DUAL OUTPDC 1 WATT DC-DC CONVERTER
Yuan Dean Scientific
PDF
Аналоговый мультиметр
В аналоговом мультиметре результаты измерений наблюдается по движению стрелки (как на часах) по измерительной шкале, на которой подписаны значения: напряжение, ток, сопротивление. На многих (особенно азиатских производителей) мультиметрах шкала реализована не совсем удобно и для того, кто первый раз взял такой прибор в руку, измерение может доставить некоторые проблемы.
Популярность аналоговых мультиметров объясняется их доступностью и ценой (2-3$), а основным недостатком является некоторая погрешность в результатах измерений. Для более точной подстройки в аналоговых мультиметрах имеется специальный построечный резистор, манипулируя которым можно добиться немного большей точности. Тем не менее, в случаях когда желательны более точные измерения, лучшим будет использование цифрового мультиметра.
Проверка работоспособности транзистора.
Принципиальная схема
Основой любого не импульсного блока питания является низкочастотный силовой трансформатор. В данном случае это тороидальный довольно тяжелый трансформатор типа TST250W/24V. Его номинальное выходное переменное напряжение 24V при токе 10А и входном напряжении 230V.
Рис. 1. Принципиальная схема мощного стабилизатора напряжения +19В.
У данного трансформатора нет никаких колодок для подключения или клемм, — просто «колесо» с четырьмя проводами для подключения.
Конечно, можно применить любой другой трансформатор с вторичным напряжением 20-25V. В магазинах промышленного электрооборудования можно приобрести другой трансформатор соответствующей мощности на 24V, например, на Ш-образ-ном сердечнике.
Переменное напряжение с вторичной обмотки силового трансформатора Т1 поступает на выпрямительный мост VD1 и конденсатор С1, сглаживающий пульсации.
В принципе, соглашусь, что емкости 2200 мкФ при токе 10А не слишком достаточно. Но, это же не УНЧ питаем. На задней стенке ноутбука вообще стоит значок пульсирующего напряжения. Так что для данного случая, этого вполне достаточно.
Стабилизатор напряжения сделан на основе микросхемы 7812. Но её выходное напряжение равно 12V, а нам нужно 19V, плюс максимальный ток 1А, а нужно, как было решено, 10А.
Выходная мощность была увеличена за счет транзистора VТ1 типа КТ819, на котором сделан эмиттерный повторитель выходного напряжения стабилизатора А1.
Напряжение стабилизации было поднято за счет стабилитрона VD2, это Д814А, его напряжение стабилизации 8V. Так что 12+8=20. Однако, около одного вольта падает на транзисторе VТ1, так что выходит как раз как и надо.
Корпуса чип-компонентов
Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:
| выводы/размер | Очень-очень маленькие | Очень маленькие | Маленькие | Средние |
| 2 вывода | SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) | SOD323, SOD328 | SOD123F, SOD123W | SOD128 |
| 3 вывода | SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 | SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) | SOT23 | SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) |
| 4-5 выводов | WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 | SOT353 | SOT143B, SOT753 | SOT223, POWER-SO8 |
| 6-8 выводов | SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* | SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) | SOT457, SOT505 | SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96 |
| > 8 выводов | WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) | WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* | SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) | SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510 |
Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.
Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.
Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы.
Типы корпусов SMD по названиям
| Название | Расшифровка | кол-во выводов |
| SOT | small outline transistor | 3 |
| SOD | small outline diode | 2 |
| SOIC | small outline integrated circuit | >4, в две линии по бокам |
| TSOP | thin outline package (тонкий SOIC) | >4, в две линии по бокам |
| SSOP | усаженый SOIC | >4, в две линии по бокам |
| TSSOP | тонкий усаженный SOIC | >4, в две линии по бокам |
| QSOP | SOIC четвертного размера | >4, в две линии по бокам |
| VSOP | QSOP ещё меньшего размера | >4, в две линии по бокам |
| PLCC | ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| CLCC | ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J | >4, в четыре линии по бокам |
| QFP | квадратный плоский корпус | >4, в четыре линии по бокам |
| LQFP | низкопрофильный QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFP | пластиковый QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| CQFP | керамический QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| TQFP | тоньше QFP | >4, в четыре линии по бокам |
| PQFN | силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор | >4, в четыре линии по бокам |
| BGA | Ball grid array. Массив шариков вместо выводов | массив выводов |
| LFBGA | низкопрофильный FBGA | массив выводов |
| CGA | корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя | массив выводов |
| CCGA | СGA в керамическом корпусе | массив выводов |
| μBGA | микро BGA | массив выводов |
| FCBGA | Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом | массив выводов |
| LLP | безвыводной корпус |
Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.
Маркировка SMD-компонентов
Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.
Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.
Виды записи
Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования – это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них – идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА | 600 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 10 мА | 400 |
| Напряжение эмиттер-база, В | UEBO | IE = 10 мкА | 6 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 550 В | 10 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICEO | UCB = 400 В | 10 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6,0 В | 10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 ٭ | IC = 50 мА, IB = 10 мА | 0,4 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)2 ٭ | IC = 100 мА, IB = 20 мА | 0,75 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) ٭ | IC = 50 мА, IB = 10 мА | 1 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 10,0 В, IC = 10 мА | ≥ 8 |
| hFE (2) ٭ | UCE = 10,0 В, IC = 50 мА | 10…36 |
٭ — получено в импульсном режиме: длительность импульса – 380 мкс, скважность поступления импульсов — ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.
Усилитель на КТ315
Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.
На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).
Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.
Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.