B941 pdf ( даташит ) - pnp transistor

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

Наименование	U КБ , В	U КЭ , В	I K , мА	Р К , Вт	h21 э	I КБ , мА	f, МГц	U КЭ , В.
КТ815А	40	30	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Б	50	45	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815В	70	65	1500(3000)	1(10)	40-275	≤50	≥ 3	<0,6
КТ815Г	100	85	1500(3000)	1(10)	30-275	≤50	≥ 3	<0,6

Обозначения из таблицы читаются следующим образом:

U КБ -максимальное рассчитанное напряжение для перехода коллектор-база
U КЭ -максимально рассчитанное напряжение на переходе коллектор-эмиттер.
I K -максимальный рассчитанный ток на выводе коллектора. В скобках указаны значения для импульсного тока.
Р К -максимально рассчитанная рассеиваемая мощность вывода коллектора без радиатора. В скобках – с радиатором.
h 21э- коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
I КБ — обратный ток вывода коллектора.
f — граничная частота для схемы с общим эмиттером.
U КЭ — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер.

Существуют и другие важные характеристики для данного элемента, которые по тем или иным причинам не попали в вышеприведённую таблицу. Существуют ещё несколько характеристик, например, температурных:

Показатель температуры перехода — 150 градусов по Цельсию.
Рабочая температура транзистора — от -60 до +125 градусов по Цельсию.

Данные параметры транзистора КТ815 одинаковы как для транзисторов в корпусах КТ-27, так и в корпусах КТ-89.

Редакторы сайта советуют ознакомиться с определением понятия гистерезиса и использовании этого эффекта в котлах.

BC547C Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B — THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Номер произв

2SB772S

Описание

MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

Производители

Unisonic Technologies

логотип

1Page

No Preview Available !

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB772S
PNP SILICON TRANSISTOR
MEDIUM POWER LOW
VOLTAGE TRANSISTOR

 DESCRIPTION

The UTC 2SB772S is a medium power low voltage transistor,

designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage
regulator.

 FEATURES

* High current output up to 3A
* Low saturation voltage
* Complement to 2SD882S
1
SOT-223
1
SOT-89
1
TO-92

 ORDERING INFORMATION

Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
— 2SB772SG-x-AA3-R
— 2SB772SG-x-AB3-R
2SB772SL-x-T92-B
2SB772SG-x-T92-B
2SB772SL-x-T92-K
2SB772SG-x-T92-K
Note: Pin Assignment: C: Collector B: Base
E: Emitter
Package
SOT-223
SOT-89
TO-92
TO-92
Pin Assignment
123
BCE
BCE
ECB
ECB
Packing
Tape Reel
Tape Reel
Tape Box
Bulk

 MARKING

SOT-223
SOT-89
Rank
TO-92
UTC
B772S
1
L: Lead Free
G: Halogen Free
Data Code
www.unisonic.com.tw
Copyright 2014 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R208-002.H

No Preview Available !

2SB772S
PNP SILICON TRANSISTOR

 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA= 25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
RATINGSCollector-Base Voltage

VCBO

-40
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage

VCEO

VEBO

-30
-5
Peak Collector Current
DC Collector Current

ICP -7

IC -3

Base Current
SOT-89

-0.6
0.5
Power Dissipation
SOT-223
TO-92

1
0.5
Junction Temperature
Storage Temperature

TSTG

+150
-55 ~ +150
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
W
W
°C
°C

 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA= 25°C, unless otherwise specified)

PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base Breakdown Voltage

BVCBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage

BVCEO

BVEBO

Collector Cut-Off Current
Collector Cut-Off Current

ICBO

ICEO

Emitter Cut-Off Current
DC Current Gain(Note 1)
Collector-Emitter Saturation Voltage

IEBO

hFE1

hFE2

VCE(SAT)

Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product

VBE(SAT)

Output Capacitance

COB

Note 1: Pulse test: PW<300μs, Duty Cycle<2%

 CLASSIFICATION OF hFE2

RANK
RANGE
Q
100 ~ 200
TEST CONDITIONS

IC=-100μA, IE=0

IC=-1mA, IB=0

IE=-100μA, IC=0

VCB=-30V, IE=0

VCE=-30V, IB=0

VEB=-3V, IC=0

VCE=-2V, IC=-20mA

VCE=-2V, IC=-1A

IC=-2A, IB=-0.2A

VCE=-5V, IC=-0.1A

VCB=-10V, IE=0, f=1MHz

P
160 ~ 320
MIN TYP MAX UNIT
-40 V
-30 V
-5 V
-1000 nA
-1000 nA
-1000 nA
30 200
100 150 400
-0.3 -0.5
V
-1.0 -2.0
V
80 MHz
45 pF
E
200 ~ 400
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 3
QW-R208-002.H

No Preview Available !

2SB772S

■ TYPICAL CHARACTERICS

DC Current Gain vs. Collector Current

800 VCE=-2V

150°C
600
400

200 25°C

-10-1

-10-101 -102 -103

Collector Current, Ic (mA)

-104

Base-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current

-1.2 IC/IB=10

25°C
-0.8
-0.4
150°C

-10-1

-10-101 -102 -103

Collector Current, Ic (mA)

-104

PNP SILICON TRANSISTOR
Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current

-103 IC/IB=10

-102 150°C

25°C

-101

-1

-10-1

-10-101 -102 -103

Collector Current, Ic (mA)

-104

Collector Current vs.

2.0 Collector-Emitter Voltage

1.6
1.2
0.8
0.4

01 234 5

Collector-Emitter Voltage, VCE (V)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 3
QW-R208-002.H

Всего страниц

3 Pages

Скачать PDF

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Символ	Значение ٭
Напряжение коллектор-база, В	U_CBO	40
Напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO	30
Напряжение база-эмиттер, В	U_EBO	5
Ток коллектора постоянный, А	I_CO	3
Ток коллектора импульсный, А	I_CM	7
Ток базы постоянный, А	I_BO	0,6
Мощность рассеяния, Вт	2SB772	Корпус TO-92	при Ta = 25°С	P_C	0,5
Корпус TO-126/TO-126C	1
Корпус TO-251/TO-252	1
2SB772S	Корпус SOT-89	0,5
Корпус SOT-223	1
2SB772SS	Корпус SOT-23	при Ta = 25°С	0,35
	при T_С = 25°С	10
Предельная температура кристалла, °С	T_J	150
Диапазон температур при хранении, °С	T_STG	от -55 до 150

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.

Модификации и группы транзистора B772

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
2SB772	12,5 (1,25)	60	30	5	3	150	50	—	60	TO-126
2SB772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	40	55	160	TO-126
BTB772ST3	10,0 (1,0)	40	30	5	2	150	80	55	180	TO-126
BTB772T3	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	180	TO-126
CSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
CSB772 (P, Q, R, E)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	200	TO-126
FTB772	(1.25)	40	30	6	3	150	80	55	60	TO-126
KSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
KSB772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
KTB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
PMB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
ST2S772T	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-126
TSB772CK	10,0 (1,0)	50	30	5	3	150	80	55	100	TO-126
B772C	(1.25)	40	30	6	3	150	50	—	60	TO-126C
B772P	15,0 (1,25)	40	30	6	3	150	50	—	120	TO-126D
HSB772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	100	TO-126ML
2SB772B	25,0 (2,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-220
2SB772I	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	30	TO-251
B772PC	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	120	TO-251
BTB772I3	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	180	TO-251
WTP772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	30	TO-251
2SB772D	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-252
B772 (R, O, Y, GR)	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	60	TO-252
BTB772AJ3	15,0 (1,0)	50	30	7	3	150	190	33	180	TO-252
BTB772J3	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	80	55	180	TO-252
FTB772D	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	60	TO-252
GSTD772	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	—	60	TO-252
ST2SB772R	10,0 (1,0)	40	30	6	3	150	50	—	100	TO-252
B772M	(1.25)	40	30	6	3	150	50	—	60	TO-252-2L
2SB772A	(0.5)	70	60	6	3	150	50	—	60	SOT-89
2SB772GP	(1.5)	40	30	5	3	150	100	55	160	SOT-89
2SB772T	(0.5)	40	30	5	3	150	80	55	60	SOT-89
BTB772AM3	(2)	50	50	6	3	150	80	25	180	SOT-89
FTB772F	(0.5)	40	30	6	3	150	50	—	60	SOT-89
GSTM772	(0.5)	40	30	5	3	150	80	—	60	SOT-89
KXA1502	(0.5)	40	20	5	1.5	150	100	20	160	SOT-89
L2SB772 (P, Q)	(0.5)	40	30	6	3	150	50	—	160	SOT-89
ST2SB772U	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	SOT-89
ZX5T250	(0.5)	70	60	6	3	150	50	—	160	SOT-89
2SB772S	(0.5)	40	30	5	3	150	80	45	100	SOT-89
ALJB772	(1)	40	30	6	1.5	150	100	—	200	TO-92
B772S	(0.625)	40	30	6	3	150	50	—	60	TO-92
BTB772SA3	(0.75)	50	50	5	3	150	80	55	180	TO-92
GSTS772	(0.625)	40	30	5	3	150	80	—	60	TO-92
HB772S	(0.75)	40	30	5	3	150	80	55	100	TO-92
HSB772S	(0.75)	40	30	5	3	150	80	55	100	TO-92
TSB772SCT	(0.625)	50	30	5	3	150	80	55	100	TO-92
2SB772L	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	TO-92LM
2SB772M	(0.35)	40	30	5	3	150	80	45	100	SOT-23
B772SS	10,0 (0,35)	40	30	5	3	150	80	45	100	SOT-23
2SB772N	10,0 (1,0)	40	30	5	3	150	80	55	60	SOT-223
2SB772ZGP	(1.5)	40	30	5	3	150	100	55	160	SOT-223

Примечения:

Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра h_FE.
В столбце мощности «P_C T_c(T_a) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне T_A = 25°C.
В режиме ограничения температуры корпуса транзистора T_C = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия T_C = 25°C большинством производителей не указывается.
Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).

BC547BA3 Datasheet (PDF)

0.1. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

8.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

Описание и назначение

Основное назначение транзистора B941 — управление и усиление электрических сигналов в области радиочастот. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор широко используется в радиоэлектронных устройствах, включая радиоприемники, усилители и передатчики.

Транзистор B941 обладает высокими рабочими частотами, что позволяет ему работать на высоких частотах в диапазоне до нескольких гигагерц. Кроме того, он обладает низким уровнем шума и малыми потерями мощности, что делает его идеальным для применения в радиоэлектронике.

Важно отметить, что транзистор B941 является одним из базовых компонентов в проектировании устройств на высоких частотах. Благодаря своей надежности и эффективности, этот транзистор широко применяется в индустрии и является популярным выбором среди радиолюбителей и профессиональных разработчиков

Основные характеристики	Значение
Тип	NPN
Максимальное рабочее напряжение, В	50
Максимальный ток коллектора, А	0.1
Коэффициент усиления тока	1000-3000
Максимальная частота работы, ГГц	3

Характеристики КТ815

BC547C Datasheet (PDF)

Datasheet Download — Unisonic Technologies

Предельные эксплуатационные характеристики

Модификации и группы транзистора B772

BC547BA3 Datasheet (PDF)

Описание и назначение

Похожие записи:

Похожие записи: