Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | TO-126 |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | TO-126 |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126C |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-126D |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126ML |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-220 |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-251 |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-251 |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-252 |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | TO-252 |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-252 |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-252 |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | TO-252 |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252-2L |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-89 |
| 2SB772T | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| BTB772AM3 | (2) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 80 | 25 | 180 | SOT-89 |
| FTB772F | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| GSTM772 | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | SOT-89 |
| KXA1502 | (0.5) | 40 | 20 | 5 | 1.5 | 150 | 100 | 20 | 160 | SOT-89 |
| L2SB772 (P, Q) | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| ST2SB772U | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-89 |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-92 |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-92 |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-92LM |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-223 |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-223 |
Примечения:
- Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
- В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
- В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
- В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
- Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
| Характеристика | Символ | Значение ٭ | |||
|---|---|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база, В | UCBO | 40 | |||
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | 30 | |||
| Напряжение база-эмиттер, В | UEBO | 5 | |||
| Ток коллектора постоянный, А | ICO | 3 | |||
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 7 | |||
| Ток базы постоянный, А | IBO | 0,6 | |||
| Мощность рассеяния, Вт | 2SB772 | Корпус TO-92 | при Ta = 25°С | PC | 0,5 |
| Корпус TO-126/TO-126C | 1 | ||||
| Корпус TO-251/TO-252 | 1 | ||||
| 2SB772S | Корпус SOT-89 | 0,5 | |||
| Корпус SOT-223 | 1 | ||||
| 2SB772SS | Корпус SOT-23 | при Ta = 25°С | 0,35 | ||
| при TС = 25°С | 10 | ||||
| Предельная температура кристалла, °С | TJ | 150 | |||
| Диапазон температур при хранении, °С | TSTG | от -55 до 150 |
٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.
В таблицу предельных эксплуатационных характеристик и типовых термических характеристик введены для сравнения данные по рассеиваемой мощности транзисторов 2SB772/S/SS, выпускаемых в различных корпусах одним и тем же производителем: “Unisonic Technologies Co., Ltd”. Остальные параметры и характеристики полностью повторяются.
Принципиальная схема
Принципиальная схема такого УМЗЧ показана на рис. 1. Устройство представляет собой одноканальный транзисторный усилитель мощности низкой частоты, рассчитанный на однополярное напряжение питания 5…28 В и сопротивление подключенной нагрузки 2…50 Ом.
Максимальная выходная мощность зависит от напряжения питания, применённых выходных транзисторов и условий их охлаждения. Для упрощения схемы в конструкции применены не составные биполярные транзисторы с высоким и сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы.
Рис. 1. Схема экономичного УМЗЧ на 13 Ватт на транзисторах 2SC3331V, 2SA1286, 2SA928A, 2SD2058Y.
Напряжение звуковой частоты через RC фильтр R1C1 поступает на регулятор громкости — переменный резистор R2. Через разделительный конденсатор C3 напряжение ЗЧ поступает на маломощный транзистор VТ1, включенный по схеме с общим эмиттером.
Основное усиление по напряжению осуществляет транзистор VТ2 со сверхвысоким коэффициентом передачи тока базы. Выходной каскад собран на мощных п-р-п транзисторах VТ4, VТ5. Транзистор VТ2 вместе с VT3 представляют собой составной транзистор по схеме Шиклаи.
По схеме такого же составного транзистора включены VТ4, VТ5. Применение транзистора VТ4 позволяет значительно снизить ток коллектора VТ2, а также упрощает управление током покоя выходного каскада, позволяет получить большую выходную мощность при меньших искажениях.
Ток покоя выходного каскада зависит от падения напряжения на последовательно включенных VD1, VD2, RT1. В представленном усилителе он может быть от нуля.
Коэффициент усиления по напряжению задаётся соотношением сопротивлений резисторов R10, R8. При положении подвижного контакта переменного резистора в режиме максимальной громкости он будет около 62. Резистор R6 и конденсатор С2 — фильтр напряжения смещения VT1.
Подстроечным резистором R2 устанавливают в средней точке выходного каскада («+» конденсатора С7) рабочее напряжение, равное половине напряжения питания.
Резистор R11 включен по схеме вольтодобавки для питания VТ4. Резисторы R13, R14 уменьшают сквозной ток через транзисторы VТ4, VТ5 в моменты их переключения, а также, немного стабилизируют их ток покоя.
Цепочка R9C5 уменьшает вероятность самовозбуждения УМЗЧ. Конденсаторы С6, С9 — блокировочные в цепи питания.
При нулевом токе покоя и напряжении питания 9 В УМЗЧ потребляет ток 0,6 мА. То же при напряжении питания 25 В — 3,2 мА. Максимальная выходная мощность без ограничения амплитуды выходного сигнала 13 Вт при напряжении питания 25В на нагрузке сопротивлением 4 Ом. То же при напряжении питания 5 В — 0,25Вт или 2,25Вт при 12В.
При напряжении питания 25 В амплитуда выходного сигнала 22 В на нагрузке сопротивлением 4 Ом или 24 В на 8 Ом.
Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером
В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.
Рисунок 9 Схема с общим эмиттером
Характеристики входа
Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.
Рисунок 10 Характеристики входа
Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:
Характеристики выхода
Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:
Рисунок 11 Характеристики выхода
Характеристики передачи тока
Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:
Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.
Рисунок 12 Характеристики передачи тока
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
↑ Функция REM
уже сделана в преобразователе, но она мне не очень нравится. Её я перевел на постоянный плюс, а REM организовал при помощи 2-х релюшек (такие обычно идут с сигнализациями, центральными замками), каждая на свой преобразователь и приклеил их на суперклей к корпусу. Подключил так: там четыре контакта, два на питание и два силовых. На один силовой подключил постоянный плюс, на второй плюс к для питания преобразователя. На одну клему питания приходит постоянный минус, а на вторую клемму питания плюс берется с клеммы REM. Так, при включении магнитолы появляется плюс на релюшке, та включается, и на преобразователь приходит питание. Вот вобщем-то и все, осталось все спаять и скрутить.
Все разъемы и детали были куплены в магазине и на рынке. Итак, первое включение закончилось удачно, все работает, звук радует своей мощностью и четкостью. Я остался доволен.
ИНВЕРТОР 1
Этот инвертор предназначен только для питания сабвуферного усилителя по схеме ланзара. Выходное напряжение +/-65 Вольт. Инвертор не имеет стабилизацию выходного напряжения, но не смотря на это серьезные скачки напряжения не наблюдал. Построен инвертор по классической двухтактной схеме с применением ШИМ контроллера на микросхеме TL494. Трансформатор был намотан на двух кольцах марки 3000НМ (Евгений, спасибо, что выручил и с другого конца света выслал кольца), размеры колец 45*28*8. Если есть возможность, то используйте феррит марки 2000НМ, с ним меньше потерь в трансформаторе. Кольца не склеивал, просто обмотал прозрачным скотчем. Грани кольца не закруглял, просто перед намоткой сердечник обмотал полоской стекловолокна в два слоя. Стекловолокно не боится перегрева и обеспечивает довольно неплохую изоляцию обмоток, хотя в таких инверторах промышленного образца никогда не изолируют обмотки друг от друга, поскольку напряжение не столь высокое.
Намотка делалась двумя полностью идентичными шинами, каждая из шин состоит из 12 жил провода с диаметром 0,7 мм. Перед намоткой берем контрольный провод, им будем выяснять, какой длины нужна шина. Контрольный провод может быть любым, любого сечения (для удобства диаметр подобрать 0,3-1 мм), Итак, берем контрольный провод и мотаем 5 витков по на кольце, витки равномерно растягивая по всему кольцу. Теперь отматываем обмотку измеряя длину, допустим длина провода составила 20 см, следовательно для намотки основной обмотки провод нужно брать с запасом 5-7 см, т.е. 25-27 см, разумеется, длина не точная и привел только для примера. Теперь переходим дальше. Поскольку первичная (силовая) обмотка у нас состоит из двух полностью аналогичных плеч, то нам нужны 24 жилы провода 0,7 мм одинаковой длины. Дальше нужно собрать шины из 12 жил, концы жил скручиваем и переходим к процессу намотки.
В разных источниках приводятся отличающиеся друг от друга технологии намотки, этот метод отличается тем, что позволяет получить максимально равноценные обмотки. Намотку делаем сразу двумя шинами, желательно использовать жгут для удобства, но я мотал без него. Максимально аккуратно мотаем 5 витков по всему кольцу, в итоге у нас получается 4 отвода. Для стойкости витков обмотку изолируем, пробная изоляция может быть любой — скотч, изолента, нитки и т.п, лишь бы обмотка держалась, если уверены в правильности намотки, то можно ставить конечную изоляцию (в моем случае опять стекловолокно). Теперь нужно сфазировать обмотки, подключая начало первой полуобмотки (плеча) к концу второй или наоборот начало второй, к концу первой. Мест стыковки обмоток есть отвод от середины, на него подается силовой плюс 12 Вольт по схеме. Вторичная обмотка мотается и фазируется по тому же принципу, что и первичная. Обмотка состоит из 2х24 витков, мотается двумя шинами. Каждая шина состоит из 5 жил провода 0,7 мм.
Диодный выпрямитель собран из 4-х диодов серии КД213А. Это импульсные диоды с обратным напряжением до 200 Вольт, отлично себя чувствуют на частотах 50-80 кГц (хотя могут работать на частотах до 100 кГц), а максимально допустимый ток 10 Ампер — то, что нужно. В дополнительном охлаждении диоды не нуждаются, хотя в ходе работы может наблюдаться тепловыделение.
Дросселя в выходной цепи использовал готовые, от компьютерных блоков питания. Намотаны дросселя на ферритовом стержне (длина 1,5-2 см, диаметр 6 мм). Обмотка содержит 5-6 витков, намотана проводом 2-2,5 мм, для удобства можно мотать несколькими жилами более тонкого провода. Сглаживающие электролиты брал с напряжением 100 Вольт 1000 мкФ, работают с большим запасом. В итоге на плате инвертора 4 таких конденсатора в плече, еще два аналогичных стоят на плате усилителя Ланзар, т.е общая емкость фильтров в плече 5000 мкФ. Перед и после дросселей стоят пленочные конденсаторы с напряжением 100 Вольт, их емкость не особа критична и может быть в районе 0,1-1 мкФ.
Справочная таблица по SMD транзисторам
| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
| 15 | MMBT3960 | 2N3960 |
| 1A | BC846A | BC546A |
| 1B | BC846B | BC546B |
| 1C | MMBTA20 | MPSA20 |
| 1D | BC846 | — |
| 1E | BC847A | BC547A |
| 1F | BC847B | BC547B |
| 1G | BC847C | BC547C |
| 1H | BC847 | — |
| 1J | BC848A | BC548A |
| 1K | BC848B | BC548B |
| 1L | BC848C | BC548C |
| 1M | BC848 | — |
| 1P | FMMT2222A | 2N2222A |
| 1T | MMBT3960A | 2N3960A |
| 1X | MMBT930 | — |
| 1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
| 2A | FMMT3906 | 2N3906 |
| 2B | BC849B | BC549B |
| 2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
| 2E | FMMTA93 | — |
| 2F | BC850B | BC550B |
| 2G | BC850C | BC550C |
| 2J | MMBT3640 | 2N3640 |
| 2K | MMBT8598 | — |
| 2M | MMBT404 | — |
| 2N | MMBT404A | — |
| 2T | MMBT4403 | 2N4403 |
| 2W | MMBT8599 | — |
| 2X | MMBT4401 | 2N4401 |
| 3A | BC856A | BC556A |
| 3B | BC856B | BC556B |
| 3D | BC856 | — |
| 3E | BC857A | BC557A |
| 3F | BC857B | BC557B |
| 3G | BC857C | BC557C |
| 3J | BC858A | BC558A |
| 3K | BC858B | BC558B |
| 3L | BC858C | BC558C |
| 3S | MMBT5551 | — |
| 4A | BC859A | BC559A |
| 4B | BC859B | BC559B |
| 4C | BC859C | BC559C |
| 4E | BC860A | BC560A |
| 4F | BC860B | BC560B |
| 4G | BC860C | BC560C |
| 4J | FMMT38A | — |
| 449 | FMMT449 | — |
| 489 | FMMT489 | — |
| 491 | FMMT491 | — |
| 493 | FMMT493 | — |
| 5A | BC807-16 | BC327-16 |
| 5B | BC807-25 | BC327-25 |
| 5C | BC807-40 | BC327-40 |
| 5E | BC808-16 | BC328-16 |
| 5F | BC808-25 | BC328-25 |
| 5G | BC808-40 | BC328-40 |
| 549 | FMMT549 | — |
| 589 | FMMT589 | — |
| 591 | FMMT591 | — |
| 593 | FMMT593 | — |
| 6A | BC817-16 | BC337-16 |
| 6B | BC817-25 | BC337-25 |
| 6C | BC817-40 | BC337-40 |
| 6E | BC818-16 | BC338-16 |
| 6F | BC818-25 | BC338-25 |
| 6G | BC818-40 | BC338-40 |
| 9 | BC849BLT1 | — |
| AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
| AB | BCW60B | — |
| AC | BCW60C | BC548B |
| AD | BCW60D | — |
| AE | BCX52 | — |
| AG | BCX70G | — |
| AH | BCX70H | — |
| AJ | BCX70J | — |
| AK | BCX70K | — |
| AL | MMBTA55 | — |
| AM | BSS64 | 2N3638 |
| AS1 | BST50 | BSR50 |
| B2 | BSV52 | 2N2369A |
| BA | BCW61A | BC635 |
| BB | BCW61B | — |
| BC | BCW61C | — |
| BD | BCW61D | — |
| BE | BCX55 | — |
| BG | BCX71G | — |
| BH | BCX71H | BC639 |
| BJ | BCX71J | — |
| BK | BCX71K | — |
| BN | MMBT3638A | 2N3638A |
| BR2 | BSR31 | 2N4031 |
| C1 | BCW29 | — |
| C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
| C5 | MMBA811C5 | — |
| C6 | MMBA811C6 | — |
| C7 | BCF29 | — |
| C8 | BCF30 | — |
| CE | BSS79B | — |
| CEC | BC869 | BC369 |
| CF | BSS79C | — |
| CH | BSS82B / BSS80B | — |
| CJ | BSS80C | — |
| CM | BSS82C | — |
| D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
| D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
| D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
| D6 | MMBC1622D6 | — |
| D7 | BCF32 | — |
| D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
| DA | BCW67A | — |
| DB | BCW67B | — |
| DC | BCW67C | — |
| DE | BFN18 | — |
| DF | BCW68F | — |
| DG | BCW68G | — |
| DH | BCW68H | — |
| E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
| EA | BCW65A | — |
| EB | BCW65B | — |
| EC | BCW65C | — |
| ED | BCW65C | — |
| EF | BCW66F | — |
| EG | BCW66G | — |
| EH | BCW66H | — |
| F1 | MMBC1009F1 | — |
| F3 | MMBC1009F3 | — |
| FA | BFQ17 | BFW16A |
| FD | BCV26 | MPSA64 |
| FE | BCV46 | MPSA77 |
| FF | BCV27 | MPSA14 |
| FG | BCV47 | MPSA27 |
| GF | BFR92P | — |
| H1 | BCW69 | — |
| H2 | BCW70 | BC557B |
| H3 | BCW89 | — |
| H7 | BCF70 | — |
| K1 | BCW71 | BC547A |
| K2 | BCW72 | BC547B |
| K3 | BCW81 | — |
| K4 | BCW71R | — |
| K7 | BCV71 | — |
| K8 | BCV72 | — |
| K9 | BCF81 | — |
| L1 | BSS65 | — |
| L2 | BSS70 | — |
| L3 | MMBC1323L3 | — |
| L4 | MMBC1623L4 | — |
| L5 | MMBC1623L5 | — |
| L6 | MMBC1623L6 | — |
| L7 | MMBC1623L7 | — |
| M3 | MMBA812M3 | — |
| M4 | MMBA812M4 | — |
| M5 | MMBA812M5 | — |
| M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
| M7 | MMBA812M7 | — |
| O2 | BST82 | — |
| P1 | BFR92 | BFR90 |
| P2 | BFR92A | BFR90 |
| P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
| Q3 | MMBC1321Q3 | — |
| Q4 | MMBC1321Q4 | — |
| Q5 | MMBC1321Q5 | — |
| R1 | BFR93 | BFR91 |
| R2 | BFR93A | BFR91 |
| S1A | SMBT3904 | — |
| S1D | SMBTA42 | — |
| S2 | MMBA813S2 | — |
| S2A | SMBT3906 | — |
| S2D | SMBTA92 | — |
| S2F | SMBT2907A | — |
| S3 | MMBA813S3 | — |
| S4 | MMBA813S4 | — |
| T1 | BCX17 | BC327 |
| T2 | BCX18 | — |
| T7 | BSR15 | 2N2907A |
| T8 | BSR16 | 2N2907A |
| U1 | BCX19 | BC337 |
| U2 | BCX20 | — |
| U7 | BSR13 | 2N2222A |
| U8 | BSR14 | 2N2222A |
| U9 | BSR17 | — |
| U92 | BSR17A | 2N3904 |
| Z2V | FMMTA64 | — |
| ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Если вдруг в таблице не оказалось нужных Вам данных, то у нас на сайте есть программа по SMD элементам, скачать которую можно совершенно на этой странице. Вообще у нас все программы бесплатные, без регистраций, без файлообменников и без СМС!Вы также можете задать любой интересующий вопрос и на нашем ФОРУМЕ!
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Статические внешние характеристики транзистора (в схеме с ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при разных токах базы IB управления.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 4. Изменение полосы пропускания транзистора fT при изменении коллекторной нагрузки IC. Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и токе базы IB = 8 мА.
Рис. 5. Зависимость выходной емкости (коллекторного перехода) CC от напряжения коллектор-база UCB. Характеристика снималась при частоте f = 1 МГц и токе эмиттера IE = 0.
Рис. 6. Характеристика ограничения рассеиваемой транзистором мощности PC при различных температурах корпуса транзистора TC.
Рис. 6. Характеристика ограничения (в %) коллекторного тока IC при изменении температуры корпуса TC и при двух различных условиях:
- нижняя характеристика (Dissipation limited) при ограничении мощности рассеивания;
- верхняя характеристика (S/b limited) — ограничение предельного тока транзистора для предотвращения вторичного пробоя п/п структуры локально в местах повышенной плотности тока.
Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.
Предельный коллекторный ток в импульсном режиме IC(max) Pulse и предельный постоянный ток IC(max) DC ограничивают предельную токовую нагрузку транзистора, исключая прогорание структуры.
Предельное напряжение коллектор-эмиттер UCE ограничивает нагрузку по напряжению, исключая электрический пробой структуры.
Предельная рассеиваемая мощность ограничивает тепловую нагрузку транзистора при параметрах, меньших предельного тока и напряжения. На графиках показаны ограничения по рассеиваемой мощности при импульсном режиме с длительностью импульсов 0,1 мс, 1 мс, 10 мс и в режиме постоянного тока (помечено DC).
Несколько слов о деталях:
При сборке усилителя, в качестве конденсаторов постоянной ёмкости (помимо электролитических), желательно применять слюдяные конденсаторы. Например типа КСО, такие, как ниже на рисунке.
Транзисторы МП40А можно заменить на транзисторы МП21, МП25, МП26. Транзисторы ГТ402Г – на ГТ402В; ГТ404Г – на ГТ404В; Выходные транзисторы ГТ806 можно ставить любых буквенных индексов. Применять более низкочастотные транзисторы типа П210, П216, П217 в этой схеме не рекомендую, поскольку на частотах выше 10кГц они здесь работают плоховато (заметны искажения), видимо, из-за нехватки усиления тока на высокой частоте.
Площадь радиаторов на выходные транзисторы должна быть не менее 200 см2, на предоконечные транзисторы не менее 10 см2. На транзисторы типа ГТ402 радиаторы удобно делать из медной (латунной) или алюминиевой пластины, толщиной 0,5 мм, размером 44х26.5 мм.
Пластина разрезается по линиям, потом этой заготовке придают форму трубки, используя для этой цели любую подходящую цилиндрическую оправку (например сверло). После этого заготовку (1) плотно надевают на корпус транзистора (2) и прижимают пружинящим кольцом (3), предварительно отогнув боковые крепёжные ушки.
Кольцо изготовляется из стальной проволоки диаметром 0,5-1,0 мм. Вместо кольца можно использовать бандаж из медной проволоки. Теперь осталось загнуть снизу боковые ушки для крепления радиатора за корпус транзистора и отогнуть на нужный угол надрезанные перья.
Подобный радиатор можно также изготовить и из медной трубки, диаметром 8мм. Отрезаем кусок 6…7см, разрезаем трубку вдоль по всей длине с одной стороны. Далее на половину длины разрезаем трубку на 4 части и отгибаем эти части в виде лепестков и плотно надеваем на транзистор.
Так как диаметр корпуса транзистора где-то 8,2 мм, то за счёт прорези по всей длине трубки, она плотно оденется на транзистор и будет удерживаться на его корпусе за счёт пружинящих свойств. Резисторы в эмиттерах выходного каскада – либо проволочные мощностью 5 Вт, либо типа МЛТ-2 3 Ом по 3шт параллельно. Импортные пленочные использовать не советую – выгорают мгновенно и незаметно, что ведет к выходу из строя сразу нескольких транзисторов.
ВИДЕО УСИЛИТЕЛЯ
Плата для LM крепится на основную плату УНЧ через стойки в виде трубок и болтов. Питание для этого блока берется со второго инвертора, предусмотрена отдельная обмотка. Выпрямитель и фильтрующие конденсаторы расположены непосредственно на плате усилителя. В качестве выпрямительных диодов уже традиционные КД213А. Дросселей для сглаживания ВЧ помех не использовал, да и нет нужды их применять, поскольку даже в довольно брендовых автомобильных усилителях их часто не ставят. В качестве теплоотвода использовал набор дюралюминиевых болванок 200х40х10 мм.
На плату также укреплен кулер, который одновременно отводит теплый воздух с этого блока и отдувает теплоотводы инверторов. С электроникой аудиокомплекса полностью разобрались — переходим к механике и слесарным работам…
Основа любой радиолюбительской конструкции — красивый удобный корпус, тем более он должен прилично смотреться у аппарата, который занимает достойное место в гостинной или вашем рабочем кабинете.
Простой транзисторный усилитель класса А
Здравствуйте, аудиофилы-самоделкины! (аудиофилы в хорошем смысле, конечно)
Речь сегодня пойдёт о самом что ни на есть аудиофильском усилителе — класс А, всё-таки. Не хухры-мухры. Спроектирован он был ещё в прошлом веке, но и по сей день его собирают множество радиолюбитей, вот что значит по-настоящему удачная схема. Называется он «JLH 1969» — аббревиатура инициалов автора схемы и год создания. Конечно, база компонентов в те времена была совсем другой, но это не помешает нам собрать этот легендарный усилитель из того, что найдётся сейчас под рукой. Особенностью схемы является её работа в классе А с высоким током покоя выходного каскада. Это обеспечивает минимум нелинейных искажений в выходном сигнале, некую музыкальность, но зато схема потребляет значительный ток и требует для выходных транзисторов приличного размера радиаторов. Некоторые люди считают, что такая схемотехника является наиболее правильной и позволяет слушать музыку с максимальным качеством воспроизведения. Ниже представлена сама схема.
Схема содержит всего 4 транзистора, из них VT3 и VT4 — выходные, должны обладать максимально близкими параметрами, для этого достаточно просто взять два транзистора из одной партии, отлично подойдут КТ805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. При этом их коэффициент усиления должен быть как минимум 120. VT1 — маломощный входной PNP структуры, подойдут 2N3906, BC212, BC546, КТ361, а так же можно поэкспериментировать с различными германиевыми вариантами, благо их PNP структуры много. VT2 образует драйверный каскад, сюда нужно что-то чуть помощнее, например, КТ801, КТ630, КТ602, 2N697, BD139, 2SC5707, 2SD2165.
Некоторые номиналы схемы, для пущей академичности, следует варьировать исходя из сопротивления нагрузки и напряжения питания. Напряжение может варьироваться от 12 до 40В, соответственно чем оно больше, тем больше будет выходная мощность, и тем сильнее будет греться оконечный каскад. Ниже представлена таблица для подбора номиналов. Несколько слов о настройке. Первым делом включать усилитель нужно без нагрузки и без подключенного источника сигнала. Включаем сперва на небольшом напряжении, контролируем ток покоя, он должен составлять 0,8 — 1,5А. Параллельно с этим замеряем напряжение в точке соединения VT3 и VT4 — оно должно быть равно половине напряжения питания. Если это не так, то подгоняем его максимально близко с помощью подстроечного резистора R2. Также на схеме можно увидеть нарисованную пунктиром цепь Цобеля — последовательно включенный резистор и конденсатор, они служат для подавления самовозбуждения. Резистор сопротивлением 10 Ом, конденсатор 100 нФ.
Монтаж выполняется на печатной плате, обратите внимание, что она полностью залита землей вокруг дорожек, это способствует лучшей помехозащищённости и в какой-то степени защищает от самовозбуждения. Однако при пайке нужно быть максимально аккуратным, запросто можно случайно посадить «соплю» между земляным полигоном и дорожкой. Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть
Удачной сборки!
Если усилитель не заработает с первого раза, рекомендую тщательно прозвонить всё на замыкание, ведь глазом волосинку-перемычку очень сложно увидеть. Удачной сборки!
plata.zip (скачиваний: 100)
Источник (Source)
Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой PNP, эпитаксиальнопланарные, которые применяются в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах высокочастотного диапазона.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус | Примеча-ние |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 | |
| (2)КТ914А | 7 | 65 | 65 | 4 | 0,8 | 150 | 350 | 12 | — | — | |
| (2)КТ932А/Б/В | 20 | 80/60/40 | 4,5 | 2 | 150 | 100 | 300 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| (2)КТ933А/Б | 5 | 80/60 | 4,5 | 0,5 | 150 | 75 | 100 | от 15 до 120 | — | TC ≤ 50°C | |
| КТ973А/Б/В/Г | 8 | 60/45/60/60 | 5 | 2 | 150 | — | — | от 750 до 5000 | — | ||
| КТ974А/Б/В | 5 | 80/60/50 | 3 | 2 | 150 | 450 | 80 | от 10 до 120 | — | TC ≤ 50°C |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SA1359 (O, Y) | 10,0 (1,0) | 40 | 40 | 5 | 3 | 150 | 100 | 35 | 70 | TO-126 |
| 2SB843 | 10,0 (1,0) | 50 | 40 | 6 | 5 | 175 | — | — | 90 | TO-126 |
| BTB1424AD3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| BTB1424AT3 | 10,0 (1,0) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 240 | 35 | 180 | TO-126 |
| H772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| HT772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| KSH772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2SB772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| 2SA1761 | (0,9) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| 2SA3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| 2SB985 (R, S, T, U) | (1) | 60 | 60 | 6 | 3 | 165 | 150 | — | 280 | TO-92 |
| BR3CG3802 | (0,8) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| KTB985 | (1) | 60 | 50 | 6 | 3 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX949 | (1,2) | 50 | 30 | 6 | 4,5 | 200 | 120 | — | 100 | TO-92 |
| ZTX951 | (1,2) | 100 | 60 | 6 | 4 | 200 | — | 100 | TO-92 | |
| ZTX953 | (1,2) | 140 | 100 | 6 | 3,5 | 200 | 125 | — | 100 | TO-92 |
| 2SA2039-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 5 | 150 | 360 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SA2126-TL-E | 15 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 390 | 24 | 200 | TO-252 |
| 2SAR573D | 10 | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 300 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTA2039J3 | 15 | 60 | 50 | 6 | 5 | 150 | 150 | 42 | 200 | TO-252 |
| BTB1184J3 | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 180 | TO-252 |
| BTB1184J3S | 15 | — | — | 6 | 3 | 150 | 80 | 35 | 270 | TO-252 |
| BTB9435J3 | 10 | 40 | 32 | 6 | 3 | 150 | 180 | 20 | 180 | TO-252 |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
H13005 Datasheet (PDF)
1.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd
KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220
1.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd
KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO
1.3. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan
N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………
1.4. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi
R H13005ADL 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2
1.5. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi
R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2
1.6. h13005.pdf Size:116K _jdsemi
R H13005 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2
1.7. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi
R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．
1.8. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi
R H13005D 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».