Подключение IRF3205
Подключение данного транзистора ничем не отличается от способа подключения остальных n-канальных МОП-транзисторов в корпусе ТО-220. Ниже Вы можете увидеть цоколевку выводов MOSFET’а:
Управление осуществляется затвором (gate). В теории, полевику все равно где у него сток, а где исток. Однако в жизни проблема заключается в том, что ради улучшения характеристик транзистора контакты стока и стока производители делают разными. А на мощных моделях из-за технического процесса образуется паразитный обратный диод.
Подключение к микроконтроллеру
Так как для открытия транзистора на затвор необходимо подать около 20В, то подключить его напрямую к МК, который выйдет максимум 5, не получится. Есть несколько способов решения этой задачи:
- Регулировать напряжение на затворе менее мощным транзистором, благодаря которому можно управлять напряжением в 5В. В таком случае схема будет простая и все, что придется добавить — это два резистора (подтягивающий на 10 кОм и ограничивающий ток на 100 Ом)
- Использовать специализированный драйвер. Такая микросхема будет формировать необходимый сигнал управления и выравнивать уровень между контроллером и транзистором. Ниже приведена одна из возможных схем для такого способа.
- Воспользоваться другим транзистором, у которого вольтаж открытия будет ниже. Вот список наиболее мощных и распространенных транзисторов, которые можно использовать с микроконтроллерами такими, как arduino, например:
- IRF3704ZPBF
- IRLB8743PBF
- IRL2203NPBF
- IRLB8748PBF
- IRL8113PBF
KSC5027 Аналоги
образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить KSC5027R
TO-220-3 NPN
Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220 KSC5027 и KSC5027R аналог BUL416
TO-220 NPN 1.6kV 6A
ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 6A KSC5027 и BUL416 аналог BUL1403ED
TO-220 NPN 650V 3A 80W
ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 650V 3A KSC5027 и BUL1403ED аналог NTE2303 NTE Electronics Дискретное устройство Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 750V 2.5A KSC5027 и NTE2303 аналог KSC5026R Fairchild Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 1.5A KSC5027 и KSC5026R аналог KSC5027 ON Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и KSC5027 аналог 2SC2979 New Jersey Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и 2SC2979 аналог
KSC5027 отечественный анало NTE2303, KSC5027R: KSC5027 , NTE2303 , KSC5027R TO-220-3 NPN. KSC5027 характеристики и его российские аналоги NTE2303, KSC5027R: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220. KSC5027 аналоги NTE2303, KSC5027R Корпус/Пакет: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220.
Радиодетали классификация электронных компонентов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Биполярный транзистор KSC5027R — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC5027R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора:
KSC5027R
Datasheet (PDF)
7.1. Size:53K fairchild semi ksc5027.pdf
KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre
7.2. Size:24K samsung ksc5027.pdf
KSC5027 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220HIGH SPEED SWITCHINGWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A1.Base 2.Collector 3.Emitter
7.3. Size:74K samsung ksc5027f.pdf
KSC5027F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYHIGH SPEED SWITCHINGTO-220FWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A Collector Dissipation (TC
7.4. Size:235K onsemi ksc5027.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
7.5. Size:88K inchange semiconductor ksc5027.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage and high reliability High speed switching Wide area of safe operation PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO
7.6. Size:215K inchange semiconductor ksc5027f.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027FDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applicationsHigh speed DC-DC converter applications.ABSOLUT
Другие транзисторы… KSC5026
, KSC5026N
, KSC5026O
, KSC5026R
, KSC5027
, KSC5027F
, KSC5027N
, KSC5027O
, BC337
, KSC5028
, KSC5028N
, KSC5028O
, KSC5028R
, KSC5029
, KSC5029N
, KSC5029O
, KSC5029R
.
Входные и выходные характеристики
Транзистор C5027 имеет следующие входные и выходные характеристики:
1. Входные характеристики:
а) Напряжение эмиттер-база (VBE):
— Максимальное значение VBE: 5 В
— Номинальное значение VBE: 4 В
б) Ток коллектора (IC):
— Максимальное значение IC: 10 А
— Номинальное значение IC: 3 А
2. Выходные характеристики:
а) Напряжение коллектор-эмиттер (VCE):
— Максимальное значение VCE: 30 В
— Номинальное значение VCE: 5 В
б) Ток базы (IB):
— Максимальное значение IB: 1 А
— Номинальное значение IB: 0.1 А
в) Сопротивление коллектора (RC):
— Максимальное значение RC: 1 Ом
— Номинальное значение RC: 0.25 Ом
Примечание: Все значения указаны при температуре окружающей среды 25 °C.
Обзор характеристик транзистора C5027
Основные технические характеристики транзистора C5027:
- Максимальное коллекторное напряжение: 300 В
- Максимальный коллекторный ток: 8 А
- Максимальная мощность: 100 Вт
- Максимальная рабочая частота: 3 МГц
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
- Базовое напряжение: 5 В
Транзистор C5027 обладает низкими значениями утечки тока и хорошей стабильностью работы в широком температурном диапазоне. Он применяется во множестве электронных устройств, включая усилители мощности, источники питания, инверторы, стабилизаторы напряжения и др.
Стоит отметить, что при использовании транзистора C5027 необходимо соблюдать правила теплоотвода, так как он может нагреваться при работе с большими токами и мощностями. Рекомендуется использовать радиаторы для эффективного отвода тепла и обеспечения его надежной работы.
