Datasheet Download — Toshiba Semiconductor
| Номер произв | 2SC5171 | ||
| Описание | NPN EPITAXIAL TYPE (POWER/ DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) | ||
| Производители | Toshiba Semiconductor | ||
| логотип | |||
|
1Page
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type • High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) • Complementary to 2SA1930 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics VCBO VCEO VEBO IC IB PC 180 V Tj 150 °C Tstg −55 to 150 °C
Electrical Characteristics (Tc = 25°C) Characteristics ICBO IEBO V (BR) CEO hFE (1) hFE (2) VCE (sat) VBE fT Cob VCB = 180 V, IE = 0 VEB = 5 V, IC = 0 IC = 10 mA, IB = 0 VCE = 5 V, IC = 0.1 A VCE = 5 V, IC = 1 A IC = 1 A, IB = 0.1 A VCE = 5 V, IC = 1 A VCE = 5 V, IC = 0.3 A VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz Marking ― ― 5.0 μA ― ― 5.0 μA 180 ― ― 100 ― 320 50 ― ― ― 0.16 1.0 V ― 0.68 1.5 V ― 200 ― MHz ― 16 ― pF C5171
2.0
150 IC – VCE 50 1.2 10 8 0 2 4 6 8 10 Collector-emitter voltage VCE (V) 2SC5171 IC – VBE 2.0 −25°C 0.4 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 Base-emitter voltage VBE (V) VCE (sat) – IC 1 Tc = −25°C Common emitter Collector current IC (A) Safe Operating Area 5 IC max (pulsed)* 3 10 ms* IC max 100 μs* 1 ms* 100 ms* 0.1 *: Single nonrepetitive pulse Tc = 25°C 0.01 temperature. VCEO max Collector-emitter voltage VCE (V) 1000 hFE – IC 300 Tc = 100°C 100 Tc = −25°C 10 Collector current IC (A) 3 2006-11-10 |
|||
| Всего страниц | 4 Pages | ||
| Скачать PDF |
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | 3,5 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 |
| КТ3102А | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 100…200 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ3102Б | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | — | 200…500 | 150 | ≤ 6 | 10 | — | ТО-92, ТО-18 |
| КТ602А/Б | 0,85 | 120 | 100 | 5 | 0,075 | 150 | 20…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ602В/Г | 0,85 | 80 | 70 | 5 | 0,075 | 150 | 15…80 | 150 | ≤ 4 | — | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ611А/Б | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ611В/Г | 0,8 | 180 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | — | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ660А | 0,5 | 50 | 45 | 5 | 0,8 | 150 | 110…220 | ≥ 200 | ≤ 10 | — | ≤ 0,5 | ТО-92 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114/R | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 100 | 100 | ≤ 3,5 | ≤ 100 | ≤ 0,25 | TO-92 | — |
| CSC3114S | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 140 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3114V | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 280 | 100 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3199 | 0,4 | — | 50 | — | 0,15 | — | 70…700 | 80 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331/R/S/T | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| CSC3331TU/U/V | 0,5 | — | 50 | — | 0,2 | — | 70 | 200 | — | — | — | TO-92 | — |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | — | — | 0,25 | SOT-23 | HF |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150 | 100 | ≤ 6 | ≤ 8 | ≤ 0,5 | SOT-23 | ZFC |
| 2PD601BRL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 210 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ML٭ |
| 2PD601BSL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 290 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | MM٭ |
| 2PD602ASL | 0,25 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 170 | 180 | ≤ 15 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | SF |
| 2SC2412-R | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| 2SC2412-S | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BS |
| 2SC945LT1 | 0,23 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| 2STR1160 | 0,5 | 60 | 50 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,43 | SOT-23 | 160 |
| BCV47 | 0,36 | 80 | 60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | 170 | ≤ 3,5 | — | ≤ 1,0 | SOT-23 | DK, FG, FGp, FGs, FGt, W |
| BTC2412N3 | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,2 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C4 |
| BTD2150N3 | 0,225 | 80 | 50 | 6 | 4 | 150 | 270 | 175 | 14 | — | ≤ 0,32 | SOT-23 | CF |
| BTN6427N3 | 0,225 | 100 | 60 | 12 | 0,5 | 150 | 10000 | ≤ 7 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 1N | |
| CMPT3820 | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,28 | SOT-23 | 38C |
| CMPT491E | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | C49 |
| INC5001AC1 | 0,2 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 130 | 240 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | XY |
| INC5006AC1 | 0,2 | 100 | 50 | 7 | 3 | 150 | 400 | 250 | 13 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | CER |
| KMMT619 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 20 | — | ≤ 0,5 | SOT-23 | 619, 619H |
| KST6428 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | — | SOT-23 | 1K |
| L2SC1623RLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| L2SC1623SLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 250 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | L7 |
| L2SC2412KRLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| L2SC2412KSLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | SOT-23 | G1F |
| L2SC5343RLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7R |
| L2SC5343SLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 270 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7S |
| LMBT6428LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | ≤ 0,5 | SOT-23 | 1KM | |
| MMBT5343-G/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 5343 |
| MMBT6428 | 0,3 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1K, 1KM |
| MMBT6428L/LT1/LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1KM |
| MMBT945-H/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200/130 | 150 | ≤ 3 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | CR |
| MMBTA28 | 0,35 | 80 | 80 | 12 | 0,8 | 150 | 10000 | 125 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | 3SS K6R |
| NXP3875G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭JF |
| PBSS4041NT | 0,3 | 60 | 60 | 5 | 3,8 | 150 | 300 | 175 | 17 | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | ٭BK |
| PBSS4160T | 0,3 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 10 | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭U5 |
| PBSS8110T | 0,3 | 120 | 100 | 5 | 1 | 150 | 150 | 100 | ≤ 7,5 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | ٭U8 |
| SSTA28 | 0,2 | 80 | 80 | 12 | 0,3 | 150 | 10000 | 200 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 SST3 | RAT |
| TMPS1654N7 | 0,225 | 80 | 160 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | 100 | ≤ 8 | — | ≤ 1,5 | SOT-23 | N7 |
| TMPT6428 | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | — | ≤ 0,2 | SOT-23 | 1K |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Пошаговая инструкция проверки мультимером
Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.
Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:
- Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
- Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
- Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.
Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».
Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:
- «Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
- «Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
- На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.
Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.
Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.
База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.
Биполярный транзистор 2SC1162 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC1162
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
2SC1162
Datasheet (PDF)
..1. Size:29K hitachi 2sc1162.pdf
2SC1162Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SA715OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5VCollector current IC 2.5 ACollector peak current
..2. Size:392K secos 2sc1162.pdf
2SC1162 2.5A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Low frequency power amplifier EmitterCollectorBase CLASSIFICATION OF hFE (1) Product-Rank 2SC1162-B 2SC1162-C 2SC1162-DABERange 60~120 100~200 160~320FCNHLMK DJG
..3. Size:267K jiangsu 2sc1162.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors2SC1162 TRANSISTOR (NPN)TO-126 FEATURES 1. EMITTERLow Frequency Power Amplifier 2. COLLECOTR3. BASE Equivalent Circuit C1162=Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device C1162 XXXX=Code ORDERING INFORMATION Part Number Package
..4. Size:172K jmnic 2sc1162.pdf
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC1162 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SA715 APPLICATIONS For low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base
..5. Size:180K lge 2sc1162.pdf
2SC1162(NPN) TO-126 Transistor TO-1261. EMITTER 2. COLLECOTR 3. BASE 3 21 Features2.5007.400 Low frequency power amplifier 2.9001.1007.8001.5003.9003.0004.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.20010.600Symbol Parameter Value Units0.00011.0000.300VCBO Collector-Emitter Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 35 V2.100
..6. Size:214K inchange semiconductor 2sc1162.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1162DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 2.5ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 35V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageComplement to Type 2SA715Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier a
8.1. Size:63K toshiba 2sc1169.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
8.2. Size:49K no 2sc1166.pdf
8.3. Size:181K inchange semiconductor 2sc1161.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1161DESCRIPTIONWith TO-66 PackageLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency high voltage power amplifierTV vertical deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER
8.4. Size:182K inchange semiconductor 2sc1163.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC1163DESCRIPTIONHigh Collector Current I = 0.1ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFELow Collector Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier appl
Другие транзисторы… 2SC1156
, 2SC1157
, 2SC1158
, 2SC1159
, 2SC116
, 2SC1160
, 2SC1161
, 2SC1161A
, 2N3904
, 2SC1162B
, 2SC1162C
, 2SC1162D
, 2SC1162WT
, 2SC1163
, 2SC1164
, 2SC1165
, 2SC1166
.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
2SC5171 Datasheet (PDF)
..1. 2sc5171.pdf Size:113K _toshiba
2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 Power Amplifier Applications Unit: mmDriver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1930 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 180 VEmitter-base voltage VEBO
..2. 2sc5171.pdf Size:170K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5171DESCRIPTIONHigh Transition Frenquency : f =200MHz(Typ.)TComplementary to 2SA1930100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
0.1. 2sc5171s.pdf Size:472K _blue-rocket-elect
2SC5171S(BR3DA5171SQ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126 NPN Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features 2SA1930S(BR3CA1930SQ) High fT, complementary pair with 2SA1930S(BR3CA1930SQ). / Applications General power an
0.2. 2sc5171i.pdf Size:488K _blue-rocket-elect
2SC5171I(BR3DA5171I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 NPN Silicon NPN transistor in a TO-251 Plastic Package. / Features 2SA1930I(BR3CA1930I) High fT, complementary pair with 2SA1930I(BR3CA1930I). / Applications General power and d
8.1. 2sc5175.pdf Size:183K _toshiba
8.2. 2sc5174.pdf Size:172K _toshiba
8.3. 2sc5173.pdf Size:230K _toshiba
8.4. 2sc5172.pdf Size:191K _toshiba
8.5. 2sc5176.pdf Size:235K _toshiba
8.6. 2sc5179.pdf Size:57K _nec
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5179NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.10.1 Small Mini-Mold package1.250.1EIAJ: SC-
8.7. 2sc5178.pdf Size:82K _nec
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5178NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz(Units: mm)|S21e|2 = 10.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.8 +0.2 0.3 4-pin Mini-Mold package1.5 +
8.8. 2sc5177.pdf Size:56K _nec
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5177NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low Current Consumption and High GainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.80.2 Mini-Mold package1.50.65+0.1 0.15EIAJ:
8.9. 2sc5177.pdf Size:906K _kexin
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5177SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=10mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=3V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 5 Collect
8.10. 2sc5174.pdf Size:184K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5174DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow Collector Saturation VoltageHigh transition frequencyComplementary to 2SA1932Good Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicatio
Транзистор, который включен по схеме с общим эмиттером
В данной конфигурации вывод эмиттера является общим между выводами входа и выхода, как показано на рисунке 9. Эта конфигурация обеспечивает среднее полное сопротивление на входе, среднее полное сопротивление на выходе, средний коэффициент усиления тока и коэффициент усиления напряжения.
Рисунок 9 Схема с общим эмиттером
Характеристики входа
Рисунок 10 показывает характеристики входа для данной конфигурации, которая объясняет изменение в IB в соответствии с VBE, где VCE является постоянной.
Рисунок 10 Характеристики входа
Исходя из рисунка, сопротивление на входе может быть представлено как:
Характеристики выхода
Характеристики выхода у такой конфигурации (Рисунок 11) также рассматриваются как характеристики коллектора. Этот график показывает изменение в IC с изменениями в VCE, когда IB удерживается постоянной. Исходя из графика, можно получить сопротивление на выходе следующим образом:
Рисунок 11 Характеристики выхода
Характеристики передачи тока
Эти характеристики данной конфигурации показывают изменение IC с IB, удерживающим VCE в качестве постоянной. Это может быть математически выражено как:
Это соотношение рассматривается как коэффициент усиления тока с общим эмиттером, и оно всегда больше единицы.
Рисунок 12 Характеристики передачи тока
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.
2SC5171 Datasheet (PDF)
..1. Size:113K toshiba 2sc5171.pdf
2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 Power Amplifier Applications Unit: mmDriver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1930 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 180 VEmitter-base voltage VEBO
..2. Size:170K inchange semiconductor 2sc5171.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5171DESCRIPTIONHigh Transition Frenquency : f =200MHz(Typ.)TComplementary to 2SA1930100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
0.1. Size:472K blue-rocket-elect 2sc5171s.pdf
2SC5171S(BR3DA5171SQ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126 NPN Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features 2SA1930S(BR3CA1930SQ) High fT, complementary pair with 2SA1930S(BR3CA1930SQ). / Applications General power an
0.2. Size:488K blue-rocket-elect 2sc5171i.pdf
2SC5171I(BR3DA5171I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 NPN Silicon NPN transistor in a TO-251 Plastic Package. / Features 2SA1930I(BR3CA1930I) High fT, complementary pair with 2SA1930I(BR3CA1930I). / Applications General power and d
8.1. Size:183K toshiba 2sc5175.pdf
8.2. Size:172K toshiba 2sc5174.pdf
8.3. Size:230K toshiba 2sc5173.pdf
8.4. Size:191K toshiba 2sc5172.pdf
8.5. Size:235K toshiba 2sc5176.pdf
8.6. Size:57K nec 2sc5179.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5179NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.10.1 Small Mini-Mold package1.250.1EIAJ: SC-
8.7. Size:82K nec 2sc5178.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5178NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz(Units: mm)|S21e|2 = 10.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.8 +0.2 0.3 4-pin Mini-Mold package1.5 +
8.8. Size:56K nec 2sc5177.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5177NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low Current Consumption and High GainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.80.2 Mini-Mold package1.50.65+0.1 0.15EIAJ:
8.9. Size:906K kexin 2sc5177.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5177SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=10mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=3V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 5 Collect
8.10. Size:184K inchange semiconductor 2sc5174.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5174DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow Collector Saturation VoltageHigh transition frequencyComplementary to 2SA1932Good Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicatio
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | — | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL.Группа H маркировка: HF |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70…700 | — | — | — | ≤ 0,3 | SOT-23 | Маркировка: L6 |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1…10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | — | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130…400 | ≥ 80 | — | — | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/HМаркировка: HF |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25…700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
Биполярный транзистор 2SC5171 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5171
Маркировка: C5171
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора:
2SC5171
Datasheet (PDF)
..1. Size:113K toshiba 2sc5171.pdf
2SC5171 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 Power Amplifier Applications Unit: mmDriver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Complementary to 2SA1930 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 180 VCollector-emitter voltage VCEO 180 VEmitter-base voltage VEBO
..2. Size:170K inchange semiconductor 2sc5171.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5171DESCRIPTIONHigh Transition Frenquency : f =200MHz(Typ.)TComplementary to 2SA1930100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYM
0.1. Size:472K blue-rocket-elect 2sc5171s.pdf
2SC5171S(BR3DA5171SQ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126 NPN Silicon NPN transistor in a TO-126 Plastic Package. / Features 2SA1930S(BR3CA1930SQ) High fT, complementary pair with 2SA1930S(BR3CA1930SQ). / Applications General power an
0.2. Size:488K blue-rocket-elect 2sc5171i.pdf
2SC5171I(BR3DA5171I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 NPN Silicon NPN transistor in a TO-251 Plastic Package. / Features 2SA1930I(BR3CA1930I) High fT, complementary pair with 2SA1930I(BR3CA1930I). / Applications General power and d
8.1. Size:183K toshiba 2sc5175.pdf
8.2. Size:172K toshiba 2sc5174.pdf
8.3. Size:230K toshiba 2sc5173.pdf
8.4. Size:191K toshiba 2sc5172.pdf
8.5. Size:235K toshiba 2sc5176.pdf
8.6. Size:57K nec 2sc5179.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5179NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.10.1 Small Mini-Mold package1.250.1EIAJ: SC-
8.7. Size:82K nec 2sc5178.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5178NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low current consumption and high gainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz(Units: mm)|S21e|2 = 10.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.8 +0.2 0.3 4-pin Mini-Mold package1.5 +
8.8. Size:56K nec 2sc5177.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC5177NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGEFOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIONFEATURES Low Current Consumption and High GainPACKAGE DIMENSIONS|S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz (Units: mm)|S21e|2 = 8.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz2.80.2 Mini-Mold package1.50.65+0.1 0.15EIAJ:
8.9. Size:906K kexin 2sc5177.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5177SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=10mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=3V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 5 Collect
8.10. Size:184K inchange semiconductor 2sc5174.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5174DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow Collector Saturation VoltageHigh transition frequencyComplementary to 2SA1932Good Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsDriver stage amplifier applicatio
Другие транзисторы… 2SC3709A
, 2SC3710A
, 2SC4935
, 2SC5000
, 2SC5075
, 2SC5076
, 2SC5122
, 2SC5154
, 13001-A
, 2SC5172
, 2SC5173
, 2SC5174
, 2SC5176
, 2SC5196
, 2SC5197
, 2SC5198
, 2SC5199
.