Характеристики транзистора ss8050 в корпусе sot23

Ss8050 транзистор: особенности SOT23 корпуса

Корпус SOT23 имеет следующие особенности:

1. Малые габариты: SOT23 является одним из самых компактных корпусов для транзисторов, что позволяет устройствам быть компактными и легкими.
2. Теплоотвод: благодаря специальной конструкции корпуса, SOT23 имеет хорошие теплоотводящие свойства, что позволяет эффективно отводить тепло при работе транзистора.
3. Удобство монтажа: SOT23 имеет небольшие размеры, что облегчает его установку на печатную плату. Корпус имеет также маркировку выводов, что позволяет быстро и легко подключить транзистор.

Сочетание удобства монтажа и хороших теплоотводящих свойств делает SOT23 идеальным выбором для различных цифровых и аналоговых устройств, таких как мобильные телефоны, планшеты, ноутбуки и другие.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

S8050 Pin Description

Pin Number

Pin Name

Description

Current Drains out through emitter

Controls the biasing of transistor

Current flows in through collector

Features

• Low Voltage, High Current NPN Transistor
• Small Signal Transistor
• Maximum Power: 2 Watts
• Maximum DC Current Gain (hFE) is 400
• Continuous Collector current (IC) is 700mA
• Base- Emitter Voltage (VBE) is 5V
• Collector-Emitter Voltage (VCE) is 20V
• Collector-Base Voltage (VCB) is 30V
• High Used in push-pull configuration doe Class B amplifiers
• Available in To-92 Package

Note: Complete Technical Details can be found at the S8050 datasheet given at the end of this page.

Brief Description on S8050

S8050 is a NPN transistor hence the collector and emitter will be left open (Reverse biased) when the base pin is held at ground and will be closed (Forward biased) when a signal is provided to base pin. It has a maximum gain value of 400; this value determines the amplification capacity of the transistor normally S8050. Since it is very high it is normally used for amplification purposes. However at a normal operating collector current the typical value of gain will be 110. The maximum amount of current that could flow through the Collector pin is 700mA, hence we cannot drive loads that consume more than 700mA using this transistor. To bias a transistor we have to supply current to base pin, this current (IB) should be limited to 5mA.

When this transistor is fully biased then it can allow a maximum of 700mA to flow across the collector and emitter. This stage is called Saturation Region and the typical voltage allowed across the Collector-Emitter (V­CE) or Collector-Base (VCB) could be 20V and 30V respectively. When base current is removed the transistor becomes fully off, this stage is called as the Cut-off Region.

S8050 in Push-Pull Configuration

As mentioned in the features the S8050 transistor is commonly used in push pull configuration with Class B amplifier. So let us discuss how that is done.

A push pull amplifier, commonly known as Class B amplifier is type of multistage amplifier commonly used for audio amplification of loudspeakers. It is very simple to construct and requires two identical complimentary transistors operate. By complimentary it means that we need a NPN transistor and its equivalent PNP transistor. Like here the NPN transistor will be S8050 and its equivalent PNP transistor will be S8550. A simple circuit diagram of the Class B amplifier with the using the S8050 is shown below.

Applications

• Audio Amplification Circuits
• Class B Amplifiers
• Push pull Transistors
• Circuits where high gain is required
• Low signal applications

2D model of the component

If you are designing a PCB or Perf board with this component then the following picture from the S8050 transistor Datasheet will be useful to know its package type and dimensions.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Ss8050 транзистор: схема подключения

Схема подключения Ss8050 транзистора максимально проста и состоит из подключения его выводов к соответствующим элементам схемы.

При подключении Ss8050 транзистора в схему, эмиттер должен быть подключен к общей земле или отрицательному выводу источника питания.

База транзистора подключается к выходу управляющего сигнала или к резистору, который связывает базу и источник питания.

Коллектор транзистора подключается к нагрузке или к положительному выводу источника питания через резистор.

Схематическое изображение подключения Ss8050 транзистора может быть представлено в виде таблицы:

Вывод	Описание
Эмиттер (E)	Подключается к общей земле или отрицательному выводу источника питания
База (B)	Подключается к управляющему сигналу или к резистору, связывающему базу и источник питания
Коллектор (C)	Подключается к нагрузке или к положительному выводу источника питания через резистор

Схема подключения Ss8050 транзистора описанная выше является базовой и может быть использована в большинстве схем, где требуется управление током или напряжением.

Роль и значение Ss8050

Во-первых, основной функцией Ss8050 является усиление электрического сигнала. Транзистор может усиливать как постоянные, так и переменные сигналы. Он используется в усилительных схемах, где его задача — усилить слабый входной сигнал до необходимого уровня мощности

Благодаря своей высокой усилительной способности, Ss8050 широко применяется в аудиоустройствах, радиоприемниках, устройствах связи и других аппаратах, где важно получить качественное усиление сигнала

Кроме того, транзистор Ss8050 используется в переключающих схемах. Он способен работать как ключ, открывая и закрывая электрическую цепь в зависимости от примененного управляющего напряжения. Эта функция Ss8050 активно используется во многих электронных устройствах, таких как блоки питания, таймеры, реле и другие устройства, где требуется точное и надежное переключение электрических сигналов.

Кроме того, Ss8050 характеризуется высокой производительностью и надежностью, что обусловлено его специальной конструкцией и использованием качественных материалов. Это делает его идеальным элементом для использования в экстремальных условиях, а также в сфере промышленности и автомобильной техники.

Важно отметить, что Ss8050 обладает компактным размером и отличается низким энергопотреблением. Это позволяет использовать его в различных микроэлектронных устройствах и реализовывать низковольтные источники питания

Также Ss8050 обладает высокой точностью и стабильностью работы, что делает его незаменимым элементом в современных электронных системах.

KTC8050 Datasheet (PDF)

1.1. ktc8050a.pdf Size:48K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
·Complementary to KTC8550A.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25℃) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.0

1.2. ktc8050.pdf Size:38K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
B C
FEATURE
Complementary to KTC8550.
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
E 1.00
F 1.27
VCBO
Collector-Base Voltage 35 V
G 0.85
H 0.45
VCEO
Collector-Emitter Voltage 30 V
_
H
J 14.00 + 0.

 1.3. ktc8050s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8050S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT APPLICATION.
FEATURE
E
L B L
Complementary to KTC8550S.
DIM MILLIMETERS
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
C 1.30 MAX
2
3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
1
G 1.90
H 0.95
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
J 0.13+0.10/-0.05
K 0.00 ~ 0.10
VCBO
Collector-Base Voltag

Примеры применения транзистора Ss8050

1. Усилитель мощности

Благодаря своим характеристикам, транзистор Ss8050 может быть использован в усилителях мощности для усиления аудио- и видеосигналов. Он обладает высоким коэффициентом усиления, низким уровнем шума и обратной полярности, что делает его идеальным для создания усилителей мощности.

2. Выпрямитель

В силу своей способности работать в режиме насыщения и коммутации, транзистор Ss8050 может использоваться в схемах выпрямления. Он позволяет преобразовывать переменный ток в постоянный ток с высокой эффективностью и устойчивостью к перегрузкам.

3. Выключатель

Транзистор Ss8050 может быть использован в качестве электронного выключателя в различных системах управления электроэнергией. Благодаря высокой скорости коммутации и низкому сопротивлению включения, этот транзистор позволяет эффективно управлять потоком электроэнергии и обеспечивать быстрое включение и отключение устройств.

4. Источник тока

Транзистор Ss8050 может быть использован в схемах стабилизации источников тока. Он обладает высокой линейностью и стабильностью работы, что позволяет создавать точные источники постоянного тока для использования в различных электронных устройствах.

Транзистор Ss8050, благодаря своим характеристикам, находит широкое применение в различных электронных схемах. Из-за своего компактного размера и удобного корпуса SOT23, он может быть легко впаян в печатную плату и интегрирован в различные устройства.

Характеристики и применение транзистора Ss8050

Основные характеристики транзистора Ss8050:

Характеристика	Значение
Тип	NPN
Максимальное удерживаемое напряжение коллектора (VCEO)	25 В
Максимальный ток коллектора (IC)	1.5 А
Максимальная мощность потерь (PС)	0.625 Вт
Максимальная рабочая температура (Tj)	150°C
Коэффициент усиления по току (hFE)	от 60 до 400

Транзистор Ss8050 часто применяется в электронных схемах для усиления и переключения сигналов на низких частотах. Он может использоваться в радио- и телевизионной технике, а также в цифровых и аналоговых устройствах смешанного назначения.

Благодаря своим характеристикам, транзистор Ss8050 обеспечивает стабильность работы схемы и имеет довольно высокую мощность потерь, что позволяет использовать его в различных приложениях.

HE8050S Datasheet (PDF)

1.1. he8050s.pdf Size:54K _hsmc

Spec. No. : HE6110
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.07.26
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/5
HE8050S
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050S is designed for general purpose amplifier applications.
TO-92
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature ………………………………………………………….

4.1. he8050l.pdf Size:19K _utc

UTC HE8050 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH CURRENT
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small
signal NPN transistor, designed for Class B push-pull 2W
audio amplifier for portable radio and general purpose
applications.
1
FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter voltage up to 25 V
*Complimentary to U

4.2. he8050.pdf Size:216K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
HE8050 NPN SILICON TRANSISTOR
LOW VOLTAGE HIGH
CURRENT SMALL SIGNAL
NPN TRANSISTOR
 DESCRIPTION
The UTC HE8050 is a low voltage high current small signal NPN
transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for
portable radio and general purpose applications.
 FEATURES
*Collector current up to 1.5A
*Collector-Emitter volta

 4.3. he8050.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6112
HI-SINCERITY
Issued Date : 1992.09.30
Revised Date : 2004.11.29
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HE8050
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HE8050 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B
push-pull operation.
TO-92
Features
• High total power dissipation (PT: 2W, TC=25°C)
• High collector current (IC: 1.5A)

DataSheet

Полные технические данные про s8550 подробно можно найти в его DataSheet.

Раздел: Зарубежные Полупроводники Транзисторы Биполярные

• Наименование: S8550
• Тип: PNP
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V_CE (max) (U_КЭ (max)): 20 В
• Максимально допустимое напряжение коллектор-база V_CBO (max) (U_КБ (max)): 30 В
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база V_EBO (max) (U_ЭБ (max)): 5 В
• Максимальный ток коллектора I_C (max) (I_К (max)): 700 мА
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_К (max)): 1 Вт

Граничная частота f_t (f_ГР): 100 МГц

Корпус:TO-92

Даташит:Даташит

Распиновка:

Производитель:Unisonic technologies

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания: Я вижу, что крепость, которую построили тысячи людей, может разрушить один человек. А как быть, если строит один, а разрушителей — тысячи? Имам Шамиль Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора SS8550. Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора SS8550 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор SS8550 Коллективный разум. дата записи: 2015-12-10 06:48:53 дата записи: 2015-12-23 13:37:11 комментарий: 4 way DISEqC DS-1040. В нем 4 транзистора Y2(SS8550)-sot-23. Один был кз — замена на КТ814Г — устройство работает; пользователь: Горлов А. Ю. , дата записи: 2015-12-31 00:54:43 дата записи: 2016-12-26 12:40:34 S8550-D — ближайший аналог; дата записи: 2016-10-06 17:29:15 SS8050 — комплементарная пара; дата записи: 2017-10-31 16:57:53 SS8050 — комплементарная пара; дата записи: 2017-10-31 16:58:24 Добавить аналог транзистора SS8550. Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора SS8550? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

  Замена козырька на балконе

Цоколевка

Цоколевка S8050 зависит от типа корпуса, в котором производится устройство. Такие транзисторы чаще всего производятся в упаковке SOT-32 для поверхностного монтажа на плату. Довольно редко можно встретить в пластиком ТО-92 или SOT-54. Распиновка двух вариантов исполнения показана на изображении ниже.

Современные версии устройства соответствуют последним европейским экологическим нормам RoHS, клеммы под пайку выпалены по стандарту MIL-STD-202 (Метод 208). Наличие в самом конце маркировки символов «G» и «L» указывает на применение при производстве безгалогенных и безсвинцовых технологий соответственно.

Преимущества использования транзистора Ss8050 в электронике

Ниже приведены основные преимущества использования транзистора Ss8050:

Низкое напряжение переключения: Транзистор Ss8050 имеет низкое напряжение переключения, что означает, что он может работать с низкими уровнями сигналов и обеспечивать стабильную работу в низкопотенциальных схемах.

Высокая мощность и ток переключения: Ss8050 способен выдерживать высокую мощность и ток переключения, что позволяет его использование в различных приложениях, включая усилители мощности, источники питания, стабилизаторы напряжения и другие.

Низкий уровень шума: Транзистор Ss8050 обеспечивает низкий уровень шума, что особенно важно при работе с чувствительными сигналами, такими как аудиосигналы.

Хорошая тепловая стабильность: Ss8050 имеет хорошую тепловую стабильность, что позволяет ему эффективно работать при повышенной температуре окружающей среды.

Низкое сопротивление: Транзистор Ss8050 имеет низкое внутреннее сопротивление, что позволяет ему эффективно передавать сигналы без потерь и искажений.

Доступность и распространенность: Транзистор Ss8050 является широко распространенным компонентом и легко доступен на рынке электронных компонентов.

Все эти преимущества делают транзистор Ss8050 незаменимым компонентом для многих электронных проектов и приложений, где требуется надежный и эффективный переключающий элемент.

M8050 Datasheet (PDF)

1.1. m8050-d.pdf Size:271K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
M8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
M8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating an

1.2. m8050-c.pdf Size:271K _mcc

MCC
Micro Commercial Components
TM
M8050-C
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
CA 91311
M8050-D
Phone: (818) 701-4933
Fax: (818) 701-4939
Features
• TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
NPN Silicon
• Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.
• Collector-current 0.8A
Plastic-Encapsulate
• Collector-base Voltage 40V
• Operating an

 1.3. m8050.pdf Size:365K _secos

M8050
40V, 0.8A, 200mW
NPN Plastic Encapsulate Transistor
Elektronische Bauelemente
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
SOT-23
FEATURES
A
 Power dissipation
L
3
3
Top View C B
MARKING
1
1 2
Product Marking Code
2
K E
M8050 Y11
D
H J
F G
PACKAGE INFORMATION
Millimeter Millimeter
Package MPQ Leader Size REF. REF.
Min.

1.4. m8050s.pdf Size:512K _jiangsu

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
TO-92
M8050S TRANSISTOR (NPN)
1.EMITTER
FEATURES
Power Dissipation 2. COLLECTOR
3. BASE
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Curr

 1.5. m8050.pdf Size:479K _htsemi

 M8050
TRANSISTOR(NPN)
SOT-23
FEATURES
Power dissipation
1. BASE
2. EMITTER
MARKING: Y11
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current -Continuous 0.8 A
PC Collector Power Dissipation 0.2 W
Tj Junction

1.6. m8050.pdf Size:292K _gsme

桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM8050
FEATURES
■FEATURES 特點FEATURES
Low Frequency Power Amplifier 低頻功率放大
Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動
Complementary to GM8550 与 GM8550 互补
(Ta=25 )
■最大

1.7. m8050 sot-23.pdf Size:234K _lge

 M8050
SOT-23 Transistor(NPN)
SOT-23
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
Features

Power dissipation
MARKING: Y11
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 0.8 A
PC

1.8. m8050 to-92.pdf Size:200K _lge

 M8050(NPN)
TO-92 Transistors
TO-92
1.
EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
Features

Power dissipation
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V
VEBO Emitter-Base Voltage 6 V
IC Collector Current -Continuous 800 mA
PC Collector Power Dissipation 625 mW
Dimensions i

1.9. m8050lt1.pdf Size:325K _wietron

 M8050LT1
NPN General Purpose Transistors
3
P b Lead(Pb)-Free
1
2
SOT-23
Value
V
CEO 25
40
5.0
800
300
2.4
417
0.1
25
100 40
5.0
100
0.15
u
35
u
4.0 0.15
WEITRON
1/4 15-Jul-10
http://www.weitron.com.tw
M8050LT1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characteristics
Symbol Max UnitM
Min
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
—

1.10. gstm8050lt1.pdf Size:210K _globaltech_semi

GSTM8050LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 25V
amplifier and switch. Collector Current : 800mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTM8050LT1F SOT-23 P 80P

Основные функции транзистора Ss8050

• Усиление сигнала: транзистор Ss8050 является усилителем мощности, который способен усилить небольшой входной сигнал до большей амплитуды. Это позволяет использовать его в различных электронных схемах, где требуется усиление электрического сигнала.
• Использование в коммутационных схемах: транзистор Ss8050 может использоваться в коммутационных схемах для переключения электрического сигнала. Он позволяет управлять электрическим потоком, открывая и закрывая путь для прохождения сигнала.
• Регулировка сигнала переменного тока: транзистор Ss8050 может использоваться в схемах, где необходимо регулировать амплитуду сигнала переменного тока. Он позволяет управлять уровнем сигнала, что позволяет его использование в радиосвязи, аудиоусилителях и других устройствах, где необходимо регулирование сигнала переменного тока.
• Использование в схемах защиты: транзистор Ss8050 может использоваться в схемах защиты от перенапряжений и короткого замыкания. Он позволяет контролировать электрический поток и предотвращать повреждение других компонентов схемы.

Транзистор Ss8050 имеет широкий спектр функциональных возможностей, что делает его полезным компонентом во многих электронных устройствах. Его надежность и эффективность делают его предпочтительным выбором для различных приложений.

Как выбрать и купить транзистор Ss8050 d 331

1. Тип транзистора: перед покупкой необходимо уточнить, что требуется именно транзистор типа Ss8050 d 331.

2. Параметры: ознакомьтесь с основными электрическими параметрами транзистора, такими как максимальное рабочее напряжение, ток коллектора и ток базы.

3

Производитель: уделяйте внимание производителю транзистора, так как качество и надежность устройства могут зависеть от этого фактора

5. Цена: сравните цены на транзистор Ss8050 d 331 у разных продавцов, чтобы выбрать наиболее выгодное предложение.

При выборе и покупке транзистора Ss8050 d 331 рекомендуется обратиться к специалистам или производителям, которые могут дать дополнительную информацию о характеристиках и особенностях данного устройства. Также необходимо учитывать потребности и требования вашего конкретного проекта, чтобы выбранный транзистор был максимально подходящим для него.

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
SS8050	25	1,5	1	85	100
Отечественное производство
КТ698В	50	2	0,6	50	150
КТ6117А	160	0,6	0,625	80	100
Импорт
MPS8050	25	1,5	0,625	85	190
MPS650	40	2	0,625	75	75
MPS651	60	2	0,625	75	75
2SC4145		2	1,2	200
2SD1207	50	2	1	100	150
2SD1207R	50	2	1	100	150
2SD1207S	50	2	1	140	150
2SD1207T	50	2	1	200	150
2SD1207U	50	2	1	280	150
2SD1347	50	3	1	100	150
2SD1347R	50	3	1	100	150
2SD1347S	50	3	1	140	150
2SD1347T	50	3	1	200	150
2SD1347U	50	3	1	280	150
2STL1360	60	3	1,2	160	130
2STX1360	60	3	1	160	130
CD1207	50	2	1	100	150
KTC3205	30	2	1	100
KTD1347	50	3	1	100	150
SK3849	50	1,5	1	120	200
SM2283	25	8	1	100	100
STC4250L	50	2	2	120	240
STSA1805	60	5	1,1	85	150
STSA851	60	5	1,1	85	130
STX112	100	2	1,2	1000
TSC5988CT	60	5	1	120	130

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.