Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Модификации и группы транзистора C3198
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | NF (типовое) dB | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| C SC3198 (O, Y, GR, BL) | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| FTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198A | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 1 | TO-92 |
| KTC3198L ٭٭ | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 0,5 (1) 0,2 (2) | TO-92 |
٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).
٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.
IRF640NPBF Datasheet (PDF)
0.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _international_rectifier
PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif
0.2. irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf Size:336K _infineon
PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif
7.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier
PD — 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi
7.2. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NSFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
7.3. irf640nl.pdf Size:244K _inchange_semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NLFEATURESWith TO-262 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR
7.4. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NIIRF640NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 150mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.
2SC2335F Datasheet (PDF)
0.1. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor
SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching
7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif
7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec
AAA
7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic
JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir
7.4. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in
Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.
Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23
Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:
- снижение канального сопротивления;
- паразитного сопротивления;
- выводной емкости и индуктивности;
- увеличение рабочего тока;
- увеличение рабочего напряжения;
- увеличение скорости действия.
Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.
Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.
Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.
К транзисторам предъявляются следующие требования:
- Невысокое открытое сопротивление.
- Стабильность температуры, если не используется радиатор.
- Невысокий порог напряжения затвора.
- Бюджетная стоимость.
У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.
У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.
Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.
Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.
Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23
Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.
Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой
Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения
На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.
Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.
Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23
В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:
- управляющее напряжение затвора;
- тип корпуса;
- технология кристаллизации;
- уровень напряжения стока и размера кристалла.
Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:
- L — уровень управляющего напряжения.
- F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
- L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.
Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.
Аналоги
Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:
- 2SC1008;
- KSC1008;
- KSP42;
- KSP43;
- MPSA42;
- MPSA43;
- MPSW05;
- ZTX457.
При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.
Создание устройства
Разработчики полупроводников часто совмещают взаимоисключающие идеи. Например, задают уменьшенные размеры и увеличенные скорости при жестких требованиях к прочности и стабильности системы, расширяют функционал при минимальных системных изменениях, стараются соблюсти баланс между высоким качеством и наименьшими затратами. Все это сочетается в самом распространенном корпусе транзистора SOT23.
Но мгновенного успеха не бывает. К тому же, поверхностный монтаж был, по большому счету, не актуален до 1990-х годов, когда потребительская электроника стала использоваться повсюду. Именно рассматриваемый корпус в те годы был взят за стандарт 3-выводных корпусов поверхностного монтажа. Сегодня почти всю электронику выпускают именно по этой технологии. Корпуса, которые устанавливают в отверстие, популярны. Чаще всего они применяются в разработке макетов и продукции.
Более современные варианты
Корпус SOT23 оставался внешне неизменным в течение нескольких десятков лет, на самом деле, он серьезно совершенствовался:
12 недорогих наборов электроники для самостоятельной сборки и пайки
Моя личная подборка конструкторов с Aliexpress «сделай сам» для пайки от простых за 153 до 2500 рублей. Дочке 5 лет — надо приучать к паяльнику))) — пусть пока хотя-бы смотрит — переходи посмотреть, один светодиодный куб чего только стоит
- был добавлен 5-контактный вариант;
- появилась бессвинцовая версия;
- был расширен спектр допустимых температур до 175 градусов.
Сегодня устройство также развивается. Когда понадобилась более высокая плотность монтажа, появилось много “потомков” устройства. Самые популярные из них — SOT223 и SOT323. Взгляните на какой угодно корпус типа SOT для монтажа на поверхности, и заметите очень много общего с SOT23.
Так как эффективность и качество постоянно должны повышаться, появляются технологические инновации. Они актуальны для выпуска и сборки приборов для монтажа на поверхности — smd. Новые способы и линии производства отвечают постоянно растущему спросу на SOT23 и “дочерние” приборы.
Основные электрические параметры
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Величина | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | Напряжение пробоя коллектор-база | IC=1мA, IE=0 | 60 | В |
| V(BR)CЕO | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | IC=100мкA, IВ=0 | 50 | В |
| V(BR)ЕBO | Напряжение пробоя эмиттер-база | IЕ=1мкA, IС=0 | 5 | В |
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB=60В, IE=0 | 0,1 | мкА |
| ICЕO | Ток отсечки коллектора | VCЕ=45В, IE=0 | 0,1 | мкА |
| IЕВО | Ток отсечки эмиттера | VЕВ=45В, IС=0 | 0,1 | мкА |
| hFE(1) | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE=6В, IC=1мA | 70…700 | |
| hFE(2) | VCE=6В, IC=0.1мA | 40 | ||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=100мA, IB=10мA | 0,3 | В |
| VBE(sat) | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=100мA, IB=10мA | 1 | В |
| fT | Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=6В, IC=10mA, f=30МГц | 200 | МГц |
| Cob | Выходная емкость коллектора | VCB=10В, IE=0, f=1МГц | 3 | пФ |
| NF | Уровень шума | VCE=6В, IC=0.1мА RG=10кОм, f=1МГц | 10 | dB |
Основные параметры транзистора 2SC3228 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3228 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)Структура полупроводникового перехода: npn
| Pc max | Ucb max | Uce max | Ueb max | Ic max | Tj max, °C | Ft max | Cc tip | Hfe |
| 900mW | 160V | — | — | 1A | 175°C | 120MHz | — | 30/120 |
Производитель: NECСфера применения: Medium Power, General PurposeУсловные обозначения описаны на странице «Теория».
Datasheet Download — NEC
| Номер произв | C2335 | ||
| Описание | 2SC2335 | ||
| Производители | NEC | ||
| логотип | |||
|
1Page
www.DataSheet4U.com • Low collector saturation voltage: VCE(sat) = 1.0 V MAX. @IC = 3.0 A • Fast switching speed: tf = 1.0 µs MAX. @IC = 3.0 A • Wide base reverse-bias SOA: VCEX(SUS)1 = 450 V MIN. @IC = 3.0 A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) Parameter VCBO VCEO VEBO IC(DC) IC(pulse) IB(DC) PT Tj Tstg Conditions PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 10% TC = 25°C TA = 25°C Ratings −55 to +150 A °C °C ORDERING INFORMATION 219928
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C) Parameter VCEO(SUS) VCEX(SUS)1 VCEX(SUS)2 IC = 3.0 A, IB1 = 0.6 A, L = 1 mH IC = 3.0 A, IB1 = −IB2 = 0.6 A, VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped IC = 6.0 A, IB1 = 2.0 A, −IB2 = 0.6 A, VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped Collector cutoff current ICBO ICER ICEX1 ICEX2 VCB = 400 V, IE = 0 A VCE = 400 V, RBE = 51 Ω, TA = 125°C VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V, TA = 125°C Emitter cutoff current IEBO hFE1 hFE2 hFE3 VCE(sat) VBE(sat) ton tstg tf VEB = 5.0 V, IC = 0 A VCE = 5.0 V, IC = 0.1 ANote VCE = 5.0 V, IC = 1.0 ANote VCE = 5.0 V, IC = 3.0 ANote IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote IC = 3.0 A, RL = 50 Ω, IB1 = −IB2 = 0.6 A, VCC ≅ 150 V Refer to the test circuit. Note Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2% hFE CLASSIFICATION Marking hFE2 M SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT 2SC2335 µA mA µA mA µA V µs µs µs Base current 2 Data Sheet D14861EJ2V0DS
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C) PP DOXPLQXP ERDUG $PELHQW 7HPSHUDWXUH 7$ °& 2SC2335 &ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9 &DVH 7HPSHUDWXUH 7& °& 3XOVH :LGWK 3: PV &ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9 &ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9 Data Sheet D14861EJ2V0DS |
|||
| Всего страниц | 6 Pages | ||
| Скачать PDF |
SOT-23: аналоги
Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.
С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.
В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.
Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.
ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:
При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.
Как собрать корпус SOT23 собственноручно
Приготовьте 3 куска монтажного провода подходящей длины, желательно, МГТФ. Из них получатся выводы корпуса.
Для защиты сделайте небольшую зачистку на пару миллиметров со стороны, которая припаивается к корпусу.
Замкните концы кусочков провода на участке, который впаивают в плату и зафиксируйте, чтобы уравнять потенциалы.
С помощью тонкого пинцета сделайте из пластика корпус, и зажмите его так:
Наденьте на паяльник так называемое игольчатое жало, оно, как правило, есть в паяльных станциях.
Установите на станции минимальную температуру, чтобы паять только припой. Ее можно определить только экспериментально.
Возьмите кусок провода в одну руку, паяльник — в другую. Можно паять стандартным припоем из свинца. Ни в коем случае нельзя перегревать контакты корпуса, а контакты паяльника — распаяйте и подпаяйте провода для выводов. Они должны быть уложены в виду пучка.
Припаивайте провода в определенном порядке, начиная с истока, и заканчивая затвором.
Не прикасайтесь к корпусу руками, трогать можно только паяльник и провода. При необходимости поправьте с помощью пинцета положение корпуса.
Готово! Вы не просто собрали корпус, а теперь он выводной. Его можно использовать, как все остальные транзисторы МОП.
Маркировка SOT-23
Взгляните на таблицы, приведенные ниже. Там присутствует расшифровка кодов для нескольких корпусов.
Корпуса бывают:
- sot23-3.
- sot23-5.
- sot23-6.
Во время ремонта электронных устройств инженерам часто бывает трудно определить вид микросхемы в каждом из корпусов. Дело в том, что на заводах из-за маленьких размеров корпусов их специально кодируют. В таблицах есть разные виды микросхем, в частности:
- DC/DC.
- AC/DC.
- ШИМ(pwm).
Сборка транзисторов тоже отличается, а вот корпуса — похожи. Взгляните на рисунок — здесь видно, как располагаются выводы 3 видов корпусов.
Маркировочные коды ставят на корпусах. Один из элементов кода может быть отмечен знаком “.” Таким символом может быть заменено любое цифровое или буквенное обозначение. Оно может иметь отношение к номеру производственной серии, дате выпуска, так что периодически меняется.
Есть несколько аналогов, идентичных по распиновке. Они могут заменить оригинал, при этом дорабатывать схему или не нужно, или нужно по-минимуму. Однако ее сравнение с datasheet будет не лишним. Замену может осуществлять только инженер.
Для чего предназначены выводы
Обозначение производится следующим образом:
- Ground (GND) — аббревиатура основного провода.
- Input Voltage (VCC) — питание.
- Feedback (FB) — обратная связь для контроля напряжения.
- Output (JUT) — соединение с затвором главного транзистора.
- Current sense input pin (SEN) — токовый датчик, подключаемый к стоку главного транзисторного прибора.
- Internal Oscillator frequency setting pin (RI) — подключение резистора извне, задающего частоту. В ряде микросхем он заменяется на CT.
- Brownout Protection Pin (BNO) — регулятор наименьшего напряжения питания. Когда оно на этом входе меньше порогового, осуществляется отключение подачи импульсов от микросхемы.
Когда питание подается ко входу контроллера VCC, за ним следует напряжение с помощью резистора указанного моста. С помощью микросхемы запускается выдача импульсов. В дальнейшем питание подается с помощью выпрямления напряжения на нижней левой обмотке трансформатора импульсного типа.
Генерация на микросхеме происходит с фиксированной частотой. Ее задают значением резистора на RI, либо емкости на СТ.
Напряжение стабилизируется с помощью сопоставления силы тока, который протекает через главный транзистор MOSFET и обратного напряжения. Оценка тока осуществляется с учетом величины снижения напряжения резистора в цепи транзисторного стока, при подключении к выходу SEN.
Обратное напряжение снимают с регулирующегося стабилитрона. Минуя оптопару, он попадает на FB
От величины напряжения на заданных выходах зависит импульсная скважность на OUT. В большей части микросхем есть разные защитные системы, которые предотвращают поломку в нестандартных случаях