Характеристики D2499 транзистора на русском языке
Транзистор D2499 представляет собой мощный биполярный PNP транзистор, используемый в различных электронных приборах. Он имеет высокую номинальную напряженность коллектора-эмиттера в 120 В и номинальный ток коллектора в 10 А, что позволяет использовать его в приложениях с высокими требованиями к мощности.
Данный транзистор обладает высокой теплостойкостью и может работать в широком диапазоне температур, от -55°C до +150°C. Это делает его использование возможным даже в условиях повышенной тепловой нагрузки.
Транзистор D2499 обладает высокой переходной частотой и малым временем рассеивания заряда, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях. Также его низкое сопротивление эмиттера-база обеспечивает быстрое включение транзистора.
Важными техническими параметрами D2499 являются:
- Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 120 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Максимальная мощность рассеяния: 75 Вт
- Номинальное напряжение эмиттера-база: 5 В
- Температурный диапазон: -55°C до +150°C
- Переходная частота: 40 МГц
- Сопротивление эмиттера-база: 2 Ом
- Коэффициент усиления при токе коллектора 5 А: 50 — 160
- Коэффициент усиления при токе коллектора 10 А: 120 — 320
Транзистор D2499 обладает высокими техническими характеристиками, которые позволяют использовать его в различных электронных схемах, включая усилители, источники питания, ключевые элементы и другие приложения, требующие мощности и надежности.
Подробное описание
Транзистор D2499 имеет следующие особенности и характеристики:
- Тип корпуса: TO-3P
- Максимальное коллекторное напряжение: 200 В
- Максимальный коллекторный ток: 10 А
- Максимальная мощность: 90 Вт
- Граничные режимы работы: переход в открытый и короткозамкнутый режимы
- Температура перехода: от -55°C до +150°C
- Дополнительные особенности: высокая надежность, быстродействие и устойчивость к перегрузкам
Транзистор D2499 является прекрасным выбором для работы в различных электронных схемах, где требуется надежность и стабильность работы. Он может применяться в устройствах усиления аудио- и видеосигналов, цифровых и аналоговых сигналов, а также в схемах коммутации различных устройств.
Datasheet Download — Unisonic Technologies
| Номер произв | 2SC3320 | ||
| Описание | HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | ||
| Производители | Unisonic Technologies | ||
| логотип | |||
|
1Page
UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD FEATURES * High voltage, high speed switching ORDERING INFORMATION Ordering Number MARKING INFORMATION PACKAGE
2SC3320 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C) PARAMETER VCBO VCEO VCEO(SUS) VEBO 500 IC 15 A IB 5 A Power Dissipation PD 80 W TJ +150 TSTG -40 ~ +150 THERMAL DATA PARAMETER θJC RATINGS ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TC =25°C, Unless Otherwise Specified.) UNIT VCBO VCEO VCEO(SUS) VEBO VCE (SAT) VBE (SAT) ICBO IEBO hFE tON tSTG tF TEST CONDITIONS ICBO=1mA ICEO=10mA IC=0.2A IEBO=1mA IC=6A, IB=1.2A VCBO=500V VEBO=7V IC=6A, VCE=5V IC=7.5A, IB1 =1.5A, IB2=-3A RL=20Ω, PW=20μs, Duty ≤ 2% MIN TYP MAX UNIT 0.5 μs 1.5 μs 0.15 μs CLASSIFICATION OF hFE RANK
2SC3320 SWITCHING TIME TEST CIRCUIT NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
|||
| Всего страниц | 5 Pages | ||
| Скачать PDF |
Related Datasheets
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| 2SC3320 | TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Fuji Electric |
| 2SC3320 | HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING | Unisonic Technologies |
| 2SC3320 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
| 2SC3320B | Silicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor) | NELL SEMICONDUCTOR |
| Номер в каталоге | Описание | Производители |
| 6MBP200RA-060 |
Intelligent Power Module |
Fuji Electric |
| ADF41020 |
18 GHz Microwave PLL Synthesizer |
Analog Devices |
| AN-SY6280 |
Low Loss Power Distribution Switch |
Silergy |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |
Важность выбора аналоговой замены
При выборе аналоговой замены для транзистора D2499 следует обратить особое внимание на соответствие электрических параметров, таких как напряжение и ток коллектора, коэффициент усиления, максимальная мощность и температурный диапазон работы. Аналоговая замена должна иметь схожие характеристики и гарантировать надежную работу в существующей схеме, не вызывая снижения ее функциональности или эффективности
Аналоговая замена должна иметь схожие характеристики и гарантировать надежную работу в существующей схеме, не вызывая снижения ее функциональности или эффективности.
Неправильный выбор аналоговой замены может привести к возникновению проблем, таких как перегрев, недопустимое снижение рабочего напряжения или тока, а также снижение качества выходного сигнала. Это может привести к непредсказуемым последствиям, включая поломку схемы или снижение ее производительности.
Поэтому перед выбором замены рекомендуется провести тщательный анализ требований схемы и характеристик доступных аналогов, чтобы минимизировать возможные риски и обеспечить надежность работы системы.
| Параметр | Требование |
|---|---|
| Напряжение коллектора | Должно быть достаточным для обеспечения рабочего напряжения схемы. |
| Ток коллектора | Должен быть сопоставимым с требуемым текущим потреблением. |
| Коэффициент усиления | Должен быть схожим, чтобы обеспечить адекватную усиливающую способность. |
| Максимальная мощность | Должна быть достаточной для обеспечения надежной работы. |
| Температурный диапазон | Должен соответствовать требуемым условиям эксплуатации. |
Обратите внимание, что внешний вид и форм-фактор могут отличаться у разных транзисторов, поэтому при замене необходимо также учитывать соответствие механическим размерам и разъемам
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IC = 400 мА, IB = 0 | ˃ 5,0 | |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 1500 В, IE = 0 | ˂ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ˂ 200,0 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 5,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,3 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | 8…25 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | 5…9 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 2 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 95 | |
| Время переключения, мкс | Время сохранения | ts | ICP = 4 А, IB1 = 0,8 А, fH = 15,75 кГц | ˂ 11 |
| Время спадания | tf | См. схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,6 | |
| Падение напряжения на демпфирующем диоде, В | UF | IF = 6 А | ˂ 2,0 |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 – BC560 – кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры – p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно – цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) – 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером – 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор – база – У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер – база – 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A – от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B – от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C – от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора – 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА – не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА – 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 – BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
Выбор аналоговой замены
При выборе аналоговой замены для транзистора D2499 необходимо учитывать следующие параметры:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип транзистора | Проверить, что аналогичный транзистор имеет такой же тип (NPN или PNP) как и D2499. Тип транзистора важен для правильной работы схемы. |
| Коллекторный ток (Ic) | Убедитесь, что заменяемый транзистор имеет не меньший или близкий значения по максимальному коллекторному току (Ic). Если новый транзистор имеет большую граничную значимость Ic, это не проблема, но значимость Ic не должна быть меньшей. |
| Базовый ток (Ib) | Проверьте, что новый транзистор имеет сопоставимые или близкие значения по базовому току (Ib). Если транзистор D2499 используется в усилительной схеме, Ic и Ib связаны с коэффициентом усиления по току — hfe. Новый транзистор должен иметь такое же или близкое значение hfe. |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce) | Удостоверьтесь, что новый транзистор обеспечивает необходимое максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce), чтобы не перегружать его в схеме, где был использован транзистор D2499. |
| Мощность теплоотвода (Pd) | Проверьте, что новый транзистор имеет такую же или большую мощность теплоотвода (Pd), чтобы обеспечить надлежащее охлаждение транзистора. |
| Цена | Учитывайте стоимость нового транзистора, чтобы уложиться в рамках бюджета. |
Проверьте эти параметры для потенциальных аналоговых замен, чтобы выбрать транзистор, который будет соответствовать требованиям вашей схемы и обеспечивать надежную работу.
Сравнение характеристик аналогов
В поиске замены для транзистора D2499 нам необходимо учесть характеристики аналогов и выбрать наиболее подходящую замену. В данной таблице мы сравним несколько популярных аналогов для D2499 по следующим параметрам:
- Тип корпуса — указывает на форму и размеры корпуса транзистора;
- Максимальное значение тока коллектора (IC) — показывает максимальный ток, который может протекать через коллектор транзистора;
- Максимальное значение напряжения коллектор-эмиттер (VCEO) — показывает максимальное напряжение, которое можно подать на коллектор-эмиттерный переход транзистора;
- Максимальная мощность диссипации (PD) — показывает максимальную мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева;
- Пропускная способность (hFE) — коэффициент усиления по току, указывает на то, насколько велика амплитуда выходного тока в сравнении с входным током;
- Температурный диапазон — указывает на пределы температур, в которых транзистор может работать надежно и стабильно;
- Примечания — дополнительная информация о каждом аналоге, которая может быть полезной при выборе замены.
Используя эту таблицу, вы сможете выбрать подходящий аналог для транзистора D2499 в зависимости от требований вашей схемы и характеристик, которые необходимо учесть.
Перечень потенциальных аналогов
При выборе аналогового заменителя для транзистора D2499 следует учитывать его параметры и характеристики. Ниже приведен перечень потенциальных аналогов, которые могут быть использованы вместо данного транзистора:
1. 2SD2499: Данный транзистор предлагается как полностью совместимое заменительное решение.
2. 2SC6011: Является хорошим аналогом D2499 и имеет схожие электрические параметры и характеристики.
3. 2SD2012: Этот транзистор также может быть использован вместо D2499, поскольку он имеет подобные спецификации.
4. 2SD2539: Данный транзистор может быть рассмотрен в качестве замены, так как он имеет близкие электрические характеристики и параметры.
Перед выбором заменителя необходимо убедиться, что выбранный транзистор имеет необходимые электрические параметры и спецификации для предполагаемого применения.