Технические характеристики
В начале технического описания производитель приводит предельно допустимые параметры. Эти данные играют большую роль при выборе транзистора, так как даже при кратковременном превышении данных значений транзистор может выйти из строя. Также недопустима долговременная работа прибора в условиях, когда рабочие характеристики равны максимальным.
После предельно допустимых параметров в технической документации на прибор обычно идут электрические характеристики KT940А. В таблице ниже приведены эти значения при температуре +25 ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».
(КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д)
Транзистор КТ203 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Применяется в импульсных и усилительных устройствах.
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д выпускаются в металлостеклянном, а КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
В металлостеклянном варианте тип транзистора указывается на корпусе. Пластмассовый вариант маркируется цветным кодом на торце:
- КТ203АМ — тёмно-красный.
- КТ203БМ — жёлтый.
- КТ203ВМ — тёмно-зелёный.
Боковая поверхность всех транзисторов имеет метку красного цвета.
Масса транзистора КТ203 не более 0,5 г.
Рис. 1 — Внешний вид транзисторов КТ203А (слева) и КТ203АМ (справа)
Рис. 2 — Цоколевка и размеры транзистора КТ203
Таблица 1
| Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала) = 5 В, = 1 мА: | |
| Т = +25°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…90 |
| 2Т203В | 15…100 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…200 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…150 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…200 |
| Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 9 |
| 2Т203Б | 30…80 |
| 2Т203В | 15…200 |
| 2Т203Г, не менее | 40 |
| 2Т203Д | 60…400 |
| КТ203Б, КТ203БМ | 30…230 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 30…400 |
| Т = -60°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее | 7 |
| 2Т203Б | 15…90 |
| КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ | 10…100 |
| 2Т203Г, не менее | 20 |
| 2Т203Д | 30…200 |
| КТ203В, КТ203ВМ | 15…200 |
|
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ при = 5 В, = 1 мА, не менее: |
|
| КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ |
5 МГц |
| 2Т203Г, 2Т203Д | 10 МГц |
| Напряжение насыщения К-Э, не более: | |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ | 1 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Г | 0,5 В |
| при = 10 мА, = 1 мА для 2Т203Д | 0,35 В |
| при = 20 мА, = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ | 0,5 В |
| Ток коллектора (обратный), при = , не более: | |
| Т = +25°C | 1 мкА |
| Т = Тмакс | 15 мкА |
| Ток эмиттера (обратный), при = x, не более | 1 мкА |
|
Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой при = 1 мА, не более: |
|
| при = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А | 300 Ом |
| при = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 300 Ом |
| при = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В | 300 Ом |
| при = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д | 300 Ом |
| Ёмкость коллекторного перехода при = 5 В, f = 10 МГц, не более | 10 пФ |
Таблица 2
| Напряжение К-Б (постоянное): | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 2 КОм: | |
| при Т = -60…+75°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 60 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 30 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 15 В |
| при Т = +125°C: | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Напряжение Э-Б (постоянное): | |
| КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, 2Т203Г | 30 В |
| КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б | 15 В |
| КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В, 2Т203Д | 10 В |
| Ток коллектора (постоянный) | 10 мА |
| Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10 | 50 мА |
| Рассеиваемая мощность коллектора1) (постоянная): | |
| T = -60…+75°C | 150 мВт |
| T = +125°C | 60 мВт |
| Температура p-n перехода | +150°C |
| Рабочая температура (окружающей среды) | -60…+125°C |
1) При T > +75°C уменьшается линейно.
Транзистор КТ850А: обзор и особенности работы
Основные характеристики транзистора КТ850А:
- Ток стока в покое: не более 5 мА;
- Напряжение стока в покое: не более 25 В;
- Ток стока при заданном напряжении стока: не более 100 мА;
- Коэффициент передачи: не менее 250;
- Температурный коэффициент: -1,5 мВ/°C;
- Мощность потребляемая: не более 100 мВт.
Такие технические характеристики делают транзистор КТ850А универсальным и позволяют использовать его в различных схемах и приложениях. Он обладает высоким коэффициентом усиления и обеспечивает низкий уровень шума в усилительных цепях.
Транзистор КТ850А имеет корпус типа TO-18 (металл-стеклокерамика) и малые габариты, что делает его удобным и легким в монтаже. Благодаря своим техническим характеристикам и надежности, транзистор КТ850А широко используется в различных сферах электроники.
Обратите внимание, что при монтаже и использовании транзистора КТ850А необходимо соблюдать все технические требования и условия эксплуатации, указанные в его технической документации
Цоколёвка и маркировка КТ815
Цоколёвка транзистора КТ815 зависит от типа корпуса прибора. Существует два различных типа корпуса – КТ-27 и КТ-89. Первый случай используется для объёмного монтажа элементов, второй – для поверхностного. По зарубежной классификации, типы данных корпусов имеют, соответственно, следующие обозначения: TO -126 для первого случая и DPAK для второго случая.
Расположение выводов элемента прибора в корпусе КТ-27 имеет следующий порядок: эмиттер-коллектор-база, если смотреть на транзистор с его лицевой стороны. Для элемента в корпусе КТ-89, расположение выводов имеет следующий порядок: база-коллектор-эмиттер, где коллектором является верхний электрод прибора.
На сегодняшний день, применение элементов в корпусе КТ-27 ограничено, в основном, радиолюбительскими схемами и конструкциям. Элементы в корпусах КТ-89 применяются в изготовлении бытовой техники и по сей день.
Для маркировки данного прибора изначально использовали полное его название, например, КТ815А и дополняли маркировку месяцем и годом выпуска транзистора. В дальнейшем обозначения значительно сократили, оставив на корпусе элемента только одну букву, обозначающую тип элемента и цифру, например -5А для прибора КТ815А.
Методические указания к курсовому проектированию предварительных каскадов RC-усилителей систем передачи информации
Этот параметр показывает во сколько раз величина сигнала должна быть
больше собственных шумов устройства приведенных ко входу.
Рис. III
Эквивалентная шумовая модель устройства для вычисления отношения сигнал/шум
Обычно, значения этого
параметра лежат в диапазоне 40…60 дБ.
Часть II
Пример расчета
Рассмотрим пример расчета по заданию, номер которого определяется цифрами
363.
Исходные данные:
V1- фотодиод ФДК- 227, используемый
в качестве источника сигнала;
V2-полевой транзистор КП307Г; V3 и V4
–биполярный транзистор КТ382А; Ео=12В –источник питания; R12=1кОм –сопротивление внешней нагрузки;
fн =10 кГц – нижняя граничная частота; fв=2 МГц – верхняя граничная частота.
Цель работы:
Рассчитать
усилитель по схеме, представленной на рис.1.
Рис.21 (1) Принципиальная схема усилителя
В скобках далее
указывается номер рисунка или таблицы, встречавшихся ранее.
I Предварительный расчет по постоянному току
- Расчет цепей питания фотодиода V1
На фотодиод
ФДК-227 имеются следующие справочные параметры:
Рабочее
напряжение — u раб=
-10 В, темновой ток – Iтем= 0.1 мкА, фототок- I1=1
мкА, проходная ёмкость – Сд =1пФ.
Принципиальная
схема цепей питания фотодиода V1 и его типовая вольт-амперная
характеристика приведены на рис.22(4).
а) б)
Рис.22 . Принципиальная схема цепей питания фотодиода а) и его типовая вольт-амперная характеристика б)
Обратное
смещение на фотодиод подается для вывода его в линейную область ВАХ.
Выберем
напряжение анод-катод фотодиода Uак=8В.
Тогда на резисторах (R1+R2)
должно быть падение напряжения , равное Eо
— Uк =12- 8=4 В.
Если
выбрать напряжение на аноде Uа=1В,
то напряжение на катоде Uк=Uа+Uак=1+8=9 В. Теперь вычислим
сопротивления R1и R2.
Так при токе фотодиода I1=1мкА
R1= Uа/I1=1В/1*10 -6
А=1 МОм , R2= (Е —UК
)/I1=(12-9) В/
1*10 -6 А =3МОм
На рис. 4,б
показана точка покоя А с координатами (I1=1мкА,
Uак=8В), из чего следует, что сопротивление
фотодиода постоянному току в этой точке RД=8
Мом.
Сопротивления
резисторов R1,R2
выбираем из номинального ряда (Табл.6).
Табл.6
2. Расчет
по постоянному току каскада на транзисторе V2
Транзистор
КП307Г имеет следующие справочные данные:
Ток стока
начальный – Iс нач=16 мА; Напряжение отсечки
– U отс= — 3В;
Ток утечки
затвора — IУТ. З=1 нА; Ёмкость затвор-исток
— Cзи = 5 пФ,
Максимальная
крутизна – Sмакс=12 мА/В; Ёмкость проходная
– Сзс =1.5 пФ;
Сопротивление
затвор – исток rзи= UЗИ/ IУТ.З =1В/1нА=100 МОм.
Принципиальная схема каскада на полевом транзисторе V2
по постоянному току представлена на рис.23.
а) б)
Рис. 23 Принципиальная схема по постоянному току каскада V2 а) и типовая вольт- амперная характеристика
полевого транзистора с n-каналом б)
Выберем
напряжение затвор-исток UЗИ ≤ UОТС / 2 = -1В. Тогда ток стока будет
Выберем
напряжение сток-исток UСИ=Е/2=12/2=6 В, а напряжение на истоке UИ = 0.2Е= 0.2*12 = 2.4 В. Тогда напряжение на
стоке UС= UИ+ UСИ =2.4+6=8.4В, а напряжение
на затворе UЗ=UИ+UЗИ=2.
Теперь вычислим
сопротивления резисторов R3=(Е— UЗ)/
Iд2,
где Iд2—ток
делителя. Ток делителя можно определить, зная сопротивление резистора R4. Рассчитаем сопротивление R4 исходя из заданной верхней частоты fв. Так как частота среза входной цепи в области
верхних частот определяется суммарной емкостью С и сопротивлением R4, а частота среза входной цепи должна
быть больше fв, то сопротивление R4
можно определить из неравенства R4≤ 1/(2π fвC).
Находим R4=1/ 2π*2*106*15*10-12=5.6
кОм, где C=15 пФ.
При этом ток
делителя Iд2=
Uз/R4=1.4/5.6=0.25
мА .
R6 = UИ
/IС = 2.4/ 7.1= 0.33 кОм
По номинальному
ряду (Табл.6) R3=43 кОм, R4=5.6
кОм, R5=510 Ом, R6=330
Ом.
3. Предварительный
расчет каскадов по постоянному току на биполярных транзисторах V3 и V4
Принципиальная схема каскадов V3 и V4
по постоянному току представлена на рис.24
Рис.24. Принципиальная схема каскадов на биполярных транзисторах по постоянному току
Транзистор КТ382А имеет следующие справочные параметры:
-транзистор
биполярный кремниевый;
-UБэ=0.7 В;
— коэффициент
усиления по току минимальный h21 min = 40;
— коэффициент
усиления по току максимальный h21 max=330;
— частота
единичного усиления fт
=1.8 ГГц;
-максимальный
постоянный ток коллектора Iк max=20мА;
-максимальное
напряжение коллектор-эмиттер uкэ
max=15 В;
-постоянная
времени цепи обратной связи τк =15пс;
-ёмкость
коллекторного перехода Ск=2 пФ;
-допустимая
мощность рассеиваемая на коллекторе Pк=100
мВт.
Выберем
токи покоя транзисторов
Температурный дрейф
Температура влияет на характеристики транзисторов по постоянному и переменному току. Двумя аспектами этой проблемы являются изменение температуры окружающей среды и самонагревание. Некоторые приложения, например, военные и автомобильные, требуют работы в расширенном температурном диапазоне. В благоприятной же среде схемы подвергаются самонагреванию, в частности высоковольтные схемы.
Ток утечки IК0 и коэффициент β увеличиваются с ростом температуры. Коэффициент β по постоянному току hFE возрастает экспоненциально. Коэффициент β по переменному току hfe увеличивается, но не так быстро. При повышении температуры от -55°C до 85°C он удваивается. По мере увеличения температуры увеличение hfe даст больший выходной сигнал в схеме с общим эмиттером, который в крайних случаях будет ограничен (отсечен). Увеличение hFE сдвигает точку смещения, приводя к возможному отсечению пиков на одной из полуволн. В многокаскадных усилителях с прямой связью сдвиг точки смещения усиливается. Решением этой проблемы является использование отрицательной обратной связи для стабилизации точки смещения. Это также стабилизирует и коэффициент усиления по переменному току.
Повышение температуры на рисунке ниже (a) приведет к уменьшению VБЭ от номинальных 0,7 В для кремниевых транзисторов. Уменьшение VБЭ увеличивает ток коллектора в усилителе с общим эмиттером, что дополнительно приводит к сдвигу точки смещения. Лекарством от смещения VБЭ является использование пары транзисторов, собранных в схему дифференциального усилителя. Если оба транзистора на рисунке ниже (b) имеют одинаковую температуру, VБЭ будет отслеживать изменение температуры и компенсировать его.
(a) односторонний усилитель с общим эмиттером и (b) дифференциальный усилитель с компенсацией изменений VБЭ
Рекомендуемая максимальная температура перехода для кремниевых устройств часто составляет 125°C. Хотя для повышения надежности, работать необходимо при более низких температурах. Транзистор прекращает работать при температуре выше 150°C. Транзисторы из карбида кремния и алмазные транзисторы будут работать при значительно более высоких температурах.
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления транзистора обычно обозначается символом h21 или β (бета) и измеряется в единицах В/мА. Большой коэффициент усиления говорит о том, что транзистор способен эффективно усиливать сигналы.
Коэффициент усиления транзистора КТ850А составляет от 40 до 160. Это означает, что при подаче входного сигнала с током в 1 мА, выходной ток может достигать от 40 до 160 мА.
Транзисторы с высоким коэффициентом усиления широко применяются в усилительных схемах, таких как усилители звука или радиоприемники. Высокий коэффициент усиления позволяет создавать мощные и стабильные усилители с небольшим количеством компонентов.
Тепловые характеристики
Транзисторы модели КТ850А имеют ряд тепловых характеристик, которые следует учитывать при их применении:
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тепловое сопротивление перехода к корпусу, Rθjc | 3.5 °C/W |
| Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде, Rθja | 70 °C/W |
| Максимальная рабочая температура перехода, Tj | 150 °C |
| Максимальная температура хранения, Tstg | от -65 °C до +175 °C |
Тепловое сопротивление перехода к корпусу (Rθjc) показывает, как транзистор отводит тепло от активной зоны до корпуса. Чем меньше это сопротивление, тем эффективнее происходит отвод тепла и ниже температура перехода.
Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде (Rθja) указывает, насколько хорошо транзистор отводит тепло в окружающую среду. Значение этого параметра зависит не только от конструкции транзистора, но и от условий его эксплуатации. Ниже значение данного сопротивления говорит о более эффективном отводе тепла.
Максимальная рабочая температура перехода (Tj) указывает на максимальную температуру, которую может выдержать транзистор без повреждений.
Максимальная температура хранения (Tstg) определяет диапазон температур, в пределах которого транзистор может быть хранен без ухудшения своих характеристик.
Учет тепловых характеристик КТ850А позволяет обеспечить надежное и эффективное функционирование транзистора.
RARE Studio Nova KT382 Summertime Cereal Bowl
Etsy больше не поддерживает старые версии вашего веб-браузера, чтобы обеспечить безопасность пользовательских данных. Пожалуйста, обновите до последней версии.
-
Нажмите, чтобы увеличить
Редкая находка
€21,99
Загрузка
Доступен только 1
Включая НДС (где применимо), плюс стоимость доставки
150 продаж
|
Внесен в список 22 января 2023 г.
Сообщить об этом элементе в Etsy
Выберите причину… С моим заказом возникла проблемаОн использует мою интеллектуальную собственность без разрешенияЯ не думаю, что это соответствует политике EtsyВыберите причину…
Первое, что вы должны сделать, это связаться с продавцом напрямую.
Если вы уже это сделали, ваш товар не прибыл или не соответствует описанию, вы можете сообщить об этом Etsy, открыв кейс.
Сообщить о проблеме с заказом
Мы очень серьезно относимся к вопросам интеллектуальной собственности, но многие из этих проблем могут быть решены непосредственно заинтересованными сторонами. Мы рекомендуем связаться с продавцом напрямую, чтобы уважительно поделиться своими проблемами.
Если вы хотите подать заявление о нарушении прав, вам необходимо выполнить процедуру, описанную в нашей Политике в отношении авторских прав и интеллектуальной собственности.
Посмотрите, как мы определяем ручную работу, винтаж и расходные материалы
Посмотреть список запрещенных предметов и материалов
Ознакомьтесь с нашей политикой в отношении контента для взрослых
не ручной работы
не винтаж (20+ лет)
не ремесленные принадлежности
запрещены или используют запрещенные материалы
неправильно помечен как содержимое для взрослых
Пожалуйста, выберите причину
Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила. Расскажите нам больше о том, как этот элемент нарушает наши правила.
Ток коллектора и эмиттера
Ток коллектора (IC) — это ток, который протекает между коллектором и эмиттером транзистора. Он является основным параметром для определения усиливающей способности транзистора. Большой ток коллектора обеспечивает большую усиливающую способность, в то время как малый ток коллектора указывает на слабую усиливающую способность.
Ток эмиттера (IE) — это ток, который протекает между эмиттером и базой транзистора. Он является суммой тока коллектора и базы, то есть IE = IC + IB. Ток эмиттера также является важным параметром для определения работы транзистора.
Обычно ток коллектора и эмиттера указываются в миллиамперах (мА) и зависят от величины базового тока (IB). Характеристики транзистора, такие как коэффициент усиления тока и мощность потребления, могут быть рассчитаны исходя из значений тока коллектора и эмиттера.
Благодаря своим основным параметрам, ток коллектора и эмиттера, транзистор Кт850а находит широкое применение в различных схемах усиления и коммутации, а также в цифровых и аналоговых электронных устройствах.
Назначение выводов
Цоколевка КТ805АМ следующая. Прибор выполнен в пластиковом корпусе типа КТ-28 (КТ-28-2), для дырочного монтажа. Он имеет встроенный радиатор с отверстием (3.6 мм) для крепления на электрическую плату. В зарубежной классификации это корпус TO-220 (ТО-220AB). Три контакта, если смотреть на маркировку, слева на право, имеют следующие назначение: 1- эмиттер (Э), 2- коллектор(К), 3- база(Б). Масса устройства не более 2.5 гр.
Многие радиолюбители путают КТ-28 с корпусом КТ-27. Но это разные упаковки. Будьте внимательны при покупке. КТ805АМ(КТ-27) не бывает !
Вместе с тем, существует транзистор КТ805А в металлостеклянном светлом корпусе, с аналогичными параметрами. Он имеет габариты побольше и весит 24 гр. Характеристики, рассмотренные ниже, относятся к обеим видам устройств.