Транзисторы MOSFET в корпусе SOT-23
Фирма IR расширяет номенклатуру MOSFET в разных направлениях. Главным является усовершенствование электро параметров транзисторов, а именно:
- снижение канального сопротивления;
- паразитного сопротивления;
- выводной емкости и индуктивности;
- увеличение рабочего тока;
- увеличение рабочего напряжения;
- увеличение скорости действия.
Повышается эффективность применения корпусов в готовых устройствах, обеспечиваются высокие удельные показатели тока и передающейся мощности.
Сначала не планировались мощные применения транзисторов в корпусе SOT-23, так как он не может рассеивать больше количество тепла. Но при сильном уменьшении открытого сопротивления ключа появилась возможность серьезно увеличить спектр токов коммутации.
Благодаря невысокой цене, данный вид корпуса представляет интерес для мобильного сектора, бюджетных преобразователей напряжения с невысокой мощностью.
К транзисторам предъявляются следующие требования:
- Невысокое открытое сопротивление.
- Стабильность температуры, если не используется радиатор.
- Невысокий порог напряжения затвора.
- Бюджетная стоимость.
У нового семейства p- и n- канальных транзисторов от IR стандартный корпус имеет очень низкое открытое сопротивление. Оно нужно для использования в зарядках для аккумуляторов, нагрузочных коммутаторах, электрических приводах, телекоммуникации, применения в различных видах приложений.
У нового семейства MOSFET спектр напряжений находится в пределах от -30 до 100 В, с разными значениями сопротивлений и емкостей. Это способствует широкому выбору при создании небольших, но качественных и доступных по стоимости вариантов.
Чем же транзисторы отличаются от предшественников? Это можно узнать при изучении технологии создания кристаллов для подобных корпусов.
Новые способы создания кристаллов помогли сделать транзистор более эффективным, по сравнению с конкурентами. Если сохраняются прежние размеры кристалла, выходят сниженные значения сопротивлений. В итоге достигаются наилучшие значения температуры для данного корпуса. IR производит транзисторы с корпусами SOT-23 и кристаллами, которые выпускаются по технологии Gen 10.7.
Характеристики современных транзисторов с корпусами SOT-23
Как мы уже указывали, главные преимущества новых устройств с корпусами SOT-23 — это наименьшие значения сопротивлений. Чтобы оценить новые приборы, учитываются лишь 2 показателя.
Канальное сопротивление транзистора сильно связано с напряжением в затворе и допустимой температурой
Это особенно важно для устройств с низким порогом напряжения
На картинке изображена зависимость сопротивления открытого транзистора от напряжения затвора.
Если сравнить транзистор IRLML6344 с AO3400A, то выяснится, что его рабочая температура меньше, за счет лучшего значения теплового сопротивления.
Обозначения разных величин в корпусе транзисторов SOT-23
В наименовании MOSFET присутствует несколько величин:
- управляющее напряжение затвора;
- тип корпуса;
- технология кристаллизации;
- уровень напряжения стока и размера кристалла.
Например, вот как обозначается новый транзистор: IRLML6244TRPBF, где:
- L — уровень управляющего напряжения.
- F — возможность управлять логическим уровнем напряжения.
- L — возможность управлять низким логическим уровнем сигнала.
Логическим уровнем называется состояние транзистора, когда он открыт при невысоком затворном напряжении 2,5 B.
Транзистор B1367: как его проверить и что нужно знать
Если у вас возникла необходимость проверить транзистор B1367 на работоспособность, вам потребуется некоторые инструменты и знания:
- Мультиметр — это прибор, который позволяет измерять различные параметры электрических цепей. Он будет необходим для проверки базовых характеристик транзистора, таких как напряжение и ток.
- Схема проверки — вам понадобится схема, которая показывает, как правильно подключить транзистор и какие параметры нужно измерять. Эта схема может быть найдена в технической документации или получена у производителя.
- Паяльник — если вы обнаружите неисправность в транзисторе и решите его заменить, вам понадобится паяльник и некоторые навыки пайки.
Для проверки транзистора с помощью мультиметра, вам потребуется выполнить следующие шаги:
- Отключите транзистор от любых подключенных цепей или источников питания.
- Подключите мультиметр к транзистору, следуя схеме проверки.
- Установите мультиметр в режим измерения нужных параметров (напряжение, ток и т.д.).
- Включите источник питания и выполните измерения. Сравните результаты с требованиями, указанными в технической документации.
- Если результаты измерений не соответствуют требованиям, возможно, транзистор неисправен и должен быть заменен.
Важно помнить, что при проверке транзистора всегда следует соблюдать меры безопасности и быть осторожным, особенно при работе с электрическими цепями и источниками питания. Если у вас нет необходимых навыков или инструментов для проверки транзистора B1367, рекомендуется обратиться к специалисту или использовать услуги сервисного центра
Если у вас нет необходимых навыков или инструментов для проверки транзистора B1367, рекомендуется обратиться к специалисту или использовать услуги сервисного центра.
Надеемся, что эта инструкция поможет вам проверить транзистор B1367 и узнать о его состоянии. Удачи в вашей работе с электроникой!
Биполярный транзистор 2SB1367 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB1367
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора:
2SB1367
Datasheet (PDF)
..1. Size:213K inchange semiconductor 2sb1367.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1367DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 30W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max)@ (I = -4A, I = -0.4A)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2059Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATI
8.1. Size:104K mcc 2sb1366f-o.pdf
MCCTMMicro Commercial Components2SB1366F-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SB1366F-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Low VCE(SAT):VCE(SAT)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A)Power Transistors Lead Free Finish/RoHS Compliant (No
8.2. Size:104K mcc 2sb1366f-y.pdf
MCCTMMicro Commercial Components2SB1366F-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SB1366F-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPNP Silicon Moisure Sensitivity Level 1 Low VCE(SAT):VCE(SAT)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A)Power Transistors Lead Free Finish/RoHS Compliant (No
8.3. Size:51K panasonic 2sb1361.pdf
Power Transistors2SB1361Silicon PNP triple diffusion planar typeFor high power amplificationUnit: mmComplementary to 2SD205215.0 0.3 5.0 0.2Features11.0 0.2 3.2Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-rent IC characteristics 3.2 0.1Wide area of safe operation (ASO)High transition frequency fTFull-pack package which can be installed t
8.4. Size:495K no 2n3904 2n3906 2n5401 2n5551 2sa1271 2sa1273 2sa1275 2sa1276 2sa1366 2sa1657 2sa1658 2sb1366 2sb988 2sc3190 2sc3191 2sc3192.pdf
8.5. Size:213K inchange semiconductor 2sb1368.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1368DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 25W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.7V(Max)@ (I = -3A, I = -0.3A)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2060Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIO
8.6. Size:213K inchange semiconductor 2sb1369.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1369DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -180V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max)@ (I = -0.5A, I = -50mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2061Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage applications.TV, monitor vertical
8.7. Size:222K inchange semiconductor 2sb1361.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1361DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD2052Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
8.8. Size:213K inchange semiconductor 2sb1366.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1366DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 25 W@ T = 25C CLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max)@ (I = -2A, I = -0.2A)CE(sat) C BComplement to Type 2SD2058Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATI
8.9. Size:220K inchange semiconductor 2sb1362.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1362DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V(Min)(BR)CEOWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD2053Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
Другие транзисторы… 2SB136
, 2SB1360
, 2SB1361
, 2SB1362
, 2SB1363
, 2SB1364
, 2SB1365
, 2SB1366
, BF422
, 2SB1368
, 2SB1369
, 2SB136A
, 2SB137
, 2SB1370
, 2SB1371
, 2SB1372
, 2SB1373
.
Модификации и группы транзистора B772
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB772 | 12,5 (1,25) | 60 | 30 | 5 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126 |
| 2SB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 40 | 55 | 160 | TO-126 |
| BTB772ST3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 2 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| BTB772T3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-126 |
| CSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| CSB772 (P, Q, R, E) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 200 | TO-126 |
| FTB772 | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KSB772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| KTB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| PMB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| ST2S772T | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-126 |
| TSB772CK | 10,0 (1,0) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126 |
| B772C | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-126C |
| B772P | 15,0 (1,25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-126D |
| HSB772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-126ML |
| 2SB772B | 25,0 (2,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-220 |
| 2SB772I | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| B772PC | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 120 | TO-251 |
| BTB772I3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-251 |
| WTP772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 30 | TO-251 |
| 2SB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-252 |
| B772 (R, O, Y, GR) | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| BTB772AJ3 | 15,0 (1,0) | 50 | 30 | 7 | 3 | 150 | 190 | 33 | 180 | TO-252 |
| BTB772J3 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-252 |
| FTB772D | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252 |
| GSTD772 | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-252 |
| ST2SB772R | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 100 | TO-252 |
| B772M | (1.25) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-252-2L |
| 2SB772A | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| 2SB772GP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-89 |
| 2SB772T | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| BTB772AM3 | (2) | 50 | 50 | 6 | 3 | 150 | 80 | 25 | 180 | SOT-89 |
| FTB772F | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | SOT-89 |
| GSTM772 | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | SOT-89 |
| KXA1502 | (0.5) | 40 | 20 | 5 | 1.5 | 150 | 100 | 20 | 160 | SOT-89 |
| L2SB772 (P, Q) | (0.5) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| ST2SB772U | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-89 |
| ZX5T250 | (0.5) | 70 | 60 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 160 | SOT-89 |
| 2SB772S | (0.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-89 |
| ALJB772 | (1) | 40 | 30 | 6 | 1.5 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| B772S | (0.625) | 40 | 30 | 6 | 3 | 150 | 50 | — | 60 | TO-92 |
| BTB772SA3 | (0.75) | 50 | 50 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 180 | TO-92 |
| GSTS772 | (0.625) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | — | 60 | TO-92 |
| HB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| HSB772S | (0.75) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| TSB772SCT | (0.625) | 50 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 100 | TO-92 |
| 2SB772L | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | TO-92LM |
| 2SB772M | (0.35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| B772SS | 10,0 (0,35) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 45 | 100 | SOT-23 |
| 2SB772N | 10,0 (1,0) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 80 | 55 | 60 | SOT-223 |
| 2SB772ZGP | (1.5) | 40 | 30 | 5 | 3 | 150 | 100 | 55 | 160 | SOT-223 |
Примечения:
- Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252 или DPAK, SOT-89 или TO-92.
- В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
- В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
- В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
- Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).
Характеристика КТ315
Несмотря на то, что КТ315 считается настоящим ветераном-транзистором, его характеристика даже на сегодняшний день является не самой худшей, а в свое время — настоящим прорывом. Развитие в сфере транзисторов повлияла на уход КТ315 с рынка.
Рассмотрим характеристику КТ315 в корпусе КТ-26 (ТО-92). В datasheet говорится, что:
- рабочая температура КТ315 от -45 °С до +100 °С;
- максимальное напряжение коллектор-база равняется от 20 В до 40 В;
- предельное напряжение коллектор-эмиттер равняется от 20 В до 60 В;
- наивысшее напряжение эмиттер-база равняется 6 В;
- максимальный постоянный ток коллектора равен 100 мА, но у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 50 мА;
- рассеиваемая мощность коллектора равна 150 мВТ, а у КТ315Ж1 и у КТ315И1 — 100 мВТ.
Электрическая характеристика
Как и говорилось, “оранжевая чума” достаточно неплоха в работе, но ее показатели слишком отстают ее конкурентов (чего только стоит работа при максимальной температуре в +100 °С, что очень мало).
Электрические характеристики будут проанализированы с условием, что температура окружающей среды будет равна +25 °С.
- Обратный ток коллектора от 0,5 нА до 0,6 нА;
- Обратный ток эмиттера от 3 мкА до 50 мкА;
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер от 0,4 В до 0,9 В;
- Напряжение насыщения база-эмиттер от 0,9 В до 1,35 В;
- Емкость коллекторного перехода — 7 пФ, у КТ315Ж1 — 10 пФ, у КТ315И1 — 10 пФ;
- Граничная частота коэффициента передачи тока — 250 МГц;
- Постоянная времени цепи обратной связи от 300 пс до 1000 пс.
Классификация
Всего насчитывается 10 видов КТ315 (от А1 до Р1). Они различаются по своим показателям, например, напряжение насыщения коллектор-эмиттер у А1 составляет 25 В, а у В1 — 40 В. Всю остальную информацию можно посмотреть в этой таблице.
Маркировка
КТ315 отличает не только его внешний вид, но и отметка. Она сосредоточена в цифро-буквенном значении (нужно выделить, что буква всегда расположена в левом углу), а у тех, кто отличался повышенной надежностью и использовался для компьютеров, телевизоров и т.д., рядом с маркировкой стояла точка. Как говорилось ранее, два кремниевых транзистора очень легко спутать
Чтобы этого избежать, важно обратить свое внимание на описываемый пункт. Какая маркировка у КТ315 понятна, а у КТ361 она отличается тем, что буква размещена посередине самого корпуса
Основные характеристики B1367
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): Данная характеристика указывает на максимальное напряжение, которое может быть применено между коллектором и эмиттером транзистора без возникновения пробоя. Для B1367 это значение составляет, например, 50 В.
- Максимальный постоянный коллекторный ток (IC): Эта характеристика определяет максимальное значение тока, который может протекать через коллектор. Для B1367 это значение может быть, например, 3 А.
- Коэффициент усиления по току (hFE): Данный параметр указывает на усиление тока в транзисторе при определенных условиях работы. Для B1367 значение этого коэффициента может быть, например, в диапазоне от 100 до 300.
- Мощность Pd: Эта характеристика определяет максимальное количество мощности, которое транзистор может рассеивать без перегрева. Для B1367 это значение может составлять, например, 10 Вт.
Важно помнить, что указанные характеристики могут незначительно отличаться в зависимости от производителя и серии транзистора B1367
Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка
Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.
№1 — Эмиттер
№2 — База
№3 — Коллектор
Маркировка КТ502
КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка
КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка
КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка
КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка
КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка
КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка
Предельные параметры КТ502
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА
Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 25 В
- КТ502Б — 25 В
- КТ502В — 40 В
- КТ502Г — 40 В
- КТ502Д — 60 В
- КТ502Е — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:
- КТ502А — 40 В
- КТ502Б — 40 В
- КТ502В — 60 В
- КТ502Г — 60 В
- КТ502Д — 80 В
- КТ502Е — 90 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е —
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({});
85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:
- КТ502А — 40 — 120
- КТ502Б — 80 — 240
- КТ502В — 40 — 120
- КТ502Г — 80 — 240
- КТ502Д — 40 — 120
- КТ502Е — 40 — 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц
if ( rtbW >= 960 ){ var rtbBlockID = «R-A-744188-3»; }
else { var rtbBlockID = «R-A-744188-5»; }
window.yaContextCb.push(()=>{Ya.Context.AdvManager.render({renderTo: «yandex_rtb_4»,blockId: rtbBlockID,pageNumber: 4,onError: (data) => { var g = document.createElement(«ins»);
g.className = «adsbygoogle»;
g.style.display = «inline»;
if (rtbW >= 960){
g.style.width = «580px»;
g.style.height = «400px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}else{
g.style.width = «300px»;
g.style.height = «600px»;
g.setAttribute(«data-ad-slot», «9935184599»);
}
g.setAttribute(«data-ad-client», «ca-pub-1812626643144578»);
g.setAttribute(«data-alternate-ad-url», stroke2);
document.getElementById(«yandex_rtb_4»).appendChild(g);
(adsbygoogle = window.adsbygoogle || []).push({}); }})});
window.addEventListener(«load», () => {
var ins = document.getElementById(«yandex_rtb_4»);
if (ins.clientHeight == «0») {
ins.innerHTML = stroke3;
}
}, true);
Емкость коллекторного перехода (CК)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ
Емкость эмиттерного перехода (CЭ)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ
Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)
КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт
Опубликовано 16.03.2020
B772 vs BD132 vs 2SB743
In the table below we try to compare the electrical specs of B772 vs BD132 vs 2SB743, this is helpful for the replacement process.
| Characteristics | 2SB772 | BD132 | 2SB743 |
|---|---|---|---|
| Collector to base voltage (VCB) | 60V | 45V | 40V |
| Collector to emitter voltage (VCE) | 30V | 45V | 30V |
| Emitter to base voltage (VEB) | 5V | 6V | 5V |
| Collector to emitter saturation voltage (VCE (SAT)) | -0.4 to –1.1V | 300mV | 2V |
| Collector current (IC) | 3A | 3A | 3A |
| Power dissipation | 12.5W | 15W | 1 to 10W |
| Junction temperature (TJ) | -65 to +150°C | -65 to +150°C | -55 to +150°C |
| Transition frequency (FT) | 100MHZ | 60MHZ | 55MHZ |
| Gain (hFE) | 30 to 300hFE | 40hFE | 30 to 320hFE |
| Package | TO-126 | TO-126 | TO-126 |
The voltage specs for every three transistors are the same, the values show that they are general purpose transistor devices.
The current gain and transition frequency values indicate that each of these transistors is mainly capable of amplifier applications.
Инструменты и приборы для проверки транзистора B1367
Для проведения проверки транзистора B1367 вам потребуются следующие инструменты и приборы:
- Мультиметр — основной инструмент, который позволяет измерить различные параметры транзистора, такие как напряжение, ток и сопротивление.
- Испытательный стенд — устройство, которое обеспечивает надежное подключение транзистора и позволяет провести его функциональное тестирование.
- Источник питания — устройство, которое обеспечивает необходимое напряжение и ток для правильной работы транзистора во время тестирования.
- Осциллоскоп — прибор, который позволяет визуально отобразить изменение напряжения или тока во времени и помочь определить неисправности в работе транзистора.
- Тестовые провода и зажимы — используются для подключения транзистора к мультиметру, испытательному стенду и источнику питания.
При проведении проверки транзистора B1367 важно следовать инструкции производителя и безопасно обращаться со всеми приборами и инструментами. Не забывайте отключать источник питания перед подключением или отключением транзистора
Всегда используйте перчатки и защитные очки при работе с электрооборудованием.
B772 transistor characteristics
DC current gain characteristics of B772 MOSFET
The figure shows the DC current gain characteristics of B772 MOSFET, the graph is plotted with dc current gain vs collector current.
The characteristics of B772 MOSFET are plotted with junction temperature and collector to emitter voltage.
At a fixed rate, the current gain increases from a fixed limit and the effect of temperature.
collector to emitter saturation voltage characteristics of IRF540 MOSFET
The figure shows the collector to emitter saturation voltage characteristics of IRF540 MOSFET, the graph is plotted with the collector to emitter saturation voltage vs collector current.
At a fixed DC current gain, the temperature value is varied at different saturation voltage ranges.
SOT-23: аналоги
Согласно функционалу, принцип работы рассматриваемых регуляторов аналогичен микросхемам ШИМ xx384x, устойчивым и надежным.
С заменой или выбором аналогов таких регуляторов часто возникают трудности из-за кодировки при обозначении видов микросхем. К тому же, существует много фирм-производителей элементов, которые не выкладывают документацию в открытый доступ. Дело в том, что не каждый изготовитель приборов предоставляет схемы в сервису по ремонту. Так что ремонтники вынуждены осваивать возможные варианты схем по имеющимся компонентам и монтажу именно на плате.
В практическом применении обычно используются ШИМ-микросхемы с кодировкой EAxxx. Вы не найдете официальных документов к ним, но есть картинки из PDF от System General.
Взгляните на таблицу, по которым можно подобрать аналоги с соответствующей выводной цоколевкой. Они отличаются применением 3-го вывода.
ШИМ-регуляторы (PWM), где по-другому используется вывод 3, таблица:
При применении всех указанных ШИМ, присмотритесь к выводу 3. С его помощью можно обеспечить тепловую защиту и избежать увеличения напряжения на входе. Допускается фиксированная или регулируемая конденсатором частота.
Область применения транзисторов 13001
Транзисторы серии 13001 разработаны специально для применения в преобразовательных устройствах небольшой мощности в качестве ключевых (переключающих) элементов.
- сетевые адаптеры мобильных устройств;
- электронная пускорегулирующая аппаратура люминесцентных ламп малой мощности;
- электронные трансформаторы;
- другие импульсные устройства.
Нет принципиальных ограничений на использование транзисторов 13001 в качестве транзисторных ключей. Также можно применять данные полупроводниковые приборы в усилителях низкой частоты в случаях, где не требуется особое усиление (коэффициент передачи по току у серии 13001 по современным меркам невелик), но в этих случаях не реализуются довольно высокие параметры этих транзисторов по рабочему напряжению и их высокое быстродействие.
Лучше в этих случаях применить более распространенные и дешевые типы транзисторов. Также при построении усилителей надо помнить, что комплементарная пара у транзистора 31001 отсутствует, поэтому с организацией двухтактного каскада могут быть проблемы.
На рисунке приведен характерный пример использования транзистора 13001 в сетевом зарядном устройстве для аккумулятора переносного устройства. Кремниевый триод включен в качестве ключевого элемента, формирующего импульсы на первичной обмотке трансформатора ТР1. Он с большим запасом выдерживает полное выпрямленное сетевое напряжение и не требует дополнительных схемотехнических мер.
Температурный профиль для пайки бессвинцовым припоем
При пайке транзисторов надо соблюдать определенную осторожность, не допуская излишнего нагрева. Идеальный температурный профиль указан на рисунке и состоит из трех этапов:
- этап предварительного нагрева длится около 2 минут, за это время транзистор прогревается от 25 до 125 градусов;
- собственно пайка длится около 5 секунд при максимальной температуре 255 градусов;
- заключительный этап – расхолаживание со скоростью от 2 до 10 градусов в секунду.
Этот график сложно соблюсти в домашних условиях или в мастерской, да и не так это важно при демонтаже-монтаже единичного транзистора. Главное – не превышать максимально допустимую температуру пайки
Транзисторы 13001 имеют репутацию достаточно надежных изделий, и при условиях эксплуатации, не выходящих за установленные пределы, могут прослужить долго без отказов.
Транзистор — устройство, виды, применение
Описание, устройство и принцип работы полевого транзистора
Что такое биполярный транзистор и какие схемы включения существуют
Описание, характеристики и схема включения стабилизатора напряжения КРЕН 142
Описание, технические характеристики и аналоги выпрямительных диодов серии 1N4001-1N4007
Как работает микросхема TL431, схемы включения, описание характеристик и проверка на работоспособность
Проверка транзистора B1367 с помощью мультиметра
Для проверки транзистора B1367 вам понадобится мультиметр с функцией измерения тока, напряжения и сопротивления, а также с функцией проверки диодов и транзисторов.
Вот пошаговая инструкция, как проверить транзистор B1367 с помощью мультиметра:
- Переведите мультиметр в режим проверки транзисторов. Обычно соответствующая функция обозначена символом «hFE».
- Подключите клеммы мультиметра к коллектору (C) и эмиттеру (E) транзистора B1367. Клемма к коллектору должна быть подключена к положительному выводу мультиметра, а клемма к эмиттеру — к отрицательному выводу.
- Присоедините базу (B) транзистора к прикладываемому кусочку металла или проводу, чтобы предотвратить появление сигнала обратной связи.
- Включите мультиметр и считайте значение hFE, отображаемое на экране. Если значение hFE находится в пределах допустимой нормы (обычно от 20 до 100), значит, транзистор B1367 работает исправно. В противном случае, транзистор может быть поврежден и требует замены.
Проверка транзистора B1367 с помощью мультиметра дает возможность быстро и эффективно определить его состояние
Важно помнить, что при выполнении любых манипуляций с электрическими компонентами всегда необходимо соблюдать правила безопасности и работать с осторожностью