Характеристики транзистора c3852 на русском языке

Параметры C3852 транзистора

Транзистор C3852 представляет собой мощный биполярный NPN-транзистор. Он обладает высокой частотой переключения и широким диапазоном рабочих температур, что делает его идеальным для применения во многих электронных устройствах.

Параметр	Значение
Тип транзистора	NPN
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO)	60 В
Максимальный коллекторный ток (I_C)	10 А
Мощность потери коллектора (P_C)	75 Вт
Частота переключения (f_T)	30 МГц
Коэффициент усиления тока (h_FE)	50-100
Температурный диапазон	-55°C до +150°C

Транзистор C3852 широко используется в усилителях мощности, импульсных блоках питания, источниках тока, стабилизаторах напряжения и других устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор способен удовлетворить потребности самых требовательных проектов.

Характеристики транзистора C3852

Основные характеристики транзистора C3852 приведены в таблице:

Параметр	Значение
Тип транзистора	NPN
Максимальное рабочее напряжение, V_ceo	60 В
Максимальный коллекторный ток, I_c	3 А
Максимальная мощность потери, P_d	25 Вт
Максимальная рабочая температура, T_j	150 °C
Коэффициент усиления по току, h_fe	40-250

Транзистор C3852 обладает низкими потерями мощности и хорошей линейностью работы. Он может быть использован в усилительных устройствах, источниках тока, стабилизаторах напряжения и других схемах, где требуется усиление сигнала. Благодаря своим характеристикам, транзистор C3852 является надежным и эффективным компонентом для различных электронных приборов.

Аналоги КТ315

У транзистора имеется как отечественная замена, так и заграничная. Начнем с первой. Это КТ3102 (ТО-92). Он тоже кремниевый, с npn структурой, но с большей температурой (до +150 С), другим расположением диодов и более высокими электрическими возможностями. Можно сказать, что они, относительно, одинаковы.

Иностранные заменители: ВС547 (npn, высокочастотный (примерно в 300 МГц, когда у КТ315 — 250 МГц), расположение диодов как у КТ3102, температура до +150 С), PN2222 (300 МГц, цоколевка соответствует предыдущей, остальные характеристики примерно одинаковы с КТ315), 2SC9014 (температура от -55 С до +150 С, 270 МГц). Раньше зарубежные транзисторы выходили с корпусом КТ-13, но на данный момент таких уже не существует.

Усилитель на КТ315

Для создания усилителя, представленного на схеме, нужен один КТ315, один конденсатор (1 мкФ), один резистор и mini Jack.

На схеме видно, что отрицательное питание и один из двух ходов mini Jack надо припаять к эмиттеру (левая ножка).

Ко второму ходу mini Jack присоединяем “плюсом” конденсатор, а его “минус” припаиваем к базе. Дальше мы переходим к резистору. Одна его сторона должна быть прикреплена к первому колоночному проводу (другой ход колоночного провода — к коллектору), а второй — к отрицательному ходу конденсатора. К соединению провода от колонки и резистора добавляется плюсовой провод.

Теперь можно вставлять разъем в колонку и наслаждаться улучшенным и громким звуком.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

Маркировка: D1415B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO220SIS

Транзистор C5353 ничего хорошего не принес и плохого

Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1 Обновления Подавитель сотовой связи большой мощности. Перед тем как создавать тему на форуме, воспользуйтесь поиском! Пользователь создавший тему, которая уже была, будет немедленно забанен!

Преимущества использования C3852 транзистора

1. Высокая надежность: C3852 транзистор обладает качественной сборкой и долгим сроком службы, что обеспечивает стабильную и надежную работу устройства.
2. Высокая коммутационная способность: данный транзистор может успешно переключать большие токи и напряжения, что позволяет его использование в различных высокочастотных и мощных электронных схемах.
3. Широкий диапазон рабочих температур: C3852 транзистор может работать в широком диапазоне температур, что позволяет его применение в различных климатических условиях.
4. Универсальность применения: данный транзистор может использоваться в различных электронных устройствах, таких как блоки питания, источники света, усилители сигнала и т.д.
5. Простота монтажа: C3852 транзистор имеет удобный корпус для монтажа на печатную плату или радиатор, что упрощает его установку и подключение.

Все эти преимущества делают C3852 транзистор одним из наиболее распространенных и популярных элементов в сфере электроники. Его высокая надежность и коммутационная способность позволяют использовать его в широком спектре приложений, а простота монтажа делает его удобным и доступным для различных проектов.