2SC5353 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5353.pdf Size:207K _toshiba
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR 1 1 TO-126 TO-126C DESCRIPTION Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications 1 1 TO-220 TO-220F FEATURES * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage: VCEO = 700V 1 TO-220F1
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5353B NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE NPN 1 1 TRANSISTOR TO-126 TO-126C DESCRIPTION 1 1 TO-220 TO-220F Switching Regulator and High Voltage Switching Applications High-Speed DC-DC Converter Applications. 1 1 FEATURES TO-220F1 TO-251 * Excellent switching times: tR = 0.7?s(MAX), tF = 0.5?s (MAX) * High collectors breakdown voltage:
«>
Биполярный транзистор 2SC3950 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3950
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2000
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
2SC3950
Datasheet (PDF)
..1. Size:79K sanyo 2sc3950.pdf
Ordering number:EN2441APNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC3950High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042AFeatures High fT : fT=2.0GHz. Large current capacity : IC=500mA. Micaless type : TO-126 plastic package.B : BaseC
8.1. Size:41K sanyo 2sa1539 2sc3954.pdf
Ordering number:ENN2438BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1539/2SC3954High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1539/SC3954]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 Sm
8.2. Size:41K sanyo 2sa1536 2sc3951.pdf
Ordering number:ENN2435BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1536/2SC3951High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1536/2SC3951]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=600MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.3. Size:39K sanyo 2sa1541 2sc3956.pdf
Ordering number:ENN2440BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1541/2SC3956High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1541/2SC3956]8.0Features4.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=2
8.4. Size:41K sanyo 2sa1537 2sc3952.pdf
Ordering number:ENN2436CPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1537/2SC3952High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1537/2SC3952]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=700MHz. High breakdown voltage : VCEO=70Vmin.3.0 Sma
8.5. Size:40K sanyo 2sa1538 2sc3953.pdf
Ordering number:ENN2437BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1538/2SC3953High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsPackage DimensionsApplications High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1538/2SC3953]8.0Features4.03.31.0 1.0 High fT : fT=400MHz. High breakdown voltage : VCEO=120Vmin.3.0 S
8.6. Size:40K sanyo 2sa1540 2sc3955.pdf
Ordering number:ENN2439BPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1540/2SC3955High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2042B[2SA1540/2SC3955]Features 8.04.03.31.0 1.0 High gain-bandwidth product : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=20
8.7. Size:33K hitachi 2sc3957.pdf
2SC3957Silicon NPN Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineMPAK-4213311. Collector2. Emitter43. Base4. NC22SC3957Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 40 VCollector to emitter voltage VCEO 30 VEmitter to base voltage VEBO 10 VCollector current IC 300 mACollector peak current
Другие транзисторы… 2SC3944
, 2SC3944A
, 2SC3945
, 2SC3946
, 2SC3947
, 2SC3948
, 2SC3949
, 2SC395
, 2SC4793
, 2SC3951
, 2SC3952
, 2SC3953
, 2SC3953C
, 2SC3953D
, 2SC3954
, 2SC3955
, 2SC3956
.
транзистор%20c3746 техническое описание и примечания по применению
Модель ECAD
Производитель
Описание
Техническое описание Скачать
Купить Часть
BD6047AGUL
РОМ Полупроводник
Тип защиты от отрицательного напряжения ИС защиты от заряда со встроенным полевым транзистором
БМ2П016-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ, включая переключающий МОП-транзистор
БМ2П0361К-З
РОМ Полупроводник
ИС преобразователя постоянного тока в постоянный с ШИМ со встроенным переключающим полевым МОП-транзистором
BD9B305QUZ
РОМ Полупроводник
Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, 3,0 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БД9Д300МУВ
РОМ Полупроводник
Вход от 4,0 В до 17 В, 3 А Встроенный полевой МОП-транзистор с одним синхронным понижающим преобразователем постоянного тока в постоянный
БМ2П104ЭФ
РОМ Полупроводник
Встроенный полевой МОП-транзистор 730 В, 100 кГц, ШИМ-преобразователь постоянного тока ИС
Основные технические характеристики
У транзисторов серии C945 представлены такие технические характеристики (при температуре окружающей среды +25 °C,):
физические:
- принцип действия – биполярный;
- корпус ТО-92, SOT-23;
- материал корпуса – пластмасса;
- материал транзистора — аморфный кремний (amorphous silicon) Si;
электрические:
- проводимость – обратная (n-p-n);
- максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,15 А или 150 мА (mA);
- максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) U КЭ макс. (VCEmax) не более 50 В (V);
- максимально допустимое обратном напряжении на коллекторном переходе, между коллектором и базой (Collector-Base Voltage) UКБ макс. (VCBmax) не более 60 В (V);
- максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage) UЭБ макс (VЕВ max) не более 5 В (V);
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Collector-emitter saturation voltage) UКЭ.нас. (VCEsat) не более 0.3 В (V);
- граничная частота передачи тока (Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft) от 100 до 450 МГц (MHz), при U КЭ = 6 В (V), IK = 10 мА (mA);
- максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0.01 мкА (µA), при U КБ макс. (VCBО ) = 60 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
- максимальный обратный ток эммитера (Emmiter Cutoff Current) IЭБО (IEBO) не более 0.01 мкА (µA), при U EБ макс. (VEBО ) = 5 В (V) и отключенном коллекторе (ток коллектора IК (IС)=0);
- максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе (Maximum Collector Dissipation) PK макс. (PC) 0,400 Вт (Watt) или 400 мВт (mW);
- максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) Tхран. (Tstr) от — 55 до + 150 °C.
- Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) при UКЭ макс = 6 В (V) и IK макс = 1 мА (mA) находится в пределах от 70 до 700 Hfe.
Классификация по Hfe
| Наименование | Коэффициент Hfe |
|---|---|
| С945-Y | 120-240 |
| С945-O | 70-140 |
| С945-R | 90-180 |
| С945-Q | 135-270 |
| С945-P | 200-400 |
| C945-K | 300-600 |
| C945-G | 200-400 |
| C945-GR | 200-400 |
| C945-BL | 350-700 |
| C945-L (SOT-23) | 120-200 |
| C945-H (SOT-23) | 200-400 |
</table>
Производители
Аналоги транзистора 2SC945 2SC1815, 2SC3198, BC182LB, C1815, C945, KSC1815, KSC945C, KTC3198
Цоколевка транзистора 2SC945
Характеристики транзистора 2SC945
Транзисторы 2SC945 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC945R в диапазоне от 90 до 180, 2SC945Q в диапазоне от 135 до 270, 2SC945P — в диапазоне от 200 до 400, 2SC945K — в диапазоне от 300 до 600.
Информация взята по этой ссылке
Похожие материалы:
Распродажа на АлиЭкспресс. Успей купить дешевле!
Понижающий Dc-Dc преобразователь XL4016
Характеристики:
Ток(макс) 5А(8А)
Вх. напряжение 4-40V
Вых. напряжение 1.25-36V
Макс. мощность 200 Вт КПД: 94%
Размер: 61*41*27 мм
Цена: 251руб.
- https://shematok.ru/transistor/c945
- https://rustaste.ru/tranzistor-2sc945.html
Полезные страницы
- Набор GyverKIT – большой стартовый набор Arduino моей разработки, продаётся в России
- Каталог ссылок на дешёвые Ардуины, датчики, модули и прочие железки с AliExpress у проверенных продавцов
- Подборка библиотек для Arduino, самых интересных и полезных, официальных и не очень
- Полная документация по языку Ардуино, все встроенные функции и макросы, все доступные типы данных
- Сборник полезных алгоритмов для написания скетчей: структура кода, таймеры, фильтры, парсинг данных
- Видео уроки по программированию Arduino с канала “Заметки Ардуинщика” – одни из самых подробных в рунете
- Поддержать автора за работу над уроками
- Обратная связь – сообщить об ошибке в уроке или предложить дополнение по тексту ()
Где и как мы можем использовать ?
Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет около 150 мА, что достаточно для работы многих устройств в цепи, например реле, светодиодов и других элементов схемы. Напряжение насыщения Uкэ.нас. составляет всего 0.3 В, что также удовлетворяет почти все потребности. Как обсуждалось выше, C945 имеет хороший коэффициент усиления постоянного тока hFE и низкий уровень шума, благодаря чему он идеально подходит для использования в каскадах схем предусилителя, усилителя звука или для усиления других сигналов в электронных цепях. Напряжение насыщения большинства биполярных транзисторов составляет 0,6 В, но у нашего С945 Uкэ.нас. = 0,3 В, поэтому он может работать в цепях низкого напряжения.
Практика работы составного транзистора
На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).
- Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
- Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
- Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.
На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:
Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.
Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ
Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе
Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.
Характеристики биполярного транзистора.
Выделяют несколько основных характеристик транзистора, которые позволяют понять, как он работает, и как его использовать для решения задач. И первая на очереди — входная характеристика, которая представляет из себя зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при определенном значении напряжения коллектор-эмиттер:
I_{б} = f(U_{бэ}), \medspace при \medspace U_{кэ} = const
В документации на конкретный транзистор обычно указывают семейство входных характеристик (для разных значений U_{кэ}):
Входная характеристика, в целом, очень похожа на прямую ветвь . При U_{кэ} = 0 характеристика соответствует зависимости тока от напряжения для двух p-n переходов включенных параллельно (и смещенных в прямом направлении). При увеличении U_{кэ} ветвь будет смещаться вправо.
Переходим ко второй крайне важной характеристике биполярного транзистора — выходной. Выходная характеристика — это зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при постоянном токе базы
I_{к} = f(U_{кэ}), \medspace при \medspace I_{б} = const
Для нее также указывается семейство характеристик для разных значений тока базы:
Видим, что при небольших значениях U_{кэ} коллекторный ток увеличивается очень быстро, а при дальнейшем увеличении напряжения — изменение тока очень мало и фактически не зависит от U_{кэ} (зато пропорционально току базы). Эти участки соответствуют разным .
Для наглядности можно изобразить эти режимы на семействе выходных характеристик:
Участок 1 соответствует активному режиму работы транзистора, когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Как вы помните, в данном режиме незначительный ток базы управляет током коллектора, имеющим бОльшую величину.
Для управления током базы мы увеличиваем напряжение U_{бэ}, что в соответствии со входными характеристиками приводит к увеличению тока базы. А это уже в соответствии с выходной характеристикой в активном режиме приводит к росту тока коллектора. Все взаимосвязано.
Небольшое дополнение. На этом участке выходной характеристики ток коллектора все-таки незначительно зависит от напряжения U_{кэ} (возрастает с увеличением напряжения). Это связано с процессами, протекающими в биполярном транзисторе. А именно — при росте напряжения на коллекторном переходе его область расширяется, а соответственно, толщина слоя базы уменьшается. Чем меньше толщина базы, тем меньше вероятность рекомбинации носителей в ней. А это, в свою очередь, приводит к тому, что коэффициент передачи тока \beta несколько увеличивается. Это и приводит к увеличению тока коллектора, ведь:
I_к = \beta I_б
Двигаемся дальше
На участке 2 транзистор находится в режиме насыщения. При уменьшении U_{кэ} уменьшается и напряжение на коллекторном переходе U_{кб}. И при определенном значении U_{кэ} = U_{кэ \medspace нас} напряжение на коллекторном переходе меняет знак и переход оказывается смещенным в прямом направлении. То есть в активном режиме у нас была такая картина — эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. В режиме же насыщения оба перехода смещены в прямом направлении.
В этом режиме основные носители заряда начинают двигаться из коллектора в базу — навстречу носителям заряда, которые двигаются из эмиттера в коллектор. Поэтому при дальнейшем уменьшении U_{кэ} ток коллектора уменьшается. Кроме того, в режиме насыщения транзистор теряет свои усилительные свойства, поскольку ток коллектора перестает зависеть от тока базы.
Режим насыщения часто используется в схемах ключей на транзисторе. В одной из следующих статей мы как раз займемся практическими расчетами реальных схем и там используем рассмотренные сегодня характеристики биполярного транзистора.
И, наконец, область 3, лежащая ниже кривой, соответствующей I_{б} = 0. Оба перехода смещены в обратном направлении, протекание тока через транзистор прекращается. Это так называемый режим отсечки.
Все параметры транзисторов довольно-таки сильно зависят как друг от друга, так и от температуры, поэтому в документации приводятся характеристики для разных значений. Вот, например, зависимость коэффициента усиления по току (в зарубежной документации обозначается как h_{FE}) от тока коллектора для биполярного транзистора BC847:
Как видите, коэффициент усиления не просто зависит от тока коллектора, но и от температуры окружающей среды. Разным значениям температуры соответствуют разные кривые.
Основные характеристики и параметры транзисторов
Классификация транзисторов. Проводимость, усиление, параметры, определяющие мощность, допустимое напряжение, частотные и шумовые свойства транзистора.
Транзистор, в общем понимании этого слова – это полупроводниковый прибор, как правило, с тремя выводами, способный усиливать поступающий на него сигнал. Выполняя функции усиления, преобразования, генерирования, а также коммутации сигналов в электрических цепях, в данный момент транзистор является основой подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
На принципиальных схемах транзистор обычно обозначается латинскими буквами «VT» или «Q» с добавлением позиционного номера (например, VT12 или Q12).
В отечественной документации прошлого века применялись обозначения «Т», «ПП» или «ПТ». Преобладающее применение в промышленных и радиолюбительских конструкциях находят два типа транзисторов – биполярные и полевые. Какими они бывают?
ОСНОВНАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ, ПАРАМЕТРЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ.
Основная классификация, определяющая область применения транзисторов, ведётся по: исходному материалу, на основе которого они сделаны, структуре проводимости, максимально допустимому напряжению, максимальной мощности, рассеиваемой на коллекторе, частотным свойствам, шумовым характеристикам, крутизне передаточной характеристики (для полевых) или статическому коэффициенту передачи тока (для биполярных транзисторов) . Рассмотрим перечисленные пункты классификации более детально.
По исходному полупроводниковому материалу транзисторы классифицируются на: — германиевые (в настоящее время не производятся); — кремниевые (наиболее широко представленный класс); — из арсенида галлия (в основном СВЧ транзисторы) и др.
По структуре транзисторы классифицируются на: — p-n-p структуры – биполярные транзисторы «прямой проводимости»; — n-p-n структуры – биполярные транзисторы «обратной проводимости»; — p-типа – полевые транзисторы с «p-типом проводимости»; — n-типа – полевые транзисторы с «n-типом проводимости». В свою очередь, полевые транзисторы подразделяются на приборы с управляющим p-n-переходом (JFET-транзисторы) и транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП-транзисторы).
По параметру мощности транзисторы делятся на: — транзисторы малой мощности (условно Рmах — транзисторы средней мощности (0,3 — мощные транзисторы (Рmах >1,5 Вт). Также косвенным показателем мощности транзистора является параметр максимально допустимого тока коллектора (Iк_max).
По параметру максимально допустимого напряжения Uкэ или Uси транзисторы делятся на: — транзисторы общего применения (условно Uкэ_mах — высоковольтные транзисторы (Uкэ_mах > 100 В). У современных биполярных и полевых транзисторов параметр Uкэ_mах (Uси_mах) может достигать нескольких тысяч вольт!
По частотным характеристикам транзисторы делятся на: — низкочастотные транзисторы (условно Fгр — среднечастотные транзисторы (3 — высокочастотные транзисторы (30 — сверхвысокочастотные транзисторы (Fгр > 300 МГц); Основным параметром, характеризующим быстродействия транзистора, является граничная частота коэффициента передачи тока (Fгр). Косвенным – входная и выходная ёмкости. Для транзисторов, разработанных для использования в ключевых схемах, также может указываться параметр задержки переключения (tr и ts).
По шумовым характеристикам транзисторы делятся на: — транзисторы с ненормированным коэффициентом шума; — транзисторы с нормированным коэффициентом шума (Кш).
Коэффициент передачи тока (h21 – для биполярного транзистора) и крутизна передаточной характеристики (S – для полевого) являются одними из основных параметров полупроводника. От него зависят как качественные показатели транзисторного усилительного каскада, так и требования, предъявляемые к предыдущим и последующим каскадам.
Однако давайте будем считать эту статью вводной, а углубляться и подробно рассуждать о влиянии тех или иных параметров на работу и поведение биполярного или полевого транзистора будем на следующих страницах. Полный перечень статей, посвящённых описанию работы транзистора, а также расчётам каскадов на полевых и биполярных полупроводниках, приведён в рубрике «Это тоже может быть интересно».
Отечественные и импортные аналоги
Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 200 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ3102 | 45 | 0,1 | 0,25 | 250 | 300 |
| Импорт | |||||
| KSC945 | 50 | 0,15 | 0,25 | 40 | 300 |
| 2N2222 | 30 | 0,8 | 0,5 | 100 | 250 |
| 2N3904 | 40 | 0,2 | 0,31 | 40 | 300 |
| 2SC3198 | 50 | 0,15 | 0,4 | 20 | 130 |
| 2SC1815 | 50 | 0,15 | 0,4 | 70 | 80 |
| 2SC2002 | 60 | 0,3 | 0,3 | 90 | 70 |
| 2SC3114 | 50 | 0,15 | 0,4 | 55 | 100 |
| 2SC3331 | 50 | 0,2 | 0,5 | 100 | 200 |
| 2SC2960 | 50 | 0,15 | 0,25 | 100 | 100 |
Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945
Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Технические характеристики
Рассмотрим основные технические параметры транзистора 13002. Они приведены в datasheet в разделах максимальных значений и электрических характеристик. Превышение предельно допустимых величин приводит к выходу устройства из строя.
Максимальные значения параметров для транзистора 13002:
- напряжение К-Э: (VCEO (SUS)) до 300 В;
- напряжение Э-Б: (VEBO) до 9 В;
- ток коллектора: (IC) до 1.5 А; (ICM) до 3 А (пиковый);
- ток базы: (IВ) = 0.75 А; (IВМ) до 1.5 А (пиковый);
- рассеиваемая мощность (РD): до 1.4 Вт (без радиатора); до 40 Вт (с теплоотводом);
- диапазон рабочих температур (TJ,Tstg) от -65 до +150ОС.
Электрические параметры
Электрические характеристики представляют собой перечень номинальных значений параметров, при которых гарантируется стабильная работа полупроводникового устройства. Для транзистора 13002 представлены в таблице ниже. Обычно производитель указывает их с учётом температуры кристалла не более +25ОС. В столбце «режимы измерений» приведены условия тестирования.
Аналоги
Наиболее подходящей заменой для рассматриваемого полупроводникового триода можно назвать более мощный транзистор 13003. Он встречается с символами в начале маркировке: MJE, ST, PHE, KSE, указывающими на производителя. По расположению выводов полностью идентичен. Имеет лучшие технические параметры, но перед его использованием внимательно ознакомьтесь с datasheet.
Наиболее близкими российскими аналогами является: КТ8170Б1, КТ872.
DataSheet PDF Search Site
|
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
|
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 2SA1041 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
| 2SA1042 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
| 2SC2431 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзитсу | |
| 2SC2432 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
| А1041 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
| А1042 | ПНП-транзистор — 2SA1042 | Полупроводник Нью-Джерси | |
| А1042 | Кремниевый высокоскоростной силовой транзистор | Фудзицу | |
| БД2222Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник | |
| БД2242Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник | |
| БД2243Г | 1-канальные ИС переключателя верхнего уровня с регулируемым ограничением тока | РОМ Полупроводник |
C5353 описание
Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Модуль датчика стука и цифровой интерфейс 13, светодио дный встроенный светодиод создают простую схему для производства ударных мигалок Если вы выбираете Бесплатная Post Доставка с незарегистрированных, там не будет отслеживания в пункт назначения,Вы должны держать в touch с местном почтовом отделении все время до доставки. Если пакет будет взиматься таможенные пошлины, мы не несем ответственности за любые таможенные пошлины или налоги на импорт.
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C945 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3 pf | 0.15 A | 130 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| STC945 | 0.5 W | 50 V | 40 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 80 MHz | TO-92 |
| 2PC945 | 0.5 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | SOT54, TO-92, SC43 |
| 2SC945-GR | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 200 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945-Y | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 120 | 150 MHz | TO-92 | |
| 2SC945L | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945LT1 | 0.23 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.2 pf | 0.15 A | 200 | 150 MHz | SOT23 |
| 2SC945M | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 250 pf | 0.15 A | 90 | 3 MHz | SOT23 |
| 2SC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945P | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| 2SC945T | 0.25 W | 50 V | 40 V | 5 V | 125 °C | 0.1 A | 75 | 125 MHz | TO-92 | |
| 2SC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| BTC945A3 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 9 pf | 0.2 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| C945LT1 | 0.2 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 0.15 A | 40 | 150 MHz | SOT23 | |
| C945T | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| CSC945 | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945K | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945P | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945Q | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| CSC945R | 0.25 W | 60 V | 45 V | 5 V | 125 °C | 4 pf | 0.1 A | 50 | 150 MHz | TO-92 |
| FPC945 | 0.25 W | 50 V | 40 V | 175 °C | 5 pf | 0.1 A | 200 | 250 MHz | TO-92 | |
| FTC945B | 0.4 W | 60 V | 50 V | 5 V | 125 °C | 3 pf | 0.15 A | 70 | 200 MHz | TO-92 |
| HSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 4 pf | 0.1 A | 135 | 150 MHz | TO-92 |
| KSC945 | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945G | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 200 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945L | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 350 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945O | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945R | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 40 | 300 MHz | TO-92 |
| KSC945Y | 0.25 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 3.5 pf | 0.15 A | 120 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945 | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 90 | 300 MHz | TO-92 |
| KTC945B | 0.625 W | 60 V | 50 V | 5 V | 150 °C | 2 pf | 0.15 A | 70 | 300 MHz | TO-92 |
Dynabook-Toshiba Satellite Radius 14 L40W-C1959 | Память ОЗУ и SSD обновления
Найти продукт
Арт. или идентификатор конфигурации
Извините. По вашему запросу не найдено ни одного активного номера детали или идентификатора конфигурации Crucial.
или
Поиск статей и содержимого сайта
Введите ключевые слова
Извините. По вашему запросу не найдено ни одного активного номера детали или идентификатора конфигурации Crucial.
Пожалуйста, уточните свой выбор.
Максимальное количество продуктов, которые можно сравнить, — 4. Пожалуйста, уточните
ваш выбор.
Пожалуйста, уточните свой выбор.
Выберите продукты для сравнения из одной категории.
- Память
- Хранилище
- Совет по обновлению
Все совместимые обновления
Внутренний SSD для:
Satellite Radius 14 L40W-C1959
В настоящее время у нас нет совместимых обновлений SSD для вашей системы.
По выбранным фильтрам ничего не найдено.
{{#isNotEmpty OID}}
{{#ifCond ../show-review ‘===’ ‘true’ }}
{{/ifCond}}
{{#ifCond is-comparable ‘===’ ‘true’ }}
{{/ifCond}}
{{/isNotEmpty}}
{{#ifCond ../show-add-to-cart ‘===’ ‘true’}}
{{#ifCond buyable ‘===’ ‘true’}}
{{цена по умолчанию}}
{{текст налога по умолчанию}}
{{/ifCond}}
{{/ifCond}}
{{#ifCond .
Проверка запасовПроверка запасов
{{/ifCond}}
{{/ifCond}}
{{#ifCond ../prod-type ‘!==’ ‘аксессуары’}}
{{#ifCond show-wtb ‘===’ ‘true’}}
{{#isNotEmpty wtb-url}}
Где купить
{{/isNotEmpty}}
{{#isEmpty wtb-url}}
{{#if ../wtb-id-актива}}
{{/если}}
{{/пусто}}
{{/ifCond}}
{{/ifCond}}
Внешний SSD для:
Спутниковый радиус 14 L40W-C1959
{{#isNotEmpty OID}}
{{#ifCond .
{{/ifCond}}
{{#ifCond is-comparable ‘===’ ‘true’ }}
{{/ifCond}}
{{/isNotEmpty}}
{{#ifCond ../show-add-to-cart ‘===’ ‘true’}}
{{#ifCond buyable ‘===’ ‘true’}}
{{цена по умолчанию}}
{{текст налога по умолчанию}}
{{/ifCond}}
{{/ifCond}}
{{#ifCond ../show-add-to-cart ‘===’ ‘true’}}
{{#ifCond buyable ‘===’ ‘true’}}
Проверка запасовПроверка запасов
{{/ifCond}}
{{/ifCond}}
{{#ifCond .
Посмотреть корзину
Продолжить покупки